【課題】窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムを主成分とする単結晶薄膜を形成するための、セラミック材料を主成分とする焼結体からなる基板及び該単結晶薄膜が形成されている薄膜基板を実現し、さらに発光効率に優れた発光素子などの電子素子を実現する。
【解決手段】基板としてセラミック材料を主成分とする焼結体、特に光透過性の焼結体を用いることでその上に窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも１種以上を主成分とする結晶性の高い単結晶薄膜が形成できる。また、結晶性の高い単結晶薄膜が形成された薄膜基板を提供できる。さらに、このようなセラミック材料を主成分とする焼結体を用いることで発光効率に優れた発光素子などの電子素子を提供できる。 （もっと読む）

【課題】低密度の結晶欠陥と高品質の結晶性を有する窒化ガリウム系半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に伴う窒化ガリウム系半導体の製造方法は、ガリウム酸化物基板を準備する段階と;上記ガリウム酸化物基板表面に対する物理的化学的前処理により上記ガリウム酸化物基板表面を窒化物に改質させＧａ-Ｎ結合を有する表面窒化物層を形成する段階と;上記表面窒化物層上に窒化ガリウム系半導体層を形成する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】 燐化硼素系半導体層上にIII族窒化物半導体層を接合させる際に、双方間の結合性の差異に起因して発生すると思われる不安定な接合を解消し、燐化硼素系半導体層上にIII族窒化物半導体層を安定して形成することができるようにする。
【解決手段】 本発明の積層構造体１０は、結晶からなる基板１００と、その基板１００上に設けられた燐化硼素系III−Ｖ族化合物半導体層１０１と、燐化硼素系III−Ｖ族化合物半導体層１０１の表面に接合されたIII族窒化物半導体層１０２とを備え、III族窒化物半導体層１０２は、表面の原子配列構造を（２×２）とする燐化硼素系III−Ｖ族化合物半導体層１０１に接合して設けられる、ことを特徴としている。 （もっと読む）

ＩｎＮ，ＧａＮ等に代表されるＩＩＩ族の窒化物半導体につき、貫通転位の発生や界面層の発生を抑えつつ良質の窒化物半導体層を成長させるべく、ＩｎＮからなる窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子の作製方法において、イットリア安定化ジルコニア基板（１２）の（１１１）面に対して、上記ＩｎＮを蒸着させる蒸着工程を設けることにより、当該基板（１２）の（１１１）面に対して、六方晶であるＩｎＮのｃ軸が略垂直となるように配向されてなる窒化物半導体層を形成させる。
（もっと読む）

【課題】 ニオブ酸カリウムの薄膜を有するニオブ酸カリウム堆積体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るニオブ酸カリウム堆積体１００の製造方法は，
Ｒ面サファイア基板からなる基板１１の上方にバッファ層１２を形成する工程と、
バッファ層１２の上方に、擬立方晶表示において（１００）配向でエピタキシャル成長したニオブ酸カリウム層１３またはニオブ酸カリウム固溶体層を形成する工程と、
ニオブ酸カリウム層１３またはニオブ酸カリウム固溶体層の上方に電極層を形成する工程と、を含み、
ニオブ酸カリウム層１３またはニオブ酸カリウム固溶体層の（１００）面は、Ｒ面サファイア基板１１のＲ面（１−１０２）に対して，［１１−２０］方向ベクトルを回転軸として傾くように形成される。 （もっと読む）

【課題】高価でエネルギー消費量の大きいプラズマ発生源を用いることなく、光触媒作用に優れた窒素ドーピングされた酸化チタンを簡便かつ安価に製造する。
【解決手段】窒素がドーピングされている酸化チタンを製造するに際して、その窒素の供給源として一酸化窒素ガスを用いる。 （もっと読む）

分子線エピタキシャル成長法によりＩＩＩ−Ｖ族系化合物半導体のヘテロ接合を有する半導体薄膜を形成するエピタキシャル成長方法であって、少なくとも一種類以上のＩＩＩ族元素の分子線と第１のＶ族元素の分子線とを照射して第１の化合物半導体層を形成する第１の工程と、前記ＩＩＩ族元素の分子線と前記第１のＶ族元素の分子線の照射を停止し、前記第１のＶ族元素の供給量が前記第１の工程における供給量の１／１０以下となるまで成長を中断する第２の工程と、少なくとも一種類以上のＩＩＩ族元素の分子線と第２のＶ族元素の分子線とを照射して前記第１の化合物半導体層上に前記第１の化合物半導体とは異なる第２の化合物半導体層を形成する第３の工程と、を備えるようにした。
（もっと読む）

