本発明は、回転可能な基板ペデスタル及び少なくとも１つの移動可能な傾斜ターゲットを有する物理気相堆積（ＰＶＤ）チャンバに関する。本発明の実施形態によれば、均一性の高い薄膜を堆積させることができる。 （もっと読む）

【課題】 弁座に押圧されている弁体の背面を短い動作時間かつ小さな動力によって支持する逆圧式封鎖弁用弁体クランプ装置及びそれを用いたロードロック式真空成膜装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ１０の内側から弁体１７の背面を押圧手段１８により押圧して真空チャンバ１０の壁体内面１０ａの開口１０ｂ周縁に弁体１７前面を当接させて該開口１０ｂを封鎖する逆圧式封鎖弁１７において、真空チャンバ１０の壁体内側に固定されている固定部材５２と、固定部材５２に支持されながら、押圧手段１８によって押圧されている弁体１７の背面の周縁部に当接するようにして進出し、かつ弁体１７の移動軌道上から退避するようにして退却する可動部材５１と、可動部材５１を駆動する駆動装置５３，５４，５６とを有する。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗変化率（ＭＲ比）等の磁気特性に優れたＧＭＲ及びＴＭＲ膜を高い歩留まりで製造可能な磁気抵抗膜の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】 磁化固定層、非磁性中間層、及び磁化自由層を含む磁気抵抗膜のうち、非磁性中間層及び磁化自由層を構成する少なくとも１つの薄膜を、スパッタ装置を用い基板近傍の圧力を８．０×１０^−３Ｐａ以下として形成する。スパッタ装置は、カソードと基板ホルダとが配置された真空容器と、真空容器の排気口に連結された第１の排気装置と、ターゲットの表面近傍へのガス導入機構と、を備え、ターゲット表面近傍とその外側の中間空間との間で圧力差をつける第１の圧力調整手段と、中間空間と基板の表面近傍との間で圧力差をつける第２の圧力調整手段と、中間空間を排気する第２の排気装置とを設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 酸素に対して活性な材質からなる薄膜を成膜する薄膜形成装置のメンテナンス時に発火してしまうことを防ぐことのできる技術を提供する。
【解決手段】 薄膜形成装置の成膜チャンバの内面を構成する部材もしくは成膜チャンバの内部に配置された部材であるターゲットシールドＴＧＳ、排気シールドＥＸＳ、ガス分散板ＧＤＢ、およびリングチャックＲＣＫ等については、予め表面に金属を溶射し、酸素を含有した金属膜ＭＦ１を形成しておくことにより、これら部材の表面に酸素に対して活性な微粒子が堆積すると、堆積した微粒子中に金属膜ＭＦ１中の酸素が拡散し、酸化膜ＯＦ１が形成され、酸素に対して活性な微粒子は不活性な状態（化学的に安定な状態）へ変化する。 （もっと読む）

【課題】 作業性やメンテナンス性に優れ、しかも設置スペースが少なくて済み、隔壁端部がシール材と摺動しない連続成膜装置を提供する
【解決手段】 本発明の連続成膜装置は、分割構造の真空チャンバ１を備え、成膜ロール３、巻出しロール６及び巻取りロール７を備えた固定側チャンバ部１Ｆと、カソードボックス４を備えた移動側チャンバ部１Ｍ，１Ｍとで構成される。前記真空チャンバ１の内部は、ロール室１６と成膜室１７，１７とが隔壁によって区画形成される。前記固定側チャンバ部１Ｆと移動側チャンバ部１Ｍ，１Ｍとは、前記真空チャンバ１の前端壁１３と後端壁１２の側端部を通る分割平面Ｄによって真空チャンバ１が分割されたものであり、前記移動側チャンバ部１Ｍを開閉することにより、前記固定側チャンバ部１Ｆと移動側チャンバ部１Ｍの分割端部がそれぞれシール材を介して当接離反する。 （もっと読む）

【課題】 レーザ転写用ドナー基板の製造装置とその製造方法及びそれを用いた有機電界発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 レーザ転写用ドナー基板の製造装置は、真空チャンバ、該真空チャンバ内部をインライン（ｉｎ−ｌｉｎｅ）で移動しながら通過するドナー基板、及び該真空チャンバ内に形成され、該ドナー基板上に転写層を形成させる蒸着装置を含むことを特徴とする。前記レーザ転写用ドナー基板の製造方法及びそれを用いた有機電界発光素子の製造方法は、真空チャンバ内部をドナー基板がインラインに移動しながら通過し、前記真空チャンバ内に形成された蒸着装置が前記ドナー基板上に転写層を形成することを特徴とする。高真空を維持する真空チャンバ内で転写層、特に低分子有機発光層を連続して形成することができ、また該転写層で形成されたレーザ転写用ドナー基板を大量生産することができると言うメリットがある。また、これを用いた大面積の有機電界発光素子が製造できるメリットを提供する。 （もっと読む）

