【課題】Ｒｏｌｌ Ｔｏ Ｒｏｌｌ方式で、基材の搬送速度を非常に速い条件に設定しても、基材上に絶縁性の高品質な薄膜を成膜することが可能なプラズマアシスト付きの真空成膜装置を提供する。
【解決手段】真空容器内の上部に、成膜用ドラム１３に巻き掛けられた基材１１がその被成膜面１１０を下向きにして配設されるとともに、上記真空容器内の底部には、蒸着材料２を蒸発させる蒸着源１７と、この蒸着源から蒸発した上記蒸着材料に向けてプラズマを照射するプラズマガンとが、上記被成膜面の下方に配置されており、上記プラズマガンは、上記基材の流れ方向に対して直交する方向から、上記被成膜面に向けて配置されている。これにより、薄膜形成前の基材の被成膜面に対してプラズマを照射する前処理、プラズマアシストによる成膜、基材に形成された薄膜に対してプラズマを照射する後処理が１台で逐次連続的に行える。 （もっと読む）

【課題】成膜工程において微細な粉末が発生し得る成膜装置において、成膜室内の粉末の付着を抑制する成膜装置を提供する。
【解決手段】基板保持具２２上に載置された基板２１の表面に対して成膜材料を吹き出すノズルを備えた成膜室１を有し、成膜室内の粉末が付着する部分を選択的に加熱する加熱手段を設け、また基板２１の表面に存在する段差について、基板２１から段差が立ち上がる点を中心とし、段差の高さまでの段差端部と、段差が立ち上がる点から段差の高さとほぼ同じ距離離れるまでの基板２１の表面の範囲を選択的に加熱する加熱手段３０を設けた。 （もっと読む）

【課題】基板ホルダの基板以外の領域の表面に成膜材料が付着するのを防止することができ、基板上に成膜される膜の品質及び生産性を向上させることができるスパッタリング装置を提供する
【解決手段】真空排気可能な真空容器１と、真空容器１の内部に配設され、基板８をその処理面を下方へ臨ませて保持する保持機構３０、３１を備えた基板ホルダ４０と、基板ホルダ４０の直下に基板８に対向させて配置され、放電用電力が供給されるカソード電極１０と、カソード電極１０の基板側に支持されたターゲット１６と、を備え、基板ホルダ４０は、基板以外の領域の表面温度を基板８上に成膜する成膜材料の分解または蒸発温度以上に加熱する加熱機構６０、６１を有する。 （もっと読む）

【課題】
密着膜を備え、配向の揃った圧電体膜を製造する。
【解決手段】
（ａ）基板上方に、Ｔｉ層、その上にＰｔ層を堆積し、（ｂ）Ｔｉ層、Ｐｔ層を堆積した基板をプラズマ気相堆積装置に搬入し、（ｃ）プラズマ気相堆積装置内において、酸素を含む雰囲気中で、基板を圧電体膜堆積温度まで加熱し、（ｄ）プラズマ気相堆積装置内において、加熱した前記基板上に、プラズマ気相堆積により、酸化物圧電体膜を堆積する。 （もっと読む）

【課題】アルカリ土類金属フッ化物およびアルカリ金属フッ化物層の上に、接着性が強く、拭き取る動作に安定性があり、水および汚れをはじく層を製造させる方法および組成物を提供する。
【解決手段】本発明は、最外層としてアルカリ土類金属またはアルカリ金属フッ化物の層を有するか、またはアルカリ土類金属またはアルカリ金属フッ化物からなる光学的基材上に、高真空中でのポリフルオロカーボンを用いる熱蒸着により、疎水性層を製造する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】非晶質であって、かつ高仕事関数であって、可視域での屈折率が低く、摺動や曲げによる剥離、割れなどが起こりにくく、膜面が極めて平坦であり、さらには室温近傍で成膜可能な透明導電膜を製造するのに好適な透明導電膜製造用焼結体ターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜製造用焼結体ターゲットは、主としてＧａ、ＩｎおよびＯからなり、Ｇａを全金属原子に対して４９．１原子％以上６５原子％以下含有し、主としてβ−ＧａＩｎＯ₃相とＩｎ₂Ｏ₃相から構成され、Ｉｎ₂Ｏ₃相（４００）／β−ＧａＩｎＯ₃相（１１１）Ｘ線回折ピーク強度比が１５％以下であり、さらに密度が５．８ｇ／ｃｍ³以上である。 （もっと読む）

