【課題】真空槽内における残留ガスや基板からの脱ガスによる過剰エッチングを回避するため脱ガスを最小限にすることが可能な薄膜製造技術を提供する。
【解決手段】本発明方法は、成膜対象物上に設けられた有機層に対して真空中でプラズマ雰囲気に曝すプラズマ（エッチング）処理工程Ｓ３と、この成膜対象物の有機層上に真空中でＳiＯ₂膜層を形成するＳiＯ₂膜形成工程Ｓ４を有する薄膜形成方法である。本発明では、プラズマ暴露工程であるプラズマ処理（エッチング）工程Ｓ３の前に、真空中で成膜対象物上の有機層を加熱する加熱工程Ｓ２を有する。本発明では、加熱工程Ｓ２における雰囲気温度が、プラズマ処理工程Ｓ３及びＳiＯ₂膜形成工程Ｓ４における雰囲気温度より高くする。 （もっと読む）

【課題】
低コストで導電性が高く、高精細なメッシュパターンが得られ、かつ直接に機能層を均一に塗工形成することが可能な、金属パターン層を有する光透過性電磁波シールドフィルムにおいて、基材であるポリエステルフィルムと金属パターン層との密着性を改良することにある。
【解決手段】
ポリエステルフィルムの少なくとも片面に積層膜を有し、該積層膜上に金属層がパターン形状に加工された金属パターン層を有する光透過性電磁波シールドフィルムであって、前記金属層が前記ポリエステルフィルムの積層膜上に気相製膜法で形成されたものであり、前記積層膜が側鎖にカルボン酸基を有するポリエステル樹脂とメラミン系架橋剤を主たる構成成分とすることを特徴とする、光透過性電磁波シールドフィルム。 （もっと読む）

【課題】生産安定性が高く、緻密でガスバリア性の高いガスバリア膜を成膜できるイオンプレーティング用蒸発源材料の原料粉末等を提供する。より具体的には、イオンプレーティング法に適したイオンプレーティング用蒸発源材料の原料粉末、イオンプレーティング用蒸発源材料及びその製造方法、ガスバリア性シート及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】平均粒径が５μｍ以下の窒化ケイ素又は酸窒化ケイ素１００重量部に対して、平均粒径が５μｍ以下の導電性材料を５重量部以上１００重量部以下含有する原料粉末により、上記課題を解決する。導電性材料が、導電性を有する、金属酸化物、金属窒化物、及び金属酸窒化物から選ばれる少なくとも１つであることが好ましい。本発明のイオンプレーティング用蒸発源材料は、上記の原料粉末を焼結又は造粒させて平均粒径が２ｍｍ以上の塊状粒子又は塊状物に加工したものである。 （もっと読む）

【課題】生産性が高く、ガスバリア性、耐熱性、及び耐腐食性に優れるガスバリア膜を成膜できるイオンプレーティング用蒸発源材料の原料粉末等を提供する。
【解決手段】
平均粒径が５μｍ以下の窒化ケイ素又は酸窒化ケイ素と、平均粒径が５μｍ以下の６価のセラミック材料と、を有する原料粉末により、上記課題を解決する。この原料粉末は、６価のセラミック材料が、酸化モリブデン及び／又は窒化モリブデンであることが好ましく、６価のセラミック材料の含有量が、窒化ケイ素又は酸窒化ケイ素１００重量部に対して、５重量部以上５０重量部以下であることが好ましい。本発明のイオンプレーティング用蒸発源材料は、上記の原料粉末を焼結又は造粒させて平均粒径が２ｍｍ以上の塊状粒子又は塊状物に加工したものである。 （もっと読む）

【課題】イオン化したスパッタ粒子を負電位にバイアスした基材に堆積させ成膜するに際し、基材あるいはその周辺部材にアーク放電が発生した場合でも成膜品質を劣化させることなく成膜することができるパルススパッタ装置および方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ１内にカソードを構成するターゲット２とバイアス電源５から電圧が印加されて負の電位にバイアスされた基材Ｗを設ける。前記ターゲット２にスパッタ電源３からパルス状のスパッタ電力を供給し、真空チャンバ１内に供給されたスパッタガスのプラズマを形成し、前記スパッタガスのイオンを前記ターゲット２に衝突させてスパッタ粒子を放出させ、このスパッタ粒子をイオン化して前記基材に堆積させる。この際、前記基材およびその周辺にアーク放電が発生したときにバイアス電圧あるいはバイアス電流の時間的変化を基にこれを検出してスパッタ電力及びバイアス電力の供給を停止する。 （もっと読む）

