【課題】半導体加工処理容器部材は、ハロゲンガスを含む環境でプラズマエッチング加工されると、早期に腐食損傷を受けるとともに、微小な環境汚染パーティクルを発生して、半導体の加工生産能力を甚しく低下させる問題がある。
【解決手段】基材と、その表面に形成された１５〜４０ａｔ％の水素を含有する化学的に安定なアモルファス状炭素・水素固形物の気相析出蒸着膜と、そのアモルファス状炭素・水素固形物の気相析出蒸着膜中には金属酸化物の超微粒子を分散含有させることによって、耐食性と耐プラズマエロージョン性を兼備した半導体加工装置用部材をつくる。 （もっと読む）

【課題】サブミクロンオーダーの金属膜を透明基板上に確実に形成することができるメタルワイヤーパタンの製造方法、バックライトシステム及びそれらを用いた液晶ディスプレイを提供する。
【解決手段】モールド２０ａにナノインプリント法により凹凸部１１を形成する凹凸部形成工程と、モールド２０ａの凹凸部１１上に真空成膜法またはめっき法により金属膜１３を堆積させる金属膜形成工程と、凹凸部１１上に堆積した金属膜１３のうち、凸部１５上に堆積した金属膜１３を透明基板３０に転写してメタルワイヤー層３２を形成する転写工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】背面の研磨や溝を大きくすることなく切屑粉及びその粉の溶着の防止及び切屑の排出性の向上を図ることができるドライ加工用の切削工具を提供する。
【解決手段】刃部１０２で切削した切屑をチップポケット１０３から外部へ排出するホブ１００であって、刃部１０２の背面１０２ｆの最表面が、ダイヤモンドライクカーボンからなる被膜１００ｃでコーティングされ、刃部１０２の切刃１０２ａ、すくい面１０２ｂ、逃げ面１０２ｃ〜１０２ｅの各最表面が、Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉのうちの少なくとも１つの窒化物からなる被膜１００ｂでそれぞれコーティングされている。 （もっと読む）

【課題】ウェット加工はもちろん、軟金属などのドライ加工、セミドライ加工において、耐溶着性に優れる非晶質炭素膜被覆工具を提供する。
【解決手段】基材100と、この基材100の少なくとも一部を覆う非晶質炭素膜110とを備える非晶質炭素膜被覆工具である。非晶質炭素膜110は、前記工具のすくい面のうち、切刃稜線から同稜線に実質的に垂直な方向に10μm以下の領域に存在せず（消失領域140）、この領域以外で切削に関与する領域に設けられている。切刃稜線近傍の特定領域に非晶質炭素膜がなければ、基材全面に非晶質炭素膜のある工具と比べても格段に耐溶着性に優れる。 （もっと読む）

【課題】ウェット加工はもちろん、軟金属などのドライ加工、セミドライ加工において、耐溶着性に優れる非晶質炭素膜被覆工具を提供する。
【解決手段】基材と、この基材の少なくとも一部を覆う非晶質炭素膜とを備える非晶質炭素膜被覆工具である。この炭素膜は、514.5nmの波長を持つアルゴンイオンレーザーを用いたラマン分光分析により得られるラマンスペクトルにおいて、波数1580cm⁻¹付近に存在するピークと波数1390cm⁻¹付近に存在するピークと波数1100cm⁻¹付近に存在するピークに対してガウス関数による近似を行って近似関数を決定したときに、波数1390cm⁻¹付近の近似関数のピーク強度(I1390)と波数1100cm⁻¹付近の近似関数のピーク強度(I1100)との強度比(I1100/I1390)が0.15以上0.40以下である。 （もっと読む）

【課題】タービン部品を減衰するための構造を提供する。
【解決手段】 本願では、ガスタービン部品用の皮膜であって、振動減衰特性を有する１種以上の材料を含む皮膜について開示する。さらに、翼形基板と該翼形基板に設けられた皮膜とを含む振動減衰特性を有するガスタービン翼形部であって、上記皮膜が振動減衰特性を有する１種以上の材料を含む翼形部についても開示する。ガスタービン部品の振動減衰方法は、減衰特性を有する１種以上の材料を含む皮膜をガスタービン部品に施工することを含む。 （もっと読む）

