耐プラズマコーティング材料、耐プラズマコーティング、及びそのようなコーティングをハードウェア部品上に形成する方法。一実施形態では、ハードウェア部品は静電チャック（ＥＳＣ）であり、耐プラズマコーティングはＥＳＣの表面上に形成される。耐プラズマコーティングは、熱溶射以外の方法によって形成され、これによって有利な材料特性を有する耐プラズマコーティングを提供する。
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【課題】基板にバイアス電圧を印加しながら導電膜を作成するスパッタリングにおいて、スパッタリングを数多く繰り返した場合でも、バイアス電圧が正常に基板９に印加されるようにする。
【解決手段】スパッタチャンバー１内にガス導入系２によってアルゴン等のガスを導入し、基板ホルダー５で基板９を保持しながら、導電材料より成るターゲット３にスパッタ電源４が電圧を印加してスパッタ放電を生じさせる。基板９にはバイアス電源５２によってバイアス電圧が与えられる。基板ホルダー５は、接地電位の部材として基板保持面の斜め後方にホルダーシールド５３を有し、ホルダーシールド５３の表面の堆積膜５０１と基板保持面の堆積膜５０４とが連続しないようにする膜連続防止用凹部５４を有しており、基板保持面の周縁は面取りされている。 （もっと読む）

【課題】被削材の工具への溶着を抑えることで、耐摩耗性に優れるとともに、被削材の表面を高品位に仕上げ加工することができる表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】表面被覆切削工具は、基材１１０と該基材上に形成された被膜とを有し、該被膜は、化学式Ａｌ_1-xＣｒ_xＮ_yＯ_zＣ_u（式中ｘは０＜ｘ≦０．２であり、ｙ、ｚ、ｕは０＜ｙ＋ｚ＋ｕ≦１．１である）で表わされる化合物からなる層をその一部に含む。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリングガスに酸素を含有させ酸素流量を大きくしたとしても、バイアスを印加しない場合と同等又はそれ以上の結晶子サイズを有する酸化亜鉛薄膜を得ることができる酸化亜鉛薄膜の成膜方法、該成膜方法により得られた酸化亜鉛薄膜、該酸化亜鉛薄膜を用いた半導体素子、該酸化亜鉛薄膜を成膜するための成膜装置を提供する。
【解決手段】 酸素と不活性ガスからなるスパッタリングガスを含む雰囲気下で酸化亜鉛ターゲットを用いてスパッタリングすることにより、酸化亜鉛薄膜を基板上に成膜する成膜方法であって、前記基板にパルスバイアスを印加しつつ成膜することを特徴とする酸化亜鉛薄膜の成膜方法である。 （もっと読む）

【課題】基材と密着性に優れる中間層と、耐摩耗性に優れる表面層であるＤＬＣ層とを備え、ＤＬＣ層最下部と中間層との間でも剥離を生じることがなく、耐摩耗性にも優れる硬質多層膜成形体、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】超硬合金材料または鉄系材料からなる基材の表面に多層の膜を形成してなる硬質多層膜成形体１であって、上記多層の膜は、（１）この多層の表面層５として形成される、炭素供給源として固体ターゲットのグラファイトのみを使用し、水素混入量を抑えて成膜したＤＬＣを主体とする膜と、（２）この表面層５と基材２との間に形成される、少なくともクロムまたはタングステンを主体とする中間層３と、（３）この中間層３と表面層５との間に形成される炭素を主体とする応力緩和層４とからなり、応力緩和層４は、その硬度が中間層３側から表面層５側へ連続的または段階的に上昇する傾斜層である。 （もっと読む）

