【課題】高品質のリチウム金属薄膜および無機固体電解質薄膜を製造することのできる方法を提供する。
【解決手段】リチウム金属薄膜または無機固体電解質薄膜積を製造する方法が提供され、該方法は、薄膜製造工程においてアルカリ金属または無機固体電解質もしくはその原料と接触する雰囲気の露点を−４０℃以下とすることを特徴とする。露点が−４０℃以下の環境において、薄膜作製のための原料や基材あるいは製造した薄膜を取り扱えば、リチウム金属や硫化物系の無機固体電解質の劣化を効果的に防止できる。 （もっと読む）

【課題】超微粒子の粒径を大幅に変えることができしかも超微粒子の収率のよく、また基板上の成膜範囲を制御できるヘリコンプラズマを用いた超微粒子薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】スパッタカソード室１１と成膜室１２とを有し、スパッタカソード室で生成された原子及び超微粒子の集合体を成膜室内の基板に吸着させて薄膜を形成するようにした装置において、成膜室にレンズ効果により超微粒子を収束、発散をさせる静電レンズが設けられる。 （もっと読む）

本発明は、処理領域（２）を取り囲む成長室（１）、この成長室（１）の側壁（３）の内面を覆う側部部分（１０）を少なくとも有する主低温パネル、サンプルホルダー（６）、材料を蒸発させる少なくとも１つのエフュージョンセル（８）、気体状プレカーサーを前記成長室（１）に注入することのできるガスインジェクター（９）、前記成長室（１）に連結され、高い真空能力を提供することのできる排気手段（１１）を備えている、半導体材料のウエハを製造する分子線エピタキシー装置に関する。本発明によれば、本分子線エピタキシー装置は、少なくとも成長室壁（３，４，５）の内面を覆う断熱材囲い（１４）を備え、この断熱材囲い（１４）は、気体状プレカーサーの融点より低いか、これと同一である温度Ｔ_ｍｉｎを有する低温部と、高温部を備え、この高温部は、該高温部上の気体状プレカーサーの離脱速度が、気体状プレカーサーの吸着速度の少なくとも１０００倍以上であるような温度より高いか、これと同一である温度Ｔ_ｍａｘを有している。
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【課題】容器内の真空度を短時間で高められる真空容器及び処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】内部を減圧状態として基板の表面処理が可能な空間部５１２ｃを備えた真空容器であって、空間部５１２ｃを囲む外壁部５１１と、外壁部５１１の空間部５１２ｃ側に配置された内壁部５１２とからなる２重壁構造を有しており、内壁部５１２が外壁部５１１の材料よりも熱伝導性の高い材料からなり、外壁部５１１が内壁部５１２の材料よりも剛性の高い材料からなり、内壁部５１２を加熱する加熱部５１５が内壁部５１２に取り付けられている真空容器６０１を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、高い層厚の均一性及び原料歩留まりにおいて非常に高い堆積速度を持つ真空コーティング方法、並びに斯かるコーティングを実現する装置に関するものである。
【解決手段】
古典的な真空蒸着を縮退させる、一方における層厚の均一性と他方における原料歩留まり及びコーティング速度との間の既存の矛盾を克服するために、基板は、蒸発源により供給される実質的に閉じられたコーティングチェンバの境界を形成する。このコーティングチェンバの壁及びコーティングされるべきでない全ての表面は、蒸気が凝縮することができずに上記コーティングチェンバに散乱して戻されるように、或る温度に維持されるか又は非粘着性コーティングを備える。これにより、上記コーティングチェンバ内には非常に高い蒸気圧が生成され、その結果、基板上での非常に高い凝縮速度及び層厚の均一性が得られる。該基板は、蒸気が凝縮し得る唯一の表面となるので、失われる材料の量は非常に少なく、歩留まりは極めて高くなる。蒸発源のパルス的動作の使用により、短いサイクルのコーティングを実現することができる。
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【課題】装置の外径サイズを一定寸法以下に維持しつつ、生産効率及びコストパフォーマンスの高い真空装置を提供する。
【解決手段】真空排気可能なチャンバ３０と、第１及び第２トレイを、チャンバ３０の上部の第１及び第２の領域の直下に、交互に移動させるように回転する円盤状の回転機構３１とを備え、第１の領域の直下を第１及び第２トレイ１１，２１のいずれかが仕切ることにより、第１の領域がなす密閉領域を処理室２０として定義し、第２の領域の直下を第１及び第２トレイ１１，２１の他のいずれかが仕切ることにより、第２の領域がなす密閉領域をロードロック室１０として定義し、チャンバ３０の内部において、第１及び第２トレイ１１，２１をロードロック室１０と処理室２０との間を交互に搬送し、回転機構３１の載置面で規定される領域のサイズに応じて第１及び第２トレイ１１，２１のそれぞれが複数の被処理基板１０１，２０１を配列する。 （もっと読む）

