【課題】簡易な構成で、アノードの清掃を容易に行うことができるプラズマ成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】メインアノード３４と、カソード１を有し、メインアノード３４とカソード１との間でプラズマを発生させるプラズマガン１０１と、プラズマガン１０１とメインアノード３４との間に形成され、その内部に成膜空間２６を有し、基板１６及びターゲット１７がプラズマを挟んで対抗するように設けられた成膜室１０３と、メインアノード３４と成膜空間２６との間に設けられたサブアノード３５と、メインアノード３４又はサブアノード３５とプラズマガン１０１のカソード１との間に放電によりプラズマを発生するための電圧を印加するプラズマ電源１０５と、プラズマ電源１０５をメインアノード３４及びサブアノード３５に選択的に接続するための第１切替器４１と、を備える、プラズマ成膜装置。 （もっと読む）

【課題】成膜の制御性が高く、ターゲットの有効利用が可能な蒸着方法及び蒸着装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る蒸着装置は、コンデンサユニット５に蓄積された電荷を蒸発面２１ａを有するカソード３とアノード４との間で放電させることが可能な蒸発源と、蒸発面２１ａに照射されることで上記放電を発生させる電子ビームをパルス状に生成する電子ビーム生成源と、電子ビームを偏向させる偏向器１５とを有する電子銃２と、偏向器１５を制御することによって蒸発面２１ａに対する電子ビームの照射位置を上記放電毎に変更する制御手段７とを具備する。
電子ビームは蒸発面２１ａに照射されることにより、アノード４とカソード３との間でアーク放電を誘起し、蒸着材料のプルームを発生させる。電子ビームをパルス状に照射し、照射位置をアーク放電毎に変更することにより、高い成膜の制御性を得ることができ、ターゲットの有効利用が可能となる。 （もっと読む）

【課題】高移動度でしきい電位安定性を有し、且つコスト面や資源的制約、プロセス的制約の少ないＺＴＯ（亜鉛錫複合酸化物）系酸化物半導体材料の適正なＺｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）組成の酸化物半導体ターゲット及びそれを用いた酸化物半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｚｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）組成が０．６〜０．８である亜鉛錫複合酸化物焼結体をターゲットとする。また、ターゲット自体の抵抗率を１Ωｃｍ以上の高抵抗とする。更に、不純物の合計濃度を１００ｐｐｍ以下に制御する。 （もっと読む）

【課題】ホローカソードの耐久性の改善とともに、ホローカソードから放出される電子の電流量の適切な確保を行えるホローカソード型放電管を提供する。
【解決手段】ホローカソード型放電管１００は、放電ガスを放出できる開口２０２Ｂが端面２０２Ａに形成されたホローカソード２００と、端面２０２Ａに対向して配置され、この開口２０２Ｂの中心軸Ｓ上にスリット状の穴３０２Ａが形成されたアノード電極３０２と、を備える。そして、開口２０２Ｂとスリット状の穴３０２Ａとの間で、放電ガスによる放電が行われる。 （もっと読む）

【課題】プラズマに混入する帯電ドロップレット及び中性ドロップレットをより効率的に除去でき、高純度プラズマによる成膜等の表面処理精度の向上を図る。
【解決手段】プラズマ発生部Ａとプラズマ輸送管Ｂとプラズマ処理部Ｃを含むプラズマ処理装置において、プラズマ輸送管の始端側と終端側に絶縁体ＩＳ及び絶縁体ＩＦを介し、プラズマ輸送管Ｂをプラズマ発生部Ａとプラズマ処理部Ｃから電気的に独立させた絶縁体介装型プラズマ処理装置を構成する。プラズマ輸送管Ｂを中間絶縁体ＩＩ１を介して複数の小輸送管Ｂ０１、Ｂ２３に分割し、各小輸送管を電気的に独立させる。プラズマ輸送管又は複数の小輸送管を電気的浮動状態にし、又は輸送管用バイアス電源ＥＢ０１、ＥＢ２３を接続して、プラズマ輸送管又は小輸送管の電位をＧＮＤ、可変正電位又は可変負電位に設定可能にする。又、小輸送管を屈曲状に連接して幾何学的構造でドロップレットを除去する。 （もっと読む）

