【課題】大面積で結晶性の良い単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、高品質の単結晶ダイヤモンド基板を安価に製造できる単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンドを成長させるための基材１０であって、単結晶シリコン基板１３と、単結晶シリコン基板１３の単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたＭｇＯ膜１１と、ＭｇＯ膜１１上にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜１２とからなる。 （もっと読む）

【課題】用いるシリコン単結晶基板の導電型や添加元素に関わらず、ミスフィット転位の発生を抑制したシリコンエピタキシャルウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、シリコン単結晶基板２と、該シリコン単結晶基板２の主表面上に気相成長によって形成されたシリコン単結晶薄膜３とからなるシリコンエピタキシャルウェーハ１であって、前記シリコン単結晶基板２の格子歪み量εを（（Ｘ線回析法で測定した前記シリコン単結晶基板２の格子定数―真性シリコンの格子定数）／真性シリコンの格子定数の絶対値）とし、前記シリコン単結晶薄膜３の厚さをｔμｍとした時、ｔ＜（５．０×１０^−４）×ε^―１．１を満たすものであることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。 （もっと読む）

【課題】結晶中に欠陥の発生や不純物の混入を防止することにより結晶品質の改善を図ることが可能な結晶成長方法を提供する。
【解決手段】基板上に結晶９０を成長させる際に、結晶９０中の格子欠陥の欠陥準位に対応する波長を含む光を結晶成長時に照射し、照射した光に基づいて格子欠陥に対して近接場光を発生させ、発生させた近接場光による近接場光相互作用に基づいて格子欠陥を構成する不純物３３又は欠陥周辺の原子を脱離させる。 （もっと読む）

【課題】低コストで低抵抗化を実現可能な透明導電体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に設けられた透明導電体の製造方法であって、透明導電体は、アナターゼ型ＴｉＯ_２の酸素をフッ素に置換して得られるアナターゼ型結晶構造を有するＦ：ＴｉＯ_２であり、パルスレーザ堆積法を用い、制御された酸素分圧の雰囲気下において、ＴｉとＦとからなる化合物にパルスレーザを照射し、３００℃以上６５０℃以下加熱された基板１１上に反応生成物をエピタキシャル成長させることにより行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、熱力学的平衡条件下では合成出来ない単相のＴ^*構造をもつＬａ₂ＣｕＯ₄を、薄膜合成手法をベースとする方法により製造する方法、及び同一組成式（Ｌａ₂ＣｕＯ₄）を有し、３種類の異なる結晶構造（Ｔ構造、Ｔ^*構造、Ｔ’構造）を持つ物質を、別々の基板上に一度の成膜過程で合成する方法を提供する。
【解決手段】超高真空中で構成元素を別々に供給し、適切に加熱した単結晶基板上に薄膜成長を行う（ＭＢＥ法）際に、ＬａＳｒＡｌＯ₄単結晶基板と、格子定数の異なる第１のＲＥＳｃＯ₃単結晶基板と、更に格子定数の異なる第２のＲＥＳｃＯ₃単結晶基板とを同一のＭＢＥ装置に装着し、基板温度５７５℃〜６００℃で、Ｌａ及びＣｕの原子線を供給してＬａ₂ＣｕＯ₄薄膜を成膜することにより、同一組成式Ｌａ₂ＣｕＯ₄を有しＴ、Ｔ^*、Ｔ’の３つの異なる結晶構造を持つ単結晶薄膜を、一度に成長させる。 （もっと読む）

【課題】基板上に単結晶材料の層を成長させる方法を提供する。
【解決手段】第１単結晶材料から形成された露出領域を有する基板を、プロセスチャンバ中に配置する工程と、拡散制限ガスの存在下で、基板に向かって、第２材料の中性種のビームを供給し、プロセスチャンバ中の圧力を１×１０^−６ｔｏｒｒから１×１０^−４ｔｏｒｒの間にし、第２材料の中性種を露出領域上に吸着され、これにより第１単結晶材料の上にこれと接触して第２材料の単結晶層を成長させる工程とを含み、拡散制限ガスは、非反応性ガスからなる。 （もっと読む）

【課題】成長させた酸化亜鉛系半導体の不純物濃度を低減できる酸化亜鉛系基板を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛系基板２は、ＩＶ族元素であるＳｉ、Ｃ、Ｇｅ、Ｓｎ及びＰｂの不純物濃度が、１×１０^１７ｃｍ^−３以下の条件を満たす。より好ましくは、酸化亜鉛系基板２は、Ｉ族元素であるＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＦｒの不純物濃度が、１×１０^１６ｃｍ^−３以下の条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】高い触媒活性を与えるとともに、触媒成分の使用量を低減させることができる、燃料電池用電極触媒のための薄膜触媒を提供する。
【解決手段】柱状結晶から構成された下地層の上にＰｔ薄膜が形成された、Ｐｔ薄膜電極触媒である。 （もっと読む）

