【課題】低抵抗で平滑なＩＴＯ透明導電膜付きカラーフィルター基板を得ることを課題とする
【解決手段】ＩＴＯ透明導電膜の成膜にプラズマガンを用いるイオンプレーティング法が用い、ＩＴＯ透明導電膜を成膜されるときのカラ−フィルターが設けられた基板の温度が９０℃〜１６０℃であり、ＩＴＯ原料に照射するプラズマビームの単位面積あたりの投入出力が０．５〜１．６ｋＷ／ｃｍ^２である成膜方法である。また、ＩＴＯ透明導電膜の成膜にプラズマガンを用いるイオンプレーティング法が用いられ、ＩＴＯ原料に照射するプラズマビームの単位面積あたりの投入出力が０．５〜３ｋＷ／ｃｍ^２であり、ＩＴＯ透明導電膜を成膜されるときのカラ−フィルターが設けられた基板の温度上昇が５０℃以下であるＩＴＯ透明の成膜方法。 （もっと読む）

耐熱材料の「必要な部位」に「目的形状」の皮膜を「低コスト」と「高生産性」で形成するプロセスの開発が望まれている。 皮膜形成用の微粉末と通電加熱できる被処理部材とを収容した容器を雰囲気を制御できる処理室内に載置し、微粉末を浮遊させるとともに被処理部材を通電加熱し、加熱により生じる微粉末の蒸気を被処理部材表面から拡散させることにより拡散皮膜を形成させ、かつ浮遊した微粉末を該表面に付着させることにより拡散皮膜層上に微粉末皮膜を形成させることを特徴とする耐高温腐食性皮膜の形成方法。被処理部材をマスキングし、非マスキング部分にのみ皮膜を形成する。被処理部材の一部分を皮膜が形成されない温度に冷却することによって該一部分に皮膜を形成しないようにすることもできる。
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本発明は、回転可能な基板ペデスタル及び少なくとも１つの移動可能な傾斜ターゲットを有する物理気相堆積（ＰＶＤ）チャンバに関する。本発明の実施形態によれば、均一性の高い薄膜を堆積させることができる。 （もっと読む）

本発明は、放射体１０及び放射体を製造する方法に関する。特に、本発明は、全体構造のサーマル放射率を増加させるのに役立つ薄膜コーティング５を有する放射体１０に関する。放射体１０は、基板１２、アモルファスカーボン層１６、及び前記基板１２と前記アモルファスカーボン層１６の間に挿入された金属化カーバイド形成層１４を備えている。さらに、放射体を製造する方法は、基板上に金属化カーバイド形成層を形成する工程、及び前記金属化カーバイド形成層上にアモルファスカーボン層を形成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】マスクを用いた気相堆積法による成膜時の基板温度をより正確に管理し、これにより、これら薄膜の位置精度を向上させること。
【解決手段】本発明の方法は、絶縁基板ＳＵＢとその上に形成され且つ表示素子ＯＬＥＤを含んだ構造体とを具備した表示装置を製造する方法であって、真空中で、マスクを用いた気相堆積法により、前記絶縁基板ＳＵＢ上に、前記構造体の一部として前記マスクのパターンに対応したパターンを有する薄膜を形成する工程を含み、前記薄膜を形成する前及び／又は前記薄膜を形成している間、金属基板とその一主面を被覆し且つ前記金属基板よりも赤外線吸収率がより高い赤外線吸収層とを備えた冷却板を、前記赤外線吸収層が前記絶縁基板ＳＵＢと向き合うように配置することにより、前記絶縁基板ＳＵＢを冷却することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 レーザ転写用ドナー基板の製造装置とその製造方法及びそれを用いた有機電界発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 レーザ転写用ドナー基板の製造装置は、真空チャンバ、該真空チャンバ内部をインライン（ｉｎ−ｌｉｎｅ）で移動しながら通過するドナー基板、及び該真空チャンバ内に形成され、該ドナー基板上に転写層を形成させる蒸着装置を含むことを特徴とする。前記レーザ転写用ドナー基板の製造方法及びそれを用いた有機電界発光素子の製造方法は、真空チャンバ内部をドナー基板がインラインに移動しながら通過し、前記真空チャンバ内に形成された蒸着装置が前記ドナー基板上に転写層を形成することを特徴とする。高真空を維持する真空チャンバ内で転写層、特に低分子有機発光層を連続して形成することができ、また該転写層で形成されたレーザ転写用ドナー基板を大量生産することができると言うメリットがある。また、これを用いた大面積の有機電界発光素子が製造できるメリットを提供する。 （もっと読む）

本発明は、層を形成することにより、透明または半透明な基体を機能化するための方法に関係し、この方法は、少なくとも一つのタイプの機能化有機分子または機能化有機金属分子を基体上へ気化させる工程、および上述の層の一部である無機ガラスマトリックスを同時にプラズマ支援化学蒸着に掛ける工程を含むことを特徴とする。また、本発明は、上述の方法により調製された基体、本発明の方法を実行するための装置、および前述の基体の使用にも関係する。
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【課題】 金属吸着法を用いて均一な単原子ステップを有する固体結晶表面を形成する方法を提供する。
【解決手段】 固体結晶の両端に直流電圧を印加して所定の温度に加熱する段階と、直流電圧印加を保持しつつ、所定の温度に加熱された固体結晶の表面に金属原子を所定の蒸着速度で蒸着することで、固体結晶の表面に当該固体結晶を構成する原子の単原子ステップを形成する段階と、を含む固体結晶表面の形態制御方法。 （もっと読む）

