【課題】同一の分子線材料を有する分子線セルを複数有する分子線エピタキシャル装置の稼動率を向上させ、かつ、成膜において高い再現性を実現する、分子線エピタキシャル装置の制御装置を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシャル装置１００の制御装置１１８は、同一の分子線材料１０５を有する複数の分子線セル１０７について、各分子線セル１０７内の分子線材料１０５の残量を求める残量算出部４０５と、次回の成膜における各層での同一の分子線材料１０５の合計の消費量を等しくしたまま、上記各分子線セル１０７における設定を変更したものについて、次回の成膜後の当該各分子線セル１０７に残存する分子線材料１０５の予測消費時間を算出する予測消費時間算出部４０６と、上記予測消費時間の差が小さくなるように、次回の成膜での上記各分子線セル１０７における設定を決定するセル設定決定部４０７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】近接昇華法を用いた炭化ケイ素単結晶ウェハの製造において、昇華用原料を均熱加熱できる製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】昇華用原料２と炭化ケイ素基板４の間に炭化ケイ素単結晶の成長領域を形成することができる程度に昇華用原料２と炭化ケイ素基板４を近接して配置した後、坩堝１０の昇華用原料２収容側から電子衝撃加熱して昇華雰囲気を形成し、炭化ケイ素基板４上に炭化ケイ素単結晶を成長させる。上記炭化ケイ素基板としては、α型（六方晶）炭化ケイ素単結晶から、前記炭化ケイ素単結晶の（０００１）ｃ面から０．４度以上２度以下のオフ角で切り出された炭化ケイ素単結晶ウェハを用いる。 （もっと読む）

【課題】 不純物を低減して、リン分子を分子線として照射することができる分子線源および分子線源使用方法を提供する
【解決手段】 充填空間１１に赤リン材料を充填し、充填空間１１と精製空間１２とを連通させた状態で、充填部２１を第１気化温度ｔ１ｇに加熱して充填空間１１に存在する赤リンを昇華して、精製空間１２に白リンを凝縮する。次に精製空間１２と貯留空間１３とを連通させた状態で、精製部２２を第１気化温度ｔ１ｇよりも低い第２気化温度ｔ２ｇに加熱して精製空間１２に存在する白リンを気化して、貯留空間１３に白リンを凝縮する。このようにして貯留空間１３に生成した白リンを分子線の照射材料として用いて、リン分子線を照射する。 （もっと読む）

【課題】分子線源セル内の分子線材料の残量の減少により熱容量が変化しても、分子線源セルの温度制御性能の低下を抑え、安定した成膜を継続して行なうことができる分子線源セルの制御システムを提供する。
【解決手段】本発明の分子線源セルの制御システムは、分子線エピタキシャル装置の温度制御システムであって、成膜終了後、成膜開始までの間に、フィードバックゲインの調整の要否を判断する判断手段と、変温手段による坩堝の加熱または冷却と、温度計測手段からの坩堝の温度変化の情報に基づいて、温度制御手段内のフィードバックゲインを調整する調整手段とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、ドーピング元素を含むスパッタターゲットを用いるスパッタリングによって基板に被膜を堆積する方法であって、堆積された被膜がドーピング元素を実質的に含まない方法に関する。さらに、本発明は、スパッタ材料として、非導電性主成分及び半導電性又は導電性ドーピング元素を有するスパッタターゲットに関する。 （もっと読む）

【課題】均一かつ細密に充填したＳＡＭを大面積の基板に形成することを可能とする装置及び方法を提供する。
【解決手段】自己組織化分子を含有する液体原料を気化し、基板上に自己組織化単分子膜を形成する装置であって、前記基板を内部に保持する成膜室と、前記液体原料を前記成膜室内に直接噴射する噴射弁を備えるようにした。 （もっと読む）

電源電極を受け入れる部分の上に保護本体を設ける間に、ゲート構造を形成する工程を有する、III族窒化物電力半導体素子を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】圧電体、圧電素子、圧電素子を用いた液体吐出ヘッド及び圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電体が、
Ｐｂ（Ｚｒ_xＴｉ_1-x）Ｏ₃ （１）
（式中、ｘは、Ｚｒ、Ｔｉの元素比 Ｚｒ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）を表す。）
で表されるペロブスカイト型構造を有するジルコン酸チタン酸鉛を主成分とし、かつ該圧電体のＰｂ、Ｚｒ、Ｔｉの元素比 Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ） が１．０５以上であり、Ｚｒ、Ｔｉの元素比 Ｚｒ／（Ｚｒ＋Ｔｉ） が０．２以上０．８以下であり、かつ該圧電体のキュリー温度Ｔｃと該圧電体のＺｒ、Ｔｉの元素比に於けるバルク状態でのキュリー温度Ｔｃ₀が Ｔｃ＞Ｔｃ₀＋５０℃ の関係を満たすことを特徴とする圧電体。 （もっと読む）

