レーザ転写用ドナー基板の製造方法及びそれを用いた有機電界発光素子の製造方法
【課題】 レーザ転写用ドナー基板の製造装置とその製造方法及びそれを用いた有機電界発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 レーザ転写用ドナー基板の製造装置は、真空チャンバ、該真空チャンバ内部をインライン（ｉｎ−ｌｉｎｅ）で移動しながら通過するドナー基板、及び該真空チャンバ内に形成され、該ドナー基板上に転写層を形成させる蒸着装置を含むことを特徴とする。前記レーザ転写用ドナー基板の製造方法及びそれを用いた有機電界発光素子の製造方法は、真空チャンバ内部をドナー基板がインラインに移動しながら通過し、前記真空チャンバ内に形成された蒸着装置が前記ドナー基板上に転写層を形成することを特徴とする。高真空を維持する真空チャンバ内で転写層、特に低分子有機発光層を連続して形成することができ、また該転写層で形成されたレーザ転写用ドナー基板を大量生産することができると言うメリットがある。また、これを用いた大面積の有機電界発光素子が製造できるメリットを提供する。
【解決手段】 レーザ転写用ドナー基板の製造装置は、真空チャンバ、該真空チャンバ内部をインライン（ｉｎ−ｌｉｎｅ）で移動しながら通過するドナー基板、及び該真空チャンバ内に形成され、該ドナー基板上に転写層を形成させる蒸着装置を含むことを特徴とする。前記レーザ転写用ドナー基板の製造方法及びそれを用いた有機電界発光素子の製造方法は、真空チャンバ内部をドナー基板がインラインに移動しながら通過し、前記真空チャンバ内に形成された蒸着装置が前記ドナー基板上に転写層を形成することを特徴とする。高真空を維持する真空チャンバ内で転写層、特に低分子有機発光層を連続して形成することができ、また該転写層で形成されたレーザ転写用ドナー基板を大量生産することができると言うメリットがある。また、これを用いた大面積の有機電界発光素子が製造できるメリットを提供する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ転写用ドナー基板の製造装置とドナー基板の製造装置とドナー基板の製造方法及びそれを用いた有機電界発光素子の製造方法（Ｄｅｖｉｃｅ ａｎｄ ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ ｆａｂｒｉｃａｔｉｎｇ ｄｏｎｏｒ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｆｏｒ Ｌａｓｅｒ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｉｍａｇｉｎｇ、ａｎｄ ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ ｆａｂｒｉｃａｔｉｎｇ ＯＬＥＤ ｕｓｉｎｇ ｔｈｅ ｓａｍｅ）に関するもので、より詳しく説明するとＩＴＩ（Ｌａｓｅｒ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｉｍａｇｉｎｇ）を用いた有機膜層パターンの形成の際、レーザ転写用ドナー基板上に転写層を形成する装置と方法及びそれを用いた有機電界発光素子を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に平板表示素子である有機電界発光素子は、アノード電極とカソード電極、そして該アノード電極とカソード電極との間に介された有機膜層を含む。
【０００３】
該有機膜層は、少なくとも発光層を含み、該発光層外にも正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層をさらに含むことができる。このような有機電界発光素子は、前記有機膜層、特に前記発光層をなす物質と工程によって高分子有機電界発光素子と低分子有機電界発光素子とで分けられる。
【０００４】
このような有機電界発光素子においてフルカラー化を具現するためには、前記発光層をパターニングしなければならない。該発光層をパターニングするための方法として、高分子有機電界発光素子の場合はインクジェットプリンティング（ｉｎｋ−ｊｅｔ ｐｒｉｎｔｉｎｇ）、またはレーザによる熱転写法（Ｌａｓｅｒ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｉｍａｇｉｎｇ；以下ＬＩＴＩと言う）がある。その中で、該ＬＩＴＩは、前記有機膜層を微細にパターニングすることができ、大面積に用いることができ、高解像度に有利であると言うメリット以外にも、前記インクジェットプリティングが湿式工程であることに対し、これは乾式工程としてのメリットがある。
【０００５】
このようなＬＩＴＩによる有機膜層パターンの形成方法は、少なくとも光源、有機電界発光素子基板及びドナー基板を必要とする。前記基板上に有機膜層をパターニングすることは、前記光源から出る光が前記ドナー基板の光−熱変換層に吸収されて熱エーネルギに変換され、該熱エーネルギにより転写層をなす物質が前記基板上に転写しながら実行される。これは特許文献１、特許文献２、特許文献３、及び特許文献４に開示されている。
【０００６】
低分子有機電界発光素子の場合は、シャドーマスク（ｓｈａｄｏｗ ｍａｓｋ）を使用する方法がある。しかしながら、マスクによる低分子パターニングは、大面積の有機電界発光素子としての製造が難しく、前記インクジェットプリティングは湿式工程であるため、用いられる材料に制限があるという問題点がある。
【特許文献１】韓国特許第１９９８−５１８４４号明細書
【特許文献２】米国特許第５、９９８、０８５号明細書
【特許文献３】米国特許第６、２１４、５２０号明細書
【特許文献４】米国特許第６、１１４、０８８号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明が解決しようする技術的課題は、前述した従来の問題点を解決するためのことで、真空チャンバ内で転写層を連続的に形成することによってレーザ転写用ドーナー基板に低分子物質からなる転写層を形成することができ、大量の生産が可能であり、これを用いて大面積の有機電界発光素子を製造するレーザ転写用ドーナ基板の製造装置とその製造方法及びこれを用いた有機電界発光素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記技術的課題を解決するために本発明の一側面は、レーザ転写用ドナー基板の製造装置を提供する。該装置は、真空チャンバ、該真空チャンバ内部をインライン（ｉｎ−ｌine）で移動しながら通過するドナー基板、及び該真空チャンバ内に形成され、前記ドナー基板上に転写層を形成させる蒸着装置を含むことを特徴とする。
【０００９】
前記装置は、前記真空チャンバ内に形成され、前記蒸着装置によって形成される転写層の厚さを測定する厚さ測定手段、及び前記真空チャンバ外部から前記厚さ測定手段と連結されていて、前記厚さ測定手段から情報を受けて前記蒸着装置によって形成される転写層の厚さを調節する厚さ調節手段をさらに含むことができる。
【００１０】
前記技術的課題を解決するために本発明の他の側面は、レーザ転写用ドナー基板の製造方法を提供する。この方法は真空チャンバ内部をドナー基板がインラインで移動しながら通過し、前記真空チャンバ内に形成された蒸着装置が前記ドナー基板上に転写層を形成させることを特徴とする。
【００１１】
前記技術的課題を解決するために本発明のもう一つ他の側面は、有機電界発光素子の製造方法を提供する。この製造方法は、画素電極が形成された基板を供給する段階と、該基板全面に該レーザ転写用ドナー基板の製造方法で製造された転写層が形成されたドナー基板をラミネーション（ｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）する段階と、前記ドナー基板の所定領域にレーザを照射して前記画素電極上に有機膜層パターンを形成する段階と、を含むことを特徴とする。
【００１２】
前記方法は，厚さ測定手段を用い、前記蒸着装置により形成される転写層の厚さを測定する段階及び前記厚さ測定手段から信号を受ける厚さ調節手段を用いて、前記蒸着装置によって形成される転写層の厚さを調節する段階をさらに含むことができる。
【００１３】
前記真空チャンバは、少なくとも三つ以上の真空チャンバが一列に結合できる。特に、三つの真空チャンバが一列に結合されていて、前記蒸着装置は三つの真空チャンバの中で、二番目の真空チャンバ内に形成することが好ましい。
【００１４】
前記蒸着装置は、抵抗加熱式蒸着装置であっても良い。
【００１５】
前記ドナー基板上に形成される転写層は、低分子有機物質からなり、特に、有機発光物質であっても良い。
【００１６】
前記蒸着装置を前記真空チャンバ内に固定し、連続して移動する前記ドナー基板上に転写層を形成することができる。
【００１７】
前記蒸着装置を前記真空チャンバ内に固定し、前記ドナー基板は停止された状態で転写層が形成され、該転写層が形成された後に移動しながら前記真空チャンバを通過することができる。
【００１８】
前記蒸着装置は、前記真空チャンバ内で往復移動し、前記ドナー基板は停止された状態で転写層が形成され、該転写層が形成された後に移動しながら前記真空チャンバを通過することができる。
【００１９】
