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Fターム[4K029DA01]の内容

物理蒸着 (93,067) | 処理装置一般 (2,443) | 槽、ベルジャー (154)

Fターム[4K029DA01]に分類される特許

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【課題】ターゲット交換に伴う非稼動時間を短縮する。
【解決手段】スパッタリングターゲットと成膜のための基板とが配置される成膜室を有したスパッタリング装置において、退避位置から作用位置へ移動することにより成膜室を互いの間が気密な2つの空間に区画し、かつ作用位置から退避位置へ移動することにより成膜室の区画を解除する可動の仕切りを設け、作用位置を成膜室における基板の配置される領域とスパッタリングターゲットの配置される領域との間の位置とし、区画された2つの空間のうちの基板が配置される領域を含む一方の空間を真空に保った状態でのターゲット交換が可能な構成とする。 (もっと読む)


本発明は、カルコゲンについて、特に100 nm〜10 mmの範囲内のカルコゲンの薄い層、またはこれらの材料の混合物を、平面基板上に適用するための非常に速くそして費用効率が高いコーティング方法およびまた、その方法を実施ために適した装置も提供することを意図する。これは、蒸着ヘッド(11)において流入側および流出側ガスカーテンを形成して輸送流路(6)を酸素の漏れないように密閉し、不活性ガスを輸送流路(6)の中に導入して大気酸素を置換し、基板(3)をプロセスチャンバー(1)の輸送流路(6)の中に導入し、源からのカルコゲン蒸気/搬送ガス混合物を、蒸着ヘッドの輸送流路(6)の中の基板(3)より上に導入しそしてPVDを用いて基板の上にセレン層を形成することによって達成される。
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【課題】ヘリカル磁気共振コイルを利用したイオン化物理的気相蒸着装置を提供する。
【解決手段】処理基板を支持する基板ホルダを有した工程チャンバと、工程チャンバに基板ホルダと対向するように設けられて処理基板上に蒸着される物質を提供する蒸着物質ソースと、工程チャンバ内部に工程ガスを注入するためのガス注入ユニットと、基板ホルダにバイアス電位を印加するためのバイアス電源と、工程チャンバ内部に蒸着物質をイオン化させるためのプラズマを発生させ、一端は接地されて他端は電気的に開放されたヘリカル磁気共振コイルと、ヘリカル磁気共振コイルにRF電力を供給するためのRFジェネレータとを備えるイオン化物理的気相蒸着装置である。これにより、ヘリカル磁気共振コイルにより非常に低い圧力下、例えばほぼ0.1mTorrでもプラズマの点火及び保持が可能であり、従来に比べて高密度のプラズマを効率的に発生させられるので、蒸着物質のイオン化率が高まるようになる。 (もっと読む)


組み合わせ処理チャンバが提供される。組み合わせ処理チャンバは、基板を支持するよう構成された回転可能な基板支持部の動径部分を隔離するよう構成される。一実施例では、チャンバは、複数の一群のプロセスヘッドを有している。一実施例では、基板支持部とプロセスヘッドとの間に配置されたベースプレートを有する挿入物が、蒸着処理のための閉じ込め領域を規定する。ベースプレートは、蒸着材料が基板にアクセスし得る穴部を有している。基板の回転及び穴部の移動を通して、基板の複数の領域が、1つの基板上に組み合わせ処理を実行するためにアクセス可能である。 (もっと読む)


【課題】 真空チャンバ内のターゲット近傍に設けられた構造物に付着した発生した物質が剥離して微粉塵となることを抑えることを目的とする。
【解決手段】 真空チャンバ内に、その周面に処理対象となる基材を保持するとともに回転可能に構成された円筒ドラムと、前記円筒ドラムの周面と対向する位置に、該円筒ドラムの軸方向を揃えて細長片形状のターゲットを配置できるように構成された成膜装置であって、前記ターゲットと前記基材とが最も接近する位置において、前記ターゲットと前記基材との間に、前記ターゲットの長手方向の中心線を中心軸とし、前記ターゲットの短手方向の長さをTとして、半径1.5Tの半円筒形状の無構造物空間を設けることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 真空チャンバーを設置した後においても、ユーザーの要望等によって真空チャンバーの形状や大きさを簡易に変更することができるようにする。
【解決手段】 真空チャンバー1が、長方形状に形成されたチャンバー本体2と、チャンバー本体2の両側面にボルト留めで取り外し自在に密着接合される3角形状の側面枠3a、3bと、チャンバー本体2と側面枠3a、3bのそれぞれの開口している上面に接合される上板6、9a、9bと、チャンバー本体2と側面枠3a、3bのそれぞれの開口している底面に接合される底板7と、に分割自在に構成されているので、ユーザーの要望等によって真空チャンバーの形状や大きさを簡易に変更することができる。 (もっと読む)