【課題】結晶性が制御されて高い配向性を有し優れた圧電特性を有し、圧電体膜と電極との密着性が高く、膜剥がれが抑制されて耐久性が高い圧電体及び、作動環境の温度が変化しても圧電特性が劣化しない圧電体を得て、これを用いた圧電体、圧電素子、液体吐出ヘッド、液体吐出装置を提供する。
【解決手段】特定のＡＢＯ₃ペロブスカイト型酸化物の積層構造を有し、積層構造が、第１の結晶相の層と、該第１の結晶相と異なる結晶相を有する第２の結晶相の層と、第１の結晶相の層と第２の結晶相の層との間に設けられる境界層とを有し、第１の結晶相と第２の結晶相が特定の結晶相を有し、境界層が結晶相が層の厚さ方向において漸次に変化するものであり、積層構造全体として、単結晶構造または一軸配向結晶構造を有する。 （もっと読む）

【課題】結晶性が制御されて高い配向性を有し優れた圧電特性を有し、圧電体膜と電極との密着性が高く、膜剥がれが抑制されて耐久性が高い圧電体を提供することにある。また、作動環境の温度が変化しても圧電特性が劣化しない圧電体を得て、これを用いた圧電体、圧電素子、液体吐出ヘッド、液体吐出装置を提供することにある。
【解決手段】一般式ＡＢＯ₃で表される特定のペロブスカイト型酸化物を含む積層構造を有する圧電体であって、該積層構造は、正方晶、菱面体晶、擬似立方晶、斜方晶および単斜晶のいずれかから選択された結晶相を有する層状の第１の結晶相と、これと異なる結晶相で上記結晶相のいずれかから選択された結晶相を有する層状の第２の結晶相と、第１の結晶相と前記第２の結晶相の間に、結晶相が層の厚さ方向において漸次に変化する境界相とを有し、全体として単結晶構造または一軸配向結晶構造を有する。 （もっと読む）

【課題】圧電体、圧電素子、圧電素子を用いた液体吐出ヘッドおよび液体吐出装置を提供する。
【解決手段】圧電体が、
Ｐｂ（Ｚｒ_xＴｉ_1-x）Ｏ₃ （１）
（式中、ｘは、Ｚｒ、Ｔｉの元素比 Ｚｒ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）を表す。）
で表されるペロブスカイト型構造を有するジルコン酸チタン酸鉛を主成分とし、かつ該圧電体のＰｂ、Ｚｒ、Ｔｉの元素比 Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ） が１．０５以上であり、Ｚｒ、Ｔｉの元素比 Ｚｒ／（Ｚｒ＋Ｔｉ） が０．５以上０．８以下であり、かつ該圧電体が少なくとも単斜晶系のペロブスカイト型構造を有することを特徴とする圧電体。 （もっと読む）

【課題】大きな圧電性を有する圧電体、その製造方法及び圧電素子並びにそれを用いた均一で高い吐出性能を示し、微細なパターニングを行うことが可能な液体吐出ヘッド及び液体吐出装置を提供する。
【解決手段】単結晶または１軸配向結晶の圧電体であり、該圧電体の単位格子の３つの格子長さａ、ｂ、ｃが、それぞれ同温度かつ同組成のバルク状単結晶体の単位格子の格子長さａ₀、ｂ₀、ｃ₀より小さく、かつ前記圧電体の単位格子の体積が、同温度かつ同組成のバルク単結晶体の単位格子の体積より小さいことを特徴とする圧電体。 （もっと読む）

【課題】 結晶表面が平坦でかつ結晶性に優れ、しかも強磁性を有し、キュリー温度の高いIV−VI族強磁性半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】 薄膜製造装置の成長室内の真空度を１×１０^-8Torr以下に保ち、さらにベースとなる基板の温度を１００℃〜４００℃の範囲内に保ち、使用する蒸着原料に応じて、IV−VI族化合物半導体の結晶成長表面への蒸着原料の供給量を制御する、すなわち、蒸着原料にIV−VI族化合物、磁性元素、VI族元素を用いる場合には、成長室に供給するVI族元素（VI）と磁性元素（ＴＭ）の供給比VI／ＴＭが０．５から５の範囲内となるように、蒸着原料にIV族元素、磁性元素、VI族元素を用いる場合には、成長室に供給するIV族元素（IV），磁性元素（ＴＭ），VI族元素（VI）の供給比VI／（ＴＭ＋IV）が１から６になるように制御することによる。 （もっと読む）

