【課題】搬送トレイに搭載された複数の基板の位置ずれを低減できるアンロードチャンバ及びその運転方法を提供する。
【解決手段】アンロードチャンバ３は、複数の基板Ｗ，・・・が二次元状に配列搭載された搬送トレイＴを減圧状態で搬入しチャンバ内を昇圧可能なアンロードチャンバ３であり、減圧状態から昇圧させるための気体吹出し装置１５を備えている。この気体吹出し装置１５は、複数の基板Ｗ，・・・それぞれに対向するように二次元状に配置された複数の気体吹出し口１８，・・・を有している。このため、気体吹出し口１８から吹き出される気体の気流と搬送トレイＴとで仮想的な保持機構を形成することができ、各基板Ｗ，・・・の位置ずれを低減できる。このような位置ずれの低減により、下流工程での基板Ｗの取り上げ等の設備における安定性も向上する。 （もっと読む）

【課題】良質の膜、特に、成膜室内残留水分に起因する酸素及び（又は）水素の取り込みの抑制された膜を形成できるアーク式イオンプレーティングによる成膜装置を提供する。
【解決手段】真空容器（成膜室）２内の水分を冷却捕捉する冷却器５１部分が室２内に設置されたコールドトラップ装置５と、蒸発源１のカソード１１のカソード材料蒸発面１１１の前方において収束せず平行進行又は発散する磁力線ｍＬからなる磁場をプラズマの生成領域に印加する磁場形成手段３００と、カソード材料蒸発面１１１におけるいずれの位置からも冷却器５１を見通せなくするとともに磁場形成手段３００が発する磁力線ｍＬに沿ってプラズマが冷却器５１へ達することを遮るための遮蔽部材６とを備えているアーク式イオンプレーティングによる成膜装置Ａ。 （もっと読む）

【課題】成膜物質の流入を招くことなく排気ポンプによる排気効率の確保、向上を図ることができ、これにより、被成膜体への成膜作業を効率的に行う。
【解決手段】排気ポンプ１９によって減圧させられる真空チャンバー１内に収容される被成膜体Ｆに、真空チャンバー１内に配設された成膜物質の発生源６によって薄膜を形成する真空成膜装置にあって、真空チャンバー１内には、成膜物質の発生源６を囲繞するように防着板１２〜１４を配設して成膜室１５を形成するとともに、排気ポンプ１９は、真空チャンバー１の側壁に設けられたチャンバー排気口１８に水平取り付けし、成膜室１５の防着板１４には、チャンバー排気口１８に対向する位置に、このチャンバー排気口１８と間隔Ａをあけて、バッフル１６を備えた成膜室排気口１７を設ける。 （もっと読む）

【課題】イオン化した成膜粒子を成膜マスクを用いてパターニングする場合、成膜マスクは成膜粒子が持つ電荷により、帯電する。そして、ある程度帯電すると、成膜対象の基板との間で放電が生じる。この放電により、成膜対象の基板に形成される半導体素子等が損傷を受け、歩留まりを低下させてしまうという課題がある。
【解決手段】荷電粒子を成膜対象基板に照射して成膜を行う成膜装置に用いられ、前記成膜対象基板の一部を覆い、成膜と同時にパターニングを行うための成膜マスクであって、前記成膜マスクが電気的に絶縁性を有する素材を用いて形成されている。これによれば、成膜マスク内での電荷の移動が抑えられるため、電荷の集中により生ずる放電を抑制することが可能となり、半導体素子等が受ける放電による損傷の発生を抑制することが可能となり、歩留まりを向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】基材とその基材の表面に形成される非晶質炭素膜とを備え、前記非晶質炭素膜で相手部材と摺動する摺動部材において、低摩擦性を向上させることである。
【解決手段】基材の表面に形成される非晶質炭素膜が、水素を含まない固体炭素を原料とし成膜時にドロップレットが除去されて形成される。これにより、非晶質炭素膜が極めて滑らかな膜となり、低摩擦性の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金、サーメット、立方晶窒化ほう素基超高圧焼結体からなる切削工具基体表面に、組成式（Ｃｒ_１−Ｘ Ａｌ_Ｘ ）Ｎ（ただし、原子比で、Ｘは０．４０〜０．７０）を満足するＣｒとＡｌの複合窒化物層からなり、かつ、該層についてＥＢＳＤによる結晶方位解析を行った場合、表面研磨面の法線方向から０〜１５度の範囲内に結晶方位＜１１２＞を有する結晶粒の面積割合が５０％以上であり、また、隣り合う結晶粒同士のなす角を測定した場合に、小角粒界（０＜θ≦１５゜）の割合が５０％以上であるような結晶配列を示すＣｒとＡｌの複合窒化物層で硬質被覆層を構成する。 （もっと読む）

