【課題】バッチ処理することが可能で、スル−プットの向上が可能で、しかも、コンパクト化と省エネルギ−化が可能な加熱・冷却装置
【解決手段】互いに非連通の複数の基板収容室２３、３５と、これら複数の基板収容室に加熱ガス又は冷却ガスを導入する加熱冷却制御手段５０とを備え、加熱冷却制御手段は、複数の基板収容室の各々を個別に温度制御可能である。 （もっと読む）

【課題】例えばより抵抗が低く透過率の高いＩＴＯ薄膜のような透明導電膜を、樹脂フィルムの軟化点以下の温度で比較的低コストに均一かつ高速度で成膜する。
【解決手段】真空容器１内の上部に、成膜ローラ１０に巻回された樹脂フィルムＦがその被成膜面Ｓを下向きにして配設するとともに、真空容器１内の下部には、蒸着材料を電子ビームガン４によって蒸発させる蒸発源５と、この蒸発源５において蒸発させられた蒸着材料の材料蒸気Ａに向けてプラズマＢを照射するプラズマ放出源７とを、被成膜面Ｓに対向するように配置し、このうちプラズマ放出源７を、成膜ローラ１０の軸線Ｏを含んで鉛直方向に延びる仮想平面Ｒから間隔をあけて配設する。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れたＭｇＯ薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】ＭｇＯ薄膜の製造方法は、加熱工程と堆積工程からなる、強磁性体上へのＭｇＯ薄膜の製造方法であり、前記加熱工程は、２００℃以上の温度において実施され、前記堆積工程は、ＭｇＯとＭｇＦ_２からなるターゲットをスパッタリングすることにより実施され、前記ターゲットにおいて、前記ＭｇＯに対する前記ＭｇＦ_２の概算仕込み量が、２．３原子パーセント以上、７．０原子パーセント以下であることを特徴とする。本構成により、（１００）配向かつ結晶性に優れたＭｇＯ薄膜を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 強誘電体膜の上に、ＳｒＲｕＯ_３膜を形成し、その上に酸化イリジウム等の電極を従来の方法で形成した強誘電体キャパシタでは、目標とする大きさのＱｓｗを得ることが困難である。
【解決手段】 基板の上に、下部電極膜を形成する。下部電極膜の上に、強誘電体膜を形成する。強誘電体膜の上に、ペロブスカイト構造を持つ導電性酸化物からなるアモルファスの中間膜を形成する。中間膜の上に、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓからなる群より選択された少なくとも１つの金属の酸化物からなる第１の上部電極膜を形成する。第１の上部電極膜を形成した後、酸化性ガスを含む中で第１の熱処理を行うことにより、中間膜を結晶化させる。第１の熱処理の後、第１の上部電極膜の上に、第１の上部電極膜を形成するときの成長温度よりも低温で、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓからなる群より選択された少なくとも１つの金属の酸化物からなる第２の上部電極膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】冷却効率を向上させ、冷却処理を高速化できる冷却装置を提供する。他の課題は、加熱効率を向上させ、加熱処理を高速化できる加熱装置を提供する。
【解決手段】冷却装置は、チャンバ２１１と、基板１を保持するための基板キャリア２であって、チャンバの搬入口からチャンバ内部の停止位置に搬入されて、さらに前記チャンバの搬出口から搬出される基板キャリア２と、チャンバ内の停止位置に搬入された基板キャリア２の両側に配置された第１冷却板３ａ、及び第２冷却板３ｂと、第１冷却板３ａ又は第２冷却板３ｂのうち少なくとも一つに設けられ、基板にガスを放出するガス放出口４と、ガス放出口４にガスを供給するガス供給手段と、基板キャリア２に近接して第１冷却板及び第２冷却板を移動する移動手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法を用いて透明導電膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し安定にスパッタリングを行うことのできるインジウム含有量が低減されたターゲット、このターゲットを用いて作製した透明導電膜及び透明電極を提供する。
【解決手段】少なくともインジウム、錫及び亜鉛を含有し、Ｚｎ_２ＳｎＯ_４で表されるスピネル構造化合物及びＩｎ_２Ｏ_３で表されるビックスバイト構造化合物を含む酸化物の焼結体であることを特徴とするスパッタリングターゲット；その製造方法、透明導電膜及び透明電極。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長した透明導電性薄膜の製造方法と製造装置および結晶性薄膜の多層構造による、新たなフォトエレクトロニクスデバイスを提供する。
【解決手段】真空室中の基板５を３００℃〜５００℃に加熱し、不活性ガス圧力０．０５Ｐａ〜０．３Ｐａ、酸素分圧５ｘ１０^-4Ｐａ〜１．５ｘ１０^-3Ｐａの範囲に制御し、基板に対して高密度プラズマ照射を行うにより、結晶性基板上に薄膜形成材料をエピタキシャル成長させて透明導電性薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】無欠陥の無電解ニッケルメッキ膜の製造方法の提供。
【解決手段】スパッタ法を用いて、基材上に９９．９９％以上の純度および２．５μｍ以上の膜厚を有するアルミニウム層を形成する工程と、無電解メッキを用いて、アルミニウム層の上に無電解ニッケルメッキ膜を形成する工程とを含むことを特徴とする無電解ニッケルメッキ膜の製造方法。ここで、基材とアルミニウム層との間に９９．９９％以上の純度を有するチタン層を形成する工程をさらに含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】バルク単結晶ＭｇＯを切り出して原子スケールで平坦な (111) 面を研磨により
得ることは成功していない。また、成膜法でも原子スケールで平坦なＭｇＯ (111) 面は
得られていない。
【解決手段】レーザーアブレーション堆積法によりＭｇＯ焼結体又は単結晶をターゲット
として用いてＭｇＯ薄膜を基板上に堆積する方法において、基板として、単結晶ＮｉＯ(1
11)薄膜層を原子スケールで表面平坦に成膜した単結晶基板を用い、該ＮｉＯ(111)薄膜層
上に「Ｍｇ−Ｏ」層を１ユニットとして積層状に堆積させてエピタキシャル成長させるこ
とによってＭｇＯ(111)薄膜を原子スケールで表面平坦に成膜することを特徴とする面方
位(111)のＭｇＯ薄膜の作製方法。ＭｇＯ(111)薄膜は、「Ｍｇ−Ｏ」層を１ユニットとし
てエピタキシャル成長する。 （もっと読む）

