【課題】本発明は、レーザー蒸着する場合のターゲットの無駄を少なくして成膜コストの低減を図るとともに、成膜領域の熱分布を均等にして安定した膜質の薄膜を成膜することができるレーザー蒸着装置の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、レーザー光をターゲットの表面に照射し、該ターゲットから叩き出され若しくは蒸発した蒸着粒子をヒーターボックス内において巻回部材に支持された長尺基材表面に堆積させるレーザー蒸着装置であって、巻回部材間に複数列に分けて支持される長尺基材の幅方向の設置範囲に対応する幅のターゲットが設置され、該ターゲットの裏面側に該ターゲットよりも幅広のバッキングプレートが設置され、該ターゲットの幅方向両側に耐熱金属製のダミープレートが設置され、ダミープレートのバッキングプレート側に酸化物膜が形成されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、処理領域（２）を取り囲む成長室（１）、この成長室（１）の側壁（３）の内面を覆う側部部分（１０）を少なくとも有する主低温パネル、サンプルホルダー（６）、材料を蒸発させる少なくとも１つのエフュージョンセル（８）、気体状プレカーサーを前記成長室（１）に注入することのできるガスインジェクター（９）、前記成長室（１）に連結され、高い真空能力を提供することのできる排気手段（１１）を備えている、半導体材料のウエハを製造する分子線エピタキシー装置に関する。本発明によれば、本分子線エピタキシー装置は、少なくとも成長室壁（３，４，５）の内面を覆う断熱材囲い（１４）を備え、この断熱材囲い（１４）は、気体状プレカーサーの融点より低いか、これと同一である温度Ｔ_ｍｉｎを有する低温部と、高温部を備え、この高温部は、該高温部上の気体状プレカーサーの離脱速度が、気体状プレカーサーの吸着速度の少なくとも１０００倍以上であるような温度より高いか、これと同一である温度Ｔ_ｍａｘを有している。
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【課題】強度に優れた成形体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】繊維径１μｍ以下の互いに結合した複数の繊維状炭素と、Ｇａとを含む成形体に関する。 （もっと読む）

【課題】 基板裏面への温度調整ガスの流量を調整することで基板全体を均一に温度調整することができる。
【解決手段】
基板処理装置は、処理容器に設けられた基板ホルダと、基板ホルダに基板を固定するための固定装置（静電吸着装置３など）と、基板ホルダ内部に設けられ、基板の裏面側に温度調整ガスを供給するための第１ガス配管（６）と、第１ガス配管（６）より基板の内側に設けられた第２ガス配管（７）と、第１ガス配管及び第２ガス配管に設けられ、温度調整ガスの流量を調整するための第１ガス調整部（８）及び第２ガス調整部（９）と、第１ガス調整部及び第２ガス調整部のガス流量を制御する制御部（１２，１３）と、プラズマ発生手段とを備え、制御部は、プラズマ発生手段が作動したときには、第１ガス調整部及び第２ガス調整部に対してそれぞれ異なるガス流量に変更しているように制御する。 （もっと読む）

【課題】基板表面におけるSi等の材料から成る対象表面部のみに選択的に薄膜を形成するうえで、CVD法を用いることなく、簡便に基板上に選択的に膜を形成する選択的膜製造方法を提供する。
【解決手段】圧力10〜202kPa(76〜1520Torr)の水素及び希ガスの混合ガスを主体とする反応ガスが充填された反応室内に、比較的高温に保持した基板、及び、比較的低温に保持した、水素化物が揮発性であるターゲットを平行に配置し、基板とターゲットの間に放電を生起させることで、対象表面部上と、他の表面上との間での膜堆積速度の違いを利用して対象表面部上に選択的にターゲットの薄膜を形成する。希ガスとしてはHeやNeを好適に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】 トレイを用いることなく基板の温度分布の均一化を図りながら当該基板を搬送することができる基板加熱搬送装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る基板加熱搬送装置１０は、加熱源２０と、この加熱源２０上に載置される均熱板４０と、を具備する。加熱源２０には、複数の貫通孔２２，２２，…が設けられており、均熱板４０にも、同様の貫通孔４２，４２，…が設けられている。さらに、加熱源２０には、均熱板４０と同素材の補完ブロック５０，５０，…が設けられている。この補完ブロック５０，５０，…と均熱板４０の各貫通孔４２，４２，…とが嵌合しているときに、加熱源２０の熱が均熱板４０を介してガラス基板１００に伝えられる。そして、均熱板４０の各貫通孔４２，４２，…が加熱源２０の各貫通孔２２，２２，…上にあるときに、ローラ３０，３０，…によってガラス基板１００が搬送される。 （もっと読む）

