【課題】 比較的平滑な被膜表面が得られるスパッタリング法による被膜のコーティング技術において、被膜の付着強度を一層高くして加工工具にも適用できるようにする。
【解決手段】 スパッタリング法により硬質被膜をコーティングする際の前処理として、工具母材２０に−２００Ｖのバイアス電圧を印加してエッチング（表面荒し処理）を行う際に、そのバイアス電圧を２５０ｋＨｚの周波数で周期的に印加するとともに、１周期毎の負電圧の非印加時間（パルスリバースタイム）を５００ｎｓｅｃ程度としたため、工具母材２０に対する硬質被膜の付着強度が向上し、スクラッチ試験における臨界荷重で１００Ｎ以上の優れた付着強度が得られるようになり、剥離等による脱落が抑制されて、切削工具として実用上満足できる耐久性が得られる。 （もっと読む）

【課題】 高い真空度を得るために長時間をかけたり、特別の装置を使用したりすることなく、アルミニウムのような易酸化性蒸着材料を希土類系永久磁石のような被処理物に安定に蒸着させるための表面処理方法、この方法を実施するために好適な表面処理装置などを提供すること。
【解決手段】 易酸化性蒸着材料からなる蒸着被膜を被処理物の表面に形成する表面処理方法であって、処理室内の少なくとも溶融蒸発部と被処理物の近傍に蒸着制御ガスを供給した状態で前記蒸着材料を蒸発させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 耐衝撃性および流動性に優れ、ダイレクト蒸着後に美麗な光輝表面を保つことができ、しかも、樹脂レンズとの熱板溶着接合部の外観が良好であるダイレクト蒸着用熱可塑性樹脂組成物および成形品を提供する。
【解決手段】 本発明のダイレクト蒸着用熱可塑性樹脂組成物は、ジエン系ゴム状重合体（Ｇ）に、芳香族ビニル系単量体９９〜７５質量％およびシアン化ビニル系単量体１〜２５質量％を含むビニル系単量体混合物（Ｖ）を、グラフト率４０〜８０％でグラフト重合してなるグラフト共重合体（Ａ）１〜１００質量部と、ビニル系（共）重合体（Ｂ）９９〜０質量部（（Ａ）と（Ｂ）との合計は１００質量部である。）とを含有する。 （もっと読む）

【課題】ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止した低抵抗な配線膜を再現性よく成膜することができ、かつスパッタ時におけるダスト発生を抑制したスパッタターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、ＤｙおよびＥｒから選ばれる少なくとも1種の第１の元素を0.001〜30原子％の範囲で含み、残部が実質的にＡｌからなるスパッタターゲットを作製するにあたって、第１の元素を配合したＡｌを溶解した後、急冷凝固法により第１の元素とＡｌの金属間化合物が均一分散されたインゴットを作製する。このインゴットを加工してスパッタターゲットを作製する。 （もっと読む）