【課題】焼結密度が高く、高電圧下でも異常放電を生じ難く、広い範囲に蒸着膜を形成する蒸着材材に適するＺｎＯ蒸着材とその製造方法などを提供する。
【解決手段】ＺｎＯを主成分とし、希土類酸化物を含有する焼結体ペレットからなり、焼結体の相対密度が９７.５％以上であることを特徴とし、好ましくは、希土類酸化物の含有量が０.０５〜１０質量％であり、一次粒子の平均粒径が０.１〜５.０μmのＺｎＯ粉末と、一次粒子の平均粒径が該ＺｎＯ粉末の平均粒径の１/５〜１/２である希土類酸化物粉末とを、希土類酸化物の含有量が上記範囲になるように混合し、バインダーを加え、加圧成形し、脱型後、１０００℃以上で焼成してなるＺｎＯ蒸着材とその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 スプラッシュ、更にはパーティクルの発生を顕著に抑制でき、しかも高強度で低コストなＳｉＯ焼結蒸着材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 析出ＳｉＯからなる原料粉末を蒸着材料形状に成形する。ＳｉＯの成形体を酸素含有雰囲気中で低温焼結する。低温焼結体を非酸化性雰囲気中で高温焼結する。ＳｉＯ₂ からなる標準試料をＥＰＭＡにより定量分析したときのＯ／Ｓｉ比ａの理論値ａ₀ （≒１．１４）に対する比（ａ／ａ₀ ）を補正係数Ｋとし、ＥＰＭＡによるＯ／Ｓｉ比の実測値Ａを前記補正係数Ｋにより補正して得たＯ／Ｓｉ比の補正値Ａ₁ （＝１／Ｋ・Ａ）から求めた酸素定量分析値Ｏ₁ 〔＝１００／（１＋１／Ａ₁ ）〕が、酸素含有雰囲気中での低温焼結により４４〜４９％となる。高温焼結での析出Ｓｉの弊害が抑制されることにより、焼結温度の上昇が可能となり、圧縮破壊強度が１５ＭＰａ以上に上り、３０ＭＰａ以上も可能となる。 （もっと読む）

【課題】薄膜であり、かつ、耐食性に優れた保護膜を形成することで、高品質な被保護体を提供すること。
【解決手段】被保護体の表面の少なくとも一部に保護膜を形成する保護膜形成方法であって、被保護体の表面に下地膜を形成する下地膜形成工程と、下地膜上にダイアモンド状炭素膜を形成するＤＬＣ膜形成工程と、を有し、下地膜形成工程は、所定の膜厚の下地膜を成膜した後に当該下地膜の一部又は全部を除去する工程を繰り返して被保護体の表面に下地膜を複数回形成する。そして、さらに、ＤＬＣ膜形成工程の前に、ダイアモンド状炭素膜を形成する下地膜の表面上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程を有する。 （もっと読む）

【課題】焼結密度が高く、高電圧下でも異常放電を生じ難く、広い範囲に蒸着膜を形成するスパッタリングターゲット材に適するＺｎＯスパッタリングターゲットとその製造方法などを提供する。
【解決手段】ＺｎＯを主成分とし、希土類酸化物を含有する焼結体ペレットからなり、焼結体の相対密度が９７.５％以上であることを特徴とし、好ましくは、希土類酸化物の含有量が０.０５〜１０質量％であり、一次粒子の平均粒径が０.１〜５.０μmのＺｎＯ粉末と、一次粒子の平均粒径が該ＺｎＯ粉末の平均粒径の１/５〜１/２である希土類酸化物粉末とを、希土類酸化物の含有量が上記範囲になるように混合し、バインダーを加え、加圧成形し、脱型後、１０００℃以上で焼成してなるＺｎＯスパッタリングターゲットとその製造方法。 （もっと読む）

