【課題】酸化ガリウム単結晶基板上にＰＬＤ法によって結晶性に優れた窒化ガリウム膜を成長させる酸化ガリウム−窒化ガリウム複合基板の製造方法及び酸化ガリウム−窒化ガリウム複合基板、並びにこの複合基板にIII族の窒化物半導体を成長させた半導体素子を提供する。
【解決手段】面方位が実質的に＜１００＞方向である酸化ガリウム単結晶の（１００)面を研磨して薄型化するラッピング加工と、平滑に研磨するポリッシング加工とを行い、更に化学機械研磨することで、原子レベルで平坦化された結晶表面を備えた酸化ガリウム単結晶基板を得た後、窒素源及びＧａターゲットを用いたパルスレーザ蒸着法により、上記結晶表面に窒化ガリウム膜を成長させて得る。 （もっと読む）

【課題】平坦な高品質ＺｎＯ系薄膜を形成可能な結晶成長方法の提供。
【解決手段】基体表面にＺｎ系材料とＯ系材料とを供給し、基体表面にＺｎＯ系薄膜を成長させるＺｎＯ系薄膜の結晶成長方法であって、前記基体として、Ｏ極性ＺｎＯ基体を用い、かつＯ系材料に対してＺｎ系材料が過剰となるように各材料を供給しながら基体表面にＺｎＯ系薄膜を成長させることを特徴とするＺｎＯ系薄膜の結晶成長方法。 （もっと読む）

【課題】ＭＢＥ法を用いてIII−Ｖ化合物半導体膜を堆積するためのＭＢＥ用エピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】ＭＢＥ用エピタキシャル基板１１は、ＧａＡｓ、ＩｎＰといったIII−Ｖ化合物半導体単結晶ウエハ１３と、ＭＢＥ法を用いてIII−Ｖ化合物半導体膜を堆積するための表面１５ａを有するホモエピタキシャル膜１５とを含む。半導体単結晶ウエハ１３とホモエピタキシャル膜１５との界面１７における炭素濃度、酸素濃度、シリコン濃度は４×１０^１８個／ｃｍ^３未満、１×１０^１８個／ｃｍ^３未満、４×１０^１８個／ｃｍ^３未満である。III−Ｖ化合物半導体膜１７をＭＢＥ法で堆積するに先立って、半導体単結晶ウエハ１３の研磨面１３ａ上にホモエピタキシャル膜１５を形成すると、ウエハ主面のケミカルエッチング処理の有無に関するIII−Ｖ化合物半導体膜１７の光学特性の依存性が低減される。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えたＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを含むＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる半導体層２０をスパッタ法によって成膜する工程を含む製造方法であって、半導体層２０を成膜する際、Ｇａからなるスパッタターゲットの少なくとも表層が液状化された状態でスパッタする。 （もっと読む）

【課題】結晶配向性に優れたマグネトプランバイト型化合物から成る柱状構造体が均一に分散された磁性膜を提供する。
【解決手段】ペロブスカイト型基板１３上に形成されたマグネトプランバイト型化合物１１が柱状構造を有し、その長軸方向がマグネトプランバイト型化合物１１の磁化容易軸と一致し、かつ前記長軸方向がペロブスカイト型基板１３に対して垂直である磁性膜。 （もっと読む）

