【課題】電子銃を用いて蒸着を行う際に使用される蒸着ルツボ用のリングおよびそれを備えた蒸着ルツボを提供する。
【解決手段】蒸着ルツボの開口部に設けられる蒸着ルツボ用リングであって、
上記蒸着ルツボの開口部に着脱可能に取り付けられ、且つ、蒸着ソース材の一部が付着可能なるごとくに設けられており、前記蒸着ルツボ用リングを前記蒸着ルツボの開口部の形状に即した形状とし、また、蒸着ソース材の融点Ｔｓより高い融点Ｔｒを有する材料で構成し、且つ、蒸着ルツボ内における前記蒸着ルツボ用リングの下端部の蒸着ルツボの底からの位置Ｈｒを該蒸着ルツボの深さＨｃの８０％以下としたことを特徴とする蒸着ルツボ用リングおよびそれを備えた蒸着ルツボ。 （もっと読む）

【課題】受光部に光を導く導光部を形成する半導体基板に、スパッタリングにより厚さ均一の反射膜を形成すること。
【解決手段】半導体基板（２６）は、受光部（４２）を複数形成するウエハ（４３）の表面が絶縁体（４４）で覆われる構成である。絶縁体（４４）には、各受光部（４２）の上方に、半導体基板（２６）と直交する方向に延びる筒状の導光部（４５）が形成されている。また、開口（４６）側の端部には、奥に向かうに連れて口径が小さくなるテーパ部（４７）が切欠き形成されている。鉛直下方に向けて飛散するスパッタ原子（３４）が斜めに被着する向きに半導体基板（２６）を配置する。半導体基板（２６）を、それに直交する中心軸回りに回転させながらスパッタ原子（３４）を被着させる。 （もっと読む）

【課題】
蒸着開始時の低速度から定常速度までの間の蒸着膜厚を均一にすることにより、ロスを減少し生産性を向上することのできるウエッブ状被蒸着材の蒸着膜厚制御方法を提供する。
【解決手段】
減圧下で連続したウエッブ状被蒸着材の少なくとも一方の表面に蒸着材料を加熱蒸発させる加熱手段を用いて蒸着する真空蒸着装置において、前記ウエッブ状被蒸着材の表面上の蒸着膜厚を検出する蒸着膜厚検出手段と前記蒸着膜厚検出手段による検出値に基づいて蒸着膜厚を制御するに際し、前記ウエッブ状被蒸着材の走行速度が蒸着開始時から定常蒸着時の走行速度に達するまでの加速中の間は、蒸着材料を加熱蒸発させるための導入電力量を予め設定したプログラムにより段階的に上昇させながら、蒸着膜厚検出手段の検出値と目標膜厚の偏差から前記ウエッブ状被蒸着材の走行速度を制御することを特徴とするウエッブ状被蒸着材の蒸着膜厚制御方法。
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【課題】反射防止膜やミラーを構成する光学多層膜の応力を低減し、変形の少ない多層膜光学素子を実現する。
【解決手段】基板１上に積層される高屈折率膜２と低屈折率膜３からなる光学多層膜に、非晶質のＳｃＦ₃ 膜からなる応力緩和層４を挿入する。ＳｃＦ₃ は、他の材料に比べて大きな圧縮応力を有するため、膜厚が小さくても光学多層膜の引張応力を相殺できる。基板１上に金属膜５を有する場合には、非晶質のＳｃＦ₃ 膜からなる応力緩和層４を金属膜５の上に挿入することで、防湿、防錆の効果も期待できる。 （もっと読む）

