【課題】半導体ウェハ等の処理物に対する汚染を従来に比べて低減できる熱処理装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ２０を収納する密閉容器５は、石英により形成された容器上部２１と、金属により形成された容器下部２２とにより構成される。密閉容器５内の空間は、仕切り板２７により上側空間と下側空間とに分割される。上側空間と下側空間とは、仕切り板２７に設けられた連絡孔２７ａにより連絡される。ガス配管２５を介して上部空間内に供給されたガスは、連絡孔２７ａを通って下部空間に流れ、真空排気装置により排気される。連絡孔２７ａの大きさは、例えば連絡孔２７ａ内を上から下に流れるガスの流速が下側空間で発生する汚染物質の実効的な移動速度よりも速くなるように設定される。 （もっと読む）

基板をバッチ被覆するコーティング装置（１００）が提供される。このバッチ式コーターでは、物理蒸着、化学蒸着、またはこれらのプロセスの組合せによって、積層を堆積することができる。従来の装置と比較して、混合モードプロセスが特に安定である。これは、従来技術による平面マグネトロンではなく、回転可能マグネトロン（１１２）を用いることによって、達成される。該装置は、プロセスステップを同時にまたは交互に行うことを可能にする回転可能シャッタをさらに備えている。
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【課題】 容器の変形によるパーティクルの発生を確実に防止することが可能な減圧容器および減圧処理装置を提供する。
【解決手段】 ロードロック室２０の内部空間を囲繞する容器本体２１の上端面２１ａに形成された溝２６内には、シール部材としてのＯリング９０が挿入され、その外側には、略Ｌ字形をした断面形状を有するスペーサー９１が、その一部を溝２６内に挿入し、Ｌ字形に屈曲した内角側の面を溝２６の内壁面から容器本体２１の上端面２１ａにかけて密着させた状態で配備される。スペーサー９１によって、容器本体２１と天板２２を離間させることにより、ロードロック室２０内が高真空状態にまで減圧された状態で天板２２に撓みが生じても、容器本体２１の内周側の角部２１ｂと天板２２との接触が回避される。 （もっと読む）

【課題】チャンバ要素上や基板の張り出しエッジ上のプロセス堆積物の堆積を減少させるプロセスキットの提供。
【解決手段】基板処理チャンバ内で基板支持体の周りに配置するための堆積リングにおいて、プロセスガスのプラズマが該基板を処理するために形成され、該基板が該基板の張り出しているエッジの前で終わる周囲壁を備え、該堆積リングが該支持体の周囲壁を囲む環状バンド２１６であって、該環状バンドから横に伸長し、該支持体の周囲壁にほぼ並行であり、該基板の張り出しているエッジの下で終わる内部リップ２１８と、隆起リッジ２２４と、内部リップと隆起リッジとの間に、基板の張り出しているエッジの下に少なくとも部分的に伸長する内部開放チャネル２３０と、該隆起リッジの放射状に外向きのレッジ２３６と、を備えている前記環状バンドを備えている防着リングを配置する。 （もっと読む）

【課題】内部リーク及び外部リークの検出を可能にする。
【解決手段】 真空槽に接続された第１の管路の開閉を行う第１のバルブ６と、前記真空槽に接続された第２の管路の開閉を行う第２のバルブ９と、前記第２のバルブを介して前記真空槽内のガスを排気するためのポンプ１１と、前記真空槽内の圧力を検出する圧力検出器１２と、前記第１及び第２のバルブの開閉を制御して、前記真空槽内を、前記ポンプの能力に基づく第１の圧力からリーク検査のための第２の圧力に設定する第１の処理と、前記第１の処理後の所定の検査時間後に前記圧力検出器の圧力を検出する第２の処理と、前記第２の処理によって取得した圧力の変化の向きに応じて前記第１及び第２のバルブのいずれにリークが生じているかを判定する第３の処理とを実施する制御部７と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体等の製造におけるプラズマ処理装置（プラズマクリーニング装置、アッシング装置、スパッタ装置）等プラズマを用いる装置に使用する部材はプラズマによるエッチングによる消耗や、パーティクル発生による製品の汚染、歩留まり生産性低下等の問題があった。
【解決手段】少なくともＳｉ、Ｏ及び、３ａ族元素又は２ａ族とＺｒとから構成された耐蝕性溶射膜が表面にコーティングされた真空装置用部材は、プラズマに対する耐蝕性が高く、パーティクルの発生が少なく、このような耐蝕性部材は、例えば、窒化ケイ素、シリカ及び３ａ族酸化物粉末と、ジルコニア粉末との混合粉末を基材に対して溶射することによって製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 真空処理室への水分の混入を確実に防止することが可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】 真空処理室１０とロードロック室２０との間には、それぞれ弁体３１ａ，３１ｂを有するゲートバルブ３０ａ，３０ｂが二重に配備されている。また、ロードロック室２０には、コンダクタンスの異なる３本の排気管２１，２２，２３が接続されており、それぞれ開閉弁６２，６３，６４を介して真空ポンプ６０に接続されている。また、ロードロック室２０の内部にＮ_２ガスを導入するＮ_２ガス供給源２６も接続されている。 （もっと読む）

