【課題】ホールバーによるホール効果測定でホール電圧の磁場依存性から、ｐ型半導体であることが明確に示されるｐ型酸化亜鉛薄膜、同薄膜を再現性良く製造する方法及びその発光素子を提供する。
【解決手段】ｐ型酸化亜鉛半導体薄膜を作製する方法であって、酸化亜鉛のｐ型半導体特性を発現させるために、薄膜中に添加したｐ型ドーパントを活性化する高温アニール工程と、あるいはｐ型ドーパントの活性種を成膜中に照射することでｐ型ドーパントを活性させた状態でドーピングすることと、酸化雰囲気中での低温アニールの工程とを組み合わせることで、ｐ型半導体化を実現することを特徴とする酸化亜鉛のｐ型化の方法と、同方法で実現したｐ型酸化亜鉛薄膜及びその発光素子。
【効果】高信頼性のｐ型酸化亜鉛薄膜、その作製方法及びその青色発光素子を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】超高真空雰囲気下で試料を高温に加熱し得るレーザ加熱装置及びそれを備えた真空プロセス用装置の提供。
【解決手段】真空チャンバ内に取り付けられた段差のある孔を有する試料ホルダと、該試料ホルダ近傍の真空チャンバ壁に設けられた光透過窓と、真空チャンバ外に配置されたレーザ光源とを有し、前記試料ホルダの孔に落とし込んで保持した試料の背面にレーザ光を直接照射可能な構成としたことを特徴とする真空チャンバ用レーザ加熱装置。真空チャンバと、該真空チャンバに取り付けられた前記真空チャンバ用レーザ加熱装置とを有することを特徴とする真空プロセス用装置。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ単結晶基板上において、表面欠陥密度の少ないＳｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ膜を有する半導体多層膜を提供する。
【解決手段】Ｓｉ単結晶基板と、このＳｉ単結晶基板上に形成されたＳｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ（０＜Ｘ≦１）膜とを具えた半導体積層膜において、前記Ｓｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ膜は好ましくはマグネトロンスパッタリング法で形成し、前記Ｓｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ膜の表面欠陥密度が１０^４／ｃｍ^２以下となるようにする。 （もっと読む）

本発明は、少なくともＧａ表面（３）を含む基板（１）上に、単結晶ＧｅＮ層（４）を形成する方法に関する。方法は、基板（１）を５５０℃と９４０℃の間の温度に加熱するとともに、基板（１）を窒素ガス流に晒す工程を含む。本発明は、更に、基板（１）上に単結晶ＧｅＮ層（４）を含む構造を提供する。本発明の具体例にかかる方法で形成された単結晶ＧｅＮは、Ｇｅ表面（３）に存在する表面状態を保護する。
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【課題】短時間で所望の特性を有する圧電素子を製造できる圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、放電用ガスが供給されるチャンバ内に、互いに異なる物質を含む複数のターゲットを配置するとともに、ターゲットに対して所定の位置関係で基板を配置し、複数のターゲットのそれぞれをスパッタリングして、複数のターゲットのそれぞれから発生した物質で、基板上に圧電素子を形成する。 （もっと読む）

表面の特性を決定する方法は、
特性決定を実行される表面（３）上へ中性原子または分子のビーム（２）を方向づけるステップと、
前記特性決定を実行される表面（３）により前方向へ散乱された前記ビームの前記中性原子または分子を位置感応式に検出するステップとを含み、
前記ビーム（２）の性質は、前記前方向へ散乱される中性原子または分子の少なくとも幾分かが前記特性決定を実行される表面により回折されるようにして選択される。
このような方法を実装するためのデバイスは、このような中性原子または分子のビーム（２）を発生するための手段（１）と、前記特性決定を実行される表面（３）により前方向へ散乱される前記中性原子または分子を検出するための位置感応性の検出器手段（４）とを備える。
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【課題】エロージョンの進行したターゲットによりスパッタリングしても良好な結晶性を有する強誘電体膜を形成し、歩留まりを向上させる技術を提供する。
【解決手段】減圧成膜室１１と、被処理基板１４の温度を調整可能な静電チャック手段１２と、被処理基板１４に高周波マグネトロンスパッタするためのターゲットと１５と、減圧成膜室１１に放電ガスを供給するガス供給手段１１ａと、被処理基板１４とターゲット１５との間に放電電圧を印加し、かつターゲット１５がそれまでに放電した電気の積算電力量Ｌ１（ｋＷｈ）を計測する電源手段１７と、静電チャック手段１２と電源手段１７とを制御する制御手段１８とを備え、ターゲット１５がそれまでに放電した電気の積算電力量に基づいてスパッタリングに最適な被処理基板１４の温度を算出し、被処理基板１４を所定の温度に調整した後にスパッタリングする。 （もっと読む）