【課題】蓋部を開閉するための設備をシンプルに構築し易くなって、コストダウンにも有効であるチャンバーラインを提供する。
【解決手段】複数のチャンバー４Ａ〜４Ｅの並び方向Ｄに沿って配置されたレール１１と、レール１１に沿って移動自在であり、複数のチャンバー４Ａ〜４Ｅに設けられた複数の天板（蓋部）９をそれぞれ昇降させてチャンバーを開閉可能な天板チェンジャー１３と、を備える。天板チェンジャー１３は、複数のチャンバー４Ａ〜４Ｅの並び方向Ｄに沿って移動自在であり、任意のチャンバー４Ａ〜４Ｅの天板９を昇降できる。その結果として、一つの天板チェンジャー１３で複数のチャンバー４Ａ〜４Ｅを開閉させることができるようになり、チャンバー４Ａ〜４Ｅを開閉するための設備をシンプルに構築し易くなり、コストダウンにも有効である。 （もっと読む）

【課題】 真空成膜装置によりコーティング膜上に無機膜を成膜する際に、無機膜の割れ／抜け等の欠陥を引き起こすコーティング膜の平滑性悪化を防止し、生産性の高い機能性フィルムの製造方法、及び製造装置を提供する。
【解決手段】
フィルムロール４０から連続的に支持体Ｂを送り出し、支持体Ｂ上にコーティング膜を成膜し、支持体Ｂをフィルムロール４２に巻き取る。次いで、フィルムロール４２を真空成膜装置２２の供給室５０にセットし、常圧から１００Ｐａまでの減圧時間が７分以上となる減圧速度で減圧し、さらに所定の真空度まで減圧する。フィルムロール４２から支持体Ｂを、供給室５０の減圧速度より速い減圧速度で所定の真空度まで減圧された真空成膜装置２２の成膜室５２に供給し、コーティング膜上に無機膜を成膜し、無機膜が成膜された支持体Ｂを、真空成膜装置２２の巻取り室５４でフィルムロール４８に巻き取る。 （もっと読む）

【課題】高硬度材の高速重切削加工で、すぐれた耐摩耗性、耐欠損性を発揮する表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】ｃＢＮ含有量が７０容量％以上であるｃＢＮ基超高圧焼結材料からなる工具基体の表面に、下部層、中間層および上部層からなる硬質被覆層を蒸着形成し、下部層はＴｉＢ_２層、中間層は、組成式：Ｔｉ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｂ_ＸＮ_Ｙで表した場合、０．１５≦Ｘ≦０．６０、０．０５≦Ｙ≦０．３５、０．５０≦Ｘ＋Ｙ≦０．６５（Ｘ、Ｙは原子比）を満足する平均組成を有し、さらに、下部層側から上部層側へ向うにしたがって、Ｘの値は次第に減少、Ｙの値は次第に増加する傾斜組織を有するＴｉＢ_２相とＴｉＮ相との２相混合層、上部層は、組成式：（Ｔｉ_１−ＹＡｌ_Ｙ）Ｎ層で表した場合、Ｙは０．３〜０．６５（原子比）であるＴｉとＡｌの複合窒化物層、で構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、持続的に真空アーク放電を保持することができる真空アーク放電発生装置を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明は、真空中でアーク電源を介して接続される陰極と陽極との間にアーク放電を発生させ、前記陰極と前記陽極と前記アーク電源とが真空アークプラズマを介して主閉回路を形成する真空アーク放電発生装置において、装置内に副陽極を配置し、少なくとも前記陰極と前記副陽極と前記アーク電源とが真空アークプラズマを介した副閉回路を形成し、前記副閉回路に副陽極を介してアーク放電の状態を計測するモニター装置を配設することを特徴とする真空アーク放電発生装置である。 （もっと読む）