【課題】 耐摩耗性および耐欠損性が向上する被覆層を備えた表面被覆工具を提供する。
【解決手段】 基体２の表面に、Ｔｉ_１−ａＭ_ａ（Ｃ_１−ｘＮ_ｘ）（ＭはＮｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｈｆ、Ａｌ、ＳｉおよびＹの群から選ばれる少なくとも１種、0.35≦ａ≦0.55、0≦ｘ≦1）からなる第１薄層７と、Ｔｉ_１−ｂＭ_ｂ（Ｃ_１−ｙＮ_ｙ）（0.40≦ｂ≦0.60、ただしｂ＞ａ、0≦ｙ≦1）からなる第２薄層８とが交互に一定の周期で積層された下層９と、Ｔｉ_１−ｃＭ_ｃ（Ｃ_１−ｘＮ_ｘ）からなる第３薄層１１と、Ｔｉ_１−ｄＭ_ｄ（Ｃ_１−ｙＮ_ｙ）（0.45≦ｄ≦0.65、ただしｄ＞ｃ、0≦ｙ≦1）からなる第４薄層１２とが交互に一定の周期で積層された上層１３とを被覆し、第１薄層７の平均層厚ｔ_１と第２薄層８の平均層厚ｔ_２との比が1.2≦ｔ_２／ｔ_１≦2.5で、第３薄層１１の平均層厚ｔ_３と第４薄層１２の平均層厚ｔ_４との比が2.5≦ｔ_４／ｔ_３≦18（ただし、（ｔ_２／ｔ_１）＜（ｔ_４／ｔ_３））の表面被覆工具１である。 （もっと読む）

【課題】高速摺動下においても高負荷に耐え得る実質的に水素を含有しない低クロム含有ＤＬＣ（ダイヤモンド状炭素）膜および実質的に水素を含有しない低クロム含有ＤＬＣ膜を成膜した摺動部品を提供する。
【解決手段】ＤＬＣ膜中のＣｒ含有量をＸ（ａｔ％）、ＤＬＣ膜の表面硬さをビッカース硬さでＹ（Ｈｖ）とした場合、式０．５≦Ｘ≦０．７、３００≦Ｙ＜５００およびＹ＜−８６９Ｘ＋１０４３の各式を満足する領域の範囲内にある実質的に水素を含有しない低クロム含有ＤＬＣ膜とする。また、ＤＬＣ膜と母材との間に、Ｃｒのみから成る第１の層およびＣｒとＣとから成る第２の層を成膜した摺動部品とする。 （もっと読む）

【課題】 冷間ならびに温熱間における鍛造およびプレス加工といった金属の塑性加工に使用される金型において、高い硬度と耐熱性を併せ持った、耐摩耗性が格段に優れた塑性加工用被覆金型を提供する。
【解決手段】 塑性加工用金型の表面に皮膜を被覆した塑性加工用被覆金型であって、該皮膜は、Ｔｉのホウ化物であるＡ層の直上に、Ａｌを主体とする金属の窒化物であるＢ層が被覆されている塑性加工用被覆金型である。好ましくは、該皮膜のＢ層は、Ａｌを主体としＣｒを含む金属の窒化物、または、Ａｌを主体としＣｒおよびＳｉを含む金属の窒化物である。あるいは更に、Ａ層は、上記Ｔｉとの総和に対して１０原子％以下のＳｉを含むことができる。
また、該皮膜の上には、摩擦係数が０．２以下の潤滑層を最表面に被覆してもよく、あるいはさらに、その塑性加工用金型の基材と皮膜との間には、窒化物でなる中間層を被覆してもよい。 （もっと読む）

【課題】連続重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性、耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金、サーメット、立方晶窒化ほう素基超高圧焼結体からなる基体表面に、（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ層を硬質被覆層として蒸着形成した表面被覆切削工具において、（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ層を組成式（Ｔｉ_ＸＡｌ_１−Ｘ）Ｎで表した場合、Ｘ＝０．５０〜０．７０を満足する全体平均組成を有し、同時に、下部側（工具基体側）から上部側（表面側）に向うにしたがって、Ｘが１．０から０．４まで漸次減少する傾斜組成を有し、また、該層についてＥＢＳＤによる結晶方位解析を行った場合、表面研磨面の法線方向から０〜１５度の範囲内に結晶方位＜１１１＞を有する結晶粒の面積割合が５０％以上であり、また、隣り合う結晶粒同士のなす角θを測定した場合に、０＜θ≦１５゜の割合が５０％以上である結晶配列を示す。 （もっと読む）

