【課題】
高い原料利用効率、大面積対応、高い安全性を具備したスパッタ法の利点を生かし、高い品質の４族元素からなる半導体単結晶薄膜、および半導体多結晶薄膜を形成する。
【解決手段】
希ガスと水素の混合スパッタガスを用いること、真空容器の到達最低圧力を１×１０^-7Ｔｏｒｒ未満の超高真空領域に下げること、マグネトロン方式でスパッタすること、スパッタ成膜とスパッタ成膜の間のスパッタガスを流していないときに、スパッタターゲットを含むスパッタガンの圧力を１×１０^-7Ｔｏｒｒ未満に維持し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に保つことが重要で、これらの組み合わせによって初めて、これらが相補的に機能し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に維持され、また、堆積薄膜への酸素の混入量が検出限界以下となり、また、堆積薄膜に対する損傷やエッチング効果が抑制され、実用レベルの高品質、高純度の４族系半導体結晶が形成できる。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れた酸化物超伝導薄膜を形成可能とするとともに、当該酸化物超伝導薄膜を含んで高い超伝導転移温度を有する超伝導薄膜積層体を形成可能で、製造工程中に有毒元素を含まない酸化物超伝導薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶基板上にＹＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_ｘで構成されるバッファー薄膜を形成する第１の工程と、バッファー薄膜上に連続してＢａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超伝導薄膜を形成する第２の工程とを備え、第１の工程は、前記バッファー薄膜をパルスレーザーデポジション法によりエピタキシャル成長させるバッファー薄膜成長工程を含み、第２の工程は、バッファー薄膜上に酸化物超伝導薄膜をパルスレーザーデポジション法によりエピタキシャル成長させる超伝導薄膜成長工程と、超伝導薄膜成長工程に連続し、基板温度を徐冷させる徐冷工程と、徐冷工程に連続し、基板温度を急冷させる急冷工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】酸化物薄膜の形成の直前に配向金属基板を還元雰囲気下で熱処理を行うに際して、必要以上に熱処理時間を長くしてコストアップを招くことがなく、また、必要以上に熱処理温度を高くして品質の低下を招くことがない酸化物薄膜の成膜装置およびこのような装置を用いた酸化物薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】長尺の配向金属基板の表面の酸化層を除去する還元熱処理室の直後に、還元熱処理室より搬送された配向金属基板の表面に酸化物薄膜を成膜する成膜室を備えた酸化物薄膜の成膜装置であって、還元熱処理室と成膜室との間に、還元熱処理室および成膜室の互いの雰囲気を実質的に独立した雰囲気とする雰囲気遮断部が設けられ、さらに、還元熱処理室および成膜室のそれぞれにガス供給機構および排気機構が設けられている酸化物薄膜の成膜装置とそれを用いた成膜方法。 （もっと読む）

【課題】プロセスの再現性を向上させることが可能な薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１では、基板１１上に、ゲート絶縁膜１３を間にして、ゲート電極１２と酸化物半導体膜１５とが設けられ、この酸化物半導体膜１５に接してソース電極１４Ａおよびドレイン電極１４Ｂが配設されている。酸化物半導体膜１５を、ＤＣスパッタ法を用いて成膜すると共に、その際の直流電圧Ｖdcをキャリア密度Ｄに応じて設定する。直流電圧Ｖdcとキャリア密度Ｄとの間の比例関係を利用することにより、キャリア密度Ｄを制御し易くなる。酸素分圧の調節によってキャリア密度を制御する場合に比べ、制御結果がＭＦＣ等の他の機器の精度に左右されにくくなる。 （もっと読む）

【課題】 電界効果型半導体装置に関し、従来の作製方法を大幅に変更することなく、サブスレッショルド電流によるｏｆｆ時のリーク電流を抑制して、ｏｎ−ｏｆｆ比を高くする。
【解決手段】 ソース領域及び第１ドレイン領域の少なくとも一方が金属或いは多結晶半導体からなるとともに、前記金属或いは多結晶半導体と半導体チャネル層との間に形成されたトンネル絶縁膜を有する。 （もっと読む）