プラズマ蒸着により物品(14)の表面を薄膜ポリマー層でコーティングするための装置(10)である。この装置は、1またはそれ以上の物品を内部に配置することができる複数の処理チャンバ(12a,12b,12c,…,12n)と、チャンバ内にプラズマを形成するために、処理チャンバに活性種を供給する手段(18,19,20,21,22)と、それぞれの処理チャンバに付随する複数の誘導手段(24)であって、その各々が、物品の表面がプラズマ蒸着により薄膜ポリマー層で被覆されるように、活性種が供給されるときに、プラズマを形成して、付随する処理チャンバの内部に電界を生成するように機能する誘導手段と、誘導手段に時間変動電流を与える手段(26)と、任意の1またはそれ以上のチャンバ内の圧力をその他のチャンバの圧力と独立に制御できるように、処理チャンバ内の圧力を選択的に制御する圧力制御手段(28)とを備える。 (もっと読む)


【課題】ハウジング部に光源を組み込んで、ハウジング部内側面と、光源先端部とに反射面を成膜するにあたり、成膜にムラができず、光源先端部のみを成膜できるように構成する。
【解決手段】固定金型となる第一金型6に、ターゲット室11aの溝奥側に、成膜方向の直進性が低減され、よりムラのない成膜ができるような装置として汎用されるマグネトロンスパッタリング装置9aを設けた成膜装置9を配設し、ターゲット室11aの開口部に、貫通孔10aが開設された円板体10bを備えたマスキング部材10を設けて、一次の射出工程の後、前記ターゲット室11aにバルブ3を組み込んだハウジング部4を突き当てることにより、マスキング部材10の貫通孔10aにバルブ先端部3bを貫通させ、この状態において成膜する構成とする。 (もっと読む)


【課題】複数の機能領域を有する有機化合物膜を作製する成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜室内に複数の蒸発源を備え、それぞれの有機化合物からなる機能領域を連続的に形成し、さらに機能領域間の界面には混合領域を形成することができる。さらに、成膜室の内壁の表面は電解研磨されている。成膜部内を連続的に移動できる基板搬送手段を有し、基板搬送手段は、成膜部の上方に設けられ、成膜部と同一空間を有しており、成膜室内にある基板を平面方向に搬送する手段を有している。成膜部は、基板搬送手段による基板の搬送空間を含んで設けられ、基板搬送手段に基板が保持された状態で蒸着が行われる。 (もっと読む)


【課題】洗浄後にパーティクルが発生する虞がなく、短時間かつ低コストでの構成部材の洗浄を可能とする。
【解決手段】成膜装置の処理雰囲気に設置された成膜装置の構成部材の表面から付着物を除去するための洗浄方法であって、上記付着物と上記構成部材との密着力を低減させるプラズマエッチング処理と、上記プラズマエッチング処理によって上記構成部材との密着力が低減した上記付着物を水にて洗い流す水洗処理とを有する。 (もっと読む)


荷電粒子ビームを生成する装置であって、ドア(106)を有するイオン源プラズマチャンバ(104)と、前記イオン源プラズマチャンバから離れた、前記ドアの表面に取り付けられた加速器(102)とを備えている装置。
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【課題】 輸送にも便利で、かつ、コンパクトで前処理工程に適する真空チャンバを提供する。また、前記真空チャンバを備えたロードロックチャンバ及び処理装置を提供する。
【解決手段】 貫通穴10a〜10cが形成された略直方体のチャンバ部材11a〜11cを2以上備え、前記チャンバ部材11a〜11cのうち、少なくとも1のチャンバ部材の貫通穴の一方の口が形成されている面に、シール部材の装着を可能とする溝が形成され、この溝にシール部材を装着して、隣接するチャンバ部材の各貫通穴が連通するように、チャンバ部材を2以上接合してなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 上側容器と下側容器との相互の接合面をシールリングによりシールする基板処理装置において、分割面相互の接触を防止する。
【解決手段】 金属製の取付け基部に接合され、基板を高温・真空雰囲気中で処理するための処理室201を区画する石英、アルミナを含む耐熱性ガラス製の処理容器と、前記処理容器と前記取付け基部との接合面間に配置され、これら接合面間で圧縮荷重を支持することにより接合面間に所定クリアランスを形成する支持部材15と、前記処理容器と前記取付け基部との接合面間に介設され、これら接合面間の圧縮荷重により弾性変形してシールするシールリングとを備え、前記支持部材がポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリベンゾイミダゾールの中から選択された一つの耐熱性高分子樹脂から形成されたものである。 (もっと読む)