【課題】タンタル酸リチウム基板とニオブ酸カリウム層を有する圧電体積層体を提供する。
【解決手段】本発明に係る圧電体積層体１００は、タンタル酸リチウム基板１１と、タンタル酸リチウム基板１１の上方に形成されたニオブ酸カリウム層１２またはニオブ酸カリウム固溶体層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板の製造方法及びＳｉＣ基板並びに半導体装置において、マイクロパイプだけでなく基底面内転位及び積層欠陥も低減すること。
【解決手段】マイクロパイプを有するＳｉＣ単結晶基板１上に、ＳｉＣエピタキシャル成長層２を化学的気相成長させるＳｉＣ基板の製造方法であって、ＳｉＣ単結晶基板１の表面近傍又はＳｉＣエピタキシャル成長層２の中間領域に、ブリスタリングが生じない条件で水素又は希ガス元素のイオン注入を行う工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】ＳＣＡＭ（ＳｃＡｌＭｇＯ４：スカンジウム・アルミニウム・マグネシウム・オキサイド）結晶基板の簡便かつ安価な製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア（０００１）の薄膜成膜用基板１を真空チャンバー内に導入し、導入後に、パルスドレーザー蒸着法によって、フラックスをターゲットとして、薄膜成膜用基板１上にフラックスの薄膜２を作製し、その後スカンジウム（Ｓ）、アルミニウム（Ａ）及びマグネシウム（Ｍ）を含むＳＡＭ成分をターゲットとして、薄膜成膜用基板１をフラックスが溶融する温度で加熱しながら薄膜成膜用基板の薄膜上にＳＡＭ成分の薄膜３を積層して、ＳＣＡＭ単結晶膜４を有するＳＣＡＭ薄膜基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】二酸化バナジウム薄膜を形成した半導体素子（スイッチング素子）の大量生産に好適な二酸化バナジウム薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の二酸化バナジウム薄膜製造装置１は、スパッタリングによって基板２に二酸化バナジウム薄膜を堆積する二酸化バナジウム薄膜製造装置１であって、真空容器３と、真空容器３内に設けられ、基板２を設置して、当該基板２を３００〜４５０℃に加熱する加熱手段４と、当該加熱手段４と対向する位置に設けられ、バナジウムからなるターゲット物質を設置する磁石５２を有するホルダー部５と、真空容器３内に希ガスと酸素ガスを導入するガス導入管６と、ターゲット物質５１に高周波電圧を印加するために接続された電源７と、を備え、加熱手段４とターゲット物質５１との間に、高周波電圧を印加するための電源８１が接続された導電性金属部材８を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

ターゲット基材上に堆積される物質を加熱するための坩堝は、原料物質を含むように構成されている胴部、胴部の第１の端部に形成された基部、および胴部の第２の端部に形成された放出オリフィスを含む。坩堝は、加熱された原料物質が放出オリフィスを通って通過する前に、中間オリフィスを通過し、そして少なくとも１回坩堝胴部の内側表面に衝突するように、少なくとも配置されかつ構成されている１つの中間オリフィスをさらに含む。
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【課題】分子線セル坩堝にパイロリティックカーボンを被覆することにより、耐久性等に優れた珪素用分子線セル坩堝を提供する。
【解決手段】珪素用分子線セル坩堝は、グラファイト製の外管１と、パイロリティックカーボン４が被覆されたグラファイト製の内管とから構成された二重管である。前記内管は、開口管の上部３と、片閉口管の下部２とから構成され、この下部２は、下部２の深さｄと内径Ｄ４の比が１以下であり、熱化学気相蒸着法によりパイロリティックカーボン４が被覆されている。 （もっと読む）