【課題】アシスト法を用いて成膜される高屈折率層のプラズマによる低屈折率層へのエッチングを阻止して、光学特性の劣化を防止した光学薄膜の形成方法、およびその光学薄膜を備えた光学素子を提供する。
【解決手段】光学基材上に、ＭｇＦ₂より成る低屈折率層とＮｂ₂Ｏ₅より成る高屈折率層との間に、真空蒸着法を用いて形成された酸化物質のＡｌ₂Ｏ₃層を有するＮｂ₂Ｏ₅／ＭｇＦ₂／Ａｌ₂Ｏ₃構造の誘電体多層膜は、Ａｌ₂Ｏ₃層がイオンアシスト法を用いて成膜されるＮｂ₂Ｏ₅層のプラズマによるＭｇＦ₂層へのエッチングを阻止するバリヤ層として機能する。そして、この誘電体多層膜が形成された光学素子は、例えば、光ピックアップの波長４０５ｎｍの青色半導体レーザに対応した偏光ビームスプリッタとして用いられる。 （もっと読む）

【課題】成膜の停止時の機械的なシャッタ８動作のための遅延時間を抑制でき、再現性良く成膜を行うことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】プラズマを発生させるプラズマ源４と、プラズマ源４と被処理体１２との間に配置されたシャッタ８と、被処理体１２の表面方向に誘導するようにプラズマに含まれる荷電粒子の進行方向を屈曲させる磁場フィルタ１５と、シャッタ８が開いた状態において磁場フィルタ１５を通過した荷電粒子により被処理体１２上に成膜された膜の膜厚を検知する検知部１４と、検知結果から成膜を停止するか否か判断する判断部１０１と、成膜を停止すると判断したときに、磁場フィルタ１５をオフするように制御するフィルタ制御部１０２とを備える。 （もっと読む）

【課題】摺動部表面に靱性、耐摩耗性の両方を兼ね備えた皮膜を形成し、摺動部材の耐摩耗性及び耐剥離性の向上した摺動部材の提供を目的とする。
【解決手段】上記課題を達成するため、窒化クロムを主成分とする皮膜が摺動面に形成された摺動部材において、前記皮膜は、空孔率０．０５％〜３％未満の緻密皮膜と、空孔率３〜１５％のポーラス皮膜とを交互に積層した３層以上の多層構造を備えることを特徴とする摺動部材を採用する。そして、前記緻密皮膜は、そのビッカース硬さが１６００ＨＶ０．０５〜２５００ＨＶ０．０５の範囲にあるもの、前記ポーラス皮膜は、そのビッカース硬さが１０００ＨＶ０．０５〜２０００ＨＶ０．０５の範囲にあるものを用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】従来の方法では、良質な量子ドット結晶が得られない。
【解決手段】半導体微小突起構造体５１の製造方法においては、微小突起２１を形成し、その後加熱によって微小突起２１を構成する材料を気化させて微小突起２１を除去することにより穿孔４１を形成している。そのため、穿孔４１内の微小突起２１などによる残留物が低減できる。そのため、穿孔４１が形成された位置、すなわち微小突起２１を形成した所望の位置に高品質な半導体微小突起構造体５１を得ることができる。 （もっと読む）

真空コーティングユニットは、反応性ガス入口（１２）と、層状カソード（１１）を有する少なくとも１つのＰＶＤコーティング源（８、２１）と、複数の基板（７）を伴う基板担持体（６）とを含み、基板担持体（６）は二次元的に水平な範囲を形成し、少なくとも２つのＰＶＤコーティング源の間に位置決めされ、複数の基板（７）は、少なくとも１つの切刃（Ｅ）を層状基板（７）の周縁マージン領域に有する切削工具であり、基板担持体（６）の二次元範囲の面において分布されるように配置され、基板担持体（６）は、真空処理チャンバ（１）において、水平面（３）において、少なくとも２つのＰＶＤコーティング源（８、２１）の層状カソード（１１）の間に間隔をおいた状態で、かつ、少なくとも１つの切刃（Ｅ）の各々の少なくとも一部は、処理中の切刃（Ｅ′）を含み、処理中の切刃（Ｅ′）は、ＰＶＤコーティング源（８、２１）のカソード（１１）のうちの少なくとも１つに対向して向き付けられ、視線において常に露出されるよう位置決めされる状態で、配置されることにおいて特徴付けられる、真空コーティングユニット。
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【課題】 耐摩耗性および潤滑性が高くかつ耐欠損性に優れた表面被覆工具を提供することにある。
【解決手段】 基体２の表面に、個々の平均層厚が１〜１００ｎｍの第１薄層７と第２薄層８の交互積層で全体平均層厚が０．８〜１０μｍの被覆層６を形成し、前記第１薄層が、組成式：Ｍ_ｘ（Ｃ_{１−ａ−ｂ−ｄ}Ｎ_ａＯ_ｂＢ_ｄ）_ｙ（ただし、Ｍは周期表第４、５、６族元素、Ａｌ、Ｓｉ、Ｙ、Ｃｅのうちの一種以上の金属元素、１．０＜ｘ／ｙ≦１．５、０≦ａ≦１、０≦ｂ≦０．５、０≦ｄ≦０．５）で表わされるとともに、前記第２薄層８が、組成式：Ｍ_ｘ（Ｃ_{１−ａ−ｂ−ｄ}Ｎ_ａＯ_ｂＢ_ｄ）_ｙ（ただし、Ｍは周期表第４、５、６族元素、Ａｌ、Ｓｉ、Ｙ、Ｃｅのうちの一種以上の金属元素、０．５≦ｘ／ｙ≦１．０、０≦ａ≦１、０≦ｂ≦０．５、０≦ｄ≦０．５）で表わされる構成とした表面被覆工具１である。 （もっと読む）