【課題】不純物が混入しない酸化物半導体を用いた半導体素子の作製に用いる連続成膜装置を提供することを課題とする。
【解決手段】１０^−６Ｐａ以下に真空排気する手段と接続するロードロック室と、基板を加熱する第１の加熱手段が設けられた基板保持部と、少なくとも基板保持部周辺の壁面を加熱する第２の加熱手段と、スパッタリング用ターゲットを固定するターゲット保持部とが備えられ、それぞれが１０^−８Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する複数の成膜室と、１０^−８Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する加熱室と、ロードロック室、加熱室、及び成膜室のそれぞれとゲートバルブを介して連結され、１０^−６Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する搬送室とを少なくとも有し、ロードロック室、加熱室、成膜室及び搬送室のそれぞれと接続する真空排気する手段は、吸着型のポンプである成膜装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】成膜する層に成膜材料以外の材料が混入することを抑制し、発光素子の性能低下を防ぐ、成膜方法の提供を課題の一つとする。
【解決手段】基板の一方の面上に形成された吸収層と、吸収層上に形成され、基板の一方の面の最表面に形成された、成膜材料を含む材料層とを有する第１の基板の一方の面と、基板の被成膜面の最表面に形成された下地層を有する第２の基板の被成膜面を対向させて配置し、第１の基板の他方の面側から加熱処理を施すことで、加熱された材料層に含まれる成膜材料で、下地層上に成膜材料層を形成する成膜方法であり、成膜材料層の主成分と下地層の主成分に同じ物質を用いる成膜方法である。 （もっと読む）

【課題】基板上に｛１００｝配向性のABO₃型ペロブスカイト型酸化物からなる誘電層を有し、インクジェットヘッド用の圧電体等に好適に用いることのできる誘電体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板５上に、（１１１）配向性の金属自然配向膜３６と、金属自然配向膜３６上に該金属自然配向膜３６に接して設けられた、｛１００｝配向性のＬａがＡサイトに入ったABO₃型ペロブスカイト型酸化物からなる第１の下部電極３１と、第１の下部電極３１上に該第１の下部電極３１に接して設けられた、｛１００｝配向性の（Ｓｒ_x，Ｃａ_y，Ｂａ_z）ＲｕＯ₃（但しｘ＋ｙ＋ｚ＝１）系ABO₃型ペロブスカイト型酸化物からなる第２の下部電極３２と、第２の下部電極３２上に該第２の下部電極３２に接して設けられた、｛１００｝配向性のABO₃型ペロブスカイト型酸化物からなる誘電層７と、該誘電層上に設けられた上部電極８とを設けて誘電体を構成する。 （もっと読む）

【課題】高硬度鋼の高速重切削加工条件下において、硬質被覆層がすぐれた密着性と潤滑性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体の表面に、硬質被覆層として、下部層に（ＡｌＴｉ）Ｎ層または（ＡｌＴｉＭ）Ｎ層を形成し、上部層に立方晶構造のＮｂＮと六方晶構造のＮｂＮの混合組織からなり、かつ、該混合組織についてＸ線回折による回折ピーク強度を調査したとき、立方晶構造のＮｂＮの（２００）面からの回折ピーク強度をＩｃ、また、六方晶構造のＮｂＮの（１０３）面と（１１０）面からの回折ピーク強度をＩｈとした場合、０．０５≦Ｉｃ／Ｉｈ≦１．０を満足する回折ピーク強度比を有する層を形成した表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】長時間の使用においても圧電性能の劣化が起こりにくく信頼性の高い非鉛の圧電体薄膜素子及び圧電体薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】基板２上に下部電極３、圧電体薄膜４、上部電極５を順次形成した圧電体薄膜素子において、圧電体薄膜４が、組成式（Ｋ_1-xＮａ_x）ＮｂＯ₃で表されるアルカリニオブ酸ペロブスカイト構造の薄膜からなり、上部電極５の音響インピーダンスから下部電極３の音響インピーダンスを減じた両電極３，５の音響インピーダンスの差が、２４．６×１０⁶［Ｎ・ｓ／ｍ³］以上かつ８４．９×１０⁶［Ｎ・ｓ／ｍ³］以下である。 （もっと読む）

【課題】基板の温度制御変動を抑制し、高品質の膜を再現性よく成膜する。
【解決手段】成膜容器と、基板を保持する基板保持部と、基板と対向する位置に配置された成膜源と、基板保持部と成膜源との間に配置された開閉可能なシャッターとを有する成膜装置において、シャッター20を、成膜源やプラズマから発生される熱を基板側に放射する材料で構成する。シャッター材料は、成膜温度における放射率が０．７０以上のものを用いる。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ素子の放熱を均一に且つ効率的に行うことが可能な加熱装置を提供する。
【解決手段】加熱装置において、金属製の放熱基板７２と、放熱基板上に直接的に形成された絶縁層７４と、絶縁層上に配列された複数の配線パターン７６と、複数の各配線パターン上に設けられたＬＥＤ素子７０と、隣り合うＬＥＤ素子間を電気的に直列に接続する金属配線８２とを有するＬＥＤモジュール５４を備える。このように、放熱基板上に直接的に絶縁層を形成し、この上に複数の配線パターンを形成するようにしたので、ＬＥＤ素子の放熱を均一に且つ効率的に行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】膜形成の条件が限定されない成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１は、シート３に膜を形成するroll to roll方式の成膜装置であり、成膜室２内にシート３を搬送する搬送路２７が設定され、この搬送路２７の側の上方に位置した成膜室２の上部２４に、４０個のフランジ孔２６が形成されている。フランジ孔２６には、搬送路２７を搬送されるシート３に膜を形成するターゲット部５が装脱可能に設けられている。 （もっと読む）