前記蒸着装置は、前記真空チャンバ内で往復移動し、連続で移動する前記ドナー基板上に転写層を形成することができる。
【００２０】
前記ドナー基板は、フレキシブルドナー基板を使用することができる。
【００２１】
該フレキシブルドナー基板は、プラスチックからなることができ、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエステルスルホン（ＰＥＳ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスチレンペーパー（ＰＳＰ）、及びポリエテルエテルケトン（ＰＥＥＫ）からなる一群から選択された何れかの一つの物質を用いて形成することができる。
【００２２】
前記フレキシブルドナー基板は、金属からなることができ、ＳＵＳ（Ｓｔｅｅｌ Ｕｓｅ Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ）、またはＡｌを用いて形成することができる。
【００２３】
前記フレキシブルドナー基板は、厚さが５００μｍ以下であり、熱膨張係数が５０×１０−６／℃ 以下であることが好ましい。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によると、高真空を維持する真空チャンバ内で転写層、特に低分子有機発光層を連続的に形成することができ、また前記転写層が形成されたレーザ転写用ドナー基板を大量に生産できる利点がある。また、これを用いて大面積の有機電界発光素子を製造できるメリットを提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明をより詳しく説明するために好ましい実施形態を添付した図面を参照して説明する。しかしながら、本発明はここで説明される実施形態に限定されず、他の形態で具体化されることもできる。明細書全体に掛けて同一の参照番号は同一の構成要素を示す。
【００２６】
図１は、本発明の第１実施形態によるレーザ転写用ドナー基板の製造装置及びドナー基板の製造方法を説明する工程図である。
【００２７】
図１を参照すると、本発明の第１の実施形態によるレーザ転写用ドナー基板の製造装置１００は、第１の真空チャンバ１１０ａ、第２の真空チャンバ１１０ｂ、第３の真空チャンバ１１０ｃが一列に結合されている真空チャンバ１１０、ドナー基板１２０、蒸着装置１３０、ドナー基板移送ローラ１５０、厚さ測定手段１６０及び厚さ調節手段１７０を含めている。
【００２８】
前記真空チャンバ１１０は、高真空を維持するために少なくとも三つ以上の真空チャンバが一列で結合されることが好ましい。高真空を維持するためにポンプ（図示せず）を使用し、真空チャンバ内の空気を排気することによって高真空が維持できる。後述する蒸着装置による転写層を形成することによって、不純物の蒸着を防止する等、高真空の方が有利であるため、１０−４ｔｏｒｒ以下の真空度を維持しながら転写層を形成することが好ましい。
【００２９】
前記ドナー基板１２０は、インラインで移動しながら前記真空チャンバ１１０内部を通過する。本実施形態では、前記ドナー基板１２０が前記真空チャンバ１１０内の上部を通過するものを例示している。前記ドナー基板１２０は、ドナー基板移送ローラ１５０によって前記真空チャンバ１１０の内部を移動しながら通過する。前記ドナー基板１２０は、途中で止まらず連続的に移動することができ、しかも転写層１４０が形成する際は一時停止するが、該転写層１４０が形成された後は移動し前記真空チャンバ１１０を通過することができる。
【００３０】
前記ドナー基板１２０は、フレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）な性質を有するものを使用することができる。例えば、プラスチックまたは金属のようなフレキシブルな材質のドナー基板１２０を使用できる。
【００３１】
前記プラスチックとして、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエステルスルホン（ＰＥＳ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスチレンペーパー（ＰＳＰ）、及びポリエテルエテルケトン（ＰＥＥＫ）からなる一群から選択された何れかの一つの物質を用いることができる。好ましくはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を用いることが良い。
【００３２】
前記金属として、ＳＵＳ（Ｓｔｅｅｌ Ｕｓｅ Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ）、またはＡｌ等を利用することができる。
【００３３】
前記フレキシブルドナー基板１２０は、熱膨張係数が５０×１０−６／℃ 以下であることが好ましい。前記ドナー基板１２０の熱膨張係数が５０×１０−６／℃ を超えると、熱による体積膨張がおき易くドナー基板１２０が大きくなることもある。従って転写層を形成することが難しくなる。
【００３４】
蒸着装置１３０は、前記真空チャンバ１１０内に形成されている。本実施形態では、三つの真空チャンバが結合された真空チャンバ１１０の中から第２の真空チャンバ１１０ｂ内に前記蒸着装置１３０が形成されていることを例示している。また、前記第２の真空チャンバ１１０ｂ内の下部、即ち前記ドナー基板１２０の下部に蒸着装置１３０が形成されている。
【００３５】
前記蒸着装置１３０は、前記ドナー基板１２０上に転写層１４０を形成させる。この場合、前記蒸着装置１３０は、抵抗加熱式であるものを使用することができる。前記ドナー基板上に形成される転写層は、低分子有機物質からなり、特に有機発光物質からなることもある。
【００３６】
前記厚さ測定手段１６０は、第２の真空チャンバ１１０ｂ内に形成されていて、前記蒸着装置１３０により形成される転写層の厚さを測定する。前記厚さ測定手段１６０として、水晶振動子が用いることができ、周波数の変化を利用して転写層の厚さを測定することができる。
【００３７】
前記厚さ調節手段１７０は、前記真空チャンバ１１０の外部に形成されてあり、前記厚さ測定手段１６０及び前記蒸着装置１３０と連結されている。即ち、前記厚さ測定手段１６０によって測定された情報は、前記厚さ調節手段１７０に伝達され、前記厚さ調節手段１７０は測定された情報に従って前記蒸着装置１３０を制御し、形成される転写層の厚さを調節する。
【００３８】
前記本発明の第１の実施形態によるレーザ転写用ドナー基板の製造装置１００により前記ドナー基板１２０上に転写層１４０を形成する。
【００３９】
詳しく説明すると、前記真空チャンバ１１０内部を前記ドナー基板１２０が連続的に移動する。この場合、第２の真空チャンバ１１０ｂ内で前記ドナー基板１２０の下部に固定されている蒸着装置１３０を用いて前記ドナー基板１２０上に転写層１４０を連続的に形成する。即ち、前記固定された蒸着装置１３０に含まれている蒸着物質を前記蒸着装置１３０が２５０℃以上の温度で加熱し蒸気状態になることによって前記ドナー基板１２０上に前記転写層１４０を連続的に蒸着させる。前記蒸着される速度は、１Å／ｓの速度で制御し蒸着することができる。
【００４０】
前記蒸着される蒸着物質の厚さは、厚さ測定手段１６０を用いて測定し、その測定した情報は厚さ調節手段１７０に伝達される。伝達された測定情報に従って前記厚さ調節手段１７０は、前記蒸着装置１３０を制御し、これにより形成される転写層の厚さが調節できる。
【００４１】
また、前記ドナー基板１２０は、連続的ではないステップ（ｓｔｅｐ）形としての移動ができる。即ち、前記ドナー基板１２０が前記真空チャンバ１１０の内部を移動しながら、前記第２の真空チャンバ１１０ｂで停止できる。前記停止したドナー基板１２０の下部に固定されている蒸着装置１３０を用いて前記ドナー基板１２０上に転写層１４０を形成することができる。前記第２の真空チャンバ１１０ｂで転写層１４０を形成した後、第３の真空チャンバ１１０ｃに移動し通過した後、前記ドナー基板１２０に転写層が形成されてない部分が前記第２の真空チャンバ１１０ｂに到達すると、前記ドナー基板１２０が再び停止して、前記ドナー基板１２０上に転写層を形成する。この過程を繰り返すことによって前記ドナー基板１２０上に前記転写層１４０を連続的に蒸着することができる。
【００４２】
前述したように、本発明の第１の実施形態では、高真空を維持した真空チャンバ内部を移動するドナー基板上に固定された蒸着装置を用いて、該ドナー基板上に転写層を連続的に蒸着できることを示している。従って、ドナー基板上に転写層、特に低分子有機発光層が形成でき、連続的に蒸着することが可能であり、転写層が形成されたドナー基板を大量生産することができる。
【００４３】
図２は、本発明の第２の実施形態によるレーザ転写用ドナー基板の製造装置及びドナー基板の製造方法を説明する工程図である。
【００４４】
図２を参照すると、本発明の第２の実施形態によるレーザ転写用ドナー基板の製造装置２００は、三つの真空チャンバが一列に結合された真空チャンバ１１０、前記真空チャンバ１１０内の上部を移動し通過するドナー基板２２０、前記ドナー基板２２０の下部に位置する蒸着装置２３０、厚さ測定手段１６０及び厚さ調節手段１７０を含めている。この場合、前記蒸着装置２３０は、本発明の第１の実施形態とは異なる前記第２の真空チャンバ１１０ｂ内に固定されておらず、前記第２の真空チャンバ１１０ｂ内で往復移動する。