【課題】結晶構造が六方晶系となった結晶薄膜をｃ軸面内配向させて成膜することのできる薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】矩形のターゲット２２の下面には矩形タイプのマグネトロン回路２３を配置する。ターゲット２２の片半分を遮蔽板５１によって覆い、その下のエロージョン領域３９（磁束密度の最も大きな領域）から飛び出たスパッタ粒子が基板２８へ飛来しないように遮断する。真空チャンバ２１内のプラズマ領域の内部に位置する高さに基板２８を配置し、エロージョン領域３９の遮蔽板５１から露出している領域から飛び出たスパッタ粒子を基板２８の表面に入射させる。こうしてガス圧を小さくすれば、スパッタ粒子の平均自由工程が長くなってエネルギーの高いスパッタ粒子が大量に入射する結果、エネルギーの高いスパッタ粒子の入射による損傷を受けにくい結晶面である（１１−２０）面を持つ結晶粒が優先的に成長してｃ軸面内配向膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】ドナー不純物の添加量によって導電性を制御することができ、しかも、スパッタ法によって効率よくＩＩＩ族窒化物半導体を形成できるＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】２０〜８０％の窒素原子含有ガスと不活性ガスとを含む雰囲気中で、スパッタ法によって、ドナー不純物の添加された単結晶のＩＩＩ族窒化物半導体層を形成するスパッタ工程を備えることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】均一性の良好なバッファ層としての結晶層を得ることができ、その上にＩＩＩ族窒化物半導体結晶構造を作製する際、良好な結晶性の膜を得る積層構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、スパッタ法によって成膜されたＩＩＩ族窒化物よりなる第１の層８を備え、少なくとも第１の層に接してＩＩＩ族窒化物材料からなる第２の層７を備えたＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造Ａにおいて、前記第１の層が成膜装置のチャンバの内部において成膜された層であり、前記第１の層が成膜装置のチャンバ内において到達真空度、１．０×１０^−３Ｐａ以下の条件で単結晶組織として製造された層であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えたＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを含むＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含む方法であり、前記半導体層を成膜する際、スパッタに用いるチャンバ内に、窒素及びアルゴンを供給してスパッタする。 （もっと読む）

InGaN などの材料の成長面に、走査鏡などで所望の位置へと導いた小径レーザービームを当てて露光させる。露光点での物性を変更できる。或る実施形態においては、レーザーにあてた箇所で、選択した材料のモル分率を低減する。或る実施形態においては、材料を、MBE室内もしくはCVD室内で成長させる。 （もっと読む）

本発明は真空蒸着装置及びこれに関連する蒸着方法に関する。基板が設置される蒸着領域を局部的にポンピングするために１つまたはそれ以上のクライオパネルを使用する真空蒸着装置が提供される。本発明は、特に、分子線エピタキシーにおいて高蒸気圧蒸着材料をポンピングしその再蒸発を最小限に抑えるために応用可能である。
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【課題】格子定数の不一致の問題を解消した状態で、Ａｌ₂Ｏ₃単結晶基板の上に、ＬｉＮｂＯ₃厚膜をエピタキシャル成長させる。
【解決手段】主表面がＣ面とされてこの主表面を清浄化したＡｌ₂Ｏ₃単結晶基板１０１の上に非晶質のニオブ酸リチウム（Ｌｉ_1-xＮｂＯ₃）からなる非晶質層１１２をスパッタ法により形成し、次に、非晶質層１１２を１０^-5Ｐａ台の高真空とした処理室内で６００〜７００℃程度に加熱することで結晶化させ、この後、結晶化層１０２の上にスパッタ法によりＬｉＮｂＯ₃を結晶成長させてＬｉＮｂＯ₃結晶膜１０３を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板上に結晶薄膜を均一に成長させることが可能な分子線エピタキシー装置および分子線エピタキシー法を提供すること。
【解決手段】その内部を真空状態に保持可能であり、その内部に収容した基板Ｓｂに結晶成長させるための真空成長室１と、基板Ｓｂを保持する基板ホルダ２と、筒状の側壁３２と底３１とを有しており、基板Ｓｂに結晶成長させる材料Ｍｔを溶融状態で保持可能なるつぼ３と、を備える分子線エピタキシー装置Ａであって、るつぼ３の底３１には、溶融した材料Ｍｔが表面張力によって漏洩しないサイズとされた１以上の貫通孔３１ａが設けられており、基板ホルダ２は、るつぼ３に対して底３１の外面３１ｂが向く方向に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板上に良質のペロブスカイト構造の単結晶を形成することができ、ペロブスカイト構造の単結晶を用いた素子の特性向上をはかる。
【解決手段】 ペロブスカイト構造の強誘電体膜を用いた半導体装置であって、単結晶シリコン基板１１上に形成されたＺｒ_1-x Ｓｉ_x Ｏ₂ （0.08≦ｘ≦0.10）のａ軸配向単結晶バッファ膜１３と、バッファ膜１３上に形成され、Ｐｔ又はペロブスカイト構造の単結晶で形成された下部電極１４と、下部電極１４上に形成され、ペロブスカイト構造の単結晶で形成された強誘電体膜１５と、強誘電体膜１５上に形成され、Ｐｔ又はペロブスカイト構造の単結晶で形成された上部電極１６とを備えた。 （もっと読む）

