【課題】チャンバ内におけるプラズマ濃度の偏りを小さくし、ワークに抵抗値のばらつきの小さな被膜を成膜することができるイオンプレーティング装置を提供すること。
【解決手段】真空チャンバ３と、真空チャンバ３内にプラズマビームＰを発生するプラズマガン４と、真空チャンバ３内においてプラズマビームＰが照射されるハース５と、ハース５に収容されたタブレット２１を真空チャンバ３内に露出するように支持するタブレット支持棒２５と、真空チャンバ３内にプラズマガン４に対向する位置に設けられた電極部７と、真空チャンバ３内にプラズマガン４と電極部７との対向空間を挟んで、ハース５に対向する位置にワークＷを支持する搬送部６とを備え、電極部７は、ハース５に照射されるプラズマビームＰの一部を分流し、分流したプラズマビームＰが照射される構成とした。 （もっと読む）

【課題】成膜する際に、スプラッシュの原因となる蒸着源にて発生する粒子を速やかに取
り除くことにより、スプラッシュに起因する欠陥等の不具合が生じる虞の無い薄膜を成膜
することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを収納する真空容器２と、真空容器２内の側壁かつ基板Ｗの成膜面の
下方に配設され蒸着材料を収納する有底筒状のハース４と、このハース４に収納された蒸
着材料を加熱するプラズマガン５とを備え、このハース４はプラズマガン５と対向して配
置され、このハース４の軸線Ｌ１は、基板Ｗの成膜面の垂線Ｌ２と略直交している。 （もっと読む）

【課題】大幅な低フリクション化を図ることができるのはもちろんのこと、量産化が可能となるとともに、製造コストを低減することができる摺動部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】部材１，２間への高面圧の印加によって、局所的固体接触が摺動界面で起こり、摺動部材の摺動面で微視的摩耗が生じる。摺動部材１の潤滑膜１１には、炭素系分子１２が、単体あるいはその単体の集合体として含有されている。炭素系分子１２が、上記微視的摩耗によって、潤滑膜１１から露出し、その一部がそこから遊離し、摺動界面に供給される。そのような炭素系分子１２は、転動可能な中空構造を有するから、摺動界面で分子レベルのボールベアリングとして作用する。この場合、炭素系分子が少なくとも一つ存在すると、存在しない場合と比較して、局所的フリクションを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】安定した成膜レートを得ることができ、電気的パスを形成するための事前作業をすることなく安定した放電を得ることができるイオンプレーティング装置を提供すること。
【解決手段】真空チャンバ３と、真空チャンバ３の内部にプラズマビームＰを発生するプラズマガン４と、真空チャンバ３の内部においてプラズマビームＰが照射されるハース５と、成膜用のタブレット２１をハース５から真空チャンバ３の内部に露出するように支持するタブレット支持棒２５とを備え、タブレット支持棒２５は、導電性であり、ハース５は、真空チャンバの内部においてタブレット２１と絶縁され、真空チャンバ３の外部においてハース抵抗１７を介してタブレット支持棒２５と電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマビームの照射位置の調整精度を向上させることができると共に、調整作業の作業効率を向上させることができるイオンプレーティング装置およびプラズマビーム照射位置調整プログラムを提供すること。
【解決手段】プラズマガン４と、プラズマビームＰの目標照射位置を中心として周方向に略等角度で４つの分割部１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄに分割されたハース５と、各分割部に一対一で接続されて電流を測定する４つの電流計１９ａ、１９ｂ、１９ｃ、１９ｄと、プラズマガン４側の磁界を形成するガン電磁石１５と、ハース５側の磁界を形成するハース電磁石２９と、ガン電磁石１５およびハース電磁石２９を制御してプラズマビームＰの照射位置を調整する位置調整部８とを備え、各分割部は互いに絶縁されており、位置調整部は、各電流計の測定値に応じてプラズマビームの照射位置を目標照射位置に近づけるように調整する構成を備えた。 （もっと読む）

【課題】作業効率を向上させることができ、安定して成膜することができるイオンプレーティング装置を提供すること。
【解決手段】ハース５は、真空チャンバ３内においてタブレット２１と絶縁され、真空チャンバ３外において可変抵抗３６を介して導電性のタブレット支持棒２５と電気的に接続されており、第１の電流計３１および第２の電流計３２によりガン電流およびタブレットに流れる電流を検出し、プラズマガン４に流れる電流値とタブレットに流れる電流値と可変抵抗の抵抗値との関係が示された抵抗値制御マップを参照して、可変抵抗３６の抵抗値を制御するよう構成した。 （もっと読む）