【００４５】
第２の真空チャンバ１１０ｂ内で往復移動する前記蒸着装置２３０を用いて前記真空チャンバ１００内の上部を連続、またはステップ形で移動する前記ドナー基板２２０上に転写層２４０を形成する。
【００４６】
上述を除いた以外のことは、本発明の第１の実施形態によるレーザ転写用ドナー基板の製造装置及びドナー基板の製造方法と同様である。
【００４７】
図３は、本発明の第３の実施形態によるレーザ転写用ドナー基板の製造装置及びドナー基板の製造方法を説明する工程図である。
【００４８】
図３を参照すると、本発明の第３の実施形態によるレーザ転写用ドナー基板の製造装置３００は、三つの真空チャンバが一列に結合された真空チャンバ１１０、該真空チャンバ１１０内の下部を移動し通過するドナー基板３２０、該ドナー基板３２０の上部に位置する蒸着装置３３０、厚さ測定手段１６０及び厚さ調節手段１７０を含めている。本実施形態では、前記ドナー基板３２０の上部に位置する蒸着装置３３０を用いて前記ドナー基板３２０上に転写層３４０を形成していることをわかる。
【００４９】
上述を除いた以外のことは、本発明の第１の実施形態によるレーザ転写用ドナー基板の製造装置及びドナー基板の製造方法と同様である。
【００５０】
図４は、本発明の第４の実施形態によるレーザ転写用ドナー基板の製造装置及びドナー基板の製造方法を説明する工程図である。
【００５１】
図４を参照すると、本発明の第４の実施形態によるレーザ転写用ドナー基板の製造装置４００は、三つの真空チャンバが一列に結合された真空チャンバ１１０、該真空チャンバ１１０の内部を通過するドナー基板４２０、該ドナー基板４２０の左側に位置する蒸着装置４３０、厚さ測定手段１６０及び厚さ調節手段１７０を含めている。
【００５２】
前記ドナー基板４２０は、第１の真空チャンバ１１０ａ内では、該第１の真空チャンバ１１０ａ内の上部を移動し、第２の真空チャンバ１１０ｂ内では該第２の真空チャンバ１１０ｂ内の上部を移動したのち、前記蒸着装置４３０の右側で第２の真空チャンバ１１０ｂ内の右側面に沿って下に移動する。その後、第３の真空チャンバ１１０ｃ内では、前記第３の真空チャンバ１１０ｃ内の下部を移動しながら該第３の真空チャンバを通過する。この場合、前記ドナー基板４２０の左側に位置する蒸着装置４３０を用いて前記第２の真空チャンバ１１０ｂ内の右側面に沿って下に移動する前記ドナー基板４２０上に転写層４４０を形成する。
【００５３】
前記フレキシブルドナー基板４２０は、厚さが５００μｍ以下であることが好ましい。前記ドナー基板４２０の厚さが５００μｍを超えるとベンディング（ｂｅｎｄｉｎｇ）が難しくなるので、前記第２の真空チャンバ１１０ｂ内での移動が難しくなることもある。
【００５４】
上述を除いた以外のことは、本発明の第１の実施形態によるレーザ転写用ドナー基板の製造装置及びドナー基板の製造方法と同様である。
【００５５】
図５Ａないし図５Ｃは、本発明の実施形態による有機電界発光素子の製造方法を説明するための工程順序図である。
【００５６】
図５Ａを参照すると、前述した本発明の第１ないし第４の実施形態によるレーザ転写用ドナー基板の製造装置及びその製造方法によってドナー基板５２０上に転写層５４０を形成する。この場合、前記レーザ転写用ドナー基板の製造装置において形成される蒸着装置には蒸着物質を含めている。該蒸着物質は低分子有機物質を使用することができ、特に低分子有機発光物質であることが好ましい。それで、前記ドナー基板５２０上には、低分子有機発光層を形成することができる。
【００５７】
図５Ｂを参照すると、前記転写層５４０が形成されているドナー基板５２０を所定の素子が形成された基板５５０上にラミネーションする。このとき、前記基板上には、薄膜トランジスタ及びその上部に位置する平坦化膜上に画素電極が形成されることもある。
【００５８】
図５Ｃを参照すると、前記転写層５４０が形成されているドナー基板５２０にレーザを照射して前記画素電極５６０上に有機膜層パターン５７０を形成する。
【００５９】
該有機膜層パターン５７０を形成する工程は、Ｎ２雰囲気からなることができる。一般の大気中には酸素成分が存在する。従って、転写される前記有機膜層パターン５７０が酸化する恐れがあるため、酸素成分を無くした質素雰囲気で前記転写工程を実施することもできる。また、前記転写工程は、真空雰囲気で行われるので、前述したラミネーション工程時にドナー基板と基板との間の気泡発生を抑制する効果がある。
【００６０】
前記転写工程で形成される有機膜層パターン５７０は、発光層、正孔注入層、正孔伝達層、電子伝達層及び電子注入層からなる一群から選択する１種の単一層でもあり、また２種以上の多重層であっても良い。特に、前記有機膜層パターン５７０は低分子有機発光層であっても良い。
【００６１】
前記画素電極５６０上に有機膜層パターン５７０を形成した後に、該有機膜層パターン５７０上にカソード電極を形成して有機電界発光素子を完成する。
【００６２】
上述したように、本発明では、レーザ転写用ドナー基板の製造方法に従って製造した、低分子転写層が形成されたドナー基板を用いることによって大面積の有機電界発光素子を製造することができる。
【００６３】
上述では、本発明の好ましい実施の形態を参照しながら説明したが、当該技術分野の熟練した当業者は、添付の特許請求範囲に記載された本発明の思想及び領域から逸脱しなし範囲で、本発明を多様に修正及び変更させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の第１の実施形態によるレーザ転写用ドナー基板の製造装置及びドナー基板の製造方法を説明する工程図である。
【図２】本発明の第２の実施形態によるレーザ転写用ドナー基板の製造装置及びドナー基板の製造方法を説明する工程図である。
【図３】本発明の第３の実施形態によるレーザ転写用ドナー基板の製造装置及びドナー基板の製造方法を説明する工程図である。
【図４】本発明の第４の実施形態によるレーザ転写用ドナー基板の製造装置及びドナー基板の製造方法を説明する工程図である。
【図５Ａ】本発明の実施形態による有機電界発光素子の製造方法を説明するための工程順序図である。
【図５Ｂ】本発明の実施形態による有機電界発光素子の製造方法を説明するための工程順序図である。
【図５Ｃ】本発明の実施形態による有機電界発光素子の製造方法を説明するための工程順序図である。
【符号の説明】
【００６５】
１００、２００、３００、４００：レーザ転写用ドナー基板の製造装置
１１０：真空チャンバ
１１０ａ：第１の真空チャンバ
１１０ｂ：第２の真空チャンバ
１１０ｃ：第３の真空チャンバ
１２０、２２０、３２０、４２０、６２０：ドナー基板
１３０、２３０、３３０、４３０：蒸着装置
１４０、２４０、３４０、４４０、６４０：転写層
１５０：ドナー基板移送ローラ
１６０：厚さ測定手段
１７０：厚さ調節手段
５５０：基板
５６０：画素電極
５７０：有機膜層パターン
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ転写用ドナー基板の製造装置とドナー基板の製造装置とドナー基板の製造方法及びそれを用いた有機電界発光素子の製造方法（Ｄｅｖｉｃｅ ａｎｄ ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ ｆａｂｒｉｃａｔｉｎｇ ｄｏｎｏｒ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｆｏｒ Ｌａｓｅｒ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｉｍａｇｉｎｇ、ａｎｄ ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ ｆａｂｒｉｃａｔｉｎｇ ＯＬＥＤ ｕｓｉｎｇ ｔｈｅ ｓａｍｅ）に関するもので、より詳しく説明するとＩＴＩ（Ｌａｓｅｒ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｉｍａｇｉｎｇ）を用いた有機膜層パターンの形成の際、レーザ転写用ドナー基板上に転写層を形成する装置と方法及びそれを用いた有機電界発光素子を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に平板表示素子である有機電界発光素子は、アノード電極とカソード電極、そして該アノード電極とカソード電極との間に介された有機膜層を含む。
【０００３】
該有機膜層は、少なくとも発光層を含み、該発光層外にも正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層をさらに含むことができる。このような有機電界発光素子は、前記有機膜層、特に前記発光層をなす物質と工程によって高分子有機電界発光素子と低分子有機電界発光素子とで分けられる。
【０００４】
このような有機電界発光素子においてフルカラー化を具現するためには、前記発光層をパターニングしなければならない。該発光層をパターニングするための方法として、高分子有機電界発光素子の場合はインクジェットプリンティング（ｉｎｋ−ｊｅｔ ｐｒｉｎｔｉｎｇ）、またはレーザによる熱転写法（Ｌａｓｅｒ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｉｍａｇｉｎｇ；以下ＬＩＴＩと言う）がある。その中で、該ＬＩＴＩは、前記有機膜層を微細にパターニングすることができ、大面積に用いることができ、高解像度に有利であると言うメリット以外にも、前記インクジェットプリティングが湿式工程であることに対し、これは乾式工程としてのメリットがある。