【課題】高温下での使用の際の剥離を抑制でき、しかも高い熱遮蔽効果を有する遮熱コート材料、遮熱コーティング部材とその製造方法、遮熱コーティング材により被覆されたタービン部材、及びガスタービンを提供する。
【解決手段】耐熱基材２１と、該耐熱基材上に形成されたボンドコート層２２と、該ボンドコート層上に形成されたセラミックス層２４とを含んでなる遮熱コーティング部材であって、該セラミックス層２４が、一般式Ａ”_２Ｃｅ_２Ｏ_７で表される酸化物を含む。但し、Ａ”はＬａ、Ｓｍ又はＹｂのいずれかを表す。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系半導体層の表面平坦性低下は抑制しつつ、成長速度の向上が図られたＺｎＯ系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体素子の製造方法は、基板を準備する工程と、無電極放電管３ａと５ａにＯとＮを含むガスを導入し、放電して第１のビームを発生させる工程と、成長温度を６００℃以上として、基板の上方に、Ｚｎソースガン２から、少なくともＺｎを供給するとともに、無電極放電管３ａと５ａから第１のビームを供給して、ｎ型ＺｎＯ系半導体層を成長させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】加熱部からの熱輻射による封止部材の劣化を抑制する。
【解決手段】処理容器と、処理容器内に設けられ基板が載置される基板載置部と、基板載置部内に設けられ基板を加熱する加熱部と、処理容器に隣接する熱輻射減衰部と、ガス導入部に封止部材を介して接続され処理容器内に処理ガスを供給するガス供給管と、を備え、熱輻射減衰部は、加熱部と封止部材とを結ぶ線上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】従来よりも光電変換効率が改善された光触媒膜として用いられ得る新規な膜およびその製造方法、ならびに、このような膜を用いた、水溶液から水素を発生するのに適した水素発生装置を提供する。
【解決手段】光を吸収して電子と正孔を生じる半導体酸化物で形成された膜であって、当該半導体酸化物が、Ｆｅに対するＴｉの原子数比が０．０５〜０．１のＴｉを含有し、かつＦｅに対するＴａまたはＷの原子数比が０．００１〜０．００５のＴａまたはＷを含有するＦｅ₂Ｏ₃であることを特徴とする半導体酸化物膜およびその製造方法、ならびに半導体酸化物膜を用いた水素発生装置。 （もっと読む）

【課題】
高い原料利用効率、大面積対応、高い安全性を具備したスパッタ法の利点を生かし、高い品質の４族元素からなる半導体単結晶薄膜、および半導体多結晶薄膜を形成する。
【解決手段】
希ガスと水素の混合スパッタガスを用いること、真空容器の到達最低圧力を１×１０^-7Ｔｏｒｒ未満の超高真空領域に下げること、マグネトロン方式でスパッタすること、スパッタ成膜とスパッタ成膜の間のスパッタガスを流していないときに、スパッタターゲットを含むスパッタガンの圧力を１×１０^-7Ｔｏｒｒ未満に維持し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に保つことが重要で、これらの組み合わせによって初めて、これらが相補的に機能し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に維持され、また、堆積薄膜への酸素の混入量が検出限界以下となり、また、堆積薄膜に対する損傷やエッチング効果が抑制され、実用レベルの高品質、高純度の４族系半導体結晶が形成できる。 （もっと読む）

【課題】中間層薄膜の結晶配向性を向上させた薄膜超電導線材及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】金属基板と、前記金属基板上に形成された、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｙ、Ｇｄ、Ｍｇ、Ｓｒ、及びＴｉからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素を含む複数層の金属酸化物膜を有する中間層と、前記中間層上に形成された超電導膜を有する通電層とを備える薄膜超電導線材であって、前記中間層は、第１の酸化物膜と、前記第１の酸化物膜上に形成された第２の酸化物膜を有し、前記第２の酸化物膜の形成後の前記第１の酸化物膜の格子定数は、前記第２の酸化物膜の形成前の格子定数よりも大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、反応空間を提供するチャンバーと、前記チャンバー内に互いに離間して設けられる第１及び第２の基板ホルダーと、前記第１及び第２の基板ホルダーの間に配設され、前記第１及び第２の基板ホルダーの方向に順次に蒸着原料を供給する蒸着源と、を備える薄膜蒸着装置と、該薄膜蒸着装置に好適に用いられる薄膜蒸着方法と、これを備えた薄膜蒸着システムを提供する。
本発明によれば、それぞれの工程チャンバー内に設けられた一つの蒸着源を通じて、それぞれの工程チャンバー内に設けられた複数の工程ラインに対して順次に薄膜工程を行うことができるので、費用節減及び生産性の向上を両立させることができる。 （もっと読む）