【課題】アークをプラズマ源とし、マクロパーティクルを含まない良質の薄膜を高い成膜レートで形成できる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】プラズマ発生部１０で発生しプラズマ分離部２０に進入したプラズマは、斜め磁場発生コイル２３の磁場により進行方向が曲げられ、プラズマ輸送部４０を介して成膜チャンバ５０内に入る。一方、アーク放電にともなって発生したマクロパーティクルは、磁場の影響を殆ど受けないためプラズマ分離部２０を直進してパーティクルトラップ部３０で捕捉される。プラズマ分離部２０とパーティクルトラップ部３０との境界部分には逆磁場発生コイル３２が設けられており、この逆磁場発生コイル３２の磁場によりパーティクルトラップ部３０に入ろうとするイオンを押し戻される。これにより、成膜チャンバ５０に入るイオンの量が増加し、成膜レートが向上する。 （もっと読む）

【課題】ワークに均一に成膜を行う。
【解決手段】ターゲット１１とワークＷとの間には、ＲＦコイル２３が配され、ターゲット１１からワークＷに向けて飛散するスパッタ粒子は、ＲＦコイル２３に高周波電力が供給されるとによってプラスイオンにイオン化される。ワークＷまたはワークＷを保持するワークホルダ８には、バイアス電源２６によってマイナスのバイアスが与えられ、イオン化されたスパッタ粒子を吸着する。バイアス電源２６に流れる電流は、付着したスパッタ粒子が直ちに電気的に中性とならないように制限される。 （もっと読む）

【課題】大きな変形を伴う基材の表面に形成した場合においても、剥離及びクラックが発生しにくく且つ耐蝕性が高い炭素質薄膜を実現できるようにする。
【解決手段】炭素質薄膜は、基材の表面に形成され、炭素同士が結合したＣ−Ｃ成分及び炭素とシリコンとが結合したＳｉＣ成分を含む膜本体を備えている。膜本体の表面における酸化シリコン成分の比率は、０．０５以下である。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム蒸着法にて、ＭｇＯ蒸着材の蒸発速度・成膜速度の改善を図る。
【解決手段】多孔質焼結体とされ、平均気孔径が０．１〜５００μｍ程度に設定されるＭｇＯ蒸着材の製造方法であって、ＭｇＯ粉末と溶媒とを含むスラリーに気体を混入して原料となし、焼結法によりペレットとする。または、ＭｇＯ粉末と溶媒とを含むスラリーに発泡材を混入して原料となし、焼結法によりペレットとする。または、ＭｇＯ粉末と溶媒とを含むスラリーに、加熱時にガスを発生する添加剤を混入して原料となし、焼結法によりペレットとする。または、粒間に間隙を形成するような粒度分布の狭い粉末原料を使用し、焼結法によりペレットとする。 （もっと読む）

【課題】基板の向きにかかわらず、均一に処理することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】中間電極から引き出されたプラズマに磁界を印加して扁平に広げ、さらに、磁界を印加して、凸型のプラズマ１１に変形させる。基板保持部１６は、基板６を保持する面が、プラズマ１１に対して凹型のドーム状である。これにより、均一なプラズマを基板に接触させることができる。また、坩堝８として開口径が、基板ホルダー１６の径より小さいものを用いることより、基板６到達時の蒸気量を基板６上で均一にすることができ、イオンプレーティングによる均一成膜が可能である。 （もっと読む）