【課題】熱拡散器を用いた物理蒸着装置及び方法を提供する。
【解決手段】物理蒸着装置は、側壁を有する真空チャンバと、真空チャンバの内側にあって、スパッタリングターゲットを含むように構成されたカソードと、カソードに電力を供給するように構成された高周波電力源と、真空チャンバの側壁の内側にあって、側壁と電気的に接続されたアノードと、真空チャンバの側壁の内側にあって、側壁から電気的に絶縁されていて、基板１１６を支持するように構成されたチャック１１０と、チャック上に支持された基板を加熱するヒータ６０１と、を含む。チャックは、チャック本体６０５と、チャック本体上に支持されていて、基板と接触するように構成された、黒鉛熱拡散器と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 真性に近い単結晶ＧaＮ膜を有し、かつこの膜をｎ形又はｐ形に選択的にドープした半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 次の要素を有する半導体デバイス：基板であって、この基板は、（１００）シリコン、（１１１）シリコン、（０００１）サファイア、（１１−２０）サファイア、（１−１０２）サファイア、（１１１）ヒ化ガリウム、（１００）ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、および炭化シリコンからなる群から選択される物質からなる；約２００Å〜約５００Åの厚さを有する非単結晶バッファ層であって、このバッファ層は前記基板の上に成長した第一の物質を含み、この第一の物質は窒化ガリウムを含む；および前記バッファ層の上に成長した第一の成長層であって、この第一の成長層は窒化ガリウムと第一のドープ物質を含む。 （もっと読む）

【課題】工業的に汎用される直流スパッタリング法やイオンプレーティング法により、抵抗式タッチパネル用の透明電極として好適に用いうる、欠陥が少なく、比抵抗が０．９〜１．８×１０^-3Ω・ｃｍの範囲にある高抵抗透明導電膜を低コストで提供する
【解決手段】酸化インジウムを主成分とし、プラセオジムを含む酸化物焼結体であり、プラセオジムの含有量が、Ｐｒ／Ｉｎ原子比で０．００２５以上０．０４３以下、好ましくは０．００８以上０．０３５以下であり、酸化プラセオジム結晶相が存在しない酸化物焼結体を、スパッタリングターゲットまたはイオンプレーティング用蒸着材として用いる。 （もっと読む）

【課題】圧電体を用いたアクチュエータの反りを防止し、歩留まりを向上させ、信頼性が高く、耐久性のあるアクチュエータ及びアクチュエータ構造体を提供する。
【解決手段】アクチュエータ50は、厚さ０．５μｍ以上２０μｍ以下の振動板24の第１面側に、振動板24から応力を受けている圧電体層30と、圧電体層30を挟んで対向する電極対26、33とが設けられている。また、圧電体層30が形成されている振動板24の第１面と反対側の第２面側に、圧電体層30が受けている応力と同じ方向の応力を振動板から受けている応力調整層25が設けられている。 （もっと読む）

【課題】均一性及び再現性に優れた薄膜を形成することができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置は、真空槽からなるスパッタ室１と、スパッタ室１内で基板７を保持した状態で移動するトレー搬送機構と、基板７に薄膜を形成するためのターゲット８、９を固定するとともにプラズマを生成し、ターゲット８、９からスパッタ粒子を発生させるスパッタカソードと、基板７とターゲット８、９との間に配置された膜厚補正板１９と、を備えている。膜厚補正板１９は、その本体部１９ａがアノード電位であり、本体部１９ａを保持する枠部１９ｂを備えている。枠部１９ｂは、スパッタ粒子が発生した領域のトレー進行方向の略中央であって、スパッタ粒子が発生した領域を通過する基板７の近傍に本体部１９ａが配置されるように、本体部１９ａを保持する。 （もっと読む）

本発明は、真空チャンバー内で基板を加熱して、次に即座に基板をコーティングする方法に関し、当該方法は、（１）基板の下面を基板ホルダー上に配置する工程、（２）基板を、基板ホルダーに対して所定距離に亘って持ち上げる工程、（３）加熱装置、例えば、放射熱装置を用いて、その上面によって持ち上げ基板を加熱する工程、（４）