【０００５】
このようなＬＩＴＩによる有機膜層パターンの形成方法は、少なくとも光源、有機電界発光素子基板及びドナー基板を必要とする。前記基板上に有機膜層をパターニングすることは、前記光源から出る光が前記ドナー基板の光−熱変換層に吸収されて熱エーネルギに変換され、該熱エーネルギにより転写層をなす物質が前記基板上に転写しながら実行される。これは特許文献１、特許文献２、特許文献３、及び特許文献４に開示されている。
【０００６】
低分子有機電界発光素子の場合は、シャドーマスク（ｓｈａｄｏｗ ｍａｓｋ）を使用する方法がある。しかしながら、マスクによる低分子パターニングは、大面積の有機電界発光素子としての製造が難しく、前記インクジェットプリティングは湿式工程であるため、用いられる材料に制限があるという問題点がある。
【特許文献１】韓国特許第１９９８−５１８４４号明細書
【特許文献２】米国特許第５、９９８、０８５号明細書
【特許文献３】米国特許第６、２１４、５２０号明細書
【特許文献４】米国特許第６、１１４、０８８号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明が解決しようする技術的課題は、前述した従来の問題点を解決するためのことで、真空チャンバ内で転写層を連続的に形成することによってレーザ転写用ドーナー基板に低分子物質からなる転写層を形成することができ、大量の生産が可能であり、これを用いて大面積の有機電界発光素子を製造するレーザ転写用ドーナ基板の製造装置とその製造方法及びこれを用いた有機電界発光素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記技術的課題を解決するために本発明の一側面は、レーザ転写用ドナー基板の製造装置を提供する。該装置は、真空チャンバ、該真空チャンバ内部をインライン（ｉｎ−ｌine）で移動しながら通過するドナー基板、及び該真空チャンバ内に形成され、前記ドナー基板上に転写層を形成させる蒸着装置を含むことを特徴とする。
【０００９】
前記装置は、前記真空チャンバ内に形成され、前記蒸着装置によって形成される転写層の厚さを測定する厚さ測定手段、及び前記真空チャンバ外部から前記厚さ測定手段と連結されていて、前記厚さ測定手段から情報を受けて前記蒸着装置によって形成される転写層の厚さを調節する厚さ調節手段をさらに含むことができる。
【００１０】
前記技術的課題を解決するために本発明の他の側面は、レーザ転写用ドナー基板の製造方法を提供する。この方法は真空チャンバ内部をドナー基板がインラインで移動しながら通過し、前記真空チャンバ内に形成された蒸着装置が前記ドナー基板上に転写層を形成させることを特徴とする。
【００１１】
前記技術的課題を解決するために本発明のもう一つ他の側面は、有機電界発光素子の製造方法を提供する。この製造方法は、画素電極が形成された基板を供給する段階と、該基板全面に該レーザ転写用ドナー基板の製造方法で製造された転写層が形成されたドナー基板をラミネーション（ｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）する段階と、前記ドナー基板の所定領域にレーザを照射して前記画素電極上に有機膜層パターンを形成する段階と、を含むことを特徴とする。
【００１２】
前記方法は，厚さ測定手段を用い、前記蒸着装置により形成される転写層の厚さを測定する段階及び前記厚さ測定手段から信号を受ける厚さ調節手段を用いて、前記蒸着装置によって形成される転写層の厚さを調節する段階をさらに含むことができる。
【００１３】
前記真空チャンバは、少なくとも三つ以上の真空チャンバが一列に結合できる。特に、三つの真空チャンバが一列に結合されていて、前記蒸着装置は三つの真空チャンバの中で、二番目の真空チャンバ内に形成することが好ましい。
【００１４】
前記蒸着装置は、抵抗加熱式蒸着装置であっても良い。
【００１５】
前記ドナー基板上に形成される転写層は、低分子有機物質からなり、特に、有機発光物質であっても良い。
【００１６】
前記蒸着装置を前記真空チャンバ内に固定し、連続して移動する前記ドナー基板上に転写層を形成することができる。
【００１７】
前記蒸着装置を前記真空チャンバ内に固定し、前記ドナー基板は停止された状態で転写層が形成され、該転写層が形成された後に移動しながら前記真空チャンバを通過することができる。
【００１８】
前記蒸着装置は、前記真空チャンバ内で往復移動し、前記ドナー基板は停止された状態で転写層が形成され、該転写層が形成された後に移動しながら前記真空チャンバを通過することができる。
【００１９】
前記蒸着装置は、前記真空チャンバ内で往復移動し、連続で移動する前記ドナー基板上に転写層を形成することができる。
【００２０】
前記ドナー基板は、フレキシブルドナー基板を使用することができる。
【００２１】
該フレキシブルドナー基板は、プラスチックからなることができ、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエステルスルホン（ＰＥＳ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスチレンペーパー（ＰＳＰ）、及びポリエテルエテルケトン（ＰＥＥＫ）からなる一群から選択された何れかの一つの物質を用いて形成することができる。
【００２２】
前記フレキシブルドナー基板は、金属からなることができ、ＳＵＳ（Ｓｔｅｅｌ Ｕｓｅ Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ）、またはＡｌを用いて形成することができる。
【００２３】
前記フレキシブルドナー基板は、厚さが５００μｍ以下であり、熱膨張係数が５０×１０−６／℃ 以下であることが好ましい。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によると、高真空を維持する真空チャンバ内で転写層、特に低分子有機発光層を連続的に形成することができ、また前記転写層が形成されたレーザ転写用ドナー基板を大量に生産できる利点がある。また、これを用いて大面積の有機電界発光素子を製造できるメリットを提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明をより詳しく説明するために好ましい実施形態を添付した図面を参照して説明する。しかしながら、本発明はここで説明される実施形態に限定されず、他の形態で具体化されることもできる。明細書全体に掛けて同一の参照番号は同一の構成要素を示す。
【００２６】
図１は、本発明の第１実施形態によるレーザ転写用ドナー基板の製造装置及びドナー基板の製造方法を説明する工程図である。
【００２７】
図１を参照すると、本発明の第１の実施形態によるレーザ転写用ドナー基板の製造装置１００は、第１の真空チャンバ１１０ａ、第２の真空チャンバ１１０ｂ、第３の真空チャンバ１１０ｃが一列に結合されている真空チャンバ１１０、ドナー基板１２０、蒸着装置１３０、ドナー基板移送ローラ１５０、厚さ測定手段１６０及び厚さ調節手段１７０を含めている。
【００２８】
前記真空チャンバ１１０は、高真空を維持するために少なくとも三つ以上の真空チャンバが一列で結合されることが好ましい。高真空を維持するためにポンプ（図示せず）を使用し、真空チャンバ内の空気を排気することによって高真空が維持できる。後述する蒸着装置による転写層を形成することによって、不純物の蒸着を防止する等、高真空の方が有利であるため、１０−４ｔｏｒｒ以下の真空度を維持しながら転写層を形成することが好ましい。
【００２９】
前記ドナー基板１２０は、インラインで移動しながら前記真空チャンバ１１０内部を通過する。本実施形態では、前記ドナー基板１２０が前記真空チャンバ１１０内の上部を通過するものを例示している。前記ドナー基板１２０は、ドナー基板移送ローラ１５０によって前記真空チャンバ１１０の内部を移動しながら通過する。前記ドナー基板１２０は、途中で止まらず連続的に移動することができ、しかも転写層１４０が形成する際は一時停止するが、該転写層１４０が形成された後は移動し前記真空チャンバ１１０を通過することができる。
【００３０】
前記ドナー基板１２０は、フレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）な性質を有するものを使用することができる。例えば、プラスチックまたは金属のようなフレキシブルな材質のドナー基板１２０を使用できる。
【００３１】
前記プラスチックとして、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエステルスルホン（ＰＥＳ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスチレンペーパー（ＰＳＰ）、及びポリエテルエテルケトン（ＰＥＥＫ）からなる一群から選択された何れかの一つの物質を用いることができる。好ましくはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を用いることが良い。