【課題】蒸着時の蒸着対象物の温度を正確かつ精密に取得することのできる蒸着温度計測装置、及びこれを用いた蒸着装置を提供することを目的とする。
【解決手段】受熱量に応じた検出信号を出力する温感素子と、温感素子からの出力信号を記録する記憶部と、を含む電子温度センサと、蒸着面に貫通孔の設けられた基板と、を備え、基板の貫通孔内に電子温度センサを配設した蒸着温度計測装置とする。また、この蒸着温度計測装置をコートドームに配設した蒸着装置とする。 （もっと読む）

【課題】厚み方向にダブルグレーデング構造を有し、かつ面内均一性を有するＣＩＧＳ膜を効率的に製造することができる成膜装置および、高い光電変換率を有する光電変換素子を効率的に製造する光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】成膜装置において、成膜用基板Sを一方向に搬送する基板搬送機構を備え、蒸着室内に、成膜用基板の搬送方向Aに沿って上流側から順に、Ｃｕ蒸着源21とＧａ蒸着源22とが行方向および列方向に交互に配置されてなる行列状のＣｕ−Ｇａ第１蒸着源群31、Ｃｕ蒸着源とＩｎ蒸着源23とが行方向および列方向に交互に配置されてなる行列状のＣｕ−Ｉｎ第１蒸着源群32およびＣｕ−Ｉｎ第２蒸着源群33、およびＣｕ蒸着源とＧａ蒸着源とが行方向および列方向に交互に配置されてなる行列状のＣｕ−Ｇａ第２蒸着源群34を配置する。 （もっと読む）

【課題】形成した薄膜のひび割れ耐性、可撓性に優れ、低抵抗で高光透過性の積層型透明導電性フィルムを提供する。
【解決手段】透明プラスチックフィルムの上に、第１のＩＴＯ膜（Ａ_１）、金属膜（Ｍ）、第２のＩＴＯ膜（Ａ_２）をこの順で積層した積層膜ユニットを有する積層型透明導電性フィルムであって、該透明プラスチックフィルムの厚さが、１００μｍ以上、１５０μｍ以下であり、該第１のＩＴＯ膜（Ａ_１）の膜厚をｈ_Ａ１とし、該第２のＩＴＯ膜（Ａ_２）の膜厚をｈ_Ａ２としたとき、ｈ_Ａ１＞ｈ_Ａ２の関係を満たし、かつ該積層膜ユニットの総膜厚が、１００ｎｍ以下であることを特徴とする積層型透明導電性フィルム。 （もっと読む）

【課題】タッチパネルのタッチ位置検出性能を高めるとともに、タッチパネルの製造コストを安価にすることのできる透明導電薄膜を提供する。
【解決手段】透明導電薄膜４は、歪みに対する電気抵抗の変化率が３００以上である材料から形成される。具体的には、透明導電薄膜４は、Ｚｎ：Ｏの組成比が、３７．２１：６２．７９から、３７．６９：６２．３１の範囲内のＺｎＯから形成される。透明導電薄膜４は、真空チャンバ内に、ガラス基板２と、Ｚｎを成分とするターゲットとを配置した状態で、真空チャンバ内に、１８．０ｃｍ^３／ｍｉｎの流量でアルゴンを導入し、且つ、１．０ｃｍ^３／ｍｉｎ以上、２．０ｃｍ^３／ｍｉｎ以下の流量で酸素を導入しながら、ターゲットをスパッタすることで製造される。 （もっと読む）

