【課題】基材表面が金属単原子層で被覆された金属単原子層被覆材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】親和力、融点及び蒸発温度に関して所定の関係を満たす第１の基材及び被覆金属を、金属単原子層が形成されるように密閉容器内に封入する封入工程と、密閉容器を、各被覆金属の真空での蒸発温度の最大値Ｔ_Mb以上、各第１の基材と各被覆金属とが反応する温度の最小値及び密閉容器の耐熱温度の内のいずれか低い方の温度以下で加熱した後、冷却し、第１の基材の表面を被覆金属からなる金属単原子層で被覆する被覆工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】異なる金属間、金属と酸化物、金属と窒化物、酸化物と窒化物等、複合化する材料の組合せが自由に調整できるナノコンポジット膜および／またはナノ多層膜を成膜できる装置及び方法の提供を目的とする。
【解決手段】成膜室を隔壁で仕切ることで複数のチャンバーを形成し、且つ各チャンバーを横切るように可動する可動部を有し、各チャンバーはそれぞれ減圧排気装置、ガス導入口及び蒸気源となるターゲットの保持部を有し、可動部が各チャンバーを横切るように成膜室を複数のチャンバーに仕切ったことで可動部、隔壁及び成膜室内壁の組み合せ間に生じ得る隙間を、ガスが他のチャンバーに混入しないように、隣接チャンバー間に形成された隙間断面積Ｓを粘性流が生じない所定の大きさ以下にしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】内壁の水素脆化により発生するパーティクルを取り除くためのイオン源とドーピング室の大気開放処理、および洗浄処理の頻度を大幅に下げるイオンドーピング装置を提供すること。また、当該イオンドーピング装置内の低塵化方法を提供すること。
【解決手段】イオン源とドーピング室に水素元素、酸素元素を供給し、６００℃以上１０００℃以下とすることで、その内壁に三酸化二クロム（Ｃｒ_２Ｏ_３）の皮膜を形成する。これにより、水素脆化の進む前に当該内壁の補修、補強ができるため、大気開放する頻度の著しく低いドーピング装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】装置の外部から観察し、ガラス基板の搬送や位置決めを行うための搬送ロボットのティーチング作業に好適な真空チャンバ装置を提供する。
【解決手段】壁部材１１により周囲を取り囲んでその内部に真空環境を形成すると共に、当該真空環境内に、少なくとも、ガラス基板１００の表面に蒸着処理を行うための蒸着ステージ３０と共に、ガラス基板を蒸着ステージへ搬送するための搬送ロボット２０を収納した真空チャンバ装置において、壁部材の一部に覗き窓（ビューポート）４０を備え、かつ、当該覗き窓は略半球状で均一の肉厚で形成した窓部材４１を備え、そして、半球状の部分が真空環境側に突出する。 （もっと読む）

【課題】不純物が混入しない酸化物半導体膜を成膜する成膜装置を提供することを課題とする。不純物が混入しない酸化物半導体膜を含む半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】成膜装置を含む環境から不純物を排除することにより、成膜装置の外部から成膜装置内へ不純物を含む気体が漏洩（リーク）する現象を防げばよい。また、当該装置を用いて成膜した、不純物が低減された酸化物半導体層を半導体装置に適用すればよい。 （もっと読む）

【課題】コリメーター交換に伴うメンテナンス時間減少や生産効率の向上が可能な機能を備えたスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置において、スパッタチャンバーと搬送チャンバーにおのおのコリメーターを設置する場所を備えてチャンバー間でコリメーターを移動可能とする。コリメーターの移動には試料搬送に用いる搬送機器を利用する。コリメーション方式と通常スパッタリング方式の成膜が単一チャンバーでも共用可能なスパッタリング装置とすることでメンテナンスの減少や生産性向上が可能となる。またシャッター板の設置も可能である。 （もっと読む）

【課題】メンテナンスコストを低減するとともに、リーク箇所を特定することができるインライン式の真空処理装置に適したリークチェック方法を提供する
【解決手段】本発明のリークチェック方法は、複数のチャンバがそれぞれゲートバルブを介して連接されてなるインライン式真空処理装置Ｓに好適に適用されるものであって、リークチェックが行われるチャンバＰ６の隣に連接されたチャンバＰ７内に所定量のガスを導入するガス導入Ｓ００４の後に、チャンバＰ６及びチャンバＰ７の真空度を測定Ｓ００５し、チャンバＰ６の真空度を基準値と比較Ｓ００７した結果を出力Ｓ００８し、その後に、チャンバＰ６のチャンバＰ７とは逆側に連接されているチャンバに対して上記のようなリークチェックが順次行われる。 （もっと読む）