【００３２】
前記金属として、ＳＵＳ（Ｓｔｅｅｌ Ｕｓｅ Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ）、またはＡｌ等を利用することができる。
【００３３】
前記フレキシブルドナー基板１２０は、熱膨張係数が５０×１０−６／℃ 以下であることが好ましい。前記ドナー基板１２０の熱膨張係数が５０×１０−６／℃ を超えると、熱による体積膨張がおき易くドナー基板１２０が大きくなることもある。従って転写層を形成することが難しくなる。
【００３４】
蒸着装置１３０は、前記真空チャンバ１１０内に形成されている。本実施形態では、三つの真空チャンバが結合された真空チャンバ１１０の中から第２の真空チャンバ１１０ｂ内に前記蒸着装置１３０が形成されていることを例示している。また、前記第２の真空チャンバ１１０ｂ内の下部、即ち前記ドナー基板１２０の下部に蒸着装置１３０が形成されている。
【００３５】
前記蒸着装置１３０は、前記ドナー基板１２０上に転写層１４０を形成させる。この場合、前記蒸着装置１３０は、抵抗加熱式であるものを使用することができる。前記ドナー基板上に形成される転写層は、低分子有機物質からなり、特に有機発光物質からなることもある。
【００３６】
前記厚さ測定手段１６０は、第２の真空チャンバ１１０ｂ内に形成されていて、前記蒸着装置１３０により形成される転写層の厚さを測定する。前記厚さ測定手段１６０として、水晶振動子が用いることができ、周波数の変化を利用して転写層の厚さを測定することができる。
【００３７】
前記厚さ調節手段１７０は、前記真空チャンバ１１０の外部に形成されてあり、前記厚さ測定手段１６０及び前記蒸着装置１３０と連結されている。即ち、前記厚さ測定手段１６０によって測定された情報は、前記厚さ調節手段１７０に伝達され、前記厚さ調節手段１７０は測定された情報に従って前記蒸着装置１３０を制御し、形成される転写層の厚さを調節する。
【００３８】
前記本発明の第１の実施形態によるレーザ転写用ドナー基板の製造装置１００により前記ドナー基板１２０上に転写層１４０を形成する。
【００３９】
詳しく説明すると、前記真空チャンバ１１０内部を前記ドナー基板１２０が連続的に移動する。この場合、第２の真空チャンバ１１０ｂ内で前記ドナー基板１２０の下部に固定されている蒸着装置１３０を用いて前記ドナー基板１２０上に転写層１４０を連続的に形成する。即ち、前記固定された蒸着装置１３０に含まれている蒸着物質を前記蒸着装置１３０が２５０℃以上の温度で加熱し蒸気状態になることによって前記ドナー基板１２０上に前記転写層１４０を連続的に蒸着させる。前記蒸着される速度は、１Å／ｓの速度で制御し蒸着することができる。
【００４０】
前記蒸着される蒸着物質の厚さは、厚さ測定手段１６０を用いて測定し、その測定した情報は厚さ調節手段１７０に伝達される。伝達された測定情報に従って前記厚さ調節手段１７０は、前記蒸着装置１３０を制御し、これにより形成される転写層の厚さが調節できる。
【００４１】
また、前記ドナー基板１２０は、連続的ではないステップ（ｓｔｅｐ）形としての移動ができる。即ち、前記ドナー基板１２０が前記真空チャンバ１１０の内部を移動しながら、前記第２の真空チャンバ１１０ｂで停止できる。前記停止したドナー基板１２０の下部に固定されている蒸着装置１３０を用いて前記ドナー基板１２０上に転写層１４０を形成することができる。前記第２の真空チャンバ１１０ｂで転写層１４０を形成した後、第３の真空チャンバ１１０ｃに移動し通過した後、前記ドナー基板１２０に転写層が形成されてない部分が前記第２の真空チャンバ１１０ｂに到達すると、前記ドナー基板１２０が再び停止して、前記ドナー基板１２０上に転写層を形成する。この過程を繰り返すことによって前記ドナー基板１２０上に前記転写層１４０を連続的に蒸着することができる。
【００４２】
前述したように、本発明の第１の実施形態では、高真空を維持した真空チャンバ内部を移動するドナー基板上に固定された蒸着装置を用いて、該ドナー基板上に転写層を連続的に蒸着できることを示している。従って、ドナー基板上に転写層、特に低分子有機発光層が形成でき、連続的に蒸着することが可能であり、転写層が形成されたドナー基板を大量生産することができる。
【００４３】
図２は、本発明の第２の実施形態によるレーザ転写用ドナー基板の製造装置及びドナー基板の製造方法を説明する工程図である。
【００４４】
図２を参照すると、本発明の第２の実施形態によるレーザ転写用ドナー基板の製造装置２００は、三つの真空チャンバが一列に結合された真空チャンバ１１０、前記真空チャンバ１１０内の上部を移動し通過するドナー基板２２０、前記ドナー基板２２０の下部に位置する蒸着装置２３０、厚さ測定手段１６０及び厚さ調節手段１７０を含めている。この場合、前記蒸着装置２３０は、本発明の第１の実施形態とは異なる前記第２の真空チャンバ１１０ｂ内に固定されておらず、前記第２の真空チャンバ１１０ｂ内で往復移動する。
【００４５】
第２の真空チャンバ１１０ｂ内で往復移動する前記蒸着装置２３０を用いて前記真空チャンバ１００内の上部を連続、またはステップ形で移動する前記ドナー基板２２０上に転写層２４０を形成する。
【００４６】
上述を除いた以外のことは、本発明の第１の実施形態によるレーザ転写用ドナー基板の製造装置及びドナー基板の製造方法と同様である。
【００４７】
図３は、本発明の第３の実施形態によるレーザ転写用ドナー基板の製造装置及びドナー基板の製造方法を説明する工程図である。
【００４８】
図３を参照すると、本発明の第３の実施形態によるレーザ転写用ドナー基板の製造装置３００は、三つの真空チャンバが一列に結合された真空チャンバ１１０、該真空チャンバ１１０内の下部を移動し通過するドナー基板３２０、該ドナー基板３２０の上部に位置する蒸着装置３３０、厚さ測定手段１６０及び厚さ調節手段１７０を含めている。本実施形態では、前記ドナー基板３２０の上部に位置する蒸着装置３３０を用いて前記ドナー基板３２０上に転写層３４０を形成していることをわかる。
【００４９】
上述を除いた以外のことは、本発明の第１の実施形態によるレーザ転写用ドナー基板の製造装置及びドナー基板の製造方法と同様である。
【００５０】
図４は、本発明の第４の実施形態によるレーザ転写用ドナー基板の製造装置及びドナー基板の製造方法を説明する工程図である。
【００５１】
図４を参照すると、本発明の第４の実施形態によるレーザ転写用ドナー基板の製造装置４００は、三つの真空チャンバが一列に結合された真空チャンバ１１０、該真空チャンバ１１０の内部を通過するドナー基板４２０、該ドナー基板４２０の左側に位置する蒸着装置４３０、厚さ測定手段１６０及び厚さ調節手段１７０を含めている。
【００５２】
前記ドナー基板４２０は、第１の真空チャンバ１１０ａ内では、該第１の真空チャンバ１１０ａ内の上部を移動し、第２の真空チャンバ１１０ｂ内では該第２の真空チャンバ１１０ｂ内の上部を移動したのち、前記蒸着装置４３０の右側で第２の真空チャンバ１１０ｂ内の右側面に沿って下に移動する。その後、第３の真空チャンバ１１０ｃ内では、前記第３の真空チャンバ１１０ｃ内の下部を移動しながら該第３の真空チャンバを通過する。この場合、前記ドナー基板４２０の左側に位置する蒸着装置４３０を用いて前記第２の真空チャンバ１１０ｂ内の右側面に沿って下に移動する前記ドナー基板４２０上に転写層４４０を形成する。
【００５３】
前記フレキシブルドナー基板４２０は、厚さが５００μｍ以下であることが好ましい。前記ドナー基板４２０の厚さが５００μｍを超えるとベンディング（ｂｅｎｄｉｎｇ）が難しくなるので、前記第２の真空チャンバ１１０ｂ内での移動が難しくなることもある。
【００５４】
上述を除いた以外のことは、本発明の第１の実施形態によるレーザ転写用ドナー基板の製造装置及びドナー基板の製造方法と同様である。
【００５５】
図５Ａないし図５Ｃは、本発明の実施形態による有機電界発光素子の製造方法を説明するための工程順序図である。
【００５６】
図５Ａを参照すると、前述した本発明の第１ないし第４の実施形態によるレーザ転写用ドナー基板の製造装置及びその製造方法によってドナー基板５２０上に転写層５４０を形成する。この場合、前記レーザ転写用ドナー基板の製造装置において形成される蒸着装置には蒸着物質を含めている。該蒸着物質は低分子有機物質を使用することができ、特に低分子有機発光物質であることが好ましい。それで、前記ドナー基板５２０上には、低分子有機発光層を形成することができる。
【００５７】
図５Ｂを参照すると、前記転写層５４０が形成されているドナー基板５２０を所定の素子が形成された基板５５０上にラミネーションする。このとき、前記基板上には、薄膜トランジスタ及びその上部に位置する平坦化膜上に画素電極が形成されることもある。
【００５８】
図５Ｃを参照すると、前記転写層５４０が形成されているドナー基板５２０にレーザを照射して前記画素電極５６０上に有機膜層パターン５７０を形成する。
【００５９】
該有機膜層パターン５７０を形成する工程は、Ｎ２雰囲気からなることができる。一般の大気中には酸素成分が存在する。従って、転写される前記有機膜層パターン５７０が酸化する恐れがあるため、酸素成分を無くした質素雰囲気で前記転写工程を実施することもできる。また、前記転写工程は、真空雰囲気で行われるので、前述したラミネーション工程時にドナー基板と基板との間の気泡発生を抑制する効果がある。