【課題】 単結晶シリコン膜のリフトオフが良好であり、かつ高純度の太陽電池用単結晶シリコン膜を得ることができる単結晶薄膜の製造方法及びその単結晶薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】 単結晶シリコン基板７１を用意し、この単結晶シリコン基板７１上に同一の物質で結晶欠陥を含んだ単結晶シリコン犠牲層７２を形成し、この単結晶シリコン犠牲層７２上に同一の物質でこの単結晶シリコン犠牲層７２より結晶欠陥の少ない単結晶シリコン薄膜７３を形成し、前記単結晶シリコン犠牲層７２を溶解し、結晶欠陥の少ない単結晶シリコン薄膜７３を製造する。 （もっと読む）

【課題】圧電素子において、発信能および受信能が共に優れ、圧電アクチュエータ、センサ、更に、超音波センサ、発電素子として好適なものとする。
【解決手段】圧電素子１は、圧電性を有する圧電体１３と、圧電体１３に対して所定方向に電界を印加する１対の電極１２、１４とを備え、圧電体１３の圧電歪定数ｄ_３３（ｐｍ／Ｖ）と比誘電率ε_３３とが下記式（１）及び（２）を満足するものである。
１００＜ε_３３＜１５００ ・・・（１）、
ｄ_３３（ｐｍ／Ｖ）＞１２√ε_３３ ・・・（２） （もっと読む）

【課題】小径低速切削あるいは高速重切削等で、硬質被覆層の耐欠損性、耐剥離性に優れるヘテロエピタキシャル界面を有する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ超硬基体表面に、柱状晶組織のＴｉＮ層を物理蒸着で被覆形成した表面被覆切削工具であって、ＷＣ超硬基体表面とＴｉＮ層との界面において、[０００１]_ＷＣと[１１０]_ＴｉＮが平行、かつ、[１０−１０] _ＷＣと[００１] _ＴｉＮが平行である界面の長さをＸ_Ａ、また、[０００１]_ＷＣと[１１１]_ＴｉＮが平行、かつ、[１１−２０] _ＷＣと[１１０] _ＴｉＮが平行である界面の長さをＸ_Ｃとした場合に、１＞（Ｘ_Ａ＋Ｘ_Ｃ）／Ｘ≧０．３、（但し、Ｘは界面の全長）を満足するヘテロエピタキシャル界面を有する表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】 真空チャンバの低温パネルの再生中に気体状プレカーサーの分圧が制御されることを特徴とする基板上に材料の薄膜を堆積させる装置、及び真空チャンバの低温パネル上に当初捕捉された気体状プレカーサーを、制御されかつ自動的な方式で前記真空チャンバから排気できるようにする再生方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は基板上に材料の薄膜を堆積させる装置及び再生方法に関する。装置はチャンバ（１）と、前記チャンバ内に設けられた低温パネル（１０）と、基板を支持可能なサンプルホルダ（６）と、前記チャンバ（１）に気体状プレカーサーを注入可能なガスインジェクター（９）と、前記真空チャンバ（１）に接続され、前記低温パネル（１０）により放出された前記気体状プレカーサーの一部を捕捉可能であり、不変の排気容量Ｓ_１を有する第１の捕捉手段（１１）とを備える。
発明によれば、基板上に材料の薄膜を堆積させる装置は気体状プレカーサーの分圧の関数として調節可能な可変排気容量Ｓ_２を有する第２の捕捉手段（１８）を備え、前記第１と第２の捕捉手段は前記真空チャンバ（１）内の前記気体状プレカーサーの分圧を所定の圧力Ｐ_Ｌに維持するのに十分な総合排気容量Ｓ＝Ｓ_１＋Ｓ_２をもたらす。 （もっと読む）

【課題】素子特性に優れたＩＩＩ族窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、ＩＩＩ族窒化物化合物からなるバッファ層及び下地層を積層する方法であって、バッファ層をＡｌＮで形成し、バッファ層の膜厚を１０〜５００ｎｍの範囲とし、バッファ層のa軸の格子定数がバルク状態におけるＡｌＮのa軸の格子定数より小さく、バッファ層の格子定数が下記（１）式で表される関係を満たし、バッファ層はＶ族元素を含むガスと金属材料とを、プラズマで活性化して反応させることによって成膜し、下地層はＧａＮからなり、バッファ層に接して設けられるＩＩＩ族窒化物半導体素子の製造方法を提供する。（ｃ_０−ｃ）／（ａ_０−ａ）≧−１．４…（１）（但し、（１）式中、ｃ_０はバルクのＡｌＮのｃ軸の格子定数、ｃはバッファ層のｃ軸の格子定数、ａ_０はバルクのＡｌＮのａ軸の格子定数、ａはバッファ層のａ軸の格子定数である。） （もっと読む）