【課題】 分割構造を採用しながら真空容器としての強度を確保することが可能な真空チャンバおよび該真空チャンバを備えた真空処理装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバである搬送チャンバ２０は、長方形に形成された主枠体２０１と、この主枠体２０１の長辺の対向する側部に接合される一対の補強枠体２０２ａ，２０２ｂと、主枠体２０１の上面に着脱自在に接合される天板２０３と、図示しない搬送機構と、を備え、主枠体２０１と補強枠体２０２ａ，２０２ｂとは、一体となって基板Ｓを搬送する搬送空間を形成している。 （もっと読む）

【課題】 被処理物が正しい処理位置にあるかどうかを高い信頼性でもって検知することのできる真空処理装置及び真空処理方法を提供する。
【解決手段】 被処理物によって閉塞可能な開口部を有する処理室と、前記被処理物を、前記開口部を閉塞する位置と、前記開口部から離間された位置との間で移動させるアクチュエータと、前記処理室内に放電を生じさせる電力を供給する電源と、前記放電の電気特性に基づいて前記被処理物が前記開口部を閉塞する位置にあるかどうかを判定する制御装置と、を備えたことを特徴とする真空処理装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 冷却用流路の配設構造を簡素化することができる、真空処理用チャンバを提供する。
【解決手段】 複数の壁部材１，２，３，４，１１，１２，１３を有し、壁部材１，２，３，４，１１，１２，１３の表面の一部が接合面となって該接合面同士が気密的に接合された接合部１０によって、複数の壁部材１，２，３，４，１１，１２，１３が接合されてチャンバ本体１００が構成されている、真空処理用チャンバであって、少なくとも一部の接合部１０は、接合面内において該接合面に沿って延びる間隙３０，３１が形成され、かつ該接合面の周囲が溶接によって気密的に接合されている間隙内蔵型接合部１０である。 （もっと読む）

【課題】一つの同じ蒸着装置による蒸着工程において、少なくとも５個の貯蔵燐光体プレートの一組を連続的に製造する。
【解決手段】それぞれの蒸着を開始する前に、耐火材料表面がそのるつぼユニットにおいてマトリックス成分及び活性化剤成分、燐光体プリカーサ成分又はマトリックス、活性化剤及びプリカーサ成分の組み合わせの液化原材料との接触にもたらされる。前記組の貯蔵燐光体プレート内の一つのプレートから別のプレートまでのスピードの偏差を１５％未満にする。前記組の前記プレートの各々の製造における蒸着開始前に、前記るつぼユニットに、粉末、結晶質粒子、非晶質粒子、球体、バー、スティック、インゴット及び巻体又はそれらの組み合わせからなる群から選択される耐火粒子を加えて、耐火表面を回復する。 （もっと読む）

【課題】真空容器内において部材を設定温度近傍若しくは設定温度以下に制御することが可能となる真空容器内の温度制御装置および薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】真空雰囲気内で所定の処理を行う真空容器内の温度制御装置であって、前記真空容器を構成する部材８の内部に、該処理温度近傍に融点を持つ相変化材料１１が内包されている構成とする。その際、前記相変化材料を、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｐｂのいずれかを主成分として、約１０℃以上３２７℃以下の融点を有する低融点合金で構成する。 （もっと読む）

【課題】基板処理の間に発生するパーティクルを低減するプロセスキット及びプロセスキットの設計を実現するための方法が提供される。
【解決手段】プロセスキットの内部表面は、より小さいＲＭＳ表面粗さを有する第１の材料層によりその表面をコーティングされ、より大きいＲＭＳ値を有する第２の材料層若しくは追加の材料層によりアークスプレーすることによってテクスチャード加工される。第１の材料層はビーズブラスティング、プレイティング、アークスプレー、熱溶射、若しくは他のプロセスによりコートされうる。更に、本発明は保護層により、プロセスキットの内部表面を選択的にコーティングすること、及びプロセスキットの内部表面の物質と同じ物質であるかもしれない他の材料層により保護層の表面をアークスプレーすることを提供する。 （もっと読む）