【００６０】
前記転写工程で形成される有機膜層パターン５７０は、発光層、正孔注入層、正孔伝達層、電子伝達層及び電子注入層からなる一群から選択する１種の単一層でもあり、また２種以上の多重層であっても良い。特に、前記有機膜層パターン５７０は低分子有機発光層であっても良い。
【００６１】
前記画素電極５６０上に有機膜層パターン５７０を形成した後に、該有機膜層パターン５７０上にカソード電極を形成して有機電界発光素子を完成する。
【００６２】
上述したように、本発明では、レーザ転写用ドナー基板の製造方法に従って製造した、低分子転写層が形成されたドナー基板を用いることによって大面積の有機電界発光素子を製造することができる。
【００６３】
上述では、本発明の好ましい実施の形態を参照しながら説明したが、当該技術分野の熟練した当業者は、添付の特許請求範囲に記載された本発明の思想及び領域から逸脱しなし範囲で、本発明を多様に修正及び変更させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の第１の実施形態によるレーザ転写用ドナー基板の製造装置及びドナー基板の製造方法を説明する工程図である。
【図２】本発明の第２の実施形態によるレーザ転写用ドナー基板の製造装置及びドナー基板の製造方法を説明する工程図である。
【図３】本発明の第３の実施形態によるレーザ転写用ドナー基板の製造装置及びドナー基板の製造方法を説明する工程図である。
【図４】本発明の第４の実施形態によるレーザ転写用ドナー基板の製造装置及びドナー基板の製造方法を説明する工程図である。
【図５Ａ】本発明の実施形態による有機電界発光素子の製造方法を説明するための工程順序図である。
【図５Ｂ】本発明の実施形態による有機電界発光素子の製造方法を説明するための工程順序図である。
【図５Ｃ】本発明の実施形態による有機電界発光素子の製造方法を説明するための工程順序図である。
【符号の説明】
【００６５】
１００、２００、３００、４００：レーザ転写用ドナー基板の製造装置
１１０：真空チャンバ
１１０ａ：第１の真空チャンバ
１１０ｂ：第２の真空チャンバ
１１０ｃ：第３の真空チャンバ
１２０、２２０、３２０、４２０、６２０：ドナー基板
１３０、２３０、３３０、４３０：蒸着装置
１４０、２４０、３４０、４４０、６４０：転写層
１５０：ドナー基板移送ローラ
１６０：厚さ測定手段
１７０：厚さ調節手段
５５０：基板
５６０：画素電極
５７０：有機膜層パターン
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバと、
前記真空チャンバ内部をインラインで移動し通過するドナー基板と、
前記真空チャンバ内に形成されていて、前記ドナー基板上に転写層を形成させる蒸着装置と、
を含むことを特徴とするレーザ転写用ドナー基板の製造装置。
【請求項２】
前記真空チャンバは、少なくとも三つ以上の真空チャンバが一列に結合されることを特徴とする請求項１に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造装置。
【請求項３】
前記真空チャンバは、三つの真空チャンバが一列に結合されていて、前記蒸着装置は三つの真空チャンバの中から二番目の真空チャンバ内に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造装置。
【請求項４】
前記蒸着装置は、抵抗加熱式蒸着装置であることを特徴とする請求項１に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造装置。
【請求項５】
前記真空チャンバ内に形成されていて、前記蒸着装置により形成される転写層の厚さを測定する厚さ測定手段と、
前記真空チャンバの外部から前記厚さ測定手段と連結されていて、該厚さ測定手段から情報を受けて前記蒸着装置により形成される転写層の厚さを調節する厚さ調節手段と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造装置。
【請求項６】
前記ドナー基板は、フレキシブルドナー基板であることを特徴とする請求項１に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造装置。
【請求項７】
前記フレキシブルドナー基板は、プラスチックからなることを特徴とする請求項６に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造装置。
【請求項８】
前記フレキシブルドナー基板は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエステルスルホン（ＰＥＳ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスチレンペーパー（ＰＳＰ）、及びポリエテルエテルケトン（ＰＥＥＫ）からなる一群から選択された何れかの一つの物質からなることを特徴とする請求項７に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造装置。
【請求項９】
前記フレキシブルドナー基板は、金属からなることを特徴とする請求項６に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造装置。
【請求項１０】
前記フレキシブルドナー基板は、ＳＵＳまたはＡｌからなることを特徴とする請求項９に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造装置。
【請求項１１】
前記フレキシブルドナー基板は、厚さが５００μｍ以下であることを特徴とする請求項６に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造装置。
【請求項１２】
前記フレキシブルドナー基板は、熱膨張係数が５０×１０−６／℃ 以下であることを特徴とする請求項６に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造装置。
【請求項１３】
真空チャンバ内部をドナー基板がインラインにより移動しながら通過し、前記真空チャンバ内に形成された蒸着装置が該ドナー基板上に転写層を形成させることを特徴とするレーザ転写用ドナー基板の製造方法。
【請求項１４】
前記真空チャンバは、少なくとも三つ以上の真空チャンバが一列に結合されたことを特徴とする請求項１３に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造方法。
【請求項１５】
前記真空チャンバは、三つの真空チャンバが一列に結合されていて、前記蒸着装置は三つの真空チャンバの中から二番目の真空チャンバ内に形成されていることを特徴とする請求項１３に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造方法。
【請求項１６】
前記蒸着装置は、抵抗加熱式蒸着装置であることを特徴とする請求項１３に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造方法。
【請求項１７】
厚さ測定手段を用いて、前記蒸着装置により形成される転写層の厚さを測定する段階と、
前記厚さ測定手段から情報を受ける厚さ調節手段を用い、前記蒸着装置により形成される転写層の厚さを調節する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造方法。
【請求項１８】
前記蒸着装置を前記真空チャンバ内に固定し、連続的に移動する前記ドナー基板上に転写層を形成することを特徴とする請求項１３に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造方法。
【請求項１９】
前記蒸着装置を前記真空チャンバ内に固定し、
前記ドナー基板は停止された状態で転写層が形成され、前記転写層が形成された後は移動して前記真空チャンバを通過することを特徴とする請求項１３に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造方法。
【請求項２０】
前記蒸着装置は、前記真空チャンバ内で往復移動し、連続的に移動する前記ドナー基板上に転写層を形成することを特徴とする請求項１３に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造方法。
【請求項２１】
前記蒸着装置は、前記真空チャンバ内で往復移動し、
前記ドナー基板は、停止された状態で転写層が形成され、前記転写層が形成された後は移動して前記真空チャンバを通過することを特徴とする請求項１３に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造方法。
【請求項２２】
前記ドナー基板は、フレキシブルドナー基板であることを特徴とする請求項１３に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造方法。
【請求項２３】
前記フレキシブルドナー基板は、プラスチックからなることを特徴とする請求項２２に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造装置。