【課題】
高速度切削、高送り切削、被削材の高硬度化などの厳しい切削加工条件において長寿命を実現できる切削工具用の被覆部材の提供を目的とする。
【解決手段】
基材の表面に被膜を被覆した被覆部材において、被膜の少なくとも１層はＡｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗの中から選ばれた少なくとも１種の金属元素Ｍと、Ｃ、Ｎ、Ｏの中から選ばれた少なくとも１種の非金属元素Ｘとからなる立方晶の金属化合物の硬質膜であり、硬質膜の（２２０）面に関する正極点図のα軸のＸ線強度分布はα角８０〜９０度の範囲に最高強度を示す被覆部材。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の電極等に適用されその導電性が改善された酸化亜鉛系透明導電膜積層体を提供する。
【解決手段】スパッタリング法等により基板上に成膜され、ガリウム含有量が異なる複数層の酸化亜鉛系透明導電膜により構成された酸化亜鉛系透明導電膜積層体であって、最も基板側に成膜される酸化亜鉛系透明導電膜が、Ｇａ／（Ｚｎ＋Ｇａ）の原子数比でガリウム含有量が５．６〜１０．０％に設定されかつ膜厚が２０〜４０ｎｍに設定された酸化亜鉛系薄膜層（１）により構成され、この酸化亜鉛系薄膜層（１）上に成膜される単一若しくは複数の酸化亜鉛系透明導電膜が、上記酸化亜鉛系薄膜層（１）よりガリウム含有量が少ない酸化亜鉛系薄膜層（２）により構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上に所望のサイズのクラスター粒子を所望の堆積量分布に従って形成する。
【解決手段】所定サイズのクラスター粒子からなるイオンビームを出射することが可能なイオンビーム出射手段（２）と、イオンビーム出射手段（２）から出射されたイオンビーム（１４）の照射方向を可変する照射方向可変手段（４）と、イオンビームの照射方向に配置された基板（８）と、イオンビーム（１４）の基板（８）上での強度分布を推定するためのイオンビーム強度分布推定手段（２０）と、基板上に所望の堆積量分布を有するクラスター粒子を形成するために、イオンビーム強度分布推定手段（２０）によって推定された強度分布に基づいて、イオンビーム出射手段（２）および照射方向可変手段（４）を制御する制御装置（１２）と、を備える、クラスター粒子堆積装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】被処理体の表面の凹部の開口部近傍にオーバハング部が形成されることを防止し、この結果、ピンチオフやボイドを発生させることなく凹部内を埋め込むことが可能な薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】高融点金属よりなる金属ターゲット９６をスパッタしつつ発生した金属粒子をプラズマでイオン化し、載置台６０上に載置された表面に凹部を有する被処理体２の表面に前記イオン化された金属粒子をバイアス電力により引き込んで高融点金属を含む薄膜を堆積する成膜工程を有する薄膜の形成方法において、被処理体を、堆積されつつある薄膜がフローを生ずるようなフロー温度に加熱した状態に維持するようにする。これにより、表面拡散を生ぜしめて被処理体の表面の凹部の開口部近傍にオーバハング部が形成されることを防止する。 （もっと読む）

【課題】磁場フィルタ付カソーディックアーク放電を用いた磁気ディスク炭素保護膜の形成方法において、粒径が１ミクロンメートル未満の荷電性異物の発生を抑制する。
【解決手段】炭素を主成分とするカソード１３のアーク放電によりプラズマを発生し、発生したプラズマを第１の磁場ダクト１７により保持し、第２の磁場ダクト１８により処理室２７に輸送し、処理室に配置された磁気ディスク基板２３に炭素保護膜を形成する。このとき、第１の磁場ダクト１７により発生する磁束密度の方向１６に対して第２の磁場ダクト１８により発生する磁束密度の方向１７を反対方向とし、第１の磁場ダクトと第２の磁場ダクトの間に生成される零磁束平面１２が、カソードの最表面１１と空間的に一致するように、第１磁場ダクト１７及び第２の磁場ダクト１８により発生する磁束密度を制御する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、固体潤滑性や非親和性を付加した耐摩耗性硬質皮膜及び皮膜付き物品を提供する。
【解決手段】固体潤滑性や非親和性を有する複合耐摩耗性硬質皮膜及び皮膜付き物品は、Ｃｒ及びＡｌ、Ｓｉ、Ｙ、Ｂから選択される一種以上の元素と、Ｃ、Ｎから選択される一種以上の元素とによって構成される単層または２種類以上の積層化合物皮膜の上に、当該積層化合物皮膜の構成元素であるＣｒ及びＡｌ、Ｓｉ、Ｙ、Ｂから選択される一種以上の元素の酸化物被膜によって構成される。 （もっと読む）

【課題】より均一なめっきが可能なめっき用導電性基材を提供するとともに、導体層パターン付き基材を転写法を用いて生産性よく製造できるようにする。
【解決手段】基材及びその基材の表面に形成されている導電性ダイヤモンドライクカーボン膜又は導電性無機材料膜を含むめっき用導電性基材１であり、好ましくは、表面に導電性ダイヤモンドライクカーボン膜若しくは導電性無機材料膜が形成されている導電性基材２及びその導電性ダイヤモンドライクカーボン膜若しくは導電性無機材料膜の表面に形成されている絶縁層３を有し、その絶縁層３に開口方向に向かって幅広なめっきを形成するための凹部４が形成されているめっき用導電性基材。 （もっと読む）