本発明は、バリヤー層を形成するための方法を含む。材料はECAEターゲットからアブレートされ、基体表面上にわたって1%未満またはそれと同等の1シグマの厚みバラツキを有する層を形成する。本発明は、トンネル接合を形成する方法を含む。薄フィルムは、第１の磁性層と第２の磁性層との間に形成される。その薄フィルム、第１の磁性層および／または第２の磁性層は、ECAEターゲットから材料をアブレートすることにより形成され、非ECAEターゲットを使用して形成された対応する層と比較して改善された層厚み均一性を呈する。本発明は、物理蒸着ターゲットおよびそのターゲットを使用して形成された薄フィルムを含む。そのターゲットは、アルミニウムとGa、ZrおよびInから選択された少なくとも１つの合金化元素との合金を含有する。得られたフィルムは、その薄フィルム上にわたって1.5%未満の1シグマの厚みバラツキを有する。
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【課題】成膜中の異常放電を低減し、成膜の精度を向上させる。
【解決手段】成膜室４と、成膜室４の内部に収容され、ガラス基板１６を保持するトレイ１５と、成膜室４の内部に設けられ、ガラス基板１６に対向するように配置されたターゲット１２と、トレイ１５とターゲット１２との間で、トレイ１５に対向配置され、ガラス基板１６の外周部を覆う成膜マスク１３と、成膜マスク１３をガラス基板１６に対して、接近又は離間させるマスク移動手段とを備えた成膜装置であって、トレイ１５と成膜マスク１３との間には、絶縁材料により構成され、マスク移動手段によりガラス基板１６に接近された成膜マスク１３とガラス基板１６との間隔を均一にするためのスペーサー部１４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 円筒部材（正確には複数の扇型に湾曲された湾曲部材からなる略円筒の部材）の一部をターゲットとして使用した上で、この円筒部材を用いてプラズマ重合の機能を付加することを意図した真空成膜装置を提供する。
【解決手段】 真空成膜装置１００は、内部空間を有する導電性の真空槽１３と、前記内部空間１０に複数の扇型に湾曲された湾曲部材３１、３２を並べて配置することにより、略円筒形をなすように構成された枠体１５と、前記枠体１５に囲まれた内部に配置され、前記枠体１５の周方向に沿うように磁界を形成する磁界形成手段３３と、を備え、前記湾曲部材１５、１６のうちの少なくとも一つはスパッタリングに使用するターゲットであり、かつ前記ターゲットを除いた前記枠体の領域が、プラズマ重合に使用される装置である。 （もっと読む）

【課題】成膜速度を上げ、かつ、膜厚分布の均一性を向上させることができるＤＣ又はＤＣパルススパッタリング装置を提供すること。
【解決手段】処理チャンバ２０内には、カソード２１が設置されている。カソード２１上には、ターゲットＴが載置される。処理チャンバ２０の上面には、防着板２３が配置されている。防着板２３上には、基板ホルダ２４が設けられており、この基板ホルダ２４には、シリコン基板２５が保持されている。処理チャンバ２０の側面には、ガス源２６からガス導入管２７を通じてガスが導入される。防着板２３の電位と基板ホルダ２４の電位が等しく、かつ、フローティングである。 （もっと読む）

【課題】 メンテナンス周期を長期化し、高品質の薄膜の成膜が可能となる蒸着装置における蒸発源用のシャッタ及びその蒸着装置を提供。
【解決手段】 蒸発源１に充填した成膜材料２を加熱して蒸発させ、基板３上に付着させることでこの基板３上に薄膜を成膜する蒸着装置における前記蒸発源１から蒸発する成膜材料２の前記基板３側への移動を阻止し得る蒸発源用のシャッタにおいて、前記成膜材料２の蒸発源１から基板３への経路を閉塞する閉塞部４を、回動軸の回動方向に間隔をおいて複数並設し、この閉塞部４間を前記経路を開放する開放部７としたシャッタ部５を前記回動軸に設け、このシャッタ部５は、前記回動軸を回動して、前記シャッタ部５の一の閉塞部４により前記経路を閉塞して基板３への成膜材料２の付着を阻止する状態と、前記閉塞部４間の開放部７により前記経路を開放して基板３への成膜材料２の付着を許容する状態とに回動切り替え自在に設ける。 （もっと読む）

【課題】膜質の良い薄膜を成膜可能な蒸着装置を提供する。
【解決手段】
筒状のアノード電極２１の上端部分を除去し、切り欠き部分２２を設け、基板１３から見える部分にアノード電極２１の内壁面が存在しないようにした。従って、基板１３から見える部分で小滴が発生せず、基板表面に小滴が到達することが無くなる。微小荷電粒子は磁力線１７に巻き付きながら移動するため、基板１３表面に到達し、薄膜が成長する。 （もっと読む）