【課題】蓋部を開閉するための設備をシンプルに構築し易くなって、コストダウンにも有効であるチャンバーラインを提供する。
【解決手段】複数のチャンバー４Ａ〜４Ｅの並び方向Ｄに沿って配置されたレール１１と、レール１１に沿って移動自在であり、複数のチャンバー４Ａ〜４Ｅに設けられた複数の天板（蓋部）９をそれぞれ昇降させてチャンバーを開閉可能な天板チェンジャー１３と、を備える。天板チェンジャー１３は、複数のチャンバー４Ａ〜４Ｅの並び方向Ｄに沿って移動自在であり、任意のチャンバー４Ａ〜４Ｅの天板９を昇降できる。その結果として、一つの天板チェンジャー１３で複数のチャンバー４Ａ〜４Ｅを開閉させることができるようになり、チャンバー４Ａ〜４Ｅを開閉するための設備をシンプルに構築し易くなり、コストダウンにも有効である。 （もっと読む）

【課題】 加熱性を損なうことなく被加熱体を冷却することが可能な被加熱体の冷却方法を提供すること。
【解決手段】 少なくとも一部が断熱材で覆われた被加熱体を冷却する被加熱体の冷却方法であって、被加熱体１０を加熱するとき、断熱材１１を被加熱体１０に密着させ、被加熱体１０を冷却するとき、被加熱体１０と断熱材１１との間に空間１３が生じるように、断熱材１１を被加熱体１０から離間させ、空間１３中に冷却流体１４を送り込み、被加熱体１０を冷却する。 （もっと読む）

【課題】短時間化、低コスト化が可能な一次元ナノ構造体の製造方法、一次元ナノ構造体の製造装置及び電子デバイスの製造方法並びにこの方法によって製造された電子デバイスを提供すること。
【解決手段】厚さが５００ｎｍ以下のアモルファス酸化バナジウム薄膜を基板上に形成し、酸素、窒素、希ガスの単独又は混合ガスを用い、減圧又は常圧の雰囲気において、室温で薄膜にエネルギー密度が１Ｊ／ｃｍ²以下のパルスレーザを照射して二酸化バナジウムを母材とし単斜晶型又はルチル型の結晶構造を有する一次元ナノ構造体としてナノワイヤを形成し、基板をエッチング処理して基板にナノワイヤを残存させる。一次元ナノ構造体の製造方法は、二酸化バナジウムの金属−絶縁体相転移を利用した各種の電子デバイスの製造に適用される。 （もっと読む）

【課題】 分割プレート（１４）と、少なくとも一つのスパッド箇所（１８）と、少なくとも一つのマニホールド（２０）とを含む、中空物品（５０）の内面（６０）を気相コーティングするための構造（１０）を提供する。
【解決手段】 分割プレート（１４）は、蒸気コーティング（Ｃ）を供給するためのチャンバ（１６）の一部を形成する。各スパッド箇所（１８）はチューブ（２２）を有し、成形可能な第１シーラント（２６）がチューブ（２２）の周囲に配置されている。各マニホールド（２０）は、蒸気を夫々の中空物品（５０）内に供給するため、マニホールド（２０）から延びる少なくとも一つの供給チューブ（２８）を有する。各マニホールド（２０）は、蒸気をマニホールド（２０）内に供給するため、マニホールド（２０）から延びる送込みチューブ（３０）を有する。各スパッド箇所（１８）のチューブ（２２）は、夫々のマニホールド（２０）の送込みチューブ（３０）に挿入されており、マニホールド（２０）から遠方の送込みチューブ（３０）の端部（３２）は、成形可能な第１シーラント（２６）内に配置されている。成形可能な第２シーラント（３４）が夫々のマニホールド（２０）の少なくとも一つの供給チューブ（２８）の周囲に及び夫々のマニホールド（２０）と中空物品（５０）との間に配置されている。 （もっと読む）

