【課題】 基板の第１部分に導電性領域を形成する方法を提供する。
【解決手段】 本方法は、パルス変調電気バイアスの下で実質的に完全に電離した金属イオンのフィルタリングされたビームに第１部分を露出させる工程を含む。本方法は、ＦＣＶＡ(フィルタ処理陰極真空アーク)法を用いて、フィルタリングされたイオンビームを生成し、高アスペクト比のバイアおよびトレンチにおいてもコンフォーマルな金属コーティングの形成を可能にする。また本方法は、バイアおよびトレンチを充填した導電性配線の形成も可能にする。実施の形態は、銅イオンの堆積に関する。基板に金属を堆積する適応ＦＣＶＡ装置および基板に衝突するイオンビームを制御する制御装置も、開示される。制御装置は、既存のフィルタリングされたイオンビーム源内に組み込むのに適している。 （もっと読む）

【目的】プラズマに混入するドロップレットを効率的に除去し、しかも簡易かつ安価にドロップレット除去部を構成でき、高純度プラズマによる成膜等の表面処理精度の向上を図ることのできるプラズマ生成装置を提供することである。
【構成】プラズマ進行路５には、プラズマの発生時に陰極４から副生するドロップレットを除去するドロップレット除去部が配置されている。このドロップレット除去部は、プラズマ進行路５を形成する拡径管３と、拡径管３のプラズマ導入側始端に連接された導入側縮径管３４と、拡径管３のプラズマ排出側終端に連接された排出側縮径管３９と、拡径管３の始端及び終端に形成された段差部４０とから構成される。 （もっと読む）

【課題】比較的低抵抗の膜を高速成膜しうるＺｎＯ蒸着材を得る。
【解決手段】透明導電膜を成膜するために用いられるＺｎＯ蒸着材は、ＺｎＯ純度が９８％以上のＺｎＯのペレットからなり、ペレットがＹ、Ｌａ、Ｓｃ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ及びＳｍからなる群より選ばれた１種又は２種以上の元素を含む。ＺｎＯのペレットは多結晶体又は単結晶体である。このＺｎＯ蒸着材をターゲット材とする真空成膜法により形成されたＺｎＯ膜は、良好な導電性が得られる。ここで、真空成膜法は電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法又はスパッタリング法であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高度な四面体のアモルファス炭素の保護オーバーコートを有する好適な記録媒体
およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のダイヤモンド様炭素材料は、高度な四面体である、すなわち、ダイヤモンド結晶格子内に見い出される多くのｓｐ^３炭素−炭素結合を特徴とする。材料はまた、非結晶であり、短い範囲のオーダーと長い範囲のオーダーとの組み合わせを提供し、公知の非結晶炭素コーティング材料よりも実質的に小さい厚みにおいて、超平滑であり連続的な膜として堆積し得る。これらの材料を堆積する好適な方法において、容量性カプリングは、高密度で誘導的にイオン化されたプラズマから、高度に均一で選択的に励起されたイオンストリームを形成する。このような誘導イオン化は、共振イオン化およびイオンビームの均質化を促進する、比較的遅く移動する磁界により向上される。 （もっと読む）

本発明は、特に鋼のキャリヤ材又は鋳込材でできたピストンリング（１）に関する。このピストンリングは、各々が金属窒化物の少なくとも２つの層（２０、２１）からなる周期構造（１１）を有する周期的な多層系（１０）からなる耐摩耗コーティング（４）を有する。周期構造（１１）内の互いに隣接する層（２０、２１）は、異なる金属元素を含む。また、夫々の層（２０、２１）の厚さは、１５ｎｍ以上である。
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【課題】被処理体の表面の所望の位置に所望の密着強度を有する表面処理を行うことができる表面処理装置、及びそれによって表面処理された光学素子成形用型、さらにこの光学素子成形用型から製造された光学素子を提供すること。
【解決手段】絶縁物を介してトリガー電極と接続されたターゲットと、ターゲットの周囲にアーク放電を誘起させるアーク電極とを有し、アーク放電によって生じるターゲットイオンを含むプラズマ８をターゲットの先端方向に放出する蒸着源１０と、蒸着源１０近傍におけるプラズマ８の放出方向に対して傾いて配されたキュベット心金母材１１に向かって、プラズマ８の進行方向を偏向させる偏向部１３とを備え、偏向部１３が、キュベット心金母材１１の表面に可変の磁束密度分布を生じさせて、プラズマ８に空間磁場を与える磁場付与部２１を備えている。 （もっと読む）