メタン／水素混合物を含むガス状の混合物（任意に窒素、酸素およびキセノン添加を共に含んでいてもよい）を用いて、部分的な真空中でマイクロ波プラズマ化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスを用いて単結晶ダイヤモンド成長を形成するための材料および方法が提供される。このような単結晶サブストレートは、真空誘導溶解プロセスを用いて、改変された方向性凝固法で、純ニッケル、または、コバルト、鉄またはそれらの組み合わせを含むニッケル合金のうち少なくとも１種で開始して形成することができる。このような単結晶サブストレートの表面は、電子ビーム蒸着装置を用いて、純イリジウム、または、イリジウムと、鉄、コバルト、ニッケル、モリブデン、レニウムおよびそれらの組み合わせからなる群より選択される成分との合金でコーティングされる。このような合金でコーティングされた単結晶サブストレートは、マイクロ波プラズマＣＶＤ反応器中に入れられ、メタン、水素およびその他の任意のガスのガス状の混合物の存在下で、マイナス１００〜４００ボルトのバイアス電圧を用いてバイアス印加による核形成処理される間、そのコーティングされた表面上での大型の単結晶ダイヤモンドの成長を支持する。
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【課題】電子工学、光学、又は光電子工学に応用するための、弾性的に歪みのない結晶材料製層を形成する方法の提供。
【解決手段】張力下で（又は圧縮して）弾性的に歪みのある第１の結晶層１と、圧縮して（又は張力下で）弾性的に歪みのある第２の結晶層２とを備え、前記第２の層が前記第１の層に隣接している構造体３０を用いて、それらの２つの層間での拡散ステップを備え、それにより２つの層のそれぞれの組成物間の差がほぼ同じになるまで次第に低減され、その後、それらの２つの層が、全体として均質な組成物を有する、結晶材料製のただ単一の最終層を形成する。それらの２つの層のそれぞれの組成物と、厚さと、歪みの程度とを最初に選択することにより、拡散後に、全体として弾性的な歪みを示さない最終層を構成する材料が得られることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 真性に近い単結晶ＧaＮ膜を有し、かつこの膜をｎ形又はｐ形に選択的にドー
プした半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 次の要素を有する半導体デバイス：基板であって、この基板は、（１００）シリコン、（１１１）シリコン、（０００１）サファイア、（１１−２０）サファイア、（１−１０２）サファイア、（１１１）ヒ化ガリウム、（１００）ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、および炭化シリコンからなる群から選択される物質からなる；約２００Å〜約５００Åの厚さを有する非単結晶バッファ層であって、このバッファ層は前記基板の上に成長した第一の物質を含み、この第一の物質は窒化ガリウムを含む；および前記バッファ層の上に成長した第一の成長層であって、この第一の成長層は窒化ガリウムと第一のドープ物質を含む。 （もっと読む）

【課題】成膜時間に関係なく一定の成膜レートを維持することのできるＭＢＥ装置等を提供する。
【解決手段】本発明のＭＢＥ装置１００は、分子線発生部１０ａ・１０ｂと、真空計１４ａ・１４ｂと、光源ユニット６と受光ユニット７とを有する原子吸光式成膜モニタ８と、分子線発生部１０ａ・１０ｂの温度を制御する温度制御演算器１３とを備えている。温度制御演算器１３は、原子吸光式成膜モニタ８の測定結果が、真空計１４ａ・１４ｂの測定結果から算出した分子線源の残量より算出した原子吸光式成膜モニタ８の制御目標値となるように、分子線発生部１０ａ・１０ｂの温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】 ゲートリーク電流を抑制できる半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板と、この半導体基板の表面に形成されたチャネル領域と、この
チャネル領域の両側の前記半導体基板に形成されたソース・ドレイン領域と、前記チャネ
ル領域を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、この絶縁膜上に形成されたゲート電極と
を有する半導体装置において、前記ゲート絶縁膜が超格子単結晶絶縁体膜で形成されてい
る。 （もっと読む）

【課題】 パワー半導体デバイスにおいて、漏れ電流路が形成されることを防止する製造方法を提供する。
【解決手段】 III族窒化物パワー半導体デバイスの製造方法において、少なくとも２つの異なる成長方法により、遷移層を基板上で成長させる。 （もっと読む）

【課題】 半導体結晶成長処理されるべき基板を保持する基板ホルダが、大気に曝されることを防止し、基板ホルダに付着する堆積物を除去することによって、基板ホルダおよび堆積物が半導体結晶を成長させる際の酸素汚染源となることを防止し、特性に優れた半導体結晶を得る。
【解決手段】 半導体結晶の成長が完了した基板２７の取外された基板ホルダ２８が、基板導入室２２の所定位置から取出されるとき、半導体結晶成長の過程において基板ホルダ２８に付着した堆積物を基板ホルダ処理室２６で除去するとき、および堆積物が除去された基板ホルダ２８を基板導入室２２の所定位置にセッティングするとき、のいずれのときにおいても、基板ホルダ２８は、不活性ガス雰囲気または真空雰囲気中で取り扱われる。 （もっと読む）