本発明は、第１には、真空中で基板上に高温超伝導体を蒸着する装置であって、高温超伝導材料の貯留器を収容する再充填装置と、エネルギ伝達媒体のビームにより蒸発ゾーンにおいて上記高温超伝導材料を蒸発させる蒸発装置と、上記高温超伝導材料を再充填装置から蒸発ゾーンに、該蒸発ゾーンに供給された高温超伝導材料が実質的に残留無しで蒸発されるように、連続的に供給する供給装置とを有するような装置に関するものである。本発明は、更に、真空中で基板上に高温超伝導材料の被覆を蒸着する方法であって、高温超伝導材料の粒体を蒸発ゾーンに連続的に導入するステップと、エネルギ伝達媒体のビームを上記の導入された粒体が上記蒸発ゾーンにおいて実質的に残留無しで蒸発されるように動作させるステップとを有するような方法にも関するものである。
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【課題】 複数の基板の成膜を簡易におこなうことができる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る成膜装置１０において、成膜されるべきＳｉ基板２０は、筐体１２内に配置された円板状ホルダ１８によって保持される。そして、ホルダ１８に保持されたＳｉ基板２０Ａがヒータ２８によって加熱されると共に、蒸着源３０から成膜材料３２が放出されることによって、Ｓｉ基板２０Ａの成膜がおこなわれる。ここで、ホルダ１８は、その円周方向Ｌに沿って並ぶように６枚のＳｉ基板２０Ａ〜２０Ｆを保持すると共に、その円周方向Ｌに回転する。そのため、このホルダ１８を回転させると、蒸着源３０によって成膜されるＳｉ基板２０がＳｉ基板２０Ｂに換わって、ホルダ１８に保持された６枚のＳｉ基板２０Ａ〜２０Ｆが順次成膜可能な状態となる。 （もっと読む）

【課題】 成膜中においても基板表面近傍から基板表面を効率的に加熱することが可能な膜形成装置を提供する。
【解決手段】 真空槽１と、該真空槽内に配設された蒸着源３と、真空槽１内に設置され基板Ｓを保持する基板ホルダ２と、蒸着源３と基板ホルダ２との間に設置された補正板１１と、電源から電力の供給を受けて基板Ｓを加熱するためのヒータ１３と、を有する膜形成装置において、ヒータ１３を補正板１１における基板ホルダ２に対向する面に設ける。 （もっと読む）

処理チャンバに配置された材料をアニールしてケイ化物層を形成するための方法及び装置が提供される。１つの態様において、シリコン材料が配置された基板を、チャンバ内の基板支持体上に配置するステップと、少なくともシリコン材料上に金属層を形成するステップと、上記基板をその場でアニールして、金属ケイ化物層を生成するステップとを備えた基板面を処理する方法が提供される。別の態様において、この方法は、ロードロックチャンバと、該ロードロックチャンバに結合された中間基板移送領域であって、第１基板移送チャンバ及び第２基板移送チャンバで構成される中間基板移送領域と、上記第１基板移送チャンバに配置された物理的気相堆積処理チャンバと、上記第２基板移送チャンバに配置されたアニールチャンバとを備えた装置において実行される。
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同時蒸発蒸着プロセスによって製造される銅インジウムガリウムジセレン化物（ＣＩＧＳ）太陽電池の組成制御のためのインライン製造装置および方法について述べる。蒸着条件は、蒸着されたＣｕ過剰全体組成が、最終ＣＩＧＳ膜であるＣｕ不足全体組成に変換されるようになっている。モリブデン層を備えた基材（２１）は、ＣＩＧＳプロセスチャンバ（７）内を一定の速度で移動する。基材上での銅豊富組成から銅不足組成への転移は、転移に関する物理パラメータ、たとえば放射を検知するセンサを使用することによって検知される。本発明の代わりの好ましい実施形態において、蒸着層中の元素の組成を検知するセンサ（２０）が提供される。センサに接続されたコントローラ（１７）は、基材の幅に渡って均一な組成および均一な厚さのＣＩＧＳ層を提供するために、蒸発物源（１１、１２、１３）からの流量を調整する。２列の蒸発物源の使用は、基材の幅に渡るＣＩＧＳ層の元素組成および厚さの調整を可能にする。 （もっと読む）

ガスを流し、基板に膜を堆積させる処理室と、処理室に配置され、基板を加熱するランプユニットと、ランプユニット囲う第１の囲い体と、第１の囲い体を囲う第２の囲い体と、ランプユニットと第１の囲い体との間の第１の空間、および第１の囲い体と第２の囲い体との間の第２の空間に、冷却媒体をそれぞれ流通させる冷媒流通装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】 バイアスされた基板支持体上に取りつけられたクランプされた基板の温度を制御する方法を提供する。
【解決手段】 基板支持体は、基板を加熱または冷却するための裏側ガスの流れを可能にする通路を有し、それによって、裏側ガスの圧力が少なくとも１５トルに維持される。高いガス圧が基板を横切って処理の厚さの均一性を改善する。スパッタされたシード層のプラズマ堆積のために、シード層の形状は、基板のエッジ近くで改善され、基板を横切る層の均一性も改善される。 （もっと読む）