【課題】高硬度鋼を転削工具によって切削する際に、切刃の欠損等を防いで工具の長寿命化を図ることにより、優れた耐摩耗性を確実に発揮して高能率の加工を促す。
【解決手段】Ｃｏ：４．５〜８質量％、Ｃｒ_３Ｃ_２：０．２〜１．５質量％、ＶＣ：０．１〜０．５質量％を含有する硬さ９３．０〜９４．５ＨＲＡの超硬合金基体の表面に、（Ｔｉｘ，Ａｌｙ，Ｓｉｚ）Ｎ（ただし、ｘ、ｙ、ｚは原子比で、０．０１≦ｚ≦０．０５、０．４≦ｙ≦０．７、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝１）よりなる硬さ２８００Ｈｖ以上の硬質被覆層を１〜５μｍで被覆した切刃部４を、軸線Ｏ回りに回転させられる工具本体１の先端外周側に切刃８を向けて設け、この切刃は、工具回転方向Ｔ側から見て円弧状に形成するとともに、幅０．０１〜０．０５ｍｍの丸ホーニングを施し、１５°以下の逃げ角と１９°以下の切込み角θとを与える。 （もっと読む）

【課題】膜材に流れる電流量に応じて成膜レートを正確に制御することができるイオンプレーティング装置を提供すること。
【解決手段】真空チャンバ３と、真空チャンバ３内にプラズマビームＰを発生するプラズマガン４と、タブレット２１を収容する貫通孔５ａが形成され、真空チャンバ３内においてプラズマビームＰが照射されるハース５と、貫通孔５ａにおいて、タブレット２１を真空チャンバ３内に露出するように支持するタブレット支持棒２５と、タブレット２１に流れる電流量を測定する電流計１９とを備え、タブレット支持棒２５は、タブレット２１を支持する支持面が形成された導電性の支持棒本体３１と、支持部本体３１に対するプラズマビームＰの照射を遮断すると共に、支持面に支持されたタブレット２１を保持する絶縁性の保持具３２とを有し、電流計１９を支持部本体３１に電気的に接続して構成した。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子流輸送用の輸送室の熱損傷、および、この輸送室での荷電粒子流の電力効率低下を簡易かつ適切に抑制できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置１００は、アノードおよびカソード間の放電により、荷電粒子流を形成できる荷電粒子流形成手段４０と、荷電粒子流形成手段４０から放出された荷電粒子流２７を輸送する輸送室２０と、輸送室２０から放出された荷電粒子流２７を用いて真空処理が行われる接地状態の導電性の真空処理室３０と、を備える。そして、輸送室２０が、導電性の第１壁部材２０Ｃおよび第１壁部材２０Ｃの内部に配された絶縁性の第２壁部材２０Ｄを有しており、第２壁部材２０Ｄの内部が、荷電粒子流２７の輸送空間２１になっている。 （もっと読む）

本発明は、真空コーティング設備で電気式のアーク蒸発器の高電流放電を点火するための点火装置に関する。点火は、カソードとアノードの間の接点の機械式の開閉によって行われる。接触は、強制軌道上を動く点火フィンガによって成立する。強制軌道に基づき、単純な機械式の駆動装置によって、コーティングから防護された待機位置へと点火フィンガを移動させることができ、さらに、第２のターゲットの点火のために利用することができる。
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【課題】シリカ膜を形成する蒸着原料材料であって、スプラッシュレスで又はスプラッシュの発生を極微小に抑制し、かつ高速成膜を実現する蒸着原料材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】嵩密度が１．２ｇ／ｃｍ^３を超え１．６ｇ／ｃｍ^３以下、かつＳｉＯｘのｘが１を超えて１．３以下である多孔質珪素酸化物。この原料として、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によるＳｉ２Ｐスペクトルにおいて、シリコンの価数が１〜３に相当する結合エネルギーに帰属されるピーク面積が、金属シリコン及び二酸化シリコンを含む全面積の１０％以上となる珪素酸化物が好適に用いられる。そして、これを原料として粉砕し、プレス後、８００〜１１００℃で焼成することにより製造される。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ膜を形成した基板よりも耐摩耗性を含む外的耐性を向上させる。
【解決手段】 基板８１上に透明導電膜からなる電極配線８２が積層形成され、電極配線８２上に保護膜８３が積層形成されている。基板８１上に形成される保護膜は、ＳｉＯＣ膜からなる。なお、少なくとも基板８１への保護膜８３の形成は、下記する成膜装置１であるＭＰＤ装置により行う。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を用いた蒸着マスクでは、結晶異方性エッチングを用いて所望パターンの開口部等を形成する場合が多く、その開口部におけるコーナー部（角部位）がほぼ完全な直角または鋭角に形成される。そのためコーナー部に応力が非常に集中し易く、ひとたび力がかかると簡単に割れてしまうという課題があった。
【解決手段】シリコン基板を用いた蒸着マスクであって、該シリコン基板を貫通する開口部における角部位１０３に、最小パターン幅の５％以上であって３０％以下となる長さを切り落とした面取り形状（Ｃ面形状）を持たせた。開口部の角部位１０３に面取り形状（Ｃ面形状）を持たせているため、かかる角部位１０３（コーナー部）に応力が集中することを緩和でき、機械的強度の高い蒸着マスクを提供することが可能となった。 （もっと読む）