【課題】 従来の化合物半導体へテロ接合の製造方法では、微小な信号電流を扱う半導体装置において十分な雑音特性を得ることが困難である。
【解決手段】 基板の上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体である第１の半導体を、第１の基板温度で成長させる。第１の半導体の成長を停止させ、第１の半導体の表面に、Ｖ族元素の原料を供給しながら、基板の温度を、第１の基板温度とは異なる第２の基板温度に変化させる。第１の半導体の上に、第１の半導体とは異なるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体である第２の半導体を、第２の基板温度で成長させる。基板の温度を第１の基板温度から第２の基板温度に変化させる工程が、基板の温度を測定する工程と、Ｖ族元素の供給量が、測定された前記基板の温度における供給量の目標下限値と目標上限値との間に納まるように、供給量を制御する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】加熱方式による真空蒸着法を用いて無機酸化物を蒸発させる際に発生するスプラッシュによる外観不良および表面欠陥を抑制し、かつ高いガスバリア性能を有するガスバリアフィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】減圧下で、無機酸化物からなる蒸着材料６を蒸発させ、高分子フィルム基材の少なくとも一面に無機酸化物膜を形成するガスバリアフィルムの製造方法において、前記蒸着材料６の主たる蒸発方向と直交するように前記高分子フィルム基材の蒸着すべき面を配置し、蒸着材料６と高分子フィルム基材との間に、複数の耐熱性平板５を蒸発方向と平行に配置し、蒸着時は、蒸発した無機酸化物粒子が前記耐熱性平板５間を通過して前記高分子フィルム基材に到達することを特徴とするガスバリアフィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の脱気処理を十分に行って高真空にできると共に、高温に耐え得る載置台構造を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して金属を含む薄膜を形成するために被処理体を載置する載置台構造３２において、内部にチャック用電極３４と加熱ヒータ３６とが埋め込まれたセラミック製の載置台３８と、載置台の周辺部の下面に接続された金属製のフランジ部１００と、フランジ部とネジ１２６により接合されると共に内部に冷媒を流すための冷媒通路４０が形成された金属製の基台部４２と、フランジ部と基台部との間に介在された金属シール部材１３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】反応容器内で第１及び第２の原料ガスを反応させ、基板表面に薄膜を成膜する場合において、第１及び第２の原料ガスを、インジェクタの近傍で均一に混合してから基板に到達させることができ、成膜する薄膜の膜質、膜厚を基板間及び面内で均一に揃えることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】反応容器内に第１及び第２の原料ガスを吐出する第１及び第２のインジェクタ１１、１２を備え、第１及び第２のインジェクタ１１、１２は、第１及び第２の原料ガスを基板に向けて吐出する複数の第１の吐出口Ｎ１、Ｎ２が設けられ、第１の吐出口Ｎ１から吐出された第１の原料ガスの流路ＦＬ１が、対応する第２の吐出口Ｎ２から吐出された第２の原料ガスの流路ＦＬ２と略同一であり、第１の原料ガスは、第１の吐出口Ｎ１から吐出された後、基板に到達する前に、第２の原料ガスと混合されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れた酸化物超伝導薄膜を形成可能とするとともに、当該酸化物超伝導薄膜を含んで高い超伝導転移温度を有する超伝導薄膜積層体を形成可能で、製造工程中に有毒元素を含まない酸化物超伝導薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶基板上にＹＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_ｘで構成されるバッファー薄膜を形成する第１の工程と、バッファー薄膜上に連続してＢａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超伝導薄膜を形成する第２の工程とを備え、第１の工程は、前記バッファー薄膜をパルスレーザーデポジション法によりエピタキシャル成長させるバッファー薄膜成長工程を含み、第２の工程は、バッファー薄膜上に酸化物超伝導薄膜をパルスレーザーデポジション法によりエピタキシャル成長させる超伝導薄膜成長工程と、超伝導薄膜成長工程に連続し、基板温度を徐冷させる徐冷工程と、徐冷工程に連続し、基板温度を急冷させる急冷工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】固体の粒子を安定的にを昇華させることが可能な気化器を有する成膜装置を提供する。
【解決手段】チャンバー内に設置された基板に、気化した第１の物質と気化した第２の物質とを供給し反応させることにより前記基板上に第３の物質の膜を形成する成膜装置において、常温では固体である前記第１の物質を気化させて供給するための気化器を有しており、前記気化器は、前記第１の物質の粒子を供給するための供給部と、前記供給部の下部に設けられた段部を有する傾斜状の加熱部と、を有し、前記第１の物質の粒子は、前記段部を有する傾斜状の加熱部において気化されるものであることを特徴とする成膜装置を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】フィルム基材の帯電現象による問題を回避しながら、電子ビーム加熱による蒸発物質の蒸着を可能にし、巻取り走行されるフィルム基材に損傷のないバリア性薄膜を安定に成膜できるようにした巻取り式蒸着装置及び巻取り式蒸着方法並びにバリアフィルムを提供する。
【解決手段】電子ビーム１９により加熱されて蒸発する蒸発物質を、巻取り走行されるフィルム基材１２に蒸着してガスバリア性の薄膜を形成する巻取り蒸着装置において、表面にガスバリア性薄膜を蒸着させたフィルム基材１２を、成膜ロール１５から剥離直前に加熱する加熱手段と、成膜ロール１５に正の電位を印加して、巻出し・巻取り室２０内でフィルム基材１２が成膜ロール１５から剥離された後の、フィルム基材１２と成膜ロール１５との間にプラズマ２７を発生させる電位印加手段とを備える。 （もっと読む）