物理蒸着法によって、柔らかく多孔質の材料に多層セラミックコーティングをコーティングする。このようにしてコーティングされた材料は、フードウェア、具体的にはプレーンな銅の基板、基コーティング、および、セラミックコーティングを含む銅製フードウェア物品として使用するのに適している。基コーティングは、スパッタリングと陰極アークとの組み合わせによって堆積され、優れた耐食性、および、基板への付着を提供することができる。セラミックコーティングは物理蒸着窒化物または炭窒化物層を含み、変色しにくい表面、優れた耐久性、および、熱安定性を提供することができる。コーティングされた銅製フードウェア物品は、純銅と同じ熱伝導性、優れた耐食性、高い耐久性、優れた調理性能、および、クリーニングの容易さを示す。また、多層コーティングを有する金属製物品、および、このような金属製物品の製造方法も説明される。 （もっと読む）

【課題】素子面の損傷を防止することができる成膜装置、成膜方法、表面弾性波素子の周波数調整方法、及び表面弾性波フィルターの周波数調整方法を提供する。
【解決手段】イオンガン３と材料源（ターゲット６）との間には、イオンビームＩＢの方向を変化させる磁界を発生する磁界発生部４が設けられ、磁界の向き及び強さを制御してイオンビームＩＢを材料源６の任意の照射領域ＩＢＡに照射させる磁界制御部５を備える。 （もっと読む）

【課題】 従来の化合物半導体へテロ接合の製造方法では、微小な信号電流を扱う半導体装置において十分な雑音特性を得ることが困難である。
【解決手段】 基板の上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体である第１の半導体を、第１の基板温度で成長させる。第１の半導体の成長を停止させ、第１の半導体の表面に、Ｖ族元素の原料を供給しながら、基板の温度を、第１の基板温度とは異なる第２の基板温度に変化させる。第１の半導体の上に、第１の半導体とは異なるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体である第２の半導体を、第２の基板温度で成長させる。基板の温度を第１の基板温度から第２の基板温度に変化させる工程が、基板の温度を測定する工程と、Ｖ族元素の供給量が、測定された前記基板の温度における供給量の目標下限値と目標上限値との間に納まるように、供給量を制御する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】スプラッシュを低減させ、連続運転を可能とする成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置は、成膜材料１０を気化させ、成膜材料１０を被成膜物の表面に堆
積させることにより成膜を行う成膜装置であって、真空容器１４と、真空容器１４内に設
けられ、成膜材料１０を収容する絶縁性の坩堝１８と、坩堝１８に収容された成膜材料１
０の表面に生成される副生成物１２を除去する副生成物除去部材２６と、所定の待機位置
と坩堝１８の近傍との間で副生成物除去部材２６を移動させるための、先端部２４ａに副
生成物除去部材２６が固定された腕部材２４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、流れるワーキングガスを供給しながらアーク放電によって束縛されたプラズマビームを生成させるための、前記ワーキングガスの流れの中で互いに距離をあけて配置された２つの電極及びこれらの２つの電極間に電圧を発生させる電圧源を有するビーム発生器に関する。
【解決手段】
前記電圧源は、アーク放電のための点弧電圧とパルス周波数とを有する電圧パルスを生成し、この電圧パルスは、前後して続く２つの電圧インパルス間ごとにアークを消弧することができる。
（もっと読む）