【課題】金属層上に化合物半導体層が成長した半導体基板を簡便かつ安価で製造することができる方法、並びにそれによって製造された化合物半導体基板及び素子を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板の製造方法は、（ａ）複数の球形ボールを用意するステップと、（ｂ）基板上に複数の球形ボールをコーティングするステップと、（ｃ）球形ボールがコーティングされた基板上に球形ボールの直径より小さい厚さの金属層を蒸着するステップと、（ｄ）金属層が蒸着された基板から複数の球形ボールを除去するステップと、（ｅ）複数の球形ボールが除去されて露出した基板の表面から化合物半導体層を成長させるステップと、（ｆ）化合物半導体層を側面方向に成長させて金属層上で互いに繋げるステップと、（ｇ）化合物半導体層を目標とする厚さまで成長させるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】シャッター板の蒸着源側の面に堆積した蒸着材料を、自己清掃機能を設けることにより除去することを可能とし、シャッター板の蒸着源側の面に堆積した蒸着材料を再利用することで、蒸着材料の使用効率を高めることが可能な蒸着装置を提供することを目的とする。
【解決手段】シャッター板の蒸着源側の面が隆起したシャッター板と、シャッター板の被蒸着物側に設置したヒーターとを有する蒸着装置を用いて、シャッター板に付着した蒸着材料を加熱により融解し、シャッター板の隆起した凸部に集めることで、蒸着源に落とし込んで回収する。 （もっと読む）

【課題】成膜速度を速くしても、アーキング（異常放電）などのスパッタリング不良が発生しないＮｉ含有Ａｌ基合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｎｉを０．０５〜１０原子％含有するＡｌ基合金スパッタリングターゲットであり、後方散乱電子回折像法によってＮｉ含有Ａｌ基合金スパッタリングターゲットのスパッタリング面法線方向の結晶方位＜００１＞、＜０１１＞、＜１１１＞、および＜３１１＞が下記（１）〜（３）の要件：
（１）＜００１＞±１５°と＜０１１＞±１５°と＜１１１＞±１５°と＜３１１＞±１５°との合計面積率をＰ値としたとき、スパッタリング面全面積に対するＰ値の比率は７０％以上、
（２）Ｐ値に対する、＜０１１＞±１５°の面積率の比率は３０％以上、
（３）Ｐ値に対する、＜１１１＞±１５°の面積率は１０％以下
の要件を満足するＮｉ含有Ａｌ基合金スパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉ及びＬａを含むＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲットを用いて成膜したときに発生するスプラッシュを低減し得る技術を提供する。
【解決手段】Ｎｉ及びＬａを含有するＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲットであって、スパッタリングターゲットの平面に対して垂直な断面における１／４ｔ（ｔは厚み）〜３／４ｔの部位を走査型電子顕微鏡（２０００倍）で観察したとき、（１）Ａｌ及びＮｉを主体とするＡｌ−Ｎｉ系金属化合物について、Ａｌ−Ｎｉ系金属化合物の全面積に対する平均粒径０．３〜３μｍのＡｌ−Ｎｉ系金属化合物の合計面積≧７０％であり、（２）Ａｌ及びＬａを主体とするＡｌ−Ｌａ系金属化合物について、Ａｌ−Ｌａ系金属化合物の全面積に対する平均粒径０．２〜２μｍのＡｌ−Ｌａ系金属間化合物の合計面積≧７０％である。 （もっと読む）

【課題】オイル膜を形成するためのプレートをリジッドな素材で作製することを可能にし、パターニング膜塗布装置を全てリジッドなもので構成することにより、耐久性を向上させ、安定して多種類のオイルマスキングパターンを連続して形成させる。
【解決手段】内管２でパターニング膜を形成するため気化されたオイルを通過させる開口部６を設けた内管２と、内管２の外周を覆うようにして設けられ、かつ開口部７が設けられた外管フレーム１０と、外管フレーム１０の開口部７と重なるようにして設けられ、かつ気化したオイルを噴霧する透孔５が複数個設けられた透孔群９を具備するリジッドノズルプレート４とを備える。透孔群９を成す透孔５の形状または配列パターンを、各リジッドノズルプレート４においてそれぞれ異ならせる。 （もっと読む）