【課題】ホローカソード型プラズマガン３を使用してプラズマアシスト蒸着を行う装置において、蒸着プロセス室の圧力上昇による蒸着膜の膜質劣化等の問題を解消し、透明で緻密な酸化物膜等が得られる蒸着装置を提供する。
【解決手段】ホローカソード型プラズマガン３のプラズマ放出部１０３と蒸着室１０１との間を圧力的に仕切りかつプラズマが蒸着室１０１へ通過可能な孔２１を有する隔壁２を有する。プラズマアシスト蒸着を行うためのホローカソード型プラズマガン３と、蒸着室１０１と、プラズマガン３のプラズマ放出部１０３と蒸着室１０１との間を圧力的に仕切りかつプラズマが蒸着室１０１へ通過可能な孔２１を有する隔壁２とを有する。 （もっと読む）

【課題】容器内の真空度を短時間で高められる真空成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板を配置可能な空間部１０１ｄを備えた反応容器と、空間部１０１ｄ内に設置された成膜手段と、空間部１０１ｄの内部を減圧状態とする排気手段と、反応容器の一面に設けられ、空間部１０１ｄに連通された開口部１０１ｃと、開口部１０１ｃを覆うように取り付けられ、開口部１０１ｃを開閉自在とする扉部１０７と、開口部１０１ｃまたは扉部１０７の外周に取り付けられた枠部８０３と、枠部８０３に開口部１０１ｃを囲むように形成された溝部８０３ｃと、溝部８０３ｃに嵌めこまれたＯリング８０２と、枠部８０３に取り付けられ、枠部８０３を加熱する加熱部８０４と、を有する真空成膜装置を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

コーティング設備のための真空室（１）が意図されており、真空室（１）は底面プレート（６）とカバープレート（２）とを有しており、これらは底面プレート（６）およびカバープレート（２）に対して実質的に垂直に延びる支柱（４）によって相互に結合されており、多数の開口部（９）が底面プレート（６）、カバープレート（２）、および支柱（４）によって定義され、少なくとも底面プレート（６）の前縁（１５’）の一区域とカバープレート（２）の前縁（１５）の一区域は２つの支柱（４）と共同で、開口部（９）へ挿入可能な挿入プレート（８）のために、多数の開口部（９）のうちの１つの開口部（９）の回りを周回する密閉面（７）を形成する。さらに、コーティング設備のための真空室（１）を製造する方法が提供され、この方法は、底面プレート（６）、カバープレート（２）、および底面プレート（６）とカバープレート（２）を結合する支柱（４）を有するフレームを嵌め合わせるステップと、底面プレート（６）およびカバープレート（２）を支柱（４）と溶接するステップとを含んでいる。
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【課題】積層膜の層構成や処理プロセス構成の変更に対応できるチャンバ、これを複数接続した成膜装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１００は、上下が開口され、基板の処理空間２１３を区画する容器本体１１０と、容器本体１１０の下部開口部を着脱可能に密閉する底部材１１１と、容器本体１１０の上部開口部を着脱可能に密閉する蓋部材１１２と、からなり、排気系２０１に接続される排気口１１４が設けられた底部材１１１を備えると共に、基板の処理機能を有するプロセスモジュール１２０が搭載された蓋部材１１２を備え、容器本体１１０を共通として、底部材１１１及び蓋部材１１２が交換可能である。 （もっと読む）