【課題】 良質なＺｎＯ系化合物半導体結晶を得ることができるＺｎＯ系化合物半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 （０００１）面で構成される複数のテラスが、ｍ軸方向に階段状に連なった主表面を備え、複数のテラスが定める階段の、（０００１）面を基準とした傾斜角が２°以下であるＺｎＯ基板を準備する。主表面上に、ＺｎＯ系化合物半導体結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】低温でＣｕ_２Ｏ薄膜を高結晶化させる方法及び結晶性が高く、ホール移動度の高いＣｕ_２Ｏ薄膜が、高分子フィルムよりなる基板上に積層されてなる積層体を提供する。
【解決手段】基板上にＣｕ_２Ｏ薄膜が積層されてなる積層体１０が、ガラスチャンバ１内に配置されている。この基板は高分子フィルムよりなっている。Ａｒガス雰囲気において、電極２，３間に高周波電力を印加し、積層体１０のプラズマ処理を行う。これにより、Ｃｕ_２Ｏ薄膜が高結晶化し、Ｃｕ_２Ｏ薄膜のホール移動度が向上する。 （もっと読む）

【課題】 基板のクリーニング効果、および、結晶成長の高品質化を実現する。
【解決手段】 本発明の分子線エピタキシャル成長装置は、水素ラジカル発生装置１０および分子線セル２３が、それぞれ独立して設けられている。そして、水素ラジカル発生装置１０から水素ラジカルが、分子線セル２３から成膜材料の分子線または原子線が、それぞれ別々に、基板処理室２０に供給されるようになっている。さらに、水素ラジカルは光励起により発生させる。これにより、水素ラジカルを放出ガスの発生なしに効率的に発生させることができ、基板２１のクリーニング効果、および、成膜材料中の不純物を除去する効果を顕著に高めることができる。 （もっと読む）

【課題】 ＩｎＮは有害物質を含まず太陽電池、高速素子、センサ材料など将来に希望が持てる材料である。しかし良い結晶成長方法がなくよい試料ができないので物性の研究も進んでいない。分子線エピタキシャル成長法は唯一可能性ある方法であるが窒素抜けのため良質の結晶を成長させることができない。
【解決手段】 分子線エピタキシー装置のマニピュレータの基板加熱を抵抗加熱ではなく赤外光・石英ロッドを用いた光加熱機構とする。石英ロッドによって外部の赤外線ランプで発生した赤外光を成長室の内部へ導き基板を裏面から加熱する。基板と基板ホルダ−との熱容量は小さく赤外線ランプの出力パワーは迅速に変化させることができる。２０℃／秒〜１００℃／秒程度の基板温度変化を与え、低温（５００℃〜６００℃）と高温（８００℃〜９００℃）の間で基板温度を５秒〜２０秒といった短時間で変化させる。 （もっと読む）

【課題】 単結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）のマイクロパイプ欠陥を短時間で修復することに加えて、不純物原子をイオン注入した多結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板をソースとして半導体単結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）膜を気相エピタキシャル成長することを可能とし、ＳｉＣ高耐圧半導体が高い歩留まりとスループットで生産可能となる方法を提供する。
【解決手段】 表面にドーパントをイオン注入した前記多結晶ＳｉＣ基板１９に対し、単結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板５を近接又は密接させて密閉容器に収納して、１，６００℃〜２，１００℃（好ましくは１，７００℃〜１，９００℃）の高温に短時間で加熱して熱処理する。単結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板５と多結晶ＳｉＣ基板１９との距離（隙間ｇの大きさ）は、密接から０．６ｍｍ以下が好ましく、０．１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下が更に好ましい。 （もっと読む）

【課題】 より微細な構造の形成を行うことの出来る、熱化学加工法による炭素材料の処理方法を提供すること。
【解決手段】
炭素材料１の処理面に単結晶金属薄膜２を成膜する第１の工程と、該炭素材料１に対して熱処理を行って熱化学加工を行う第２の工程とを有する炭素材料１の処理方法において、当該第１の工程がスパッタリングの工程により行われ、当該スパッタリングの工程は、０.０１Ｐａ〜１０Ｐａの圧力下で該炭素材料１を６００〜１８００℃に加熱しながら、２００〜１０００Ｗのスパッタ電力を印加して該炭素材料１上に単結晶金属薄膜２を成膜させる工程であることを特徴とする炭素材料１の処理方法である。 （もっと読む）

【課題】平滑面を有し、Ｎ_２等により特性が劣化されていない、スピンフィルタ型トンネル磁気抵抗素子のコヒーレントトンネル機構でも高効率なスピン注入が可能な、安価で高品質の単結晶絶縁酸化鉄膜の作製方法を実現する。
【解決手段】真空槽３（３×１０^−６Ｔｏｒｒ）内に置いた基板表面に、鉄成分が９９．９５％の金属鉄を蒸着するとともに、基板１に向けて酸化源であるオゾン成分が９０％以上のオゾンガスを前記基板表面に供給し、前記基板１（温度：２５０℃以下）の表面に、前記鉄を酸化しながら単結晶絶縁酸化鉄膜を成膜する。 （もっと読む）