【課題】成膜空間を大気開放することなく基材の脱着を行うことが可能な真空成膜装置を提供する。
【解決手段】 互いに分離及び接合可能に構成され、接合により気密な内部空間を有する殻体を形成する第１の部分２０及び第２の部分２Ｂと、第１の部分２０の内部に成膜空間を区画するように第１の部分２０に配設され、その開閉により該成膜空間を開放及び閉鎖するゲート１と、前記成膜空間に位置するように第１の部分２０に配設された膜材料蒸発装置２１と、成膜されるべき基材が取り付けられる基材取付装置６，８と、第２の部分２Ｂに配設され、第２の部分２Ｂが第１の部分２０と接合されかつゲート１が開いた状態でゲート１を通って基材取付装置６，８を前記成膜空間に進出させかつ前記成膜空間から退却させる進退駆動装置３と、第１の部分２０及び第２の部分２Ｂの内部空間をそれぞれ排気する第１及び第２の排気装置２２，１０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】
カラーフィルター製造工程などに好適に用いられる蓋開閉式真空チャンバーの蓋と真空チャンバーの密着面用シール不良に起因する発塵および欠陥の発生を防止するためのシール構造を有する蓋開閉式真空チャンバーを提供すること。
【解決手段】
真空漏れ防止用のシール材であるＯ−リングを充填するための溝（アリ溝）を具備し開閉蓋機構のある真空チャンバーにおいて、溝の側面に接する第１の凸部と溝の側面に接しない第２の凸部を有する形状のＯ−リングを用い、蓋閉時の溝とシール材であるＯ−リングの接触摩耗による発塵を防止するようになした蓋開閉式真空チャンバーである。
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【課題】 端面Ｒ部でのより一層の剥離防止効果を有する薄膜製造装置を提供すること。
【解決手段】 薄膜製造装置の内壁及び／又は内部部材の基材表面に溝が形成されており、更に該基材表面上に溶射被膜又はブラスト処理が施されている、薄膜製造装置。
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基板処理チャンバは、チャンバ内部に露出された表面を有する要素を含む。この露出した表面は、互いに離間した窪みのパターンを有し、各窪みは、開口、側壁、及び底壁を有する。これらの窪みは、構造物の或る位置にある一部を気化するのに充分長い時間、構造物の表面上のその位置にパルス化したレーザビームを指向することによって形成される。また、要素は、エンクロージャへプラズマが入るのを減少するために、異なる直径を有する第１と第２の開口を有する、レーザで孔のあけられた、複数のガスの出口のあるエンクロージャを有するガス分配器であることができる。また、レーザで孔のあけられたガスの出口は、丸められたエッジを有することができる。
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【課題】 生産性を向上させるとともに、省スペース化した真空処理装置を提供する。
【解決手段】 基板を真空処理する真空処理室１３０と、基板を載置して搬送する基板キャリア１２と、基板を大気側と真空側間とで搬入、搬出する予備室１２０Ａ、１２０Ｂとを具備した真空処理装置において、予備室１２０Ａ、１２０Ｂと真空処理室１３０間に、基板キャリア１２を搬出入させる基板キャリアスライド室３０を設けるとともに、この基板キャリアスライド室３０は、基板キャリア１２を滞在させる最小限の２対のレール３２Ａ、３２Ｂを有し、これらのレール３２Ａ、３２Ｂを予備室１２０Ａ、１２０Ｂ、又は、真空処理室１３０に基板キャリア１２を搬出入する位置に制御する位置制御機構を備える構成とした。
この場合位置制御機構は、ボールネジ３４Ａ、３４Ｂと直動ガイド４０とで構成すると良い。 （もっと読む）

【課題】 メンテナンス時には十分なスペースを確保してメンテナンス作業を容易に行えるとともに、小スペース内に設置することを可能とするスリムな基板処理装置を提供する。
【解決手段】 粗引きポンプ１５、第１の処理室１２Ａ、第２の処理室１２Ｂ等を搭載した第１のキャビネット１０と、電源部や制御部等を搭載した第２のキャビネット２０とが電源ケーブルおよび信号ケーブルを介して連結されている。第２のキャビネット２０の空きスペースＳ内に第１のキャビネット１０を収納した収納状態に設定すると基板処理装置１をスリム化することができる。また第１のキャビネット１０と第２のキャビネット２０とを分離させた分離状態に設定すると、十分なスペースを確保することが可能となるため第１のキャビネット１０に搭載された各種機器のメンテナンス作業を容易とすることができる。 （もっと読む）

スパッタチャンバ（７０）及びそれが可能にするマルチステッププロセス。チャンバ軸と同軸な四重電磁石矩形アレー（７２）はチャンバ内のＲＦコイル（４６）の裏側にあることが好ましい。異なる磁場分布を生成するために、例えば、ターゲット材料をウエハ（３２）上にスパッタするためにスパッタターゲット（３８）が給電されるスパッタ堆積モードとＲＦコイルがアルゴンスパッタリングプラズマをサポートするスパッタエッチングモードとの間でコイル電流を個別に制御できる。ターゲット材料のＲＦコイルにおいては、コイルにＤＣバイアスをかけることができ、コイルアレーがマグネトロンとしての機能を果たす。このようなプラズマスパッタチャンバ内で行なわれるマルチステッププロセスは、様々な条件下でのターゲットからのバリア材料のスパッタ堆積と、基板のアルゴンスパッタエッチングとを含んでいてもよい。ターゲット電力及びウエハバイアスの減少を伴うフラッシュステップが適用される。 （もっと読む）

【解決手段】基板のプラズマイオン注入のための方法が、プロセスチャンバ、該プロセスチャンバにプラズマを形成する発生源、プロセスチャンバに基板を保持するプラテン、およびプラズマから基板にイオンを加速する電圧源を含むプラズマイオン注入システムを用意し、基板のプラズマイオン注入から生ずる付着膜の組成物に似た新しいコーティング膜を、新しいコーティング膜を形成する前にプロセスチャンバの内側表面に付着し、一つ以上の活性化されたクリーニング前駆体を使用して古い膜を除去することにより、プロセスチャンバの内側表面をクリーニングし、プラズマイオン注入プロセスにしたがって基板へのプラズマイオン注入を行い、プロセスチャンバの内側表面をクリーニングすること、および新しいコーティングに続いて一つ以上の基板に対してプラズマイオン注入をおこなうことの工程を繰り返すことを含む。
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