【課題】ヘッドスペーシングの拡大、および磁性層の磁気異方性の低下を抑制することができる垂直磁気記録媒体の製造方法の提供。
【解決手段】（１）規則合金を構成する金属および炭素を含むターゲットを用いるスパッタ法によって、非磁性基板上に、規則合金の結晶粒子および炭素からなる粒界層を含む磁気記録層と、磁気記録層上に存在し、炭素からなる保護層前駆体とを形成する工程と、（２）保護層前駆体に、炭化水素系ガスに対するプラズマ放電により生成した炭化水素系イオンを照射して、保護層前駆体を保護層に変化させる工程とを含み、炭化水素系イオンは保護層前駆体に到達する際に３００ｅＶ以上のエネルギーを有することを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】繰り返しスパッタリング成膜を行った場合であっても、成膜される薄膜に構造欠陥が生じ難いスパッタリング成膜装置及びそれを用いた薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング成膜装置１は、チャンバ１０ｂと、ホルダ１１と、加熱装置とを備えている。ホルダ１１は、チャンバ１０ｂ内に配されている。ホルダ１１には、被成膜部材が取り付けられる。加熱装置は、ホルダ１１を加熱する。加熱装置は、遠赤外線をホルダ１１に照射する遠赤外線ヒーター２０と、近赤外線をホルダ１１に照射する近赤外線ヒーター２１とを有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物超電導層が超電導状態から常電導状態へと遷移（クエンチ）しようとした場合に、酸化物超電導層の電流を基材に転流させることができ、酸化物超電導層の上方に形成される安定化層の薄膜化が可能な酸化物超電導導体の提供。
【解決手段】本発明の酸化物超電導導体１０は、金属製の基材１と、基材１上に設けられた単層または複数層からなる中間層２と、中間層２上に設けられた酸化物超電導層３と、を備え、中間層２を構成する全ての層２１、２２が、電気伝導性の酸化物よりなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】コーティング付き物品及び製造方法の提供。
【解決手段】コーティング付き物品（20,100）は、基材（22,102）と、ＰＶＤコーティング領域（110）を有するコーティング組織（24,106）とを有する。ＰＶＤコーティング領域（110）は、アルミニウムと、イットリウムと、窒素と、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、およびシリコンからなる群から選択される少なくとも１つの元素とを含む。アルミニウム及びイットリウムの含有量の合計は、アルミニウム、イットリウム及び他の元素の合計の約３原子％〜約５５原子％である。イットリウム含有量は、アルミニウム、イットリウム及び他の元素の合計の約０．５原子％〜約５原子％である。基材を用意するステップと、ＰＶＤコーティング領域を含むコーティング組織を堆積させるステップとを含むコーティング物品の製造方法も開示する。 （もっと読む）

【課題】高硬度鋼の高速重切削加工条件下において、硬質被覆層がすぐれた耐溶着性と耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体の表面に、硬質被覆層として、ＡｌとＴｉの複合窒化物層からなる下部層と、Ａ層：（１１１）面配向性のＡｌとＣｒの複合窒化物層、Ｂ層：ＡｌとＴｉの複合窒化物層、Ｃ層：（２００）面配向性のＡｌとＣｒの複合窒化物層、Ｂ層＋Ａ層＋Ｂ層＋Ｃ層を１積層周期とした１周期以上の積層構造を有する上部層とからなる層を形成した表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】温度分布の制御精度の向上を図ることができるセラミックスヒータを提供する。
【解決手段】本発明のセラミックスヒータ１によれば、各発熱抵抗体Ｑｋ（ｋ＝１〜５）から発せられた熱を、セラミックス基板２から伝熱面としての接合界面Ｓｊ（ｊ＝１〜３）を通過させた上で、セラミックス支持部材４の低温箇所に流れ込ませることができる。セラミックス基板とセラミックス支持部材との接合界面Ｓｊは、セラミックス基板２の載置面Ｓに対して垂直な軸線を取り囲むとともに、当該軸線に対して垂直な方向に離散的に配置されている。 （もっと読む）

【課題】排気手段への成膜材料の混入を抑制し、排気手段の性能の低下を回避することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】排気手段に通じる排気口１２３ｂに成膜材料を捕捉する捕捉手段１０を備える構成とする。捕捉手段によって成膜材料を捕捉して、成膜材料の排気手段への進入を抑制する。これにより、排気手段の性能の低下を防止する。また、排気手段の交換、清掃などのメンテナンス周期を延長することが可能であるため、運転停止期間を削減して、成膜装置の生産能力を向上させることもできる。 （もっと読む）

