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Fターム[4K029BC01]の内容

物理蒸着 (93,067) | 被膜の性質 (4,709) | 耐食性 (332)

Fターム[4K029BC01]に分類される特許

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【課題】 アンチモン系触媒を使用せずに製造された蒸着フィルムであって、且つ、優れたガスバリア性を示し、包装用途及び光学用途に好適な物性を備えた蒸着フィルム。
【解決手段】 重縮合触媒としてチタン系触媒を使用して製造したポリエステルからなる基材フィルムの一方の面に、酸化物蒸着膜を積層したガスバリア性蒸着フィルム。 (もっと読む)


【課題】溶着性の高い被削材の高速重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットからなる工具基体の表面に、(a)下部層として、(Al1−XTi)Nを満足する(但し、Xは原子比で0.3≦X≦0.7)AlとTiの複合窒化物層、(b)中間層として、(Al1−αCrα)Nまたは(Al1−β−γCrβγ)N(ここで、Mは、Crを除く周期律表4a,5a,6a族の元素、Si、B、Yのうちから選ばれた1種又は2種以上の添加成分)を満足する(但し、α、β、γは原子比で0.2≦α≦0.6、0.10≦β≦0.54、0.01≦γ≦0.25、0.2≦β+γ≦0.6)を満足するAlとCr(とM)の複合窒化物層、(c)上部層として、AlとCr(とM)の合金層を設ける。 (もっと読む)


【課題】光学素子を成形から成膜に至るまで時間ロスのない工程設定を行い生産のリードタイムの短縮化を図る。
【解決手段】成膜機50において成膜に要する時間をT1、成膜機50の処理室58の数をN1(自然数)、成形機10において成形に要する時間をT2、成形機10の処理室22の数をN2(自然数)とした場合に、T1>T2のときはT1/T2≦N1,N2=1であり、T1<T2のときはT2/T1≦N2,N1=1とした。 (もっと読む)


【課題】成膜処理の際に、有機EL素子へのダメージ及びそれに起因する有機EL素子の素子特性の劣化を良好に抑制する有機EL表示装置の製造方法を提供する
【解決手段】有機EL表示装置10の製造方法は、成膜材料源22の表面のビーム照射位置Tにおける垂線TZについて、ビーム照射位置Tからビームの入射方向に延びる直線TBと線対称な直線をTB’とし、成膜材料源22に対向するように設けた基板11の成膜予定領域の中心をSとしたとき、直線TB’と直線TSとのなす劣角が20°以上となるように基板11を配置した状態で成膜材料源22へビーム照射を行う。 (もっと読む)


【課題】
成膜時の蒸発速度、成膜速度が高く、導電性および透明性に優れ、さらには耐湿性に優れた緻密なZnO膜を形成するZnO蒸着材とその製造方法を提供する。
【解決手段】
透明導電膜の成膜に用いられるZnO蒸着材であって、CeおよびAlを含み、Ce含有量がAl含有量より多く、Ce含有量が0.1〜14.9質量%の範囲内およびAl含有量が0.1〜10質量%の範囲内であるZnO多孔質焼結体を主体とし、該焼結体が3〜50%の気孔率を有することを特徴とし、好ましくは、CeとAlの合計含有量が0.2〜15質量%、平均気孔径0.1〜500μm、平均結晶粒径1〜500μmのZnO蒸着材であるZnO多孔質焼結体とその製造方法。 (もっと読む)


【課題】表面全体にわたる十分な厚さの内部空洞壁のコーティングを得ることを可能にすること。
【解決手段】本発明は、金属ターボ機械部品の高温酸化保護用の気相堆積によるアルミ被覆プロセスに関し、上記部品(1)は空洞を含み、金属構成要素(9)が上記部品の開口部(5)から導入されて組み立てられる。
このプロセスに従って、ハロゲンとアルミニウムを含む金属ドナーの間の反応によってハロゲン化物が形成され、次いで、ハロゲン化物はキャリアガスによって運ばれて上記金属部品に接触し、金属構成要素(9)はプロセスの実施の前に最初にアルミニウムドナーとして働くためにアルミニウムで表面富化にされている。
本発明は、特にライナーを組み込むノズル案内翼に適用される。 (もっと読む)