【課題】量子ドット等に利用しうる微細なエピタキシャル層を成長させるのに適した基板表面を実現できるＺｎＴｅ系化合物半導体基板の表面処理方法、および該基板を用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＴｅ系化合物半導体の表面処理において、ＺｎＴｅ系化合物半導体基板に、少なくとも、Ｚｎ分子線、および１×１０^−６Ｔｏｒｒ以上１×１０^−４Ｔｏｒｒ以下の原子状水素を照射しながら１５０℃から３００℃の温度範囲でアニールする第１の表面処理工程（工程Ｂ）を少なくとも有するようにした。さらに、前記第１の表面処理工程の前に、前記ＺｎＴｅ系化合物半導体基板に１×１０^−６Ｔｏｒｒ以上１×１０^−４Ｔｏｒｒ以下の原子状水素を照射しながら８０℃から１５０℃の温度範囲でアニールする第２の表面処理工程（工程Ａ）を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】
優れた耐衝撃性、耐薬品性、ハイサイクル性、寸法安定性、流動性、金属調の高級感のある光沢・深み・色調の意匠性を兼備した直接金属蒸着層とハードコート層を有する成形品用ポリエステル樹脂組成物、及び該樹脂組成物からなる成形品を提供すること。
【解決手段】
表面に金属蒸着層とハードコート層をこの順に設ける樹脂製基体用ポリエステル樹脂組成物であって、該ポリエステル樹脂組成物が、ポリエステル樹脂（Ａ）１００重量部に対してポリカーボネート樹脂（Ｂ）５〜１００重量部と、熱可塑性エラストマー（Ｃ）０．５〜４０重量部を含有してなるポリエステル樹脂組成物、及びこれを成形してなる樹脂製基体。 （もっと読む）

【課題】粉粒物の攪拌において攪拌されない粒子が発生しないようにする。
【解決手段】真空槽２と、蒸着源５を有する蒸着装置１内に配置され、
粉粒物７を収納する容器７３と、粉粒物７の粒子を攪拌するスクレイパ７５と、容器７３に対しスクレイパ７５を相対的に駆動させる駆動機構７２とから成る粒子の攪拌装置３であって、
容器７３の少なくとも内壁に粉粒物７と同種の材質をコーティングし、
スクレイパ７５の少なくとも容器７３の内壁と接する部分に蒸着源５で蒸発される蒸着材料１１と同種の材質または粉粒物７と同種の材質をコーティングした粒子の攪拌装置３。容器７３のコーティングおよびスクレイパ７５のコーティングが削られて発生する屑は、粉粒物７または蒸着材料１１と同種の材質であるから不純物とはならない。 （もっと読む）

【課題】溶着性の高い被削材の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐ピッチング性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットからなる工具基体の表面に、（ａ）下部層として、組成式：（Ａｌ_１−ＸＣｒ_Ｘ）Ｎ_Ｙにおいて０．２≦Ｘ≦０．４、０．９≦Ｙ≦１（Ｘ、Ｙは原子比）を満足する均一組成のＡｌとＣｒの複合窒化物層、（ｂ）上部層として、組成式：（Ａｌ_１−ＸＣｒ_Ｘ）Ｎ_Ｙにおいて０．２≦Ｘ≦０．４、０．５≦Ｙ＜１（Ｘ、Ｙは原子比）を満足する平均組成を有し、かつ、上部層表面におけるＹ値が、０≦Ｙ≦０．３５を満足する組成傾斜型のＡｌとＣｒの複合窒化物層、を蒸着形成する。 （もっと読む）

【課題】可撓性基板を用いてパターン形成する場合に、高精度にパターニングを行うことができる蒸着装置及び蒸着方法並びにその方法を用いてパターン形成した層を有する電子素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【解決手段】真空槽１２と、蒸着材料を収容して蒸発させる容器３０と、基板保持手段１６，１８と、マスク保持手段２８と、基板保持手段により保持された可撓性基板３６とマスク保持手段により保持されたマスク４０のそれぞれのアライメントマーク３８，４４の位置を測定する位置測定手段３２ａ，３２ｂと、位置測定手段による測定に基づき、基板保持手段により可撓性基板を延伸させてマスクとの位置合わせを行う位置制御手段３４と、を有することを特徴とする蒸着装置１０。可撓性基板を所定の方向に所定の量で延伸させてマスクとの位置合わせを行った後、マスクを介して蒸着材料を所定のパターンに蒸着させる。 （もっと読む）

【課題】基板温度を高精度に計測可能な基板温度計測装置及び基板温度計測方法を提供する。
【解決手段】基板１００を加熱する加熱源１０と、基板１００を透過できない波長領域の赤外線を透過させる透過窓３０と、基板１００を透過できない波長領域を感度範囲に含み、加熱源１０により加熱された基板１００から放射され、透過窓３０を透過した赤外線を分析して基板１００の基板温度を計測する温度計測器４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】生産性が高く、緻密で密着性がよく、ガスバリア性の高いガスバリア膜を成膜できるイオンプレーティング用蒸発源材料の原料粉末等を提供する。また、イオンプレーティング法に適した蒸発源材料及びその製造方法、並びにガスバリア性シート及びその製造方法を提供する。
【解決手段】平均粒径が５μｍ以下の酸化ケイ素と、平均粒径が５μｍ以下であり屈折率が１．８以上である高屈折率材料とを有し、高屈折率材料の含有量が、酸化ケイ素１００重量部に対して、５重量部以上５０重量部以下である原料粉末により、上記課題を解決する。この原料粉末は、酸化ケイ素の比表面積が６００ｍ^２／ｇ以上であることが好ましい。本発明のイオンプレーティング用蒸発源材料は、上記原料粉末を焼結又は造粒させて平均粒径が２ｍｍ以上の塊状粒子又は塊状物に加工したものである。 （もっと読む）