【課題】ポリアミドフィルムを基材とし、酸化アルミニウムの蒸着層を有するガスバリア性の蒸着バリア包材であって、特にドレッシングなどの酸性度の高い内容物を高温多湿の環境で長期保存してもデラミネーション等が起こらず、高いガスバリア性を継続して有することができる、ガスバリア性のポリアミドフィルム積層体の提供を目的とする。
【解決手段】ポリアミドフィルムからなる基材の片面もしくは両面に、少なくとも、アンカーコート層と、アルミニウムと酸素の存在比がＡｌ：Ｏ＝１：１．８〜１：２．０である酸化アルミニウムの蒸着層と、水溶性高分子と１種以上の金属アルコキシド及びその加水分解物を混合してなる混合溶液の薄膜の加熱乾燥被膜であるガスバリア性被膜層とが順次積層されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、高い耐電流性を有する上に、自己回復性および耐電圧特性にも優れたコンデンサ用フィルムである金属化フィルムの製造方法及びフィルムコンデンサを提供せんとするものである。
【解決手段】
本発明の金属化フィルムの製造方法は、基材フィルムの片面にプラズマ処理を施し、該プラズマ処理面に金属層を形成するものである。
本発明のフィルムコンデンサは、かかる金属化フィルムの製造方法によって得られた金属化フィルムを用いて構成されているものである。 （もっと読む）

【課題】超伝導物質である二硼化マグネシウムを用い、電流電圧特性としてＲＳＪ特性を有する積層型の積層型超伝導接合を提供する。
【解決手段】積層型超伝導接合は、サファイアからなる基板１上に形成された二硼化マグネシウム（ＭｇＢ_２）層からなる下部電極２と、下部電極２上に形成された窒化アルミニウム（ＡｌＮ）層からなる絶縁層３と、絶縁層３上に形成されたアルミニウム（Ａｌ）層からなる導体層４と、導体層４上に形成された二硼化マグネシウム（ＭｇＢ_２）層からなる上部電極５とを備える。積層型超伝導接合は、その電流電圧特性としてＲＳＪ特性を備える。絶縁層３の膜厚が０．６４ｎｍであり、導体層４の膜厚が５０ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】 ガスバリア性積層体として、高分子フィルム基材１の上に金属または無機化合物からなるガスバリア層２を真空成膜法で形成し、さらにその上にヒートシール材の層４を積層した構造体の製法として、ガスバリア層２とヒートシール材の層４の接着力を、実用上十分な強度とする方法を提供する。さらに、該ガスバリア層の表面に微粒子などのガスバリア性を損なうおそれのあるものの付着を防止する方法を提供する。
【解決手段】 ガスバリア層２の上にポリオレフィン系ポリマー層５を真空成膜法で形成することによって、その上に低温の溶融押し出しラミネート法でポリオレフィン系のヒートシール材層４を積層することができる。ガスバリア層２とその上のポリオレフィン系ポリマー層５をインラインで成膜することによって、微粒子などの付着を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】高分子フィルム基材の少なくとも一方の面に、バリア性を付与する金属または無機化合物からなる蒸着層と有機化合物層を積層してなるガスバリア性積層体において、金属または無機化合物からなる層と、有機化合物層の接着性を改善したガスバリア性積層体を提供する。
【解決手段】高分子フィルム基材１の少なくとも一方の面に、金属または無機化合物からなる層２、及び有機化合物からなる層３を真空蒸着により順次積層してなるガスバリア性積層体であって、これらの層に、一般式Ｒ¹_nＳｉ（ＯＲ²）_4-nで表されるオルガノシランを含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、坩堝の開口部から溶湯があふれ出すのを抑制することの可能な蒸着用坩堝を提供することを課題とする。また、上記課題に加えて蒸着材料と坩堝を構成する材料との熱膨張率の違いによる坩堝の破損を抑制することのできる蒸着用坩堝を提供することを課題とする。
【解決手段】
蒸着材料をおさめ加熱するための収容部と気化した蒸着材料が蒸着対象へ放出されるための開口部とを備え、前記開口部が縁にむかってその開口面積が大きくなっている蒸着用坩堝であって、前記坩堝の収容部の底部の厚みが、収容部の側面部の厚みと比較して大きいことを特徴とする蒸着用坩堝とした。 （もっと読む）