【課題】複数の材料によって構成されている材料ライブラリを効率的に構築する方法を提供する。
【解決手段】２又はそれよりも多くの材料ライブラリ（１５及び１６、又は１５’及び１６’）を、堆積を含む方法によって１つの基材（１２、１３）上に構築することを含み、材料ライブラリのうちの少なくとも２つの材料ライブラリに含まれる材料が、少なくとも１つの共通成分を含有しており、且つ共通成分のうちの少なくとも１つ（成分Ａ）を、この共通成分（成分Ａ）を含有する材料を含む少なくとも２つの材料ライブラリ（１５及び１６、又は１５’及び１６’）のために、１つの堆積工程（第１の堆積工程）で基材上に堆積させる、材料ライブラリの構築方法（（ｂ）及び（ｃ））とする。 （もっと読む）

【課題】高耐久性および低摩擦係数の二つの特性を同時に満足させることのできるＤＬＣ系の摺動皮膜の提供。
【解決手段】摺動部材の摺動側表面にコーティングされた皮膜であって、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ。以下同様。）から成る下層膜およびこの下層膜の上に配置されたDLCからなる上層膜との少なくとも２層の膜から構成され、下層膜は、硬度が２０ＧＰａ以上４５ＧＰａ以下、ヤング率が２５０ＧＰａ以上４５０ＧＰａ以下、そして膜厚が０．２μｍ以上４．０μｍ以下であり、上層膜は、硬度が５ＧＰａ以上２０ＧＰａ未満、ヤング率が６０ＧＰａ以上２４０ＧＰａ以下、そして膜厚が１．０μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする摺動部品用ダイヤモンドライクカーボン皮膜。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、被処理基板を成膜開始時から成膜終了時まで低い温度に保持することができるマスク蒸着方法、有機ＥＬ装置の製造方法、およびマスク蒸着装置を提供すること。
【解決手段】マスク蒸着装置２００では、成膜前に、冷却エリア２９０において金属製の冷却ブロック３４０、金属製の蒸着マスク３１０および金属製のホルダ３２０を冷却する冷却工程を行ない、ホルダ３２０に支持された金属製の蒸着マスク３１０の上に第１基板１０を重ねるとともに、第１基板１０の上に冷却ブロック３４０を重ねた状態で成膜室２２０に搬入し、成膜工程を行なう。このため、第１基板１０は成膜前から成膜後にかけて低い温度に保持される。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な構成でドロップレットをより確実に排除することができる成膜装置及び成膜方法並びに磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録装置の製造方法を提供する。
【解決手段】グラファイトからなる筒状のアノード電極２４の内側に、グラファイトからなるカソード電極２１が配置される。アノード電極２４とカソード電極２１との間に電源２６から電力が供給し、アーク放電を発生させてカソード電極２１の周囲に炭素イオンを含むプラズマを生成する。このプラズマは、アノード電極２４に設けられた開口部を介して外部に出て、コイル２５による磁場で進行方向が曲げられ、基板まで搬送される。そして、プラズマ中の炭素イオンが基板の面上に堆積してＤＬＣ膜が形成される。一方、アーク放電により発生したドロップレットは、磁場の影響を殆ど受けず、プラズマの搬送方向とは無関係の方向に飛散して、ＤＬＣ膜に付着することが回避される。 （もっと読む）

【課題】 めっき用導電性基材上に形成されためっきの剥離又は転写が円滑にでき、しかも、特性に優れる導体層パターンを作製できるめっき用導電性基材を提供するものである。
【解決手段】 導電性基材の表面に、絶縁層が形成されており、その絶縁層の全部又は一部が二層以上からなり、その絶縁層に開口方向に向かって幅広なめっきを形成するための凹部が形成されているめっき用導電性基材。上記絶縁層の第１層は、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）又は無機材料からなることが好ましい。その絶縁層の全部又は一部が二層以上から、絶縁層のピンホールなどの欠陥が補われ、不要なめっきが起こらない。 （もっと読む）

【課題】基板に樹脂フィルムを用いた場合、この樹脂フィルムに変質、変形などが生じることなく、無機膜を熱処理することができる熱処理方法、成膜装置およびバリアフィルムを提供する。
【解決手段】本発明の熱処理方法は、樹脂フィルム製の基板の表面に無機膜が形成されたシート材の無機膜に熱処理を行う工程を有し、無機膜に熱処理を行う際に、樹脂フィルム製の基板をガラス転移温度未満の温度に保持する。 （もっと読む）

【課題】本願発明の目的は、ターゲットの機械的強度を改善し、成膜中に発生するドロップレットの量を抑制したターゲットを提供することである。
【解決手段】周期律表４ａ、５ａ、６ａ族元素から選択される１種以上のＭ成分元素とホウ素を有するターゲットにおいて、該ターゲットのホウ素は窒化ホウ素として含有し、窒化ホウ素の含有量はモル％で、５％以上、３０％以下であることを特徴とする窒化物含有ターゲットで、該窒化ホウ素の含有量はモル％で、５％以上、３０％以下であることを特徴とする窒化物含有ターゲットである。 （もっと読む）