【課題】ＬｉＮｂＯ₃結晶の分極方向を容易に制御できるようにする。
【解決手段】まず、サファイアＡ面基板の上にアモルファス状態のＬｉＮｂＯ₃膜を成膜する（ステップＳ１）。ＬｉＮｂＯ₃膜の成膜には、電子サイクロトロン共鳴プラズマを用いたスパッタ法を用いることができる。次に、成膜したＬｉＮｂＯ₃膜を加熱して結晶化させ、ａ軸配向のＬｉＮｂＯ₃結晶薄膜を形成する（ステップＳ２）。この際、３２０℃以上の温度で加熱することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶基板上に完全に転位をなくした（無欠陥の）III −Ｖ族化合物半
導体層を形成することを目的とする。
【解決手段】シリコン単結晶基板１と、シリコン単結晶基板１上にその臨界膜厚以下の厚さに形成されたＧａＰバッファ層２と、ＧａＰバッファ層２上に形成されシリコン単結晶に実質的に格子整合するように窒素（Ｎ）をＶ族元素に対して１％〜１０％添加したIII −Ｖ族化合物半導体からなる複数の半導体層３とを有する。 （もっと読む）

【課題】 大容量通信の需要に伴い、次世代の短波長帯通信では、青色や紫外域へと波長帯がさらに短波長化するものと考えられる。この状況に鑑み、次世代の短波長帯通信にも適した新しい磁気光学材料を提供する。
【解決手段】 アナターゼ型結晶構造を有し、Ti_1-x-yCo_xNb_yO₂（0<x+y<1,x>0,y>0）の化学式で表されることを特徴とする酸化物材料。本構成によれば、青色などの短波長領域であっても大きなファラデー回転係数を示す磁気光学効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】 高品質のＧａ_２Ｏ_３系化合物半導体からなる薄膜を形成することができるｐ型Ｇａ_２Ｏ_３膜の製造方法およびｐｎ接合型Ｇａ_２Ｏ_３膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 真空層５２内を減圧し、酸素ラジカルを注入しながらセル５５ａを加熱し、Ｇａの分子線９０、およびセル５５ｂを加熱し、Ｍｇの分子線９０をＧａ_２Ｏ_３系化合物からなる基板２５上に照射して、基板２５上にｐ型β−Ｇａ_２Ｏ_３からなるｐ型β−Ｇａ_２Ｏ_３層を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、高い原料利用効率、大面積対応、高い安全性を具備したスパッタ法の利点を生かし、高い品質の４族元素からなる半導体単結晶薄膜、および半導体多結晶薄膜を形成する半導体薄膜製造装置および方法を提供する。
【解決手段】 希ガスと水素の混合スパッタガスを用いること、真空容器の到達最低圧力を１×１０^−７Ｔｏｒｒ未満の超高真空領域に下げること、マグネトロン方式でスパッタすること、スパッタ成膜とスパッタ成膜の間のスパッタガスを流していないときに、スパッタターゲットを含むスパッタガンの圧力を１×１０^−７Ｔｏｒｒ未満に維持し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に保つことが重要で、これらの組み合わせによって初めて、これらが相補的に機能し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に維持され、また、堆積薄膜への酸素の混入量が検出限界以下となり、また、堆積薄膜に対する損傷やエッチング効果が抑制され、実用レベルの高品質、高純度の４族系半導体結晶が形成できる。 （もっと読む）

基板上に、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｎ、Ｂａ及びＡｌ並びにこれらの酸化物の群から選ばれた少なくとも１種の添加物を含有する貴金属からなる第１の電極層と、膜厚が０．５〜５μｍであり、化学組成が、（Ｐｂ_{（１−ｙ）}Ｌａ_ｙ）Ｔｉ_{（１−ｙ／４）}Ｏ_３、（０＜ｙ≦０．２）、または、（Ｐｂ_{（１−ｙ）}Ｌａ_ｙ）（Ｚｒ_ｘＴｉ_{（１−ｘ）}）_{（１−ｙ／４）}Ｏ_３、（０＜ｘ≦０．２または０．５５≦ｘ＜０．８、０＜ｙ≦０．２）、で示されたペロブスカイト型結晶構造の焦電体層と、第２の電極層とをこの順序で形成し、焦電体素子とする。
（もっと読む）