【課題】種々の部材の高性能化に寄与できる積層体を提供する。
【解決手段】ニッケル源である硝酸ニッケルを含有し、かつ、溶媒としてニッケル酸化物の単結晶２を形成可能な単結晶形成可能溶媒である水、メタノール、エタノールまたはアセトンとジケトン類またはケトエステル類とを含有するニッケル酸化物膜３形成用溶液を、ニッケル酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材１に接触させることにより、前記基材上にニッケル酸化物膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上にＧａＮ膜を形成することを可能にし、光デバイス、トランジスタなどの電子デバイスへの応用展開を工業的に提供可能にする化合物半導体積層体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｓｉ基板１上に、Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_zＮ（ｘ，ｙ，ｚ：０以上、１以下）である活性層２が直接形成されている。この活性層２とＳｉ基板１の単結晶層の界面にＡｓを含む物質が島状に存在している。Ｓｉ基板１は、バルク単結晶基板又は最上層がＳｉである薄膜基板である。 （もっと読む）

本発明は、金属、金属ハロゲン化物、またはこれらの混合物を前駆物質として利用した金属ナノプレート(Metal nano-plate)の製造方法であって、詳細には、反応炉の前端部に位置させた金属、金属ハロゲン化物、またはこれらの混合物を含む前駆物質と、反応炉の後端部に位置させた単結晶基板とを、不活性気体が流れる雰囲気で熱処理し、前記単結晶基板上に単結晶体の金属ナノプレート(nano-plate)が形成される特徴がある。
本発明の製造方法は、触媒を使用しない気相移送法を利用して、数マイクロメートル大きさの金属ナノプレートを製造することができ、その工程が簡単で且つ再現性があって、製造されたナノプレートが、欠陥及び不純物を含まない高結晶性及び高純度単結晶状態の貴金属ナノプレートである長所があり、単結晶基板の表面方向を制御し、金属ナノプレートの形状及び単結晶基板との配向性を制御できる長所を有して、数マイクロメートル大きさの金属ナノプレートを大量生産することができる長所がある。
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【課題】Ｓｉ基板とその上に形成される窒化物半導体単結晶層との間に、ＳｉＮ_x層を生成することなく、低抵抗であり、窒化物半導体単結晶層の結晶性に優れた窒化物半導体基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ（１１１）基板１上に、ＴｉおよびＶのいずれか１種以上からなる金属膜を形成する工程と、前記金属膜を窒化して、ＴｉＮ、ＶＮおよび両者の化合物のいずれか１種以上からなる窒化物中間層２を形成する工程と、前記窒化物中間層上に、ＧａＮ（０００１）、ＡｌＮ（０００１）およびＩｎＮ（０００１）のうちの少なくともいずれか１種以上からなる窒化物半導体単結晶層３を形成する工程とを経て、窒化物半導体基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、製造歩留まりを低下させるドロップレットは発生を低減し、同時に良好な結晶性を有する化合物エピタキシャル層の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板上に化合物エピタキシャル層を形成する方法であって、（ａ）前記ＺｎＯ基板の成長面が、｛０００１｝面となす角度が１０°以上であり、（ｂ）化合物エピタキシャル層を形成するための元素の全て、または一部を、基板上の成長面に間欠的に供給し、その際に、間欠的な供給シーケンスにおける任意の供給継続時間Ｔｏｎ（ｓｅｃ）と、次の元素供給までの供給休止時間Ｔｏｆｆ（ｓｅｃ）が、
１×１０^−６ ｓｅｃ ≦ Ｔｏｆｆ ≦ １×１０^−２ ｓｅｃ
１×１０^−６ ｓｅｃ ≦ Ｔｏｎ ≦ １×１０^−２ ｓｅｃ
を満たすように供給して結晶成長する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ層を表面層に有し、熱膨張によるクラックの発生の少ない半導体積層構造を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板１０とその上に直接エピタキシャル成長して形成されたＩＩＩ−Ｖ族窒化物エピタキシャル層１１を有する半導体積層構造であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物エピタキシャル層１１が、組成の異なる第1層１２から第ｎ層１４からなり、ここで、ｎは、３以上の整数であり、第ｎ層１４が実質的にＧａＮからなる層である。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりを低下させるドロップレット発生を低減、かつ良好な結晶性を有する化合物エピタキシャル層製造方法を提供。
【解決手段】ＺｎＯ基板上の化合物エピタキシャル層形成方法で、（ａ）ＺｎＯ基板の成長面が、｛０００１｝面で、（ｂ）化合物エピタキシャル層を形成するための元素の全てまたは一部を、基板上の成長面に間欠的に供給し、供給継続時間Ｔｏｎ（ｓｅｃ）と供給休止時間Ｔｏｆｆ（ｓｅｃ）が、論理式：（Ｂ−１）ａｎｄ｛（Ｂ−２）ｏｒ（Ｂ−３）ｏｒ（Ｂ−４）｝、ここで（Ｂ−１）１×１０^−６ｓｅｃ≦Ｔｏｆｆ≦１×１０^−２ｓｅｃ、１×１０^−６ｓｅｃ≦Ｔｏｎ≦１×１０^−２ｓｅｃ（Ｂ−２）２×１０^−３ｓｅｃ＜Ｔｏｆｆ≦１×１０^−２ｓｅｃ（Ｂ−３）０．０１％≦Ｔｏｎ／（Ｔｏｎ＋Ｔｏｆｆ）＜５％（Ｂ−４）１×１０^−６ｓｅｃ≦Ｔｏｆｆ＜５×１０^−５ｓｅｃ、１×１０^−６ｓｅｃ≦Ｔｏｎ＜５×１０^−５ｓｅｃを満たす。 （もっと読む）

