【課題】一つの成膜装置で蒸着重合法及びスパッタリング法を行うことができる複合型の成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜対象を設置する真空成膜室と、前記真空成膜室中の前記成膜対象にスパッタリング法により膜を形成するスパッタリング手段３０と、前記真空成膜室中の前記成膜対象に蒸着重合法により膜を形成する蒸着重合手段２０ａ、２０ｂとを備え、前記スパッタリング手段３０は、スパッタリングターゲット３１が設けられたターゲット室３２からなり、当該ターゲット室３２は、前記真空成膜室に可動遮蔽手段を介して接続され、前記蒸着重合手段２０ａ、２０ｂは、原料モノマーが封入されている蒸発源容器２１ａ、２１ｂと、蒸発源容器２１ａ、２１ｂに設けられた加熱手段２２ａ、２２ｂとからなる。 （もっと読む）

【課題】被成膜面が山型形状のワークを成膜する場合に、均一な成膜を行なえるターゲットの裏面側に磁石を配設した平板型のカソ−ドを備えたマグネトロンスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ターゲット１１を、ターゲット面１１ａがワーク４の被成膜面４ａに沿うように、ワーク４の被成膜面４ａの形状に対応して逆山型形状となるように折曲せしめる一方、磁石１３を、前記逆山型形状のターゲット１１の裏面側の外周部に配される外側磁石と、該外側磁石の内周側に配される内側磁石とを用いて構成する。 （もっと読む）

【課題】成膜されるワークを支持する第一金型と、成膜手段が組込まれる第二金型とを用いて構成される成膜用金型装置において、第一金型がワークと共に成膜されてしまうことを防止する。
【解決手段】ワーク４を成膜するにあたり、ワーク４を第一金型２の凸型面２ａに支持せしめた状態で、第一金型２の凸型面２ａおよび凸部２ｂを第二金型３の成膜チャンバー３ｃ内に突入せしめると共に、第二金型３に、前記ワーク４を支持する第一金型２を成膜粒子からマスキングするマスキング部材１０を設けた。 （もっと読む）

【課題】巻出ユニット、巻取ユニットの交換作業が容易な連続成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明の連続成膜装置は、真空チャンバー１内に成膜ロール２と、前記成膜ロール２に巻き掛けられた被成膜材に側方から成膜物質を供給する蒸発源７Ｌ１，７Ｌ２，７Ｒと、前記被成膜材を前記成膜ロール２に供給する巻出ユニット３及び成膜後の被成膜材を巻き取る巻取ユニット４を備え、前記蒸発源を前記真空チャンバー１内に搬入搬出する蒸発源用ドア部１６Ｌ、１６Ｒと、前記蒸発源用ドア部とは別に前記巻出ユニット３および巻取ユニット４を搬入搬出する被成膜材用ドア部１７Ｌ，１７Ｒが前記真空チャンバー１に開閉自在に設けられる。 （もっと読む）

【課題】 真空容器の軽量化、材料コストの低減を図り、比較的容易に製造し、運搬時の取り扱いを容易にする。
【解決手段】 真空容器は、金属板が折り曲げられて形成され互いに結合されて内部に閉空間を構成する２枚を一組とする曲げ材と、一組の曲げ材の結合部を封止する閉曲線からなる１本のシール部材と、曲げ材の内面に当接されて閉空間に配置される構造体と、一組の曲げ材の結合部を結合する締結部材とを備える。 （もっと読む）

【課題】処理室内を短時間で冷却することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハ１を処理する処理室１２と、処理室１２の外周側に設けられたヒータ３９と、ヒータ３９の外周側に設けられた内側壁３４と、内側壁３４との間に空間３６を形成して設けられる外側壁３５と、空間３６に設けられる冷却された水冷ジャケットと、内側壁３４及び外側壁３５の一方と接触する接触位置と、内側壁３４及び外側壁３５のいずれにも接触しない非接触位置との間で水冷ジャケットを移動させる移動機構６４と、移動機構６４を制御するコントローラとを有する。 （もっと読む）