【課題】炭素担体の外表面に多くの触媒微粒子を担持できる多角バレルスパッタ装置、炭素担持触媒及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る多角バレルスパッタ装置は、重力方向に対して略平行な断面の内部形状が多角形である真空容器1と、真空容器内に入れられ、炭素担体3の一次粒子が凝集してできた二次粒子を一次粒子又は元の二次粒子より小さい二次粒子に分散させる分散部材と、前記断面に対して略垂直方向を回転軸として真空容器を回転させる回転機構と、真空容器内に配置されたスパッタリングターゲット2と、を具備し、回転機構を用いて真空容器1を回転動作又は振り子動作を行うことにより、真空容器内の炭素担体3を攪拌あるいは回転させながら分散部材によって炭素担体3の二次粒子を分散させつつスパッタリングを行うことで、炭素担体3の表面に微粒子又は薄膜を担持することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】超高真空雰囲気下で試料を高温に加熱し得るレーザ加熱装置及びそれを備えた真空プロセス用装置の提供。
【解決手段】真空チャンバ内に取り付けられた段差のある孔を有する試料ホルダと、該試料ホルダ近傍の真空チャンバ壁に設けられた光透過窓と、真空チャンバ外に配置されたレーザ光源とを有し、前記試料ホルダの孔に落とし込んで保持した試料の背面にレーザ光を直接照射可能な構成としたことを特徴とする真空チャンバ用レーザ加熱装置。真空チャンバと、該真空チャンバに取り付けられた前記真空チャンバ用レーザ加熱装置とを有することを特徴とする真空プロセス用装置。 (もっと読む)


【課題】 二次電子によって発生するウェハーの汚染を防止できるプラズマを用いたイオン注入装置を提供する。また、RF電界によってチェンバー内で発生するアーク放電を低減できるプラズマを用いたイオン注入装置を提供する。さらに、広い圧力条件で安定的なプラズマの生成を可能にし、薄い接合深さを維持しながら、多量のイオンをウェハーに注入するのに適したプラズマを生成できるプラズマを用いたイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ発生ユニットと、該プラズマ発生ユニットから生成されたプラズマのイオンを試料に注入するためのイオン注入ユニットと、該イオン注入ユニットに設けられ、帯電現象を防止するために接地された伝導体と、を含んでプラズマを用いたイオン注入装置を構成する。 (もっと読む)


基板をコーティングする装置は、ポンプ区画の両側に並置された2個のプロセス区画を備えている。ポンプ区画は、この2個のプロセス区画および通路からのガスをポンプによってポンピングするためにそれらと動作可能に連通しており、また、基板コーティングプロセスに際してガスをほぼ分離することが十分可能である。ポンプ区画は、通路長さが1個のプロセス区画に関連した通路長さ、別のプロセス区画に関連した通路長さ、またはこの2つの通路長さの平均の2倍未満である場合にこのような分離を十分行うことができる。また、基板コーティングプロセスに際してガスをポンピングする装置、基板のコーティングまたはガスのポンピングに関連した方法も提供する。 (もっと読む)


【課題】良好な視野や計測状態を得られる位置から基板を観察することと、シャッタ表面に付着した成膜物質の落下による成膜物質源の汚染を防ぐこととを、同時に満足する。
【解決手段】シャッタ装置113には、シャッタ116と、シャッタ116を第1の位置118と第2の位置119との間で移動させるための直動機構120と、が設けられている。直動機構120によるシャッタ116の移動の際、シャッタ116直下にるつぼ108が配されないよう、シャッタ116の移動範囲が設定されている。直動機構120によりシャッタ116が第1の位置118に配された際、基板Aへの成膜物質107の付着を遮断するシャッタ116による遮断領域が拡大される。 (もっと読む)


【課題】真空チャンバーを設置した後においても、ユーザーの要望等によって真空チャンバーの形状や大きさを簡易に変更することができるようにする。
【解決手段】本発明に係るマルチチャンバー型真空処理装置は、搬送室としての真空チャンバー1が、枠状のチャンバー本体2と、このチャンバー本体2の少なくとも一側面部に着脱自在に取り付けられる多角形状の側面枠3a,3bとの組立体で構成されている。この構成により、真空チャンバーを組み立てた後において、ユーザーの要求等に応じて別の多角形状の側面枠に容易に取り替えて真空チャンバーの形状を変更することができ、ユーザーの要求仕様にフレキシブルに対応することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】レーザーアブレーション成膜装置は、成膜処理部のチャンバーを小型にしその内部環境をコントロールしながらターゲットや基板の任意の交換による成膜作業の半自動化又は自動化及び小型化による利便性に優れた機能の装置が強く要望されていた。
【解決手段】 真空円筒体の一方に排気装置を装着し、他方に反応ガス導入装置を装着し、中間部にレーザーアブレーションチャンバーを着脱可能に突設装着しその対向部に該チャンバー内にターゲットを挿出入するエレベーター装置を着脱可能に突設装着し、前記レーザーアブレーションチャンバーにレーザー導入窓体を密着設置すると共に上部に基板を挿出入する基板保持交換装置を装着せしめたことを特徴とするレーザーアブレーション成膜装置。 (もっと読む)


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