【課題】低熱伝導率、低溶融温度、高耐食性を有して、レーザーマーキングに対応可能な光情報記録用Al合金反射膜、この反射膜を備えた光情報記録媒体、及び、この反射膜の形成用のスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】(1) 光情報記録媒体用Al合金反射膜であって、Alを主成分とし、希土類元素の少なくとも1種を1.0 〜10.0原子%含有し、更にCr,Ta,Ti,Mo,V,W,Zr,Hf,Nb,Niの少なくとも1種を0.5 〜5.0原子%含有することを特徴とする光情報記録用Al合金反射膜、(2) 前記Al合金反射膜においてFe,Coの少なくとも1種を1.0 〜5.0 原子%含有するものや、In,Zn,Ge,Cu,Liの少なくとも1種を1.0 〜10.0原子%含有するもの、(3) 前記Al合金反射膜を有していることを特徴とする光情報記録媒体、(4) 前記Al合金反射膜と同様の組成を有するAl合金よりなるスパッタリングターゲット等。 (もっと読む)


【課題】現在使用されているタービン要素を回復する方法の欠点を克服する。
【解決手段】本発明は、要素の本体を形成する基材と、基材に接着した保護コーティングとから構成されたタービン要素を回復する方法に関する。方法は、保護コーティングと基材との間の接着不良を有するゾーンを特定するためのタービン要素の制御と、保護コーティングと基材との間の接着不良の除去とを備える。接着不良は、保護コーティングと下にある基材との局所的な溶融を引き起こし、レーザビームの停止後に保護コーティングと基材との間の上記ゾーンの高さにおける適切な接着を可能とするために、接着不良を有する各ゾーン上に向けられたレーザビームを用いて除去される。 (もっと読む)


【課題】積極的な加熱処理を伴うことなく、低温で、基材に緻密で均質な結晶質の金属酸化物膜を効果的に形成する技術を提供する。
【解決手段】非晶質を含む金属酸化物膜を、温度180℃以下にて、高周波電界中で少なくともアルゴンガスあるいは窒素ガスあるいはそれらを含むガスを励起することにより発生する低温高周波プラズマに曝露することにより、結晶性の金属酸化物薄膜を製造する。好ましい結晶性の金属酸化物薄膜としては、理論密度と比較した相対密度が90%以上であるものが挙げられる。 (もっと読む)


【課題】半導体加工処理容器部材は、ハロゲンガスを含む環境でプラズマエッチング加工されると、早期に腐食損傷を受けるとともに、微小な環境汚染パーティクルを発生して、半導体の加工生産能力を甚しく低下させる問題がある。
【解決手段】基材と、その表面に形成された15〜40at%の水素を含有する化学的に安定なアモルファス状炭素・水素固形物の気相析出蒸着膜と、そのアモルファス状炭素・水素固形物の気相析出蒸着膜中には金属酸化物の超微粒子を分散含有させることによって、耐食性と耐プラズマエロージョン性を兼備した半導体加工装置用部材をつくる。 (もっと読む)


【課題】成膜レートの安定化、面内均一性の向上およびターゲットの長寿命化を図る。
【解決手段】プラズマ形成空間21aを形成する真空槽21と、この真空槽の上部を閉塞する天板29と、プラズマ形成空間にプラズマを発生させる高周波コイル23と、磁気コイル群24と、プラズマ形成空間に設置された基板支持用のステージ26と、プラズマ形成空間へプロセスガスを導入するガス導入部33と、天板に固定されたスパッタリング用のターゲット40とを備え、エッチング処理とスパッタ処理を交互に行って基板の表面に高アスペクト比の孔又は溝を形成するプラズマ処理装置20であって、ターゲット40の外周部をプラズマ形成空間に向かって突出形成することによって、ターゲットの外周部の集中的な摩耗による成膜レートのバラツキ、面内均一性の低下およびターゲットの寿命の低下を抑制する。 (もっと読む)


【課題】均質で耐食性に優れた被膜特性が得られ、成膜効率および再現性に優れ、かつ長寿命のスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Crを45原子%以上含有し、Alを1〜50原子%の範囲で含有し、かつTi,Zr,Hf,V,Nb,Ta,W,Mo,Bから選択される少なくとも1種類の元素を1〜50原子%の範囲で含有するスパッタリングターゲットであって、このスパッタリングターゲットの、200μm四方の組織領域をX線マイクロアナライザーにより加速電圧15kVでCr元素のマッピングを実施したときに、カウント数が600以上であるCrの偏析部の直径が50μm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲットである。 (もっと読む)


【課題】腐食性/浸食性プラズマを用いる半導体処理条件で耐食性/耐浸食性のある特殊なセラミック材料を提供する。
【解決手段】腐食性プラズマはハロゲン含有プラズマであってよい。特殊なセラミック材料は修正されて、制御された電気抵抗率を与えて、プラズマアーク放電の可能性を低減する。 (もっと読む)