【課題】表面の平坦性や結晶構造の完全性に優れ、かつ光学特性の良好なＩｎＮエピタキシャル薄膜を得るのに有用で簡便な成長方法を提供する。
【解決手段】ＩｎＮ薄膜をＧａＮバッファ層上にエピタキシャル成長するに先立ち、ＧａＮバッファ層表面上に窒素のプラズマソースの供給がない状態で約１分子層−２分子層（ＭＬ）の厚さのＩｎ金属を供給する。またＧａＮバッファ層の極性がＮ極性（（０００−１）面、−ｃ面）であってもよい。また、成長技術として窒素原子の供給手段としてＮ２ガスから発生するプラズマを用い、ＧａとＩｎの供給手段としてルツボ内でＩｎあるいはＧａ金属元素を高温加熱して生成される原子ビームを利用してもよい。（ＲＦ−ＭＢＥと呼ばれる手法）。 （もっと読む）

【課題】発光デバイス等に使用できる結晶性のよいＩｎＮおよびＩｎ組成の大きなＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ層を提供することを目的とする。
【解決手段】 ＺｎＯ基板上に成長することで形成されたＩＩＩ−Ｖ族窒化物層であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物層は、前記基板上に直接接して形成された第一層と、この第一層上に直接接して形成された第二層とを少なくとも有し、前記第一層が、Ｉｎ_ａＧａ_１−ａＮ（但し、ａは、０≦ａ≦０．１６を満たす数である）であり、前記第二層が、Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ（但し、ｘは、０．５≦ｘ≦１を満たす数である）であることを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族窒化物層。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えたＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを含むＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含む製造方法であり、基板１１とスパッタターゲットとを対向して配置するとともに、基板１１とスパッタターゲットとの間隔を２０〜１００ｍｍの範囲とする。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えたＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを含むＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含む製造方法であり、半導体層をスパッタ法で成膜する際に、基板１１に印加するバイアス値を０．１Ｗ／ｃｍ^２以上とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ耐性が高い保護層を有するプラズマディルプレイパネルの提供。
【解決手段】放電空間を介して対向する前面基板および背面基板と、前記前面基板上および／または前記背面基板上の放電電極と、前記放電電極を被覆する誘電体層と、前記誘電体層上の保護層とを有し、前記保護層の少なくとも一部がマイエナイト型化合物からなる、プラズマディスプレイパネル。 （もっと読む）

【課題】結晶配向が制御され優れた圧電特性を有し、しかも適量の気孔を有する圧電体の製造方法を提供することにある。圧電特性に優れ、上下層との密着性が高く、膜剥離が抑制された耐久性に優れた圧電体を得て、これを用いた圧電体素子を提供することにある。高解像度化、高速印字、微細化されても液体吐出量が多い液体吐出ヘッドを提供する。
【解決手段】ＡＯ_x結晶が形成される温度であってＡＢＯ₃ペロブスカイト型酸化物結晶が形成される温度未満の温度に前記基体を加熱し、Ａ元素及びＢ元素を含む酸化物を用いてＡＯ_x結晶を含む膜を前記基体上に形成する形成工程と、ＡＯ_x結晶が存在可能な温度を超える温度であってＡＢＯ₃ペロブスカイト型酸化物結晶が形成される温度に前記基体を加熱することにより、前記ＡＯ_x結晶を含む膜を前記ＡＢＯ₃ペロブスカイト型酸化物結晶の膜に変える変換工程とを含む。 （もっと読む）