【請求項２４】
前記フレキシブルドナー基板は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエステルスルホン（ＰＥＳ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスチレンペーパー（ＰＳＰ）、及びポリエテルエテルケトン（ＰＥＥＫ）からなる一群から選択された何れかの一つの物質を用いることができることを特徴とする請求項２３に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造装置。
【請求項２５】
前記フレキシブルドナー基板は、金属からなることを特徴とする請求項２２に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造装置。
【請求項２６】
前記フレキシブルドナー基板は、ＳＵＳまたはＡｌからなることを特徴とする請求項２５に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造装置。
【請求項２７】
前記フレキシブルドナー基板は厚さが５００μｍ以下であることを特徴とする請求項２２に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造装置。
【請求項２８】
前記フレキシブルドナー基板は、熱膨張係数が５０×１０−６／℃ 以下であることを特徴とする請求項２２に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造装置。
【請求項２９】
前記真空チャンバ内での蒸着は、１０−４ｔｏｒｒ以下で行われることを特徴とする請求項１３に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造方法。
【請求項３０】
画素電極が形成された基板を供給する段階と、
前記基板全面に請求項１３の方法で製造された転写層が形成されたドナー基板をラミネーションする段階と、
前記ドナー基板の所定領域にレーザを照射して前記画素電極上に有機膜層パターンを形成する段階と、
を含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項３１】
前記真空チャンバは、少なくとも三つ以上の真空チャンバが一列に結合されたことを特徴とする請求項３０に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項３２】
前記真空チャンバは、三つの真空チャンバが一列に結合されていて、前記蒸着装置は三つの真空チャンバの中から二番目の真空チャンバ内に形成されていることを特徴とする請求項３０に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項３３】
前記蒸着装置は、抵抗加熱式蒸着装置であることを特徴とする請求項３０に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項３４】
前記ドナー基板上に形成される転写層は、低分子有機発光物質からなることを特徴とする請求項３０に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項３５】
厚さ測定手段を用い、前記蒸着装置により形成される転写層の厚さを測定する段階と、
前記厚さ測定手段から情報を受ける厚さ調節手段を用い、前記蒸着装置により形成される転写層の厚さを調節する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項３０に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項３６】
前記蒸着装置を前記真空チャンバ内に固定し、連続的に移動する前記ドナー基板上に転写層を形成することを特徴とする請求項３０に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項３７】
前記蒸着装置を前記真空チャンバ内に固定し、
前記ドナー基板は停止された状態で転写層が形成され、該転写層が形成された後は移動して前記真空チャンバを通過することを特徴とする請求項３０に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項３８】
前記蒸着装置は前記真空チャンバ内で往復移動し、
前記ドナー基板は停止された状態で転写層が形成され、該転写層が形成された後は移動して前記真空チャンバを通過することを特徴とする請求項３０に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項３９】
前記蒸着装置は、前記真空チャンバ内で往復移動し、連続的に移動する前記ドナー基板上に転写層を形成することを特徴とする請求項３０に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項４０】
前記ドナー基板は、フレキシブルドナー基板であることを特徴とする請求項３０に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項４１】
前記真空チャンバ内での蒸着は、１０−４ｔｏｒｒ以下で行われることを特徴とする請求項３０に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１】
真空チャンバと、
前記真空チャンバ内部をインラインで移動し通過するドナー基板と、
前記真空チャンバ内に形成されていて、前記ドナー基板上に転写層を形成させる蒸着装置と、
を含むことを特徴とするレーザ転写用ドナー基板の製造装置。
【請求項２】
前記真空チャンバは、少なくとも三つ以上の真空チャンバが一列に結合されることを特徴とする請求項１に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造装置。
【請求項３】
前記真空チャンバは、三つの真空チャンバが一列に結合されていて、前記蒸着装置は三つの真空チャンバの中から二番目の真空チャンバ内に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造装置。
【請求項４】
前記蒸着装置は、抵抗加熱式蒸着装置であることを特徴とする請求項１に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造装置。
【請求項５】
前記真空チャンバ内に形成されていて、前記蒸着装置により形成される転写層の厚さを測定する厚さ測定手段と、
前記真空チャンバの外部から前記厚さ測定手段と連結されていて、該厚さ測定手段から情報を受けて前記蒸着装置により形成される転写層の厚さを調節する厚さ調節手段と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造装置。
【請求項６】
前記ドナー基板は、フレキシブルドナー基板であることを特徴とする請求項１に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造装置。
【請求項７】
前記フレキシブルドナー基板は、プラスチックからなることを特徴とする請求項６に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造装置。
【請求項８】
前記フレキシブルドナー基板は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエステルスルホン（ＰＥＳ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスチレンペーパー（ＰＳＰ）、及びポリエテルエテルケトン（ＰＥＥＫ）からなる一群から選択された何れかの一つの物質からなることを特徴とする請求項７に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造装置。
【請求項９】
前記フレキシブルドナー基板は、金属からなることを特徴とする請求項６に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造装置。
【請求項１０】
前記フレキシブルドナー基板は、ＳＵＳまたはＡｌからなることを特徴とする請求項９に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造装置。
【請求項１１】
前記フレキシブルドナー基板は、厚さが５００μｍ以下であることを特徴とする請求項６に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造装置。
【請求項１２】
前記フレキシブルドナー基板は、熱膨張係数が５０×１０−６／℃ 以下であることを特徴とする請求項６に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造装置。
【請求項１３】
真空チャンバ内部をドナー基板がインラインにより移動しながら通過し、前記真空チャンバ内に形成された蒸着装置が該ドナー基板上に転写層を形成させることを特徴とするレーザ転写用ドナー基板の製造方法。
【請求項１４】