【課題】被加熱体の面内温度を均一にする。
【解決手段】被加熱体Ｗが搬出入される開口部６を有するチャンバ５と、前記チャンバ内に設けられ、被加熱体を加熱するためのヒータ１０と、前記チャンバ内に設けられ、前記被加熱体を保持するための保持機構１１と、前記ヒータからの熱を前記被加熱体に向けて反射するためのリフレクタ１４と、を備え、前記リフレクタは、前記ヒータを挟んで前記被加熱体とは反対側に配置され、前記リフレクタにおける前記開口部に近接する位置の面積を他の位置に比べて拡大した。 （もっと読む）

【課題】不純物を含まない良質な薄膜を成膜することができるスパッタリング装置、前記スパッタリング装置を用いた良質な薄膜の作製方法の提供する。
【解決手段】半導体材料に代表されるターゲット材と、前記ターゲット材と同じ材質の溶射物に被覆された部品を具備するスパッタリング装置を用いて、希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加して、前記ターゲット材を用いて半導体層の成膜を行う発光装置の作製方法。 （もっと読む）

【課題】プロセスチャンバとポンプとの間のバルブや導管に起因するコンダクタンス損失を低減または解消し、かつ、ポンプをプロセスチャンバのプロセス空間に流入する気体分子の気体分子源に対して最適な位置に配置することができるプロセスチャンバシステムを提供する。
【解決手段】本発明のプロセスチャンバシステム５００は、プロセス空間５１４を有するプロセスチャンバと、プロセスチャンバに着脱可能に取り付けられた複数の冷凍機５０２と、冷凍機５０２に着脱可能に取り付けられた複数のアレイ５０４とを備える。冷凍機５０２とアレイ５０４とがプロセスチャンバ内に延在して、プロセス空間５１４内に排気面を形成している。この排気面は、プロセス空間に連通する気体分子源の近傍に配置され得る。 （もっと読む）

【課題】より安価に化合物結晶を製造することができる化合物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶５の表面の少なくとも一部と塊状の固形物からなる固体原料３の表面の少なくとも一部とが間隔を空けて互いに向かい合うように種結晶５と固体原料３とを配置する工程と、固体原料３を加熱する工程と、固体原料３の加熱により固体原料３が昇華して発生した昇華ガスを、互いに向かい合っている種結晶５の表面と固体原料３の表面との間の領域から実質的に外部に漏洩させずに種結晶５の表面上に化合物結晶を成長させる工程と、を含む、化合物結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】真空処理装置が大型化すると上蓋開閉に必要な動作範囲が広がり、真空処理装置が設置される空間の天井高さなどに制約を与えることになっていた。また、交換作業時において上蓋等開けた状態に対応できる空間（作業範囲）の確保が必要であり、真空処理装置の周辺には、作業スペースを広げる必要があった。
【解決手段】被処理基板を真空処理する真空容器と、真空容器の開口部を開閉する蓋部材と、蓋部材を真空容器に対して着脱自在に並進移動させる昇降機構と、蓋部材に配置された処理部材を、蓋部材の上方で処理部材のみを表裏反転させる昇降回転機構とを備えて、
処理部材には、被処理基板に対向することにより真空処理を行う構造物が配置されている。 （もっと読む）

【課題】ＰＶＤ法やプラズマＣＶＤ法などによりシート状の基材表面に皮膜を形成するためのシート成膜装置において、水冷構造による構造複雑化を招来することなく、成膜処理等で生ずる熱による膨張変形での各ロールの平行度の狂いを防止できるようになる。
【解決手段】本発明に係るシート成膜装置は、表面に成膜が行われるシート状の基材が巻き付けられる成膜ロール５と、成膜ロール５が内部に配備された真空チャンバ３とを有すると共に、成膜ロール５の両端を内側壁で支持する一対のベース板２２と、少なくとも両側が開口３０となっているチャンバ基体２０とを有し、一対のベース板２２の外側壁が大気開放状態となるように、チャンバ基体２０の開口３０に一対のベース板２２の各々を組み付けることで、真空チャンバ３を構成している。 （もっと読む）

【課題】同じ成膜室内で薄膜を蒸着及びスパッタすることができる薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】薄膜製造装置は、成膜室をスパッタチャンバー及び蒸着チャンバーに分け、スパッタチャンバー及び蒸着チャンバーを連通する貫通孔１２１３を有する固定板１２１を備える。ワークピースを積載する第一積載板１２２を有する積載装置１２０と、スパッタ装置と、蒸着装置１４０と、を備え、第一積載板は、スパッタチャンバー又は蒸着チャンバーに回動可能に取り付けられ且つ貫通孔の近傍に位置する。第一積載板を回動して、第一積載板が貫通孔を遮蔽しない際には、第一積載板に積載されるワークピースはスパッタチャンバー又は蒸着チャンバーに暴露され、第一積載板を回動して、第一積載板が貫通孔を遮蔽する際には、第一積載板に積載されるワークピースは蒸着チャンバー又はスパッタチャンバーに暴露される。 （もっと読む）