【課題】均一で結晶性の高い単結晶ダイヤモンドを再現性良く、低コストで製造することができる単結晶ダイヤモンド層成長用基板及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンド層を成長させるための基板１２は、材質が単結晶ダイヤモンドである基材１０と、基材１０の単結晶ダイヤモンド層を成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜１１とからなり、基材１０の単結晶ダイヤモンド層を成長させる側の面の周端部が、曲率半径（ｒ）≧５０μｍで面取りされている。 （もっと読む）

【課題】基板上に金属と活性窒素種とを供給して反応させる窒化物半導体薄膜の製造方法において、金属と活性窒素種との供給比率を容易に制御可能とし、且つ、結晶品質や表面平坦性に優れた窒化物半導体薄膜を形成可能とする手段を提供する。
【解決手段】窒化物半導体薄膜の製造方法は、インジウムをストイキオメトリ条件Ｓを越えて過剰に供給する金属過剰供給工程と、該金属過剰供給工程で基板１０の上に析出したインジウムドロップレット１５を、活性窒素種１２をストイキオメトリ条件Ｓに達するまで供給することによってインジウムナイトライド層１６に転換するドロップレット転換工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高品質な窒化物単結晶を高効率に生産することが可能な窒化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ、ＺｎＯまたはサファイアからなり、負イオン極性面からのオフ角が５°以下である主表面を有する下地基板９を準備し、前記下地基板９の主表面上に、窒化物単結晶膜１を形成すると、窒化物単結晶膜１の単結晶主表面１ｃ上には欠陥として複数の凸部１ｐが形成される。窒化物単結晶膜１から、単結晶主表面１ｃに平行に単結晶基板を切り出す場合、欠陥部を含め、単結晶主表面１ｃから極僅かの厚み（深さ）分の領域については切り出して除去することが好ましいので、下地基板９の正イオン極性面を用いた場合に形成される凹部を有する窒化物単結晶膜に比較して、除去する量が少なく、歩留まりがよい。 （もっと読む）

【課題】表面の清浄度及び平坦性に優れた酸化亜鉛基板を得るための酸化亜鉛基板の表面処理方法、及び該方法で処理された酸化亜鉛基板を使用する酸化亜鉛結晶の製造方法の提供。
【解決手段】真空チャンバ１３内で加熱された酸化亜鉛基板３の表面に、ガリウム蒸発源１１からのガリウム分子線ビームを照射して、前記酸化亜鉛基板３の表面をエッチングすることを特徴とする酸化亜鉛基板３の表面処理方法；かかる方法で酸化亜鉛基板３の表面を処理し、次いでその表面において、亜鉛源６、プラズマ励起酸素源５６により、酸化亜鉛結晶を成長させることを特徴とする酸化亜鉛結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 結晶性が良好なＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるＧａＡｓＳｂを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のＧａＡｓ_ｘＳｂ_１−ｘ（０．３３≦ｘ≦０．６５）を成膜するとき、Ｖ族のヒ素（Ａｓ）およびアンチモン（Ｓｂ）の両方の分子の供給量の和を、ＩＩＩ族のガリウム（Ｇａ）の分子の供給量の１５倍以上とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】例えば５００℃程度以下の低温成長でも、ＺｎＯ層の表面平坦性の低下が抑制されたＺｎＯ系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体素子の製造方法は、基板を準備する工程と、無電極放電管にＯとＮを含むガスを導入し、放電して第１のビーム３ａを発生させる工程と、基板１１の上方に、少なくともＺｎを供給するとともに、無電極放電管から第１のビーム３ａを供給して、ｎ型ＺｎＯ系半導体層を成長させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 従来の化合物半導体へテロ接合の製造方法では、微小な信号電流を扱う半導体装置において十分な雑音特性を得ることが困難である。
【解決手段】 基板の上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体である第１の半導体を、第１の基板温度で成長させる。第１の半導体の成長を停止させ、第１の半導体の表面に、Ｖ族元素の原料を供給しながら、基板の温度を、第１の基板温度とは異なる第２の基板温度に変化させる。第１の半導体の上に、第１の半導体とは異なるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体である第２の半導体を、第２の基板温度で成長させる。基板の温度を第１の基板温度から第２の基板温度に変化させる工程が、基板の温度を測定する工程と、Ｖ族元素の供給量が、測定された前記基板の温度における供給量の目標下限値と目標上限値との間に納まるように、供給量を制御する工程とを含む。 （もっと読む）