【課題】組み立て、または分解の際の作業性を向上できるプラズマガンを提供することを目的とする。
【解決手段】カソードフランジ１２と第１中間電極５との間にガラス管１３が配置されたプラズマガン１において、第１中間電極５のフランジ部５ａに固定されると共に、カソードフランジ１２に形成されたガイド孔１２ｂに挿通されたスタッドボルト２１と、スタッドボルト２１が挿通されたカソードフランジ１２を第１中間電極５側に向けて押圧するスプリング押え機構３５とを備える。このプラズマガン１では、カソードフランジ１２を簡単に位置合わせでき、さらに、カソードフランジ１２はスタッドボルト２１に沿ってガラス管１３を押圧するので、ガラス管１３に対する均一な押圧を行い易く、さらに、第１中間電極５とカソードフランジ１２との間にガラス管１３を挟み付けて簡単に固定できるために、組み立てや分解の際の作業負担が軽減する。 （もっと読む）

【課題】コンパクトで処理能力の高い真空成膜装置を実現することを可能にする真空成膜装置用のトレイ構造を提供する。
【解決手段】真空成膜装置用のトレイ構造は、基板１９が載置されるマスク２２と、マスク２２を支持するトレイ１８とを有する。トレイ１８のマスク２２を支持している面には、真空成膜装置内でトレイ構造を加熱する際にトレイ構造に照射される電磁波の反射率が少なくともトレイ１８よりも高い反射板２３が備えられている。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成によって極めて高い天板の位置再現性を実現することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、チャンバ壁３８の開口部３８ａを閉塞する天板４０と、天板４０をチャンバ壁３８に対して昇降させる複数のスライドピン５６と、各スライドピン５６にそれぞれ設けられた歯付きプーリ６２に掛け渡された歯付きベルト６６とを備える。各スライドピン５６は、歯付きベルト６６によって各歯付きプーリ６２を介して同期して駆動され、天板４０の姿勢を維持したまま天板４０を昇降させる。チャンバ壁３８には位置決めピン４８が設けられ、天板４０にはピン挿入孔４０ａが設けられている。 （もっと読む）

【課題】成膜材料を加熱して気化させる際の形状を安定化させ、成膜の効率を向上させることができる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】プラズマビームＰｂを用いて基板に膜を生成する成膜装置１において、材料ロッドＭを保持するハース２５のガイド部３１は、上端縁部３７の外径が下端部３２側の外径よりも小さく、プラズマビームＰｂの入射範囲Ａは、上端縁部３７の外周内に合わせられている。その結果として、ガイド部３１の上端縁部３７に集中的にプラズマビームＰｂが入射するようになり、ガイド部３１の上端縁部３７の温度を局所的に高めやすくなる。さらに、上端縁部３７から下端部３２にかけての温度勾配が大きくなり、上端縁部３７と下端部３２との間で、成膜材料を溶融させる温度となる範囲が狭くなり、溶融状態の成膜材料が少なくなって形状が安定し、成膜効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】イオンプレーティングにおいて、プラズマを高密度化、均一化、低圧力化することによって、効率良くかつ均一に成膜する。
【解決手段】真空チャンバ１中において、成膜材料３と、蒸着膜を形成すべき被処理物１３とを対向配置し、成膜材料および被処理物の間の空間にプラズマＰを生成するとともに該プラズマをラインカスプ型磁場によって閉じ込め、成膜材料を加熱蒸発させて、その蒸発粒子をプラズマによってイオン化し、プラズマとともに被処理物に照射することにより、被処理物に成膜材料の蒸着膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】従来の摺動部材に較べてさらに摩擦係数が低く、耐摩耗性に優れ、相手部材の摩耗量をも大幅に低減可能な低摩擦摺動部材を提供する。
【解決手段】基材上に、実質的に水素を含有しないＤＬＣ膜として、ｔａ−Ｃから成るＤＬＣ膜を形成し、このＤＬＣ膜を潤滑材の存在下において相手部材と相対的に摺動させるに際して、ＤＬＣ膜の表面粗さを算術平均粗さＲａで０．０１μｍ以下とすると共に、ＤＬＣ膜の表面における異物粒子の付着及び／又は脱離に起因する凹凸の射影面積率が０．４％以下となるようにする。 （もっと読む）