【課題】 基板の除去の際に第三薄膜に対する不具合が起こり難くなる電子デバイスの製造方法及びこれにより製造された電子デバイス及び圧電デバイスを提供する。
【解決手段】 第一工程では、被成膜面１０ａの一部１２を覆うように基板１０を保持しこの被成膜面１０ａ上に第一薄膜２０を成膜する。第二工程では、被成膜面の一部１２を覆わないように、第一薄膜２０が成膜された基板１０を保持し、被成膜面の一部１２の上及び第一薄膜２０の上にさらに第二薄膜４０を成膜する。第三工程では、第二薄膜４０の上に第三薄膜５２，５０を成膜し、積層体７０を得る。第四工程では、エッチャント又は液体を含む研磨剤を用いて基板１０を積層体７０から除去する。そして、第二薄膜４０のエッチング速度又は溶解速度は、第三薄膜５２，５０のエッチング速度又は溶解速度よりも低い。 （もっと読む）

本発明は、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＡｓ_zＳｂ_1-zを含有し、ここでパラメータx, y, zは、バンドギャップが３５０ｍｅＶよりも小さくなるよう選定されている半導体素子に関する。この場合、半導体素子はメサ形構造を有しており、このメサ形構造の少なくとも１つの側面に、少なくとも部分的にＡｌ_nＧａ_1-nＡｓ_mＳｂ_1-mを含有するパッシベーション層が設けられており、ここでパラメータnは０．４〜１の範囲から選択され、パラメータmは０〜１の範囲から選択される。
（もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に成膜配線して半導体素子を形成することにより銅の利点である耐ＥＭ性や耐ＳＭ性を十分に生かして高度耐腐食性の微細化配線を持つ半導体素子を製造することができる高純度単結晶銅とその製造方法、更に得られた単結晶銅からなるスパッタリングターゲットおよび同ターゲットを用いて成膜した配線を有する半導体素子を提供すること。
【解決手段】銀と硫黄の合計含有量が０．１ｐｐｍ以下である純度９９．９９９９ｗｔ％以上の高純度銅を出発原料として用い、これを電気炉１内に配置した原料るつぼ５内に入れて溶解し、るつぼ底部の溶解滴下孔４から下方の単結晶鋳型６に溶解銅を滴下する。この間上部、中部、下部ヒーター１０、１１、１２により温度を調節し、石英外筒３内を真空排気装置２により排気する。炉底部には断熱トラップ８がありその外側に冷却水９が貫流する水冷フランジ７が配置されている。この装置の単結晶鋳型内に半導体素子の配線形成用ターゲット材として好適な高純度単結晶銅が得られる。 （もっと読む）

【課題】 基板上に形成された膜の特性を向上させることが可能な薄膜材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 超電導線材１は、基板２と、基板上に形成された１層または２層以上の中間薄膜層（中間層３）と、中間薄膜層（中間層３）上に形成された単結晶性薄膜層（超電導層４）とを備える。中間薄膜層（中間層３）のうちの少なくとも１つにおいて単結晶性薄膜層（超電導層４）と対向する上部表面（被研磨面１０）は研磨加工されている。 （もっと読む）

高誘電率層（１８０）を半導体装置中に集積するためにシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）表面層（１６０）を使用する方法である。この方法は、基板（１５０）上にＳｉＧｅ表面層（１６０）を形成し、前記ＳｉＧｅ表面層（１６０）上に高誘電率層（１８０）を堆積する。酸化層（１７０）は、前記高誘電率層（１８０）とＳｉＧｅ表面層（１６０）の未反応部位との間に位置し、前記高誘電率層（１８０）の堆積中とその後のアニーリング処理中とのいずれか、又はいずれもの間に形成される。前記方法は、前記高誘電率層（１８０）上に電極層（１９０）を形成する。
（もっと読む）

１５ｃｍを超える大面積と、少なくとも１ｍｍの厚さと、５Ｅ５ｃｍ^−２を超えない平均転位密度と、２５％未満の転位密度標準偏差比率と、を有する大面積で均一な低転位密度単結晶ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料、たとえば窒化ガリウム。かかる材料は、（ｉ）たとえばＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料の成長表面の少なくとも５０％にわたってピットを形成するピット化成長条件下で、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を基板上に成長させる第１段階であって、成長表面上のピット密度が、成長表面において少なくとも１０^２ピット／ｃｍ^２である段階と、（ｉｉ）ピット充填条件下でＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を成長させる第２段階と、を含むプロセスによって基板上に形成することができる。
（もっと読む）