【課題】放電電圧を低下させることで、スパッタリング成膜時における下地層へのダメージを減少させることが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】一対のターゲット２１Ａ，２１Ｂへの電圧を交互に供給する交流電源ユニット５０を備える構成とし、ＡＣデュアルカソードスパッタリング法において、フィラメント４１から熱電子を放出させる。プラズマが形成された領域に、熱電子を供給することで、プラズマの放電電圧を低下させて、スパッタリング成膜時に下地層へ与えるダメージを低減する。 （もっと読む）

【課題】蒸着法にてＩＴＯ膜を成膜する場合に、酸素濃度の低下を防止して、ＩＴＯ膜の低抵抗化を図ることができる成膜方法を提供する。
【解決手段】Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系の材料を蒸発材料３とし、この蒸発材料３を蒸着室１ａ内に配置して減圧下にて蒸発させ、この蒸着室１ａ内に配置した基板Ｗ表面に蒸着により透明導電膜を成膜する成膜方法において、成膜時に蒸着室１ａ内に酸素ガスと水蒸気ガスとを導入する。蒸着室１ａ内で水蒸気ガスを導入するガス導入口８３ａを基板Ｗの蒸着面に向け、基板Ｗに向かって直接水蒸気ガスが供給されるようにする。 （もっと読む）

【課題】高速動作を実現できる記憶装置、或いは、リフレッシュ動作の頻度が低減できる記憶装置を提供する。
【解決手段】セルアレイ１０１の内部において、メモリセル１００に接続された配線に、駆動回路１０２から電位の供給が行われる。さらに、駆動回路１０２上にセルアレイ１０１が設けられており、セルアレイ１０１が有する複数の各メモリセル１００は、スイッチング素子と、スイッチング素子により電荷の供給、保持、放出が制御される容量素子とを有する。そして、スイッチング素子として用いられるトランジスタは、シリコンよりもバンドギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体を、チャネル形成領域に含んでいる。 （もっと読む）

【課題】電力の供給が停止した後もデータを保持することができる、新たな構成の記憶素子を提供することを目的の一とする。
【解決手段】記憶素子は、ラッチ回路と、第１の選択回路と、第２の選択回路と、第１の不揮発性記憶回路と、第２の不揮発性記憶回路と、を有する。また、第１の不揮発性記憶回路及び第２の不揮発性記憶回路は、それぞれトランジスタ及び容量素子を有する。第１及び第２の不揮発性記憶回路のそれぞれが有するトランジスタは、チャネルが酸化物半導体膜に形成されるトランジスタである。当該トランジスタは、オフ電流が極めて低いため、トランジスタと容量素子の接続点であるノードにデータが入力された後、トランジスタがオフ状態となり、電源電圧の供給が停止しても、長期間にわたりデータを保持することができる。 （もっと読む）

【課題】蒸発源の消耗に伴って変化する薄膜表面の平滑性や薄膜の残留応力の変化を低減でき、蒸発源の利用効率を向上させることができるアークイオンプレーティング装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】中央磁石１５とリング状磁石１６とにより陰極２０の蒸発源５のバッキングプレート２１上に生じる陰極面磁場は、そのバッキングプレートの端面から内方に所定幅の端部領域を除く内側領域表面の磁束密度が７〜１５ｍＴであり、端部領域表面の磁束密度が内側領域表面の磁束密度よりも３ｍＴ以上大きく設定されており、陰極に蒸発源を載置した状態における蒸発源の表面に生じる磁場を、陰極面磁場と同じ大きさにするように、ソレノイドコイル１７に、蒸発源の消耗に伴ってソレノイドコイルに流す電流値を変化させ、蒸発源の表面に生じる磁場の大きさを保持するコイル電源１８、磁場測定器及び、コイル電流制御機構１９が設けられている。 （もっと読む）