【課題】成膜する際に基板表面に異物が付着することにより膜に欠陥が生じるのを防止し、製造歩留りを向上できる成膜装置を提供すること。
【解決手段】成膜装置１００は、膜材料２２を蒸発させて基板２８の表面２８ａに成膜する成膜装置であって、成膜室１０と、成膜室１０内の底部１４側に配置されており、膜材料２２を収容するハース２０と、成膜室１０内にハース２０に対向して配置されており、基板２８を保持する保持部２６と、成膜室１０内にプロセスガス４９が導入されるガス導入口１８と、成膜室１０の底部１４に設けられた開口部１４ａと、開口部１４ａを介して成膜室１０に連通されており、成膜室１０内の雰囲気を排気する排気口３４が設けられた排気室３０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【解決課題】磁性を有する粉末の表面に、スパッタリング法で種々の金属をコーティングすることができる磁性粉末コーティング用スパッタリング装置を提供すること。
【解決手段】真空に保持された回転ドラム内で、磁性を有する粉末をスパッタ粒子でコーティングする粉末コーティング用スパッタリング装置であって、半円筒状ケーシングとハウジングとによって形成される半円筒状の空洞部に非磁性でかつ導磁率が１．２以下の特性を有するオーステナイト系ステンレス鋼の粉末が充填され、バッキングプレート、マグネット及び冷却水通路と、ターゲットプレート及び粉末付着防止用スカートとを備えたスパッタリングユニットがハウジングの下側に取り付けられ、ターゲットプレートの表面が装入された磁性粉末に対して回転ドラムの回転中心点よりも遠い位置に設置されており、回転ドラム内に粉末撹拌翼が設置されている。 （もっと読む）

【課題】蒸発物の回収部と回収物の収納場所とを切り離して別個のものとすることにより処理効率を向上させ、また、収納容器を十分に大きなものとすることを可能にしてその交換頻度を激減させてその交換の手間を省くことができ、以て、有価金属の加熱蒸発回収作業の簡素化と高効率化を実現し得る、真空蒸発回収方法及び装置を提供する。
【解決手段】有価金属を含む処理品を、還元ガスを用い又は用いることなく真空炉１内において減圧下で加熱蒸発処理して前記有価金属を回収するための装置であって、前記真空炉１に付設され、前記処理により発生する蒸発金属を付着堆積させて前記有価金属を回収する回収筒２と、回収部２において回収され、加熱されてそこから剥落される回収金属を収納する収納容器４とが分離されて設置される。回収筒２は、真空炉１の下面に下向きに設けられる、ヒータ層５、６を備え、収納容器４は回収筒２の下方に搬入される。 （もっと読む）

【目的】プラズマに混入するドロップレットをより効率的に除去でき、高純度プラズマによる成膜等の表面処理精度の向上を図ることのできるプラズマ生成装置及びそれを用いたプラズマ処理装置を提供することである。
【構成】プラズマ進行路に設けたドロップレット除去部は、プラズマ発生部Ａに連接されたプラズマ直進管Ｐ０と、プラズマ直進管Ｐ０に屈曲状に連接された第1プラズマ進行管Ｐ１と、第1プラズマ進行管Ｐ１の終端に、その管軸に対して所定屈曲角で傾斜配置させて連接された第２プラズマ進行管Ｐ２と、第２プラズマ進行管Ｐ２の終端に屈曲状に連接され、プラズマ出口よりプラズマを排出する第３プラズマ進行管Ｐ３とから構成されている。 （もっと読む）

基板を装填するための装填チャンバ、基板を処理するためのプロセスチャンバ、プロセスチャンバを装填チャンバから分離する封止面、および基板を垂直に装填チャンバからプロセスチャンバに移動させるための手段を含む、基板を処理するためのプロセス装置、ならびに、基板を処理するための方法を提供する。装填チャンバはプロセス装置の下部および上部の一方に位置し、プロセスチャンバはプロセス装置の下部および上部の他方に位置する。この発明のプロセス装置および方法は、基板を装填するための移動数を低減することにより容易なメンテナンスおよびコストの低減を達成する。
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【課題】本発明は、基板をコーティングするためのコーティング装置に関する。
【解決手段】コーティング装置は、隣り合わせて配置された少なくとも２つの処理チャンバ（１、２、３、４）と、これら２つの隣り合う処理チャンバの間の分離板（９）と、処理チャンバを排気するためのポンピング手段（１２、１３）とを備え、分離板（９）は、少なくとも２つの端部を有する導管を備え、導管の端はポンピング手段に連結され、もう一端は処理チャンバの少なくとも一方のための少なくとも１つの吸気開口部を有している。 （もっと読む）

【課題】成膜チャンバーの内壁部分へのパリレン膜の付着量を抑制できる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】ポリパラキシリレン又はその誘導体からなる膜を基体上に形成する成膜チャンバーを備える成膜装置であって、前記成膜チャンバーの内壁を加熱する加熱手段を有し、基体を冷却する冷却手段をさらに有することを特徴とする成膜装置。 （もっと読む）