【課題】重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金、サーメット、立方晶窒化ほう素基超高圧焼結体からなる基体表面に、（Ｃｒ，Ａｌ）Ｎ層を硬質被覆層として蒸着形成した表面被覆切削工具において、（Ｃｒ，Ａｌ）Ｎ層を組成式（Ｃｒ_ＸＡｌ_１−Ｘ）Ｎで表した場合、Ｘ＝０．４０〜０．７０を満足する全体平均組成を有し、同時に、下部側（工具基体側）から上部側（表面側）に向うにしたがって、Ｘが１．０から０．３まで漸次減少する傾斜組成を有し、また、該層についてＥＢＳＤによる結晶方位解析を行った場合、表面研磨面の法線方向から０〜１５度の範囲内に結晶方位＜１１１＞を有する結晶粒の面積割合が５０％以上であり、また、隣り合う結晶粒同士のなす角θを測定した場合に、０＜θ≦１５゜の割合が５０％以上である結晶配列を示す。 （もっと読む）

【課題】高速・高能率切削が可能な、ＴｉＡｌＮよりも耐摩耗性に優れた硬質皮膜を得るための有用な製造方法を提供する。
【解決手段】所定の組成および結晶構造を有する硬質皮膜を製造するための方法であって、ターゲットを構成する金属の蒸発およびイオン化をアーク放電にて行うアークイオンプレーティング法において、該ターゲットの蒸発面にほぼ直交して前方に発散ないし平行に進行する磁力線を形成し、この磁力線によって被処理体近傍における成膜ガスのプラズマ化を促進すると共に、前記被処理体に印加するバイアス電位をアース電位に対して−５０Ｖ〜−３００Ｖとして成膜する。 （もっと読む）

【課題】断続重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性、耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金、サーメット、立方晶窒化ほう素基超高圧焼結体からなる基体表面に、（Ｃｒ，Ａｌ）Ｎ層を硬質被覆層として蒸着形成した表面被覆切削工具において、（Ｃｒ，Ａｌ）Ｎ層を組成式（Ｃｒ_ＸＡｌ_１−Ｘ）Ｎで表した場合、Ｘ＝０．４０〜０．７０を満足する全体平均組成を有し、同時に、下部側（工具基体側）から上部側（表面側）に向うにしたがって、Ｘが０．３から１．０まで漸次増加する傾斜組成を有し、また、該層についてＥＢＳＤによる結晶方位解析を行った場合、表面研磨面の法線方向から０〜１５度の範囲内に結晶方位＜１１１＞を有する結晶粒の面積割合が５０％以上であり、また、隣り合う結晶粒同士のなす角θを測定した場合に、０＜θ≦１５゜の割合が５０％以上である結晶配列を示す。 （もっと読む）

【課題】断続重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金、サーメット、立方晶窒化ほう素基超高圧焼結体からなる基体表面に、（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ層を硬質被覆層として蒸着形成した表面被覆切削工具において、（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ層を組成式（Ｔｉ_ＸＡｌ_１−Ｘ）Ｎで表した場合、Ｘ＝０．５０〜０．７０を満足する全体平均組成を有し、同時に、下部側（工具基体側）から上部側（表面側）に向うにしたがって、Ｘが０．４から１．０まで漸次増加する傾斜組成を有し、また、該層についてＥＢＳＤによる結晶方位解析を行った場合、表面研磨面の法線方向から０〜１５度の範囲内に結晶方位＜１１１＞を有する結晶粒の面積割合が５０％以上であり、また、隣り合う結晶粒同士のなす角θを測定した場合に、０＜θ≦１５゜の割合が５０％以上である結晶配列を示す。 （もっと読む）