【課題】チタン基材表面にAu層又はAuを含む層を強固かつ均一に形成可能な含Au表面処理Ti材料を提供する。
【解決手段】Ti基材2の表面に、Ru、Rh、Pd、Ir、Os及びPtからなる群より選択される少なくとも1種類以上のAuより易酸化性の貴金属からなる第1成分とAuとの合金層6が形成され、合金層とTi基材との間に、Ti、Oがそれぞれ10wt%以上でかつ前記第1成分が20 wt.%以上含まれる1nm以上の中間層2aが存在する。 (もっと読む)


【課題】傾斜したマルチカソードの各々でスパッタされた中性原子を用いることでウェハー表面のパターン化された孔または溝でより良い側壁および底部のカバレッジを形成する。
【解決手段】5Paより高い圧力下において、ウェハー基板24を回転させながら、High−k誘電体材料を有するターゲットおよびカソード11を傾斜させて配置し、該カソード11と下部電極15にそれぞれrf電流を印加し、下部電極15にプラズマ電位に対して負のバイアス電位を印加してスパッタリングを行う。 (もっと読む)


【課題】傾斜したマルチカソードの各々でスパッタされた中性原子を用いることでウェハー表面のパターン化された孔または溝でより良い側壁および底部のカバレッジを形成できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ウェハーホルダ12に対して傾斜した複数のカソード11を有し、該カソード11に該カソード11の中央軸とずれた軸で回転する複数のマグネット18を設け、反応容器内を5Paより高い圧力に制御し、プラズマがカソード11に印加されたrf電力の容量的結合によって生成されるとき、選択されたカソード11の上に負の自己バイアス電圧を生成し、前記カソード11から放出されたスパッタ原子をイオン化し、前記負バイアス電位により加速するように為したスパッタリング装置。 (もっと読む)


【課題】 セラミックゾルを基材表面にコーティングした後、200℃〜350℃の低温熱処理を実施する場合、ゾルが微粒子であってもセラミック耐食膜を充分に緻密化しにくく、ゾル粒子間に腐食性ガスが浸入しやすい。
【解決手段】 基材1の表面に、コーティング後に焼成したセラミックスからなる耐食膜2が形成されている耐食性部材Sにおいて、耐食膜2の主面を走査型電子顕微鏡観察によって組織表面を拡大した写真または画像において、結晶粒子の面積占有率を70%以上とする。 (もっと読む)


【課題】ガスバリア性の高いガスバリア膜を成膜できるイオンプレーティング用蒸発源材料の原料粉末等を提供する。また、イオンプレーティング法に適した蒸発源材料及びその製造方法、並びにガスバリア性シート及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ケイ素粉末100重量部と、導電性材料粉末5重量部以上100重量部以下とを含有する原料粉末により、上記課題を解決する。この原料粉末は、酸化ケイ素粉末の平均粒径が好ましくは5μm以下であるとともに、導電性材料粉末の平均粒径が5μm以下であることが好ましく、導電性材料粉末が、金属、導電性を有する金属酸化物、金属窒化物、及び金属酸窒化物から選ばれる少なくとも1つであることが好ましい。本発明のイオンプレーティング用蒸発源材料は、前記原料粉末を圧縮成形又は造粒させて平均粒径が2mm以上の塊状粒子又は塊状物に加工したものである。 (もっと読む)


【課題】フィルムの両面に均一かつ高品質な薄膜を安定して形成できる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】搬送室3には成膜室5aおよび5bが連接し、それぞれ真空ポンプ9aないし9cにて減圧される。搬送室3内には巻出しドラム13から巻取りドラム31までのフィルム15の搬送系が作られている。巻出しドラム13から巻取りドラム31の間には、フィルム15を加熱する加熱手段17aないし17fと、フィルム15の片面に薄膜を形成する第1の成膜手段25aと、フィルム15の他面に薄膜を形成する第2の成膜手段25bが設けられている。巻出しドラム13で巻き出され、両面に薄膜が形成されて、巻取りドラム31で巻取られるまで、フィルム15は減圧条件化におかれ、大気に触れることは無い。 (もっと読む)


【課題】表面処理層にクロムを含まず、プリント配線板に加工して以降の回路の引き剥がし強さ、当該引き剥がし強さの耐薬品性劣化率等に優れる表面処理銅箔を提供する。
【解決手段】上記課題を達成するため、絶縁樹脂基材と張り合わせて銅張積層板を製造する際に用いる銅箔の張り合わせ面に表面処理層を設けた表面処理銅箔であって、当該表面処理層は、銅箔の張り合わせ面に亜鉛成分を付着させ、融点1400℃以上の高融点金属成分を付着させ、更に炭素成分を付着させて得られることを特徴とする表面処理銅箔を採用する。そして、少なくとも、この表面処理銅箔の高融点金属成分及び炭素成分の形成には、物理蒸着法を用いる。 (もっと読む)


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