【課題】処理容器の側壁への不要な付着膜の堆積を抑制してクリーニング処理の頻度を減少させると共に、クリーニング処理時間を短くし、これにより装置の使用効率を上げてスループットを大幅に向上させることが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗの表面に高分子薄膜を形成する成膜装置において、被処理体を収容する処理容器４と、処理容器内で被処理体を保持する保持手段６と、処理容器内を真空引きする真空排気系３０と、処理容器内へ高分子薄膜の複数の原料ガスを供給するガス供給手段２０と、処理容器を加熱する容器加熱手段１４と、保持手段を冷却する内部冷却手段４０と、処理容器の側壁と保持手段との間の温度差が所定の温度差以上になるように制御する温度制御部６２とを備える。これにより、処理容器の側壁への不要な付着膜の堆積を抑制する。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な構成でドロップレットをより確実に排除することができる成膜装置及び成膜方法並びに磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録装置の製造方法を提供する。
【解決手段】グラファイトからなる筒状のアノード電極２４の内側に、グラファイトからなるカソード電極２１が配置される。アノード電極２４とカソード電極２１との間に電源２６から電力が供給し、アーク放電を発生させてカソード電極２１の周囲に炭素イオンを含むプラズマを生成する。このプラズマは、アノード電極２４に設けられた開口部を介して外部に出て、コイル２５による磁場で進行方向が曲げられ、基板まで搬送される。そして、プラズマ中の炭素イオンが基板の面上に堆積してＤＬＣ膜が形成される。一方、アーク放電により発生したドロップレットは、磁場の影響を殆ど受けず、プラズマの搬送方向とは無関係の方向に飛散して、ＤＬＣ膜に付着することが回避される。 （もっと読む）

本発明は、処理ゾーン６を通る走行方向に移動する走行基板２５のコーティングのための方法及び装置に関するものであり、コーティング材料の蒸気が、チャンバ５内で生成され、この蒸気は処理開口を通り処理ゾーン６に向かい、そこで、コーティング材料は基板２５の表面に凝結する。処理開口を通る蒸気流は、開放位置と閉鎖位置との間で、少なくとも１つのシャッター１３によって処理開口が遮断される程度を調整することによって制御される。開放位置においては、前記蒸気が処理開口を通って処理ゾーン６の方へ流れる。閉鎖位置においては、蒸気が処理開口を通って処理ゾーン６の方へ流れることが妨げられる。
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基板処理システムのスループットを増加させるための方法および装置が提供される。基板を処理するためのクラスターツール（１００）への取り付けのために構成される処理チャンバー（２００）は、二重の、互い違いの処理領域（２１０、２１２）を有する。これらの処理領域は、基板が各領域内で同時に処理されてもよいように、お互いから分離される。
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２つの平行するリンク部（６）によって本質的に平らな前部を備える枠組構造と、平行なレバー（１４）によって起動棒（１２ａ）とに、それぞれ接続される二つのキャリア（５ａ）を具備する真空室のための仕切弁。レバー（１４）を用いた、ピストン（１７）による動作棒（１２ａ）の上方への動作は、キャリア（５ａ）の上方への動作をもたらし、キャリア（５ａ）の動作はリンク部（６）により円軌道の動作に変換され、同時に、キャリア（５ａ）は前部と平行を保ちながら前部に近づき、密閉板（９）が前部及び開口部（３）を圧迫する作動位置に、キャリア（５ａ）に固定された密閉板（９）を移動させる。ピストン（１７）の収縮は、逆の動作をもたらし、それにより、密閉板（９）は、開口部（３）から完全に取り除かれ、開口部（３）は、簡単にアクセス可能になる。
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本発明は、真空チャンバおよびその製造に関する。本発明によると、真空チャンバは挿入プレートが挿入されるフレームを含んでいる。挿入プレートはフレームとともに、内部で真空を生成することができる閉じられた空間を形成する。フレームの筐体は一体的な金属材料から広い面積の材料を取り除くのが好ましく、それにより、挿入プレートのための開口部が生じる。このことは特に、挿入プレートが挿入される場所で、溶接継目が必要ないという利点がある。
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【課題】ハウジング部に光源を組み込んで、ハウジング部内側面と、光源先端部とに反射膜を形成するにあたり、光源先端部の膜厚がハウジング部内側面の膜厚よりも厚くなるようにする。
【解決手段】固定金型となる第一金型６に、第一、第二マグネトロンスパッタリング装置９ａ、１０ａを備えた第一、第二成膜装置９、１０を設けるとともに、第一成膜装置９を構成するターゲット室１１ａの開口にマスキング部材１６を設ける構成とし、一次の射出工程の後、第二金型６に保持され、バルブ３が組み込まれたハウジング部４に対し、第一成膜装置９による第一成膜工程と、第二成膜装置１０による第二成膜工程とを実施する構成とする。 （もっと読む）