【課題】
基材の端部を遮蔽することなく、基材端部にまで有効な真空薄膜を製造する方法を提供する。本発明により、基材の端部まで全面が均一な真空薄膜を得ることができる。
【解決手段】
基材上に真空薄膜を形成する方法において、該基材が該基材の幅より大きな幅を持つ支持体に近接または接触しており、かつ該基材の両端部のさらに外側に該支持体がはみ出し、該支持体のはみ出した部分に被覆シートを配設させた状態で成膜することを特徴とする真空薄膜の製造方法。
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本発明は、連続的に金属を供給して蒸発させるための、ＰＶＤ金属蒸着装置中の気化器本体の準備および動作に関する。気化器本体に適用される層構造が、未焼結状態である焼結可能な粉末材料とともに金属に供給され、原料の層構造の形態で気化器本体に加えられ、気化器本体を加熱することによって金属蒸着サイクル中に焼結融合される。層構造は、金属蒸着工程中に使用することができ、金属蒸着サイクルの後毎に金属蒸着装置中で直接更新することができる。
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【課題】配線パターンとなる金属材料中にＣＮＴを均一に分散させると共に、配線パターンの電気導電率を向上させる。また、スパッタリングによって金属薄膜中にＣＮＴを均一に分散混入するためのターゲット材を提供する。
【解決手段】絶縁性材料からなる基材８の表面にＣＮＴ入り金属層１３を形成し、金属層１３をパターンエッチングして配線パターンを形成する配線材の製造方法において、ＣＮＴ入り金属層１３をスパッタリング法により形成する。ＣＮＴとＣｕを同時にスパッタリングしてＣＮＴ入り金属層１３を形成しているため、ＣＮＴをＣｕ中に均一に混入できると共に、ＣＮＴとＣｕ間の界面抵抗を低減でき配線の電気導電率が向上する。スパッタリング用ターゲット材１０としては、ＣｕにＣＮＴが含まれたターゲット材を用いる。 （もっと読む）

【課題】細い管状体の管内壁面に適確容易かつ安価にて均等な膜厚にアルミニウムを真空蒸着させること。
【解決手段】管状体１の内壁面にアルミニウムを真空蒸着するアルミニウム真空蒸着方法において、前記管状体１の内部にアルミニウム蒸着源５を線状に配置する一方、前記管状体１の外周囲に巻回配置した誘導加熱コイル６に通電してアルミニウム蒸着源を加熱蒸発させて前記管状体の内壁面にアルミニウムを蒸着させる。 （もっと読む）

【課題】ロングスロースパッタやリフロースパッタ等の新スパッタ方式でスパッタリングした際に発生する新たな不良モード（巨大ダストや大きな凹部）の発生を抑制することを可能にしたスパッタリングターゲット用インゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｓｃ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、ＲｅおよびＢからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を0.01〜20質量％の範囲で含み、残部が実質的にＡｌからなるインゴットを、大気溶解法、真空溶解法、急冷凝固法で作製するにあたって、ＡｒおよびＫｒから選ばれる少なくとも1種の元素を含むガスを使用して、スパッタリングターゲット用インゴットを作製する。 （もっと読む）