【課題】ガスバリア性を備えつつ、強浸透性内容物によるラミネート強度劣化を低減、生産コストを抑えたインライン成膜などを兼ね備えた汎用性のある積層体の製造方法および積層体が望まれていた。
【解決手段】真空中で電子ビーム加熱蒸着方式を用いてアルミ材料を溶融・蒸発・プラズマ活性化させながらプラズマ活性化領域に加熱された水蒸気を導入し、プラスチックフィルムからなる基材の少なくとも一方の面に、ＡｌＯｘ（但し０≦Ｘ≦２）からなる薄膜層を設けることを特徴とする積層体の製造方法を提供するものである。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理チャンバーのアイソレーションバルブの周囲のプラズマ漏洩を防止する方法及び装置を提供する。
【解決手段】このバルブを接地するための方法及び装置が提供される。一般に、この方法は、導電性エラストマー部材を使用してチャンバーアイソレーションバルブ及び／又はアイソレーションバルブドアを効果的に接地しながら、処理システムの可動部品間の金属対金属接触を回避する。一実施形態では、エラストマー部材は、このバルブのドアに取り付けられて電気的に連通する。エラストマー部材は、ドアが閉位置にあるときにプラズマ処理システムの接地された要素に接触させられる。別の実施形態では、導電性エラストマー部材は、アイソレーションバルブの突っ張り部材に取り付けられ、この突っ張り部材が基板処理中にアイソレーションバルブドアを位置保持するように配置されたときにプラズマ処理システムの接地された要素に接触させられる。 （もっと読む）

【課題】 真空蒸着装置において生産性を向上させる。
【解決手段】 真空蒸着装置１０は、ターゲットチャンバ１００、プロセスチャンバ２００及び飛行チャンバ３００を備える。各チャンバは相互に独立して真空を維持可能に構成されており、飛行チャンバ３００は、更にターゲットチャンバ１００内の空間１０１及びプロセスチャンバ２００内の空間２０１が夫々真空に維持されている状態で真空蒸着装置１０から取り外すことが可能に構成されている。また、飛行チャンバ３００は第１〜第３飛行チャンバから構成されており、これらも相互に脱着が可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】 真空蒸着装置において生産性を向上させる。
【解決手段】 真空蒸着装置１０は、ターゲットチャンバ１００、プロセスチャンバ２００及び飛行チャンバ３００を備える。ターゲットチャンバ１００内の空間１０１に設置された複数のターゲット１１０のうち選択された一のターゲットは、電子ビーム照射系１２０によって照射される電子ビームにより蒸発し、飛行チャンバ３００内の空間３０１を介してプロセスチャンバ２００内の空間２０１に到達し、基板２１０に蒸着される。この際、電子ビーム照射系１２０は、電子ビーム移動系１３０の作用により、選択された一のターゲットに対応する位置まで移動する。従って、複数のターゲットに対し、電子ビーム照射手段１２０が共有される。 （もっと読む）

【課題】蒸着物質の収率を向上できる真空蒸着方法および真空蒸着装置を提供することにある。
【解決手段】真空蒸着装置１００は、補正板９２を加熱する加熱手段９１を備えているので、補正板９２を加熱でき、蒸着物質は加熱された補正板９２に付着することが少なくプラスチックレンズ１０に到達し、蒸着物質の収率を向上させることができる。
また、蒸着物質が蒸発温度の低い有機化合物なので、補正板９２の加熱を容易にでき、少ないエネルギーの使用で蒸着物質の収率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 成膜装置において、真空容器の真空状態を維持したまま真空容器内の被移送物を容易に移送できるハンドリング装置を提供する。
【解決手段】 ハンドリング装置４は、把持部４ａ、操作部４ｂ、連結部４ｃ、及び連結部支持部４ｄを備える。把持部４ａは、真空容器１０の内部に配置され、互いに開閉可能に結合された一対のロッド４３及び４４を有する。操作部４ｂは、真空容器１０の外部に配置され、ロッド４３及び４４の開閉を操作するためのハンドル４１ａ及び４１ｂを有する。連結部４ｃは、把持部４ａと操作部４ｂとを互いに連結し、操作部４ｂの動きをロッド４３及び４４へ伝達するシャフト４２ａ及び４２ｂを有する。連結部支持部４ｄは、連結部４ｃが挿通された屈曲可能な筒状部分４７を有し、筒状部分４７の一端及び他端のそれぞれにおいて真空容器１０及び連結部４ｃに気密に固定されている。 （もっと読む）

【課題】 非蒸着時に非処理物に蒸着することなく消費される蒸着材料の量を低減する蒸着装置、あるいは蒸着方法を提供する。
【解決手段】 蒸着源２０２から蒸発した蒸着材料が蒸着源２０２からチャンバー２０１内へ放出する第１流路と、蒸着源２０２から蒸発した蒸着材料が蒸着源２０２から移送路２０４を介して回収容器２０３へ流れる第２流路と、を切り替える流路切り替え手段を有する。 （もっと読む）