前記真空チャンバは、少なくとも三つ以上の真空チャンバが一列に結合されたことを特徴とする請求項１３に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造方法。
【請求項１５】
前記真空チャンバは、三つの真空チャンバが一列に結合されていて、前記蒸着装置は三つの真空チャンバの中から二番目の真空チャンバ内に形成されていることを特徴とする請求項１３に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造方法。
【請求項１６】
前記蒸着装置は、抵抗加熱式蒸着装置であることを特徴とする請求項１３に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造方法。
【請求項１７】
厚さ測定手段を用いて、前記蒸着装置により形成される転写層の厚さを測定する段階と、
前記厚さ測定手段から情報を受ける厚さ調節手段を用い、前記蒸着装置により形成される転写層の厚さを調節する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造方法。
【請求項１８】
前記蒸着装置を前記真空チャンバ内に固定し、連続的に移動する前記ドナー基板上に転写層を形成することを特徴とする請求項１３に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造方法。
【請求項１９】
前記蒸着装置を前記真空チャンバ内に固定し、
前記ドナー基板は停止された状態で転写層が形成され、前記転写層が形成された後は移動して前記真空チャンバを通過することを特徴とする請求項１３に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造方法。
【請求項２０】
前記蒸着装置は、前記真空チャンバ内で往復移動し、連続的に移動する前記ドナー基板上に転写層を形成することを特徴とする請求項１３に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造方法。
【請求項２１】
前記蒸着装置は、前記真空チャンバ内で往復移動し、
前記ドナー基板は、停止された状態で転写層が形成され、前記転写層が形成された後は移動して前記真空チャンバを通過することを特徴とする請求項１３に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造方法。
【請求項２２】
前記ドナー基板は、フレキシブルドナー基板であることを特徴とする請求項１３に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造方法。
【請求項２３】
前記フレキシブルドナー基板は、プラスチックからなることを特徴とする請求項２２に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造装置。
【請求項２４】
前記フレキシブルドナー基板は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエステルスルホン（ＰＥＳ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスチレンペーパー（ＰＳＰ）、及びポリエテルエテルケトン（ＰＥＥＫ）からなる一群から選択された何れかの一つの物質を用いることができることを特徴とする請求項２３に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造装置。
【請求項２５】
前記フレキシブルドナー基板は、金属からなることを特徴とする請求項２２に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造装置。
【請求項２６】
前記フレキシブルドナー基板は、ＳＵＳまたはＡｌからなることを特徴とする請求項２５に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造装置。
【請求項２７】
前記フレキシブルドナー基板は厚さが５００μｍ以下であることを特徴とする請求項２２に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造装置。
【請求項２８】
前記フレキシブルドナー基板は、熱膨張係数が５０×１０−６／℃ 以下であることを特徴とする請求項２２に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造装置。
【請求項２９】
前記真空チャンバ内での蒸着は、１０−４ｔｏｒｒ以下で行われることを特徴とする請求項１３に記載のレーザ転写用ドナー基板の製造方法。
【請求項３０】
画素電極が形成された基板を供給する段階と、
前記基板全面に請求項１３の方法で製造された転写層が形成されたドナー基板をラミネーションする段階と、
前記ドナー基板の所定領域にレーザを照射して前記画素電極上に有機膜層パターンを形成する段階と、
を含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項３１】
前記真空チャンバは、少なくとも三つ以上の真空チャンバが一列に結合されたことを特徴とする請求項３０に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項３２】
前記真空チャンバは、三つの真空チャンバが一列に結合されていて、前記蒸着装置は三つの真空チャンバの中から二番目の真空チャンバ内に形成されていることを特徴とする請求項３０に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項３３】
前記蒸着装置は、抵抗加熱式蒸着装置であることを特徴とする請求項３０に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項３４】
前記ドナー基板上に形成される転写層は、低分子有機発光物質からなることを特徴とする請求項３０に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項３５】
厚さ測定手段を用い、前記蒸着装置により形成される転写層の厚さを測定する段階と、
前記厚さ測定手段から情報を受ける厚さ調節手段を用い、前記蒸着装置により形成される転写層の厚さを調節する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項３０に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項３６】
前記蒸着装置を前記真空チャンバ内に固定し、連続的に移動する前記ドナー基板上に転写層を形成することを特徴とする請求項３０に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項３７】
前記蒸着装置を前記真空チャンバ内に固定し、
前記ドナー基板は停止された状態で転写層が形成され、該転写層が形成された後は移動して前記真空チャンバを通過することを特徴とする請求項３０に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項３８】
前記蒸着装置は前記真空チャンバ内で往復移動し、
前記ドナー基板は停止された状態で転写層が形成され、該転写層が形成された後は移動して前記真空チャンバを通過することを特徴とする請求項３０に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項３９】
前記蒸着装置は、前記真空チャンバ内で往復移動し、連続的に移動する前記ドナー基板上に転写層を形成することを特徴とする請求項３０に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項４０】
前記ドナー基板は、フレキシブルドナー基板であることを特徴とする請求項３０に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項４１】
前記真空チャンバ内での蒸着は、１０−４ｔｏｒｒ以下で行われることを特徴とする請求項３０に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図５Ｃ】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図５Ｃ】
【公開番号】特開２００６−７０３５７（Ｐ２００６−７０３５７Ａ）
【公開日】平成１８年３月１６日（２００６．３．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−３７７８４４（Ｐ２００４−３７７８４４）
【出願日】平成１６年１２月２７日（２００４．１２．２７）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年３月１６日（２００６．３．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年１２月２７日（２００４．１２．２７）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Ｆターム（参考）】
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