【課題】触媒金属の混入を抑えることの可能な窒化ガリウム柱状構造の形成方法、及び該方法を用いる窒化ガリウム柱状構造の形成装置を提供する。
【解決手段】
窒化ガリウム柱状構造を下地層上に反応性スパッタによって形成する。このとき、真空槽１１内に供給されるアルゴンガス及び窒素ガスの総流量に占める窒素ガスの流量の割合である窒素濃度を窒化ガリウム膜の成長速度が窒素供給によって律速され、且つ、窒化ガリウムの成長速度における極大値の９１％以上１００％以下の窒化ガリウムの成長速度となるような窒素濃度とする。また、基板Ｓの温度Ｔ、ガリウムのターゲット１４に供給される周波数が１３．５６ＭＨｚであるバイアス電力Ｐが、６００≦Ｔ≦１２００、０＜Ｐ≦４．６３、Ｐ＜０．００８８Ｔ−６．６０、Ｐ≧０．０１１６Ｔ−１１．３７を満たす条件にて窒化ガリウム柱状構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】膜はがれの原因になる膜を付着しにくくすることができる基板保持装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の基板保持装置は、スパッタ膜を生成する際に基板の裏面が載置される基板載置部と、前記基板載置部の底面よりも大きな上面を有するとともに、前記上面で前記基板載置部を前記基板載置部の底面側から支える支持部と、前記基板載置部の側面部と、前記支持部の上面のうち前記基板載置部の底面を支持していない外周部と、を覆うように前記支持部の上面に載置される環状のカバー部と、を備えている。そして、前記基板載置部の側面部は、前記基板載置部の上面側から所定の深さ方向に向かって外径寸法が小さくなる逆テーパ状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ロールツーロール技術において、作業の効率化、或いは、改善を更に図った成膜方法を提供する。
【解決手段】第１基体を第１ロール室から第２ロール室へ向う第１の方向に第１ロール室から繰り出す段階、第１基体を脱ガスする段階、第１基体に第２成膜室で第２の膜材料を成膜する段階、第１基体を第２ロール室で巻取ることにより第１基体を生成する段階を備え、更に、第２ロール室から第１ロール室へ向う第２の方向において第２基体を生産するために同様の動作を行う。ここで、第２の膜材料が成膜された第１基体を生成するにあたり、第１成膜室の第１カソード電極が第１成膜室から取り除かれ、また、第１の膜材料が成膜された第２基体を生成するにあたり、第２成膜室の第２カソード電極が第２成膜室から取り除かれる。 （もっと読む）

【課題】電流量の減少や断線などの問題を抑制した状態で、電界効果トランジスタをより微細化できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に形成されたグラフェンからなるフィン状のチャンネル領域１０２と、ゲート電極１０４およびゲート電極１０４を挟んでチャンネル領域１０２に接続されたソース電極１０５およびドレイン電極１０６とを備える。例えば、チャンネル領域１０２は、グラフェンが１層から４層程度積層されたものである。図１に示す例では、ゲート電極１０４は、チャンネル領域１０２にゲート絶縁層１０３を介して形成されている。 （もっと読む）

【課題】積層構造の中にスピネルフェライト薄膜を配置したスピンフィルタ効果素子において、スピネルフェライト薄膜下部の金属電極層の酸化および下部界面の熱拡散を抑制し、上部界面の大気成分による汚染を排除しつつ、（１００）優先配向したスピネルフェライト薄膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板上に（１００）優先配向のスピネルフェライト薄膜を製造する方法であって、前記製造方法は、スパッタリング法でスピネルフェライト薄膜もしくはその前駆体となる薄膜を基板上に形成するスパッタ成膜ステップと、その基板を真空中で加熱する真空加熱ステップとを有することを特徴とするスピネルフェライト薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】複数の棒状ヒータランプが並列配置されるとともに、該ヒータランプを点灯制御する制御部を備えた熱処理装置において、余計な部材を使うことなく、簡単な制御によって、ワーク表面を均一加熱できるようにすることである。
【解決手段】前記ヒータランプは、中央ランプ群と、その両側に配置された端部ランプ群とに区分けされ、前記制御部は、前記端部ランプ群を構成するヒータランプを点灯した後に、前記中央ランプ群を構成するヒータランプを点灯するよう制御して、ワークの中央部領域と端部領域とが熱反応温度以上の温度領域にいる反応時間帯をほぼ一致させたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有機半導体真空蒸着膜の形成に当たり、蒸着膜を高結晶化させるための新規かつ有効な手段を提供する。
【解決手段】有機半導体の蒸着膜を構成すべき有機半導体分子を基板に真空蒸着させるに当たり、室温における蒸気圧が１Pa以下であるが有機半導体分子よりも高い蒸気圧を示し、真空蒸着条件下において蒸発又は昇華すると共に加熱された基板上において揮発性を示す不活性分子を共蒸発物として用いる真空蒸着成膜方法。 （もっと読む）

【課題】成膜材料であるＤｙ、Ｔｂを有効に利用しつつ、所定形状鉄−ホウ素−希土類系の磁石の表面に高速で成膜させて生産性が向上し、低コストで永久磁石を製造できる成膜装置を提供する。
【解決手段】真空排気可能な処理室２と、前記処理室内を加熱する加熱手段２３と、前記処理室内でバルク体たる金属蒸発材料と被処理物とをそれぞれ保持する保持手段６とを備え、前記処理室の減圧下で前記加熱手段を作動させ、少なくとも金属蒸発材料が蒸発する温度まで処理室を加熱して処理室内に金属蒸気雰囲気を形成し、前記金属蒸気雰囲気中の金属原子が、加熱されている被処理物表面に付着するように構成した。 （もっと読む）