【課題】 Ｉｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＳｅを含むＶＩｂ族元素とからなるカルコパイライト構造の半導体薄膜半導体薄膜の製造及び光電変換素子の製造に際し、ＣＩＧＳ系薄膜等の半導体薄膜の製膜過程におけるセレン原料の浪費を防止することを課題とする。
【解決手段】 Ｉｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＳｅを含むＶＩｂ族元素とからなるカルコパイライト構造の半導体薄膜の製造方法であって、上記半導体薄膜は製膜過程において、プラズマによってクラッキングされてラジカル化したセレンを用いたことを特徴とする半導体薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】合金を成膜対象物に注入可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明の成膜装置１は、第一、第二の放出源３ａ、３ｂを有しており、第一、第二の放出源３ａ、３ｂの磁界形成手段２０ａ、２０ｂはＮ極が左側、Ｓ極が右側にそれぞれ位置し、アノード電極３２ａ、３２ｂの各開口３９ａ、３９ｂから放出された電子は、同じ方向に飛行方向が曲げられる。基板ホルダ７は各開口３９ａ、３９ｂから放出され、飛行方向が曲げられた電子が到達する位置にあるので、基板ホルダ７近傍に電子雲が形成され、各開口３９ａ、３９ｂから放出された正の微小荷電粒子は電子雲に引き付けられて基板１１表面に到達する。 （もっと読む）

【課題】 近年、成膜速度が速くなるにつれて、半導体製造装置用のウェハーを載置するホルダーやプラズマ反応を起こす電極としてのステージヒーターの損傷が激しく寿命が短いため、より耐食性、熱衝撃に対しても耐久性の優れたものが求められるようになってきた。
本発明の目的はステージヒーターの外表面に耐食処理を施すことによって、ウェハーの処理品質の向上や長寿命化を図ることにある。
【解決手段】 ステージヒーターの基材の外表面にスパッタリング法やイオンプレーティング法によって、ニッケルやクロム、チタン、ハステロイ、インコネル等の耐食性皮膜を生成させて製作することにより、熱衝撃や腐食性ガスに対する耐久性、耐食性の向上を図ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＴｉＯ_２膜とＳｉＯ_２膜とを交互に積層してなる光学多層膜において、透過損失を低減する。
【解決手段】ＴｉＯ_２膜とＳｉＯ_２膜とを交互に積層してなる光学多層膜において、ＴｉＯ_２膜中におけるアナターゼ構造とルチル構造のＸ線回折ピーク強度比（アナターゼ構造：ルチル構造）が７０：３０〜１００：０の範囲内であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 電極構造が簡単で、蒸発材料の安定したイオン化が可能なプラズマを利用した蒸着装置を提供すること。
【解決手段】 密封型蒸発源３１のノズル３１１の出口付近に、フィラメント３３１から放出される熱電子を照射する。密封型蒸発源３１のノズル３１１から真空チャンバー３２内に噴出した蒸発材料（Ｃｕ）３４の蒸気３４２は、フィラメント３３１によって放出された熱電子によりノズル３１１の出口付近でイオン化し、電子なだれが起きてプラズマ状態になり、逆円錐状（蒸着材料の飛翔形状）３４４になって基板（ステンレス板）３３３へ向かい、蒸着材料（Ｃｕ）の蒸着膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】容易に位置決めすることができ、取り付け作業の作業性が高いプラズマガンのチャンバへの取り付け構造を提供すること。
【解決手段】チャンバ２と、チャンバ２に設けられた第１係合部９０及び第１位置決め部９４と、フランジ６４に第１係合部９０と係合する第２係合部９１及び第１位置決め部９４によって位置決めされる第２位置決め部９５が形成されたプラズマガン１と、ロック機構と、を備え、第２係合部９１がチャンバ２の第１係合部９０と係合し、第２位置決め部９５がチャンバ２の第１位置決め部９４によって位置決めされ、フランジ６４がロック機構によってチャンバ２の壁８０に押し付けられて固定されるようにして、プラズマガン１がチャンバ２に取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】塩水噴霧試験において、変色や溶解を防ぐことができる、高い耐食性および耐塩水性を有する電磁波シールド膜を提供する。
【解決手段】真空蒸着法を用いて、モネル合金を蒸発させるための電流を低電流値より高電流値として第１層をＣｕ−Ｎｉ傾斜合金で形成し、その後、モネル合金をその合金組成で蒸発させて第２層をモネル合金で形成することで、第１層と第２層からなる二層構造である電磁波シールド膜を得る。 （もっと読む）

【課題】成膜においてステップカバレージを向上させる。
【解決手段】アーク放電によりターゲットの正イオンを含むプラズマビームを生成し、そのプラズマビームを基板上に照射して薄膜を成膜する成膜方法において、プラズマビームに向けて不活性ガスを導入し、この導入した不活性ガスによりプラズマビームを散乱させ、散乱させたプラズマビームを基板上に照射する。プラズマビームを散乱させることで、プラズマビーム中に含まれる正イオンの進行方向を、基板面に対して一方向（垂直方向）に限らず種々の方向として、基板面に対するイオンの入射角を分散させ、これによって、側壁への膜付着の確率を高め、ステップカバレージを向上させる。 （もっと読む）

【課題】ケラレを防止して光学薄膜を精度良く形成することができる蒸着ホルダを提供する。
【解決手段】開口部を有する樹脂成形品１０の内壁面の一部をマスキングするマスク２０，２１とを備えている蒸着ホルダにおいて、マスク２０，２１を磁石３１，３２に吸着可能な金属材料で形成するとともに、樹脂成形品１０の上部に補助ホルダ５０を嵌合させる。補助ホルダ５０の内壁側面３３，３４にはマスク２０，２１と対向する位置に磁石３１，３２を配置し、樹脂成形品１０の内壁側面１１，１２にマスク２０とマスク２１とを密着させる。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上可能であり、バットジョイント構造を有する半導体光集積素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザの活性層のためのIII−Ｖ化合物半導体１７ａを第１のエリア１１ｂ上に分子線ビームエピタキシ装置を用いて形成した後に、有機金属気相成長装置４３を用いて第１のアニール４５を行う。電界吸収型変調器の活性層のためのIII−Ｖ化合物半導体５１を第２のエリア１１ｃ上に有機金属気相成長装置４３を用いて形成した後に、有機金属気相成長装置４３を用いて第２のアニール６１を行う。III−Ｖ化合物半導体１７ａは、III族構成元素としてインジウムおよびガリウムを含むと共にＶ族構成元素として窒素およびヒ素を含み、III−Ｖ化合物半導体５１は、III族構成元素としてインジウムおよびガリウムを含むと共にＶ族構成元素として窒素およびヒ素を含む。 （もっと読む）

【課題】導電性が高い透明導電膜を提供する。
【解決手段】Ｇａ、ＴｉおよびＯから実質的になる透明導電膜。ＧａおよびＴｉの合計量（モル）に対し、Ｔｉの量（モル）が０．０２以上０．９８以下である前記の透明導電膜。Ｇａ、ＴｉおよびＯから実質的になる焼結体。ＧａおよびＴｉの合計量（モル）に対し、Ｔｉの量（モル）が０．０２以上０．９８以下である前記の焼結体。チタンを含有する粉末と、ガリウムを含有する粉末とを混合して得られる混合物を成形して成形体を得、該成形体を焼結することにより得られる前記の焼結体。前記の焼結体をターゲットとして、パルス・レーザー蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法およびＥＢ蒸着法から選ばれる方法により成膜する透明導電膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高価な合金元素を多量に用いることなく、低コストでありながら、しかも耐熱性に優れたピストンリング及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｃが０．４５〜０．８０重量％、Ｓｉが０．８０〜２．５０重量％、Ｍｎが０．１０〜１．００重量％、Ｃｒが０．３０〜１．２０重量％、Ｎｉが０．２０〜１．５０重量％、Ｖが０．０５〜０．５０重量％であって、残部が主としてＦｅからなる線材に、熱処理と伸線加工を施して矩形断面へ塑性加工し、焼き入れと焼き戻しを行った後にピストンリング形状に加工し、そのピストンリングに歪取焼鈍を施した後イオンプレーティングを施すことにより得られるピストンリングにおいて、歪取焼鈍後の材料の硬さがビッカース硬さ（ＨＶ０．５）で４８０〜５５０である。 （もっと読む）

【課題】基板９の温度を比較的低温に保ちながら、微細なホール９０の内面に配線材料を埋め込むことを可能にする。
【解決手段】基板９に形成された微細なホール９０の内面にアルミのベース薄膜９３をイオン化スパッタによって作成した後、３００℃程度の温度でアルミ膜をスパッタによって作成しながらリフローさせてリフロー薄膜９１を作成する（Ｄ）。ホール９０内のベース薄膜９３が厚いためにリフロー薄膜９１の拡散が促進され、ボイド９２の無い埋め込みが可能になる。ベース薄膜９３は途切れを防止するため１５０℃以下の温度で作成される。スパッタチャンバーはプラズマを形成するイオン化手段を有し、このプラズマ中でスパッタ粒子がイオン化される。イオン化スパッタ粒子は電界設定手段が与える電界によって基板９に垂直に多く入射し、ホール９０内のカバレッジが向上する。 （もっと読む）

【課題】パターンエッチングによる加工性が良好で、信頼性が高く消費電力が低い有機ＥＬ表示装置を可能とする導電膜基板を提供する。
【解決手段】導電膜基板を、透明基材と、この透明基材上に順次積層された透明導電膜、中間層および金属層とを備えたものとし、透明導電膜は酸化インジウムスズ膜、中間層はＭｏ層、Ｍｏ合金層および酸化インジウム亜鉛層のいずれか、金属層はＡｇ合金層とし、これにより、透明導電膜と金属層との密着性が良好なものとなり、かつ、透明導電膜に対して中間層と金属層を一括で選択エッチングしてリード部のパターンを形成することが可能となる。 （もっと読む）