【課題】大きなサイズのクラスターを生成することが可能なクラスター生成装置を提供する。
【解決手段】クラスター生成室１と、該クラスター生成室１内に配置されたターゲット（放電部）３を有するマグネトロンスパッターガン２と、該クラスター生成室１内に配置されたガス放出部を有するガス導入口４とを備えるクラスター生成装置であって、クラスター生成室１の形状が、クラスター出口（開口部）５に向かって徐々に内径が小さくなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】連続重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性、耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金、サーメット、立方晶窒化ほう素基超高圧焼結体からなる基体表面に、（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ層を硬質被覆層として蒸着形成した表面被覆切削工具において、（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ層を組成式（Ｔｉ_ＸＡｌ_１−Ｘ）Ｎで表した場合、Ｘ＝０．５０〜０．７０を満足する全体平均組成を有し、同時に、下部側（工具基体側）から上部側（表面側）に向うにしたがって、Ｘが１．０から０．４まで漸次減少する傾斜組成を有し、また、該層についてＥＢＳＤによる結晶方位解析を行った場合、表面研磨面の法線方向から０〜１５度の範囲内に結晶方位＜１１１＞を有する結晶粒の面積割合が５０％以上であり、また、隣り合う結晶粒同士のなす角θを測定した場合に、０＜θ≦１５゜の割合が５０％以上である結晶配列を示す。 （もっと読む）

【課題】ガラスを支持基板として個別マスクを複数配置することで、蒸着マスクを大面積化することが可能となるが、蒸着工程後に蒸着マスクと被蒸着基板とを離す際に、個別マスクと被蒸着基板との間で剥離帯電が起きるため、個別マスクと被蒸着基板との間で放電が発生し、被蒸着基板中に備えられているＴＦＴや、有機ＥＬ装置の発光部が破壊され、被蒸着基板の特性が劣化するという課題がある。
【解決手段】蒸着マスク１００は、個別マスク１０１、支持基板１０２、フレーム１０３、導電性領域１０４を備えている。支持基板１０２は、個別マスク１０１を支える機能を有しており、硬質ガラスにより構成されている。導電性領域１０４は、個別マスク１０１と電気的に接続され、支持基板１０２を介して導電性のフレーム１０３と電気的に接続されるよう配置され、剥離帯電による静電気を個別マスク１０１から被蒸着基板へと導き、被蒸着基板の破損を防止する。 （もっと読む）

【課題】 電界効果型半導体装置に関し、従来の作製方法を大幅に変更することなく、サブスレッショルド電流によるｏｆｆ時のリーク電流を抑制して、ｏｎ−ｏｆｆ比を高くする。
【解決手段】 ソース領域及び第１ドレイン領域の少なくとも一方が金属或いは多結晶半導体からなるとともに、前記金属或いは多結晶半導体と半導体チャネル層との間に形成されたトンネル絶縁膜を有する。 （もっと読む）

【課題】複数のアノードを含むイオンビーム蒸着用のイオン源に関する。イオン源は、原材料の複数のゾーンを蒸着し、複数のゾーンのうちの少なくとも２つのゾーンの厚みを異なるようにする。
【解決手段】イオンビーム蒸着で炭素を蒸着する場合、プロセス室の数は制限されるので、２つまたは３つ以上のイオン源を利用することは、スペースの理由で不可能なこと、または費用の理由で現実的でないことが多いが、イオン源として、複数の同心のアノードを含み、異なる電圧が複数のアノードに印加することで、少くとも2つのゾーンの厚みを異ならせることができる。 （もっと読む）

【課題】原料蒸発に用いる荷電粒子流の収束状態を適切かつ簡易に調整できる荷電粒子流収束機構を提供する。
【解決手段】本発明の荷電粒子流収束機構は、原料１３を入れた蒸発源１５と、原料１３を加熱および蒸発できる荷電粒子流を放出する荷電粒子流放出手段１１０と、蒸発源と対向して配されて、荷電粒子流の収束用の磁力線を作る磁石１９と、蒸発源１５と磁石１９との間の空間において磁性部材３１を移送できる磁性部材移送手段１２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】長時間に渡って安定的に使用できると共に、製造コストを低減することが可能な基板処理装置及び薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】基板９を保持する導電性の基板ホルダ２０と、基板９にイオンビームを照射するイオンビーム源と、基板ホルダ２０をアースに接続するためのアース接続部１３と、アース接続部１３を基板ホルダ２０に対して接触又は非接触させるための駆動部１８とを具備する。そして、イオンビーム源から基板９にイオンビームを照射してエッチングしている間又はエッチングする直前に基板ホルダ２０にアース接続部１３を接触させることにより、基板ホルダ２０を接地する。 （もっと読む）