【課題】生産性が高く、ガスバリア性が良好で、カールの発生が抑制されたガスバリア性シートを提供する。特に、有機ＥＬディスプレイ等の耐久試験として行われるヒートサイクル試験後においても、カールの発生が抑制され、ガスバリア性能も維持されるガスバリア性シートを提供する。
【解決手段】基材２上にガスバリア膜３を有するガスバリア性シートにおいて、ガスバリア膜３を、ＳｉＮ_ｘＯ_ｙ膜（ただし、ｘ＝０．５〜１．５、ｙ＝０．２５〜１）とし、かつ、ガスバリア膜３のＳｉ−Ｎ結合に対応するＩＲ吸収（８３０ｃｍ^−１〜８４０ｃｍ^−１）の単位厚さあたりの吸収強度を０．５×１０^−３／ｎｍ〜１．８×１０^−３／ｎｍとし、ガスバリア膜３の屈折率を１．７〜２．１とすることによって、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ガスバリア性の高いガスバリア膜を成膜できるイオンプレーティング用蒸発源材料の原料粉末等を提供する。また、イオンプレーティング法に適した蒸発源材料及びその製造方法、並びにガスバリア性シート及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ケイ素粉末１００重量部と、導電性材料粉末５重量部以上１００重量部以下とを含有する原料粉末により、上記課題を解決する。この原料粉末は、酸化ケイ素粉末の平均粒径が好ましくは５μｍ以下であるとともに、導電性材料粉末の平均粒径が５μｍ以下であることが好ましく、導電性材料粉末が、金属、導電性を有する金属酸化物、金属窒化物、及び金属酸窒化物から選ばれる少なくとも１つであることが好ましい。本発明のイオンプレーティング用蒸発源材料は、前記原料粉末を圧縮成形又は造粒させて平均粒径が２ｍｍ以上の塊状粒子又は塊状物に加工したものである。 （もっと読む）

【課題】製造装置への負担を軽くすることができ、ドーピングの制御性や再現性が良くなり、かつ結晶構造を変化させずにｐ型伝導が得られるＺｎＯ系薄膜及びＺｎＯ系半導体素子を提供する。
【解決手段】
ＺｎＯ系薄膜は、ｐ型化を行うために、基本構造をＭｇＺｎＯ／ＺｎＯ超格子層３の超格子構造とし、この超格子層は、アクセプタドーピングされたＭｇＺｎＯ層３ｂとアクセプタドーピングされたＺｎＯ層３ａとの積層構造で形成されているので、ドーピングの制御性や再現性が良くなり、かつドーピング材料による結晶構造の変化を防止できる。 （もっと読む）

【課題】
ホワール音対策で円周溝１３を設けると、油膜強度を確保する面積が減少し、外周面が摩耗しやすくなるため浮動ブッシュ２に充分な耐摩耗性を確保する。
【解決手段】
回転軸１と、その回転軸１と摺動接触する円筒形状の浮動ブッシュ２と、その浮動ブッシュ２の外周側において浮動ブッシュ２と摺動接触する軸受９とからなる浮動ブッシュ軸受において、浮動ブッシュ２の外周面に表面硬化処理を施す。本発明によれば、表面硬化処理として例えばＴｉＮコーティングを施すことにより、表面硬度が向上して、耐摩耗性の向上が可能となる。 （もっと読む）

【課題】アーキング現象発生を抑制して、被処理物品に良好に目的とする処理を施す。
【解決手段】ホルダ２に被処理物品Ｗを配置した状態で真空容器１内から排気し、容器１内へ加熱用ガスを供給するとともに該ガスを加熱して容器１内に加熱用ガス雰囲気を形成し、該加熱用ガス雰囲気のもとで物品Ｗ等を加熱し、容器１から排気することでアーキング発生促進物質を該物品Ｗ等から脱離させ、加熱用ガスとともに容器１外へ排出する。次いで物品Ｗに目的とする処理（例えば膜形成処理）を施す。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、従来の真空蒸着設備を用い成膜することの出来る、導電性、透明性、及び外観に優れたアルミニウム添加酸化亜鉛系透明導電膜を提供する。
【解決手段】
不純物ドーパントとして少なくともフッ化アルミニウムを０．０１〜１０重量％の割合で含む酸化亜鉛焼結体をターゲット材料とした真空蒸着法により、基板上に成膜されることを特徴とするアルミニウム添加酸化亜鉛系透明導電膜。 （もっと読む）

【課題】ガリウム窒化物化合物半導体の結晶中におけるドーパント元素のドーピング濃度を容易に最適化でき、効率よく成膜することができるＩＩＩ族窒化物化合物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｇａ元素を含有するＧａターゲット４７ａとドーパント元素からなるドーパントターゲット４７ｂとを用い、前記Ｇａターゲット４７ａをスパッタにより励起させるとともに、前記ドーパントターゲット４７ｂをビーム状とした荷電粒子により励起させて、半導体層の少なくとも一部を形成するＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法とする。 （もっと読む）