【課題】蒸着源の加熱初期時に蒸着源からの輻射熱によりシャッターが加熱され、シャッター表面に吸着した水分等を不純ガスとして放出するのを抑制して、高純度の金属膜形成ができる真空蒸着装置を得る。
【解決手段】真空槽と、真空槽の内部に設けられた蒸着源と、蒸着源を加熱する加熱手段と、蒸着源に対向配置され、基板を保持する基板ホルダーと、蒸着源と基板との間を開閉するシャッターを備え、このシャッター表面のうち、少なくとも基板側の表面をＡｕ又はＰｔの層で覆う。 （もっと読む）

【課題】放電ガスが各カソードに供給されるタイミングを一致させるとともに、ガスレスポンスやメンテナンス性、さらには信頼性の向上及び低コスト化を図ることができるガス供給装置を提供する。
【解決手段】ガス供給装置は、チャンバフレームと、チャンバフレームに開閉可能に取り付けられ、カソードが設けられた扉と、扉に取り付けられ、カソードに放電ガスを供給するガス流路を有する扉側導入ブロックと、チャンバフレームに取り付けられ、チャンバフレームの外部から導入された放電ガスを扉側導入ブロックに供給するガス流路を有するチャンバ側導入ブロックとを備える。扉を閉じた際に、扉側導入ブロックのガス流路とチャンバ側導入ブロックのガス流路とが連通される。 （もっと読む）

【課題】薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】大型基板の量産工程にさらに適し、高精細のパターニングを可能にするためのものであり、被蒸着用基板を静電チャックに固定させるローディング部；真空に維持されるチャンバと、チャンバの内部に配され、基板と所定程度離隔されて静電チャックに固定された基板に薄膜を蒸着する薄膜蒸着アセンブリを含む蒸着部；静電チャックから、蒸着が完了した基板を分離させるアンローディング部；基板が固定された静電チャックを、ローディング部、蒸着部及びアンローディング部に順次移動させる第１循環部；アンローディング部から、基板と分離された静電チャックを、ローディング部に送り戻す第２循環部；を含み、第１循環部は、蒸着部を通過するとき、チャンバ内部に貫通するように備わった薄膜蒸着装置、及びこれによって製造された有機発光表示装置を提供する。 （もっと読む）

高真空処理チャンバー、高真空処理チャンバーと連結されたトランスフォーマー型プラズマトロン、及び、トランスフォーマー型プラズマトロンに少なくとも１つのガスを導入するための、トランスフォーマー型プラズマトロンに連結された少なくとも１つのガス源とを具備するプラズマ発生装置であって、前記高真空処理チャンバーは少なくとも１つのエントリーポートを有し、前記トランスフォーマー型プラズマトロンは、交流電流を発生させるためのラジオ周波数電力源と、該ラジオ周波数電力源と接続された複数の導体と、前記ガスを閉じ込める閉ループ・ディスチャージチャンバーと、該閉ループ・ディスチャージチャンバーの周りに取り付けられ前記導体と接続された複数の透磁性の高い磁気鉄心と、該閉ループ・ディスチャージチャンバーの内側に沿って配置した複数の開口と、内側部分と外側部分とを連結する少なくとも２つの絶縁ガスケットを具備し、前記エントリーポートは、前記内側部分が前記高真空処理チャンバーに物理的に貫通するよう該内側部分を受け取るように構成され、前記導体は前記複数の透磁性の高い磁気鉄心の周りに１次巻き線を形成し、前記閉ループ・ディスチャージチャンバー中のガスは前記複数の透磁性の高い磁気鉄心の周りに２次巻き線を形成し、前記トランスフォーマー型プラズマトロンは、前記導体に前記交流電流が供給されたとき、それぞれのプラズマの少なくとも１つのガスに点火し、前記開口は、前記内側部分から該それぞれのプラズマを前記高真空処理チャンバーに放出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングカソードの装着作業性と成膜の均一性を確保することができるスパッタリング装置を提供する
【解決手段】本発明の実施形態に係るスパッタリング装置は、ターゲットユニット２１を空間部１９に対して着脱操作する際、リブ１８と対向するターゲット部３１を、リブ１８と対向する第１の状態からリブ１８と対向しない第２の状態へ変換可能な変換機構を備える。これにより、ターゲットユニット２１の着脱の際、ターゲット部３１とリブ１８との干渉を防止でき、良好な作業性を確保することができる。また、空間部１９に収容された基板の表面に対してターゲット部３１〜３３の連続性あるいは配置対称性が確保されるため、基板全面に対する成膜の均一性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】配線基板の製造においてスパッタプロセスを採用しつつ、スループットの向上及びランニングコストの低減が可能な配線基板の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜を表面に有する被処理基板１０２上に、導電体メッキ層を形成する場合、導電体メッキ層の下地となるシード層をスパッタのみによって形成した場合、密着性及びスループットの向上ができない。同一のプラズマ処理室１０９内に、プラズマ源を備え、被処理基板１０２の前処理を行なう表面処理部１０６と、複数の膜によって形成されたシード層を形成する複数のスパッタ成膜部１０７、１０８を備えた配線基板プラズマ処理装置とする。 （もっと読む）