【課題】基板と強誘電体薄膜との格子ミスマッチによる歪みが効率的に緩和されるペロブスカイト構造強誘電体薄膜を提供すること。
【解決手段】本発明によるチューナブル素子は、基板上に（１１１）エピタキシャル成長したペロブスカイト構造強誘電体薄膜を含んでなる。特に、ペロブスカイト構造強誘電体薄膜は、（１１１）エピタキシャル成長した（Ｂａ_ｘＳｒ_１−ｘ）ＴｉＯ_３またはＰｂ（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）Ｏ_３｛０＜ｘ＜１｝からなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、（ＡｌＧａＩｎ）Ｎの光電子デバイス及び電子デバイスのための基材として好適な、高い品質の（ＡｌＧａＩｎ）Ｎ構造物及びそのような構造物を形成する方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る方法は、半導体構造物を分子線エピタキシー反応槽内で処理すること；基材上にＡｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ（_{１−（ｘ＋ｙ）}）Ａｓ（０≦ｘ＋ｙ≦１）及びＡｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ（_{１−（ｘ＋ｙ）}）Ｐ（０≦ｘ＋ｙ≦１）のうち少なくとも１つを含むぬれ層を成長させること；上記ぬれ層をインシチューアニーリング（ｉｎ−ｓｉｔｕ ａｎｎｅａｌｉｎｇ）すること；付加的なリン又はヒ素の流体と共に、プラズマ励起された窒素を窒素源として用いて、上記ぬれ層上に第１のＡｌＧａＩｎＮ層を成長させること；上記第１のＡｌＧａＩｎＮ層の上に、窒素源としてアンモニアを用いて第２のＡｌＧａＩｎＮ層を成長させること；を含む。 （もっと読む）