【課題】波長270〜600 nmで透過帯を有し、波長700〜2,500 nmで不透過帯を有する赤外カットフィルター及びそれを用いた医療用内視鏡を提供すること。
【解決手段】基板上に形成された長波長帯域カット多層膜であって、最も長波長側の不透過帯域中心波長λに対して、λ/2〜λ/7の連続した波長域に透過帯域を有することを特徴とする長波長帯域カット多層膜。 （もっと読む）

【課題】冷却水を流している配管部分からの漏水を防ぐプラズマ発生装置の提供。
【解決手段】ケース１５の一方の端部に碍子２０を介して筒状の第１アノード２１Ａが配置され、ケース１５の他方の端部に碍子２５Ａ´，２５Ｂ´を介してフランジ２６Ａ，２６Ｂがそれぞれ取り付けられ、フランジ２６Ａ，２６Ｂ各々に接続された配管２７，３１、ケース１５内部に設けられた流路２８，３０及び第１アノード２１Ａ内部に形成された流路２９が空間的に繋がる様に成し、冷却水が流れる様にする。碍子２０側に同心状の溝Ｍ７ａ，Ｍ７ｂが形成された交換フランジ３０Ｃを第１アノード２１Ａと碍子２０との間に設け、碍子側２５Ａ´，２５Ｂ´各々に同心状の溝Ｍ１ａ，Ｍ１ｂ、Ｍ２ａ，Ｍ２ｂが形成された交換フランジ３０Ａ，３０Ｂをそれぞれフランジ２６Ａ，２６Ｂと碍子２５Ａ´，２５Ｂ´との間に設け、各溝内にシール部材を入れた。 （もっと読む）

【課題】良好なＤＬＣ膜を形成することができる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】プラズマ発生部において発生したマクロパーティクルには、ドロップレットとよばれる液状の飛沫の他に固体状のものも含まれている。固体状のマクロパーティクルは湾曲部の内面に衝突しても、そこに付着しにくく、反射されて基板１１に向かってくる。ところが、湾曲部とチャンバ６との間に、表面に多孔質膜が設けられたフィルタ板５が設置されているので、基板１１に向かってきた固体状のマクロパーティクルは、多孔質膜の空隙に入り込み、その内部で衝突を繰り返す。この結果、固体状のマクロパーティクルの多くは運動エネルギを消失し、多孔質膜に捕獲され、基板１１まで到達することができない。 （もっと読む）

【課題】イオンクラスタービームで基板表面に蒸着膜を形成する際、誘導加熱の際の磁力線の影響を減らすことで良質な蒸着膜を形成するイオンクラスタービーム蒸着装置を提供することを課題とする。
【解決手段】イオンクラスタービーム蒸着装置１であって、対象物８と離間する位置に配置され、蒸着物質１３を収容する収容部２と、収容部２内に、対象物８が位置する方向に対して交差する方向の磁界を発生することにより、収容部２内に収容された蒸着物質を加熱して蒸気を生成する高周波誘導加熱手段３と、収容部２内からクラスター１２を噴射する噴射手段９と、対象物８に向けて移動するクラスター１２をイオン化するイオン化手段５と、イオン化されたクラスターを、加速電圧を印加して加速する加速手段６と、イオン化されたクラスター１２を磁力線から遮蔽する磁力線遮蔽手段４と、を備え、磁力線遮蔽手段４は、対象物８に向けて移動するクラスター１２と交差する磁力線を遮蔽する。 （もっと読む）