【課題】 高硬度鋼の高速断続切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットで構成された工具基体の表面に、（Ｃｒ，Ａｌ）Ｎからなる硬質被覆層が蒸着形成された表面被覆切削工具において、該硬質被覆層は、粒状晶（Ｃｒ，Ａｌ）Ｎからなる薄層Ａと柱状晶（Ｃｒ，Ａｌ）Ｎからなる薄層Ｂの交互積層構造として構成され、薄層Ａおよび薄層Ｂはそれぞれ０．１〜２μｍの層厚を有し、さらに、上記粒状晶の結晶粒径は５〜３０ｎｍ、また、上記柱状晶の結晶粒径は５０〜５００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】プラズマガンと電子銃を備えたイオンプレーティング装置を用いて、異常放電を防止しながら成膜を行い、膜素子を製造する方法を提供することにある。
【解決手段】プラズマガンに第１の放電ガスを供給して放電を生じさせた後、第１の放電ガスに代えて、第１の放電ガスより放電を生じにくい第２の放電ガスを供給して放電を継続させることによりプラズマを発生させ、電子銃から電子ビームを蒸発源に照射して蒸発させ、プラズマを通過した蒸気を基板上に堆積させ、薄膜を形成する。これにより、放電しにくい第２の放電ガスで安定にプラズマを発生させ、電子銃周辺での異常放電を防止できる。 （もっと読む）

パターンが形成された基板上に金属を堆積させる方法および装置を提供する。金属層が，第１のエネルギーを有する物理蒸着工程で形成される。第２のエネルギーを用いて金属層上に第２の物理蒸着工程が行われ、ここで、堆積層は、脆性および塑性表面修正工程の相互作用を受け、基板上にほぼ同形の金属層が形成される。
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天井にスパッタターゲットを有するＰＶＤリアクタにおいて、回転磁石組立体を取り囲む導電性ハウジングは、回転磁石の軸用の中央ポートを有する。ハウジングの導電性中空シリンダは、スピンドルの外側部分を囲む。ＲＦ電力は、中空シリンダから半径方向に延びる半径方向のＲＦ接続ロッドに結合され、ＤＣ電力は、中空シリンダから半径方向に延びる他の半径方向のＤＣ接続ロッドに結合される。
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【課題】 切削工具基材の表面に形成する皮膜を改良し、耐酸化性や耐熱性や耐摩耗性に優れ、鋼のドライ加工や高硬度材の高速加工が長期にわたって安定して行える被覆切削工具基材を提供する。
【解決手段】 切削工具基材の表面に、結晶構造がＮａＣｌ型構造である一般式（Ａｌ_x，Ｃｒ_1-x）Ｎ（式中、ｘは、０．５５≦ｘ≦０．７５の条件を満たす。）で示されるＡｌ−Ｃｒ−Ｎ皮膜と、結晶構造がＮａＣｌ型構造である一般式（Ａｌ_y，Ｃｒ_1-y-z，Ｔｉ_z）Ｎ（式中、ｙ，ｚは、０．５５≦ｙ≦０．７５、０．２≦ｚ≦０．３、０．０５≦１−ｙ−ｚ≦０．２の条件を満たす。）で示されるＡｌ−Ｃｒ−Ｔｉ−Ｎ皮膜とを交互に積層させた。 （もっと読む）

【課題】処理基板Ｓと処理基板Ｓに対向するターゲット６とを配置した真空チャンバー１内にスパッタガスと反応ガスとを供給する手段を備える反応性スパッタリング装置において、処理基板Ｓが大径化しても、処理基板Ｓの全域に亘り均質な化合物の薄膜を形成できるようにする。
【解決手段】ターゲット６にガス導入孔１２を形成し、ガス導入孔１２から処理基板Ｓに向けて反応ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】良好な耐摩耗性および耐焼き付き性を有するとともに、基材への密着性および耐久性に優れた高硬度の硬質皮膜で被覆された硬質皮膜被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１上に下地層２としてクロム皮膜が形成され、この下地層２上に２００ｎｍ以下の略同一の厚さの応力緩和層３としてのクロム皮膜と硬質層４としての窒素含有クロム皮膜が交互に配置されるように複数のクロム皮膜と複数の窒素含有クロム皮膜が形成されている。下地層２と応力緩和層３と硬質層４は、クロムターゲットを使用してスパッタリングする装置の処理室内で連続的に形成され、下地層２および応力緩和層３を形成する際には、処理室内をアルゴンガス雰囲気にし、硬質層４を形成する際には、処理室内をアルゴンガスと窒素ガスを含む雰囲気にする。 （もっと読む）