【課題】品質に優れ、平坦で厚い化合物半導体を成長させるための方法を提供する。
【解決手段】ＨＶＰＥを利用し、ナノ構造層を使用して高品質の平坦かつ厚い化合物半導体（１５）を異種基板（１０）上に成長させる。半導体材料のナノ構造（１２）は、分子線エピタキシャル成長（ＭＢＥ）、化学気相成長（ＣＶＤ）、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）又はハイドライド気相エピタキシャル成長（ＨＶＰＥ）によって基板（１０）上に成長させることができる。化合物半導体の厚膜（１５）又はウェハは、ＨＶＰＥを使用したエピタキシャル横方向成長によってナノ構造（１２）上に成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】Ｐｔ膜の上に、高い生産性を有する製造方法により、結晶性のよいＢｉＦｅＯ₃膜を形成する。
【解決手段】例えば単結晶シリコンからなり、主表面が清浄化された基板１０１を用意する。次いで、基板１０１の表面に熱酸化法により酸化シリコン層１０２を形成し、この上に白金（Ｐｔ）層１０３を形成する。Ｐｔ層１０３は、例えば層厚２００ｎｍ程度に形成する。次に、Ｂｉ_1.1ＦｅＯ₃ターゲットを用いたＥＣＲプラズマスパッタ法により、基板温度を４２０〜４６０℃の範囲とし、酸素分圧を４×１０^-3Ｐａ以上とした条件でＢｉＦｅＯ₃を堆積することで、Ｐｔ層１０３の上に（００１）方向へ配向した結晶状態のＢｉＦｅＯ₃結晶膜１０４を形成する。 （もっと読む）

【課題】最終、ＧａＮＬＥＤなどに形成されるナノコラムをカタリスト材料膜を用いて成長させるにあたって、前記カタリスト材料膜を短時間で形成する。
【解決手段】カタリスト材料膜１２を蒸着・フォトで形成するのではなく、成長基板１１を真空容器２に収容し、ガス供給源４から材料ガスを供給し、その雰囲気７中で、ビーム源５から、イオンビーム６をナノコラムの柱径に収束させて成長基板１１上に照射することで、前記カタリスト材料膜１２をパターニングされた状態で直接薄膜形成する。したがって、該カタリスト材料膜１２の形成後、成長基板１１を大気に暴露することなく、ＭＯＣＶＤ装置やＭＢＥ装置などに搬入して、ナノコラムを成長させることができる。これによって、ナノコラムの位置や柱径を制御可能であるというカタリストを用いる利点を生かしながら、高品質なナノコラムを、高いスループットで安価に成長させることができる。 （もっと読む）

形成されたフィルム形態をナノ粒子塊のものから粒子およびドロップレットの無い平滑な薄膜に連続的に調整することが可能なパルスレーザー蒸着（ＰＬＤ）の方法。発明の様々な実施形態を使って合成されることができる材料は、金属、合金、酸化金属および半導体を含むが、それらに限定はされない。様々な実施形態において、超短パルスレーザーアブレーションおよび蒸着の「バースト」モードが提供される。フィルム形態の調整は、各バースト内のパルス数およびパルス間の時間間隔、バースト繰り返しレート、およびレーザーフルエンスのようなバーストモードパラメータを制御することによって達成される。システムは、超短パルスレーザーと、適切なエネルギー密度でターゲット表面上にフォーカスされたレーザーを配送するための光学システムと、その中にターゲットおよび基板が設置され背景ガスとそれらの圧力が適切に調節された真空チェンバーと、を含む。
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【課題】クラックの発生を抑制するとともに、加工性の容易なＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材およびエピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材１０ａの製造方法は、以下の工程を備えている。まず、Ｓｉ基板１１が準備される。そして、Ｓｉ基板上にＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層（０＜ｖ＜１、０＜ｗ＜１、０＜ｘ＜１、０＜ｖ＋ｗ＋ｘ＜１）１２を５５０℃未満の温度で成長される。 （もっと読む）

より高い不純物濃度のアルカリ金属を保有する六方晶系ウルツ鉱基板を使用することによって、低い不純物濃度のアルカリ金属を伴う六方晶系ウルツ鉱型エピタキシャル層を得る方法であって、エピタキシャル層がその上に成長させられる基板の表面は、ｃ面とは異なる結晶面を有する方法。本発明の１つ以上の実施形態による、六方晶系ウルツ鉱基板上に成長させられる六方晶系ウルツ鉱型エピタキシャル層は、六方晶系ウルツ鉱基板中のアルカリ金属の不純物濃度よりも低い、六方晶系ウルツ鉱型層中のアルカリ金属の不純物濃度を有し、六方晶系ウルツ鉱型エピタキシャル層は、ｃ面とは異なる結晶面を有する六方晶系ウルツ鉱基板の表面上に成長させられる。
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