【課題】スプラッシュ粒子による捕捉部材の目詰まりを防止することのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明の成膜装置１００は、物理気相成膜法によって基板Ｗ上に成膜材料Ｍを成膜する成膜装置であって、基板Ｗを装着する基板装着部１２１を有する真空チャンバー１０１と、真空チャンバー１０１内に設けられた成膜材料Ｍを収容する成膜源１０４と、成膜源１０４と基板装着部１２１との間に設けられ、成膜源１０４からスプラッシュによって飛散したスプラッシュ粒子を捕捉する、複数の開口部を有する捕捉部材１３０と、捕捉部材１３０を成膜材料Ｍの沸点以上の温度に加熱する加熱装置Ｈと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバー内の真空状態を保持すると共に、冷却媒体収容部内での電食を防いで耐久性の向上を図ることができる電流導入構造を提供することを目的とする。
【解決手段】成膜チャンバー３内の補助陽極９に電流を導入する電流導入構造２０において、コイル１７及び冷却水Ｗａを収容する水冷ジャケット１５と、コイル１７の余剰部分となる絶縁導線部１９と、水冷ジャケット１５の外周壁部１５ｅに設けられると共に、水冷ジャケット１５の周囲の真空を保持しながら絶縁導線部１９が貫通して絶縁導線部１９の先端を真空側に露出させるシール構造部２３と、を備える。その結果、冷却水Ｗａを収容する水冷ジャケット１５内において絶縁導線部１９と他の導体部との間での接点を設ける必要が無くなり、冷却水Ｗａによる電食の虞を低減でき、コイル１７の耐久性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】密着性が充分な非晶質炭素被膜を被覆した非常に高い面圧下で使用される機械部品や、切削工具、金型を提供する。
【解決手段】非晶質炭素被覆部材の構造を、基材１上に周期律表第ＩＶａ 、Ｖａ、ＶＩａ 、ＩＩＩｂおよびＣ以外のＩＶｂ 族元素のなかから選ばれた少なくとも１つの元素、またはこれらのなかから選ばれた少なくとも１つの元素の炭化物からなる中間層２が形成され、この中間層２上に非晶質炭素膜３が形成された構造とし、中間層２の厚さを０．５ｎｍ 以上１０ｎｍ未満とする。 （もっと読む）

【課題】重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性、耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金、サーメット、立方晶窒化ほう素基超高圧焼結体からなる工具基体表面に硬質被覆層を形成した表面被覆切削工具において、下部層として、組成式：（Ｔｉ_１−ＸＡｌ_Ｘ ）Ｎで表した場合、Ｘは０．３〜０．６（Ｘは原子比）を満足するＴｉとＡｌの複合窒化物層、上部層として、組成式：（Ｃｒ_{１−Ｙ―Ｚ} Ｓｉ_ＹＷ_Ｚ） Ｎで表した場合、Ｙは０．０５〜０．３、Ｚは０．２〜０．５（Ｙ、Ｚは原子比）を満足するＣｒとＳｉとＷの複合窒化物層を蒸着形成する。 （もっと読む）

【課題】水分等による腐食を防ぐことにより、耐久性を向上させて銀系光反射鏡の高反射率という利点を長期間維持できる光反射鏡及びその製造方法を提供する。
【解決手段】水分に対する耐腐食性が銀より優れる、所定の銀合金を使用し、さらに、形成される各構成膜の密着性および緻密性を高めることによって、高反射率と高耐久性を両立させ得る多層膜構造の銀合金光反射鏡及びその製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、成膜速度を確保したまま、被処理物に到達するドロップレット量を低減化すると共に、メンテナンス性の優れたプラズマ発生装置及び同加工装置を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明は、真空アーク放電によりプラズマを発生させるプラズマ発生部２と、プラズマ進行路３０と、前記陰極１０から副生されるドロップレット４４をプラズマ流１４から分離させるために前記陰極１０の正面方向に開口を有する１つ以上のドロップレット捕集部６から構成され、前記プラズマ流１４を前記プラズマ進行路３０に沿って前記ドロップレット捕集部６以外の方向に屈曲させるプラズマ発生装置２において、前記ドロップレット捕集部６内に前記ドロップレット４４を静電付着させる１つ以上の静電電極８を有する静電トラップ７が設けられるプラズマ発生装置２及び同加工装置１である。 （もっと読む）