【課題】 近年、成膜速度が速くなるにつれて、半導体製造装置用のウェハーを載置するホルダーやプラズマ反応を起こす電極としてのステージヒーターの損傷が激しく寿命が短いため、より耐食性、熱衝撃に対しても耐久性の優れたものが求められるようになってきた。
本発明の目的はステージヒーターの外表面に耐食処理を施すことによって、ウェハーの処理品質の向上や長寿命化を図ることにある。
【解決手段】 ステージヒーターの基材の外表面にスパッタリング法やイオンプレーティング法によって、ニッケルやクロム、チタン、ハステロイ、インコネル等の耐食性皮膜を生成させて製作することにより、熱衝撃や腐食性ガスに対する耐久性、耐食性の向上を図ることを特徴とする。 （もっと読む）

第１金属を含有する少なくとも部分的な金属表面を有する金属品を、所定の濡れ性を有する表面で被覆する方法であって、以下のステップ：（ａ）金属品の少なくとも一部を、第２金属の層で被覆して、金属−金属接合面を提供すること、該表面はステップ（ａ）の前に、またはステップ（ａ）のために、粗であり；および、（ｂ）ステップ（ａ）の金属−金属接合面を材料に接触させて、所定の濡れ性を有する表面を提供すること、を少なくとも含む、前記方法。第１金属は例えば、鉄、亜鉛、銅、スズ、ニッケルおよびアルミニウム、ならびにスチール、黄銅、青銅およびニチノールを含むこれらの合金からなる群の１種または２種以上であってよい。好ましくは、第２金属を、第１金属の上に、無電解ガルバニック析出を用いて被覆する。被覆金属品の性質は限定されず、これは、本発明の能力が、超疎水性および超親水性の濡れ性を含む所定の濡れ性の、調整された表面を提供することだからである。これにより、本発明は、異なる分野で用いられる広範囲の金属種類に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】基板上に結晶薄膜を均一に成長させることが可能な分子線エピタキシー装置および分子線エピタキシー法を提供すること。
【解決手段】その内部を真空状態に保持可能であり、その内部に収容した基板Ｓｂに結晶成長させるための真空成長室１と、基板Ｓｂを保持する基板ホルダ２と、筒状の側壁３２と底３１とを有しており、基板Ｓｂに結晶成長させる材料Ｍｔを溶融状態で保持可能なるつぼ３と、を備える分子線エピタキシー装置Ａであって、るつぼ３の底３１には、溶融した材料Ｍｔが表面張力によって漏洩しないサイズとされた１以上の貫通孔３１ａが設けられており、基板ホルダ２は、るつぼ３に対して底３１の外面３１ｂが向く方向に配置されている。 （もっと読む）

【課題】成膜時に、真空槽内の圧力や電極への投入電力を変化させる必要なく、基板上の有機薄膜等へのダメージを最小限に抑えつつ効率的な成膜を可能とする極めて実用性に秀れたスパッタリング装置の提供。
【解決手段】真空槽内に、ターゲットを有するターゲット電極部１と、このターゲット電極部１のターゲットと対向状態に配設される対向電極部２と、この電極部１・２間に基板３を相対的に搬送させる搬送機構４とを設け、この電極部１・２間に搬送される基板３にスパッタ膜を成膜するスパッタリング装置であって、前記ターゲット電極部１と前記搬送機構４により搬送される基板３との間隔が、基板搬送上流側から基板搬送下流側に向かって連続的若しくは段階的に小さくなるように設定する。 （もっと読む）

バッキングプレートに接合されたスパッタリングターゲットアセンブリを製造する方法。この方法は、ターゲット(100)を高強度バッキングプレート(110)に接合し、さらに、摩擦攪拌溶接法により、前記ターゲットと前記バッキングプレートとの間に真空シールを形成させることを含む。 （もっと読む）