菅、薄板、箔、線、繊維あるいはバーの形態の金属基材を有する金属製品は、二つ以上の異なる層からなる装飾性被膜を有する。一つの層は金属あるいは合金に基づき、一つの層は透明な酸化物に基づく。この製品は、連続プロセス内でPVDにより製造され、家庭用の装置、携帯電話、あるいは衣服中のボタンおよびジッパーなどのいろいろな顧客関連の製品に使用される。
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本発明は、面平行な小板を製造する方法に関し、方法は、ａ）キャリヤーに分離剤を蒸着させて分離剤５層を生成する工程と、ｂ）少なくとも１つの生成物層を分離剤層に蒸着させる工程と、ｃ）分離剤層を溶剤中に溶解させ、面平行な小板の形態で少なくとも１つの生成物層が存在する懸濁液を生成する工程を含み、分離剤が、アントラセン、アントラキノン、アセトアミドフェノール、アセチルサリチル酸、ショウノウ酸無水物、ベンズイミダゾール、ベンゼン−１，２，４−トリカルボン酸、ビフェニール−２，２−ジカルボン酸、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ジヒドロキシアントラキノン、ヒダントイン、３−ヒドロキシ安息香酸、８−ヒドロキシキノリン−５−スルホン酸一水和物、４−ヒドロキシクマリン、７−ヒドロキシクマリン、３−ヒドロキシナフタレン−２−カルボン酸、イソフタル酸、４，４−メチレン−ビス−３−ヒドロキシナフタレン−２−カルボン酸、ナフタレン−１，８−ジカルボン酸無水物、フタルイミドおよびそのカリウム塩、フェノールフタレイン、フェノチアジン、サッカリンおよびその塩、テトラフェニルメタン、トリフェニレン、トリフェニルメタノール、ならびにこれらの物質の少なくとも２種からなる混合物、特にペンタエリスリトール（Ｃ（ＣＨ_２ＯＨ）_４）、トリメシン酸（＝１，３，５ベンゼントリカルボン酸）、ＤＬ−アラニン、ＤＬ−バリン、２，６−２０ジアミノプリン、アスコルビン酸、１，３，５−ベンゼントリカルボン酸、ｏ−アセチルサリチル酸、ジフェン酸、テレフタル酸、ピロガロール、シアヌル酸、ヘキサメチルテトラミン（ウロトロピン）、フマル酸、および４−アセチル安息香酸、ならびにこれらの物質の少なくとも２種からなる混合物からなる群より選択される。 （もっと読む）

本発明に係る抵抗加熱ボートは、抵抗加熱方式で金属蒸発物を基板に真空蒸着させる抵抗加熱ボートにおいて、ボート形状で加工される黒鉛層３１と、前記黒鉛層３１の表面に形成され、前記黒鉛層３１が前記金属蒸発物と反応しないようにする保護層３０とを備え、前記保護層３０は、アルミニウムリーチ層３２と窒素化合物層３３とを含むことを特徴とする。
前記抵抗加熱ボートの製造方法は、抵抗加熱方式で金属蒸発物を基板に真空蒸着させる抵抗加熱ボートの製造方法において、黒鉛層３１を、蒸発させようとする物質を位置させ得るように表面に蒸発孔２を有するボート形状で加工する段階と、前記黒鉛層３１の表面に窒素化合物をコーティングさせる段階と、前記黒鉛層３１の蒸発孔２にアルミニウムを位置させた後、熱処理により前記窒素化合物とアルミニウムとを反応させて、黒鉛層３１の表面に、前記黒鉛層３１が前記金属蒸発物と反応しないようにする保護層３０を形成させる段階とを備えることを特徴とする。
本発明によれば、アルミニウムを含む金属を安定的且つ連続的に蒸発させることができるようになる。
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【課題】環境温度の上昇、また昇温と降温の繰り返しなどの条件下において、被覆されたＤＬＣ膜の亀裂や剥離の発生を抑制する半導体加工装置用部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、被覆層を１層以上有する金属製基材からなる半導体加工装置用部材であって、前記被覆層の最外層が水素含有量１８〜４０ａｔ％のダイヤモンドライクカーボン層である。また、本発明の半導体加工装置用部材の製造方法は、金属製基材表面又は被覆層を１層以上有する金属製基材の最外層に、炭化水素含有ガス雰囲気下で、パルス幅が１μＳ〜２０ｍＳ、印加電圧が−１〜−５０ｋＶ、パルス繰り返しが１０００〜８０００ｐｐｓのパルス電圧を印加することにより発生するプラズマによってアモルファスカーボンを析出させるものである。 （もっと読む）

【課題】 接合に際し、ミクロン未満、例えば数ナノオーダーの厚さの薄い金属間化合物層を生成する。
【解決手段】 固相状態での接合に金属間化合物層の形成を要する異種金属ワークを接合する異種金属の接合装置は、接合すべき異種金属ワークＷ1、Ｗ2が入れられる真空容器11と、真空容器11内の一方のワークＷ2の接合面に金属間化合物層を形成するようにクラスターを照射するクラスター源15と、金属間化合物層を形成したワークＷ2と他方のワークＷ1を加圧および加熱する加圧・加熱手段とを備えている。 （もっと読む）