本発明は、排気され得る少なくとも１つのプロセスチャンバ（０２）と、少なくとも１つの入口開口（１０）および少なくとも１つの出口開口（１１）とを備える真空被膜システム（０１）に関する。プロセスチャンバ（０２）を通過しながら被膜されるウェハ要素（０３）は、入口開口（１０）および出口開口（１１）を経てプロセスチャンバ内に送り込まれ、かつそこから取出されることができる。パドルバルブ閉止経路に沿って開放位置と耐圧に閉止される位置との間で調節され得るパドルバルブ（０８，０９）は、入口開口（１０）および出口開口（１１）上にそれぞれ設けられる。ウェハ要素（０３）を搬送する目的で、少なくとも３つの搬送装置（０４，０５，０６，０７）を有する搬送システムが設けられ、第１の搬送装置（０４，１７）は入口開口（１０）の上流に配置され、第２の搬送装置（０５，１７）はプロセスチャンバ（０２）内に配置され、第３の搬送装置（０６，１７）は出口開口（１１）の下流に配置される。各搬送装置（０４，０５，０６，１７）は、ウェハ要素（０３）を上方から載置し、かつ、搬送要素（１４，１８）を回転駆動することによりウェハ要素（０３）を搬送方向（０７）に真空被膜システム（０１）内を通して引き渡すことのできる、少なくとも１つの回転搬送要素（１４，１８）を備える。搬送システムは、入口開口（１０）および／または出口開口（１１）に調節可能な移動搬送装置（１２，１３，１６）を有し、移動搬送装置は、移動位置とアイドル位置との間で調節可能であり、移動搬送装置（１２，１３，１６）の移動位置においては、ウェハ要素（０３）を、開放されている入口開口または開放されている出口開口を経て、１つの搬送装置（０４，０５，０６，１７）から引き渡し方向（７）の下流の次の搬送装置に移動させることができ、移動搬送装置（１２，１３，１６）のアイドル位置においては、パドルバルブ閉止経路に沿って関連のパドルバルブ（０８，０９）を調節することにより、入口開口（１０）および／または出口開口（１１）を開放または閉止することができる。
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【課題】第１部材と第２部材とを締結部材を用いて締結する際にこれらの間に介在された部材（すなわち絶縁フランジ）が破壊されるのを防止する。
【解決手段】真空成膜装置１０の一部を構成する絶縁フランジ構造Ｆ１は、「第１部材」としての中間電極４８と「第２部材」としての第１筒状部２６とを絶縁性を確保しつつ接合するものであり、絶縁性を有し、中間電極４８と第１筒状部２６との間に配設された環状の絶縁フランジ５６と、絶縁フランジ５６よりも弾性が高く、かつ、靭性が高い材料によって形成され、中間電極４８および第１筒状部２６のそれぞれと絶縁フランジ５６との間に隙間Ｇを確保するようにしてこれらの間に配設された環状の弾性フランジ５８ａ，５８ｂと、中間電極４８と第１筒状部２６とを絶縁フランジ５６を介して締結するボルト６２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】真空容器を構成する板材の結合部の気密性を、簡単な構造で向上させる。
【解決手段】真空容器1は、金属板2，3が曲げ加工によって所定の形状に折り曲げて形成されて、互いに結合されて内部に閉空間を構成する板材としての２枚で一組の曲げ材20，30を備えている。また、真空容器1は、曲げ材20と曲げ材30との結合部の隙間を封止するシール部材と、曲げ材20，30の両方の内面に当接されて閉空間に配置される立体格子状の構造体5と、を備えている。さらに真空容器1は磁石ユニット70を備えている。磁石ユニット70は、曲げ材20，30を構造体5に固定しつつ、曲げ材20，30同士の結合部に沿ってシール部材4であるＯリングを押圧して結合部の隙間を封止する。 （もっと読む）

スパッタリング装置は，少なくとも１つの側壁と，基板と，覆部とによって形成された真空チャンバーと，真空チャンバー内に配置された面を有する少なくとも１つの第１の電極と，真空チャンバー内に配置された面を有する対向電極と，高周波発生器とを備える。高周波発生器は，少なくとも第１の電極と対向電極間でプラズマを点火するように第１の電極と対向電極へ高周波電場を印加するよう構成されている。対向電極は，真空チャンバーの側壁及び／または基板の一部及び付加的な導電部材を備える。この付加的な導電部材は互いに一般的に平行に配置されると共に互いにある距離離隔した少なくとも２つの面を有している。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスクを製造するために使用する、直線的に配置した複数のモジュール式処理室の列から、保守等のために一つの室を交換／置換する際にその作業が迅速且つ効率的に行えるような処理室設計を提供すること。
【解決手段】この処理ライン５０は、各処理室５０ａ−５０ｇを、好ましくは二等辺の、台形に構成し且つ交互に逆向きに配置したので、一つの室５０ｆの交換はそれをラインと垂直に動かすだけでよく、両側に隙間を創るためまたは無くするために他の室５０ｅ、５０ｇを動かす必要がなく、シール５６を損傷することもない。従って、室交換のために必要な時間および労力を短縮でき、シール５６の使用寿命を延すことができ、ライン停止時間が短いので生産性が向上する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子流輸送用の輸送室の熱損傷、および、この輸送室での荷電粒子流の電力効率低下を簡易かつ適切に抑制できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置１００は、アノードおよびカソード間の放電により、荷電粒子流を形成できる荷電粒子流形成手段４０と、荷電粒子流形成手段４０から放出された荷電粒子流２７を輸送する輸送室２０と、輸送室２０から放出された荷電粒子流２７を用いて真空処理が行われる接地状態の導電性の真空処理室３０と、を備える。そして、輸送室２０が、導電性の第１壁部材２０Ｃおよび第１壁部材２０Ｃの内部に配された絶縁性の第２壁部材２０Ｄを有しており、第２壁部材２０Ｄの内部が、荷電粒子流２７の輸送空間２１になっている。 （もっと読む）