【課題】高硬度で溶着を起こしやすい被削材の高速切削加工で、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットで構成された工具基体の表面に、１〜５μｍの平均層厚を有し、かつ、組成式：（Ｎｂ_ａＣｒ_ｂＹ_{１−ａ−ｂ}）Ｎ（但し、ａはＮｂの含有割合を示し、原子比で、０．５≦ａ≦０．７であり、ｂはＣｒの含有割合を示し、原子比で、０．２≦ｂ≦０．４であり、１−ａ−ｂはＹの含有割合を示し、原子比で、０．０５≦１−ａ−ｂ≦０．１である）を満足するＮｂとＣｒとＹの複合窒化物層からなる硬質被覆層を形成した表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】還元処理を行わなくても比抵抗が低い、酸化物半導体膜形成用のターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを含み、周囲よりもＩｎの含有量が多い組織と、周囲よりもＧａ及びＺｎの含有量が多い組織を備えている酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】単一のスパッタ装置によって金属材料を凹部に埋め込む際にその埋め込み性を向上させることができるスパッタ方法及び該スパッタ方法に用いられるスパッタ装置を提供する。
【解決手段】
基板Ｓの凹部内に金属材料を埋め込むスパッタ方法では、基板Ｓにバイアス電圧を印加しつつターゲット１８をスパッタする第１の工程と、基板Ｓにバイアス電圧を印加しない状態でターゲットをスパッタする第２の工程とを有し、第１の工程と第２の工程とは真空槽１１内で順に実行される。第１の工程では、ターゲット１８から放出された金属粒子とプラズマ中の荷電粒子とが衝突する圧力でターゲット１８をスパッタして電荷を帯びた金属粒子を生成し、電荷を帯びた金属粒子を凹部の内部に向けてバイアス電圧により引き込む。第２の工程では、基板Ｓに付着する金属粒子が凹部内に流動するように基板Ｓの温度を第１の工程よりも高くしてターゲット１８をスパッタする。 （もっと読む）

【課題】蒸着する微粒子の粒径を所望の大きさにコントロールするため、基材の高精度温度制御可能な蒸着装置を提供する。
【解決手段】温度制御ユニット３２は、温度制御された液体または固体の熱媒体が供給される伝熱ブロック３４と、この伝熱ブロックの基材との対向面側に保持された伝熱ローラー３６と、基材と伝熱ブロックの間の空間にガスを供給するガス導入路３７と、を備え、この伝熱ローラーは、降下移動して基材の裏面に当接し、基材の移送に連動してこの移送方向と交差する軸を中心に回転するとともに、基材からの力で上昇移動が可能であって、伝熱ローラーおよび伝熱ブロックは、基材と熱媒体との間を、ガス、伝熱ローラーおよび伝熱ブロックを介して熱が伝播することにより、基材の温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】切刃に対して高負荷が作用する乾式断続重切削加工や乾式連続高送り切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金焼結体からなる切削工具基体表面にＣｒＳｉＮ層からなる硬質被覆層を物理蒸着で形成した表面被覆切削工具において、ＣｒＳｉＮ結晶粒の粒径幅が小さい領域Ｉと、粒径幅がこれより大きい領域ＩＩとから硬質被覆層を構成し、かつ、領域Ｉの微細粒子と領域ＩＩの粗大粒子の結晶方位のずれが１５度以下となる縦区分の面積割合を６０％以上とし、乾式断続重切削加工、乾式連続高送り切削加工において、すぐれた高温強度、耐欠損性、靭性を発揮させる。 （もっと読む）

【課題】不純物が混入しない酸化物半導体膜を成膜する成膜装置を提供することを課題とする。不純物が混入しない酸化物半導体膜を含む半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】成膜装置を含む環境から不純物を排除することにより、成膜装置の外部から成膜装置内へ不純物を含む気体が漏洩（リーク）する現象を防げばよい。また、当該装置を用いて成膜した、不純物が低減された酸化物半導体層を半導体装置に適用すればよい。 （もっと読む）

【課題】Ｒｏｌｌ Ｔｏ Ｒｏｌｌ方式で、基材の搬送速度を非常に速い条件に設定しても、基材上に絶縁性の高品質な薄膜を成膜することが可能なプラズマアシスト付きの真空成膜装置を提供する。
【解決手段】真空容器内の上部に、成膜用ドラム１３に巻き掛けられた基材１１がその被成膜面１１０を下向きにして配設されるとともに、上記真空容器内の底部には、蒸着材料２を蒸発させる蒸着源１７と、この蒸着源から蒸発した上記蒸着材料に向けてプラズマを照射するプラズマガンとが、上記被成膜面の下方に配置されており、上記プラズマガンは、上記基材の流れ方向に対して直交する方向から、上記被成膜面に向けて配置されている。これにより、薄膜形成前の基材の被成膜面に対してプラズマを照射する前処理、プラズマアシストによる成膜、基材に形成された薄膜に対してプラズマを照射する後処理が１台で逐次連続的に行える。 （もっと読む）