【課題】相手材との初期なじみ性に優れるとともに、高負荷での摺動が継続した場合であっても耐スカッフ性と耐摩耗性を継続的に維持できる摺動部材を提供する。
【解決手段】少なくとも摺動面１１に、母材１０側より耐摩耗性皮膜２と硬質炭素皮膜３とが繰り返し形成された摺動部材１であって、耐摩耗性皮膜２と硬質炭素皮膜３とからなる層７，…，７を２以上有する摺動部材１により、上記課題を解決した。この摺動部材１において、少なくとも耐摩耗性皮膜２と硬質炭素皮膜３との間に、耐摩耗性皮膜２と硬質炭素皮膜３の中間組成からなる傾斜膜が形成されていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】蒸着（スパッタリング）金属による形成成膜の接着力が強く、形成速度の速い電子ビーム蒸着装置を提供する。
【解決手段】プラズマ電子銃から発射される電子ビームパルスは、大きい断面積であってエネルギ密度が低いと言う特徴がある。スパッタリングに利用する場合には面積の大きなターゲットを使用できることと、スパッタ粒子が微細であるという利点がある反面、ターゲットと基板は近接しなければならないと言う制約がある。そこで、基板の周囲にターゲットを配置し、プラズマ電子銃からの電子ビームをターゲットに照射してスパッタ粒子を発生させるとき、基板表面に並行する磁力線を作っておくと、電荷を持つ金属イオンの運動との相互作用（ローレンツの力）により方向が偏向させられ、基板面に誘導されて薄膜が堆積される。 （もっと読む）

【課題】イオンプレーティング法により基体の表面に設けられた金属又は金属化合物の蒸着層と該蒸着層上に設けられた樹脂の保護層とを含む被覆を備えた物品において、基体に対する被覆の密着性、耐候性等の実用特性を満足する物品を提供する。
【解決手段】基材２の表面上に、プライマー層６を形成し、その上にイオンプレーティング法により金属又は金属化合物の蒸着層４を形成し、その上に、２０〜７０質量％のアクリル樹脂成分、１０〜７０質量％のウレタン樹脂成分及び０．５〜２０質量％のシリコーン樹脂成分（但し、アクリル樹脂成分、ウレタン樹脂成分、及びシリコーン樹脂成分の合計量は１００質量％である。）からなるポリマーアロイを含有する塗料を塗布して保護層５を形成することにより、被覆３を備えた物品１を得る。蒸着層４にピンホールが存在すると、プライマー層６、保護層５及び蒸着層４を含む被覆３の基体２に対する密着性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 光学素子の反射防止層上に、光学素子の視認性を損なうことなく、耐久性の優れた防汚層を備えた反射防止層の成膜方法及び同成膜を行うための装置を提供する。
【解決手段】 基材上に反射防止層を成膜し、前記反射防止層上に、厚さ１０ｎｍ以下のＴｉＮ膜を防汚層として積層することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐酸性に優れ、且つ接触抵抗が低い燃料電池用金属セパレータの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の燃料電池用金属セパレータの製造方法は、表面が平面の金属基材、または、表面の少なくとも一部に凹形状のガス流路が形成される金属基材を用いて製造する燃料電池用金属セパレータの製造方法であって、前記金属基材を加熱し、且つ電圧印加して行うＰＶＤ法によってＮｂ、Ｔａから選択される１種以上の非貴金属を含んでなる耐酸性金属皮膜を当該金属基材上に成膜する成膜工程Ｓ１と、前記成膜工程Ｓ１後、前記耐酸性金属皮膜を成膜した金属基材を加熱し、且つ電圧印加して行うＰＶＤ法によってＡｕ、Ｐｔから選択される１種以上の貴金属を当該耐酸性金属皮膜上に析出させて島状の結晶粒子を形成する析出工程Ｓ２と、を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】耐熱性に優れるとともに、耐酸化性に優れた耐熱耐酸化性炭素膜及びその形成方並びに耐熱耐酸化性炭素膜被覆物品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】(1) 炭素を主成分とし、シリコンを含有しており、表面層として酸化シリコン含有層を有する耐熱耐酸化性炭素膜Ｆ、(2) 該膜で被覆された耐熱耐酸化性炭素膜被覆物品Ｗ、(3) シリコン含有炭素膜ｆ１を形成する工程と、該工程で形成された炭素膜ｆ１の表面を酸化処理して、酸化シリコン含有層ｆ２を形成する工程とを含む耐熱耐酸化性炭素膜Ｆの形成方法及び(4) 耐熱耐酸化性炭素膜被覆対象物品を準備し、該物品の表面の少なくとも一部に(3) の方法により耐熱耐酸化性炭素膜Ｆを形成して耐熱耐酸化性炭素膜被覆物品Ｗを得る物品製造方法。 （もっと読む）

【課題】生産性が高く、ガスバリア性が良好で、カールの発生が抑制され、さらにガスバリア膜の接着性の高いガスバリア性シートを提供する。特に、有機ＥＬディスプレイ等の耐久試験として行われるヒートサイクル試験後においても、カールの発生が抑制され、ガスバリア性能も維持されるガスバリア性シートを提供する。
【解決手段】基材２にガスバリア膜３を有するガスバリア性シート１において、ガスバリア膜３を、ＳｉＮ_ｓＭ_ｔＯ_ｕＣ_ｖ膜（ただし、ｓ＝０．５〜１．５、ｔ＝０．０１〜０．３、ｕ＝０．２５〜１、ｖ＝０〜１、ＭはＡｌ及び／又はＭｇである。）とすることによって、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 ＩｎＰ基板上のＧａＩｎＮＡｓＳｂの表面平滑性が良好で、結晶欠陥密度の低い半導体積層構造の半導体ウエハ、その製造方法および半導体素子を提供する。
【解決手段】 ＩｎＰ基板１をＭＢＥ装置の基板取付部に取り付ける工程と、ＩｎＰ基板上に該ＩｎＰ基板との格子定数差が−０．５％以上＋０．５％以下の範囲のＧａ_１−ｘＩｎ_ｘＮ_ｙＳｂ_zＡｓ_１−ｙ（０．４≦ｘ≦０．８、０＜ｙ≦０．２、０≦ｚ≦０．１）を、パイロメータで測定の基板表面温度４９０℃超え５３０℃以下の状態で膜厚０．５μｍ以上に成長させる工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも多くの被処理物を１度に処理する。
【解決手段】 この発明に係る表面処理装置１０によれば、各被処理物２８，２８，…をプラズマ領域６４に送り込むための公転ユニット３２に複数のホルダユニット３４，３４，…が取り付けられ、これら複数のホルダユニット３４，３４，…のそれぞれに複数の被処理物２８，２８，…が取り付けられる。これにより、従来よりも多くの被処理物２８，２８，…を１度に設置することができる。そして、公転ユニット３２内の大回転板，それぞれのホルダユニット３４内の小回転板，およびそれぞれの被処理物２８を保持するホルダ４０、の各回転数が適切に設定されることで、各被処理物２８，２８，…に対して均一に表面処理が施されると共に、個々の被処理物２８に対してもその表面全体にわたって均一に表面処理が施される。 （もっと読む）

本発明は、真空下で基板を対象材料で被膜するべくカソードとして接続される対象からアーク放電を起こしてプラズマを形成するアノードに係る。本発明の目的は、必要なプラント工学上の労力を実質的に増加させることなく少なくとも被膜率を向上させることのできる手段による可能性を提供することである。本発明による、カソードとして接続された対象からアーク放電を起こすことでプラズマを形成するアノードは、その後、既知の方法により対象からある距離を隔てて配置される。同時に、アノード棒がアノード上の対象表面に平行に先ず配置される。加えて、帯状部材は、アノード上に間隙により互いから隔てられて形成される。その後、帯状部材が、アノード棒から基板の方向へ向かい表面に被膜される。この結果、形成されたプラズマは、アノードの帯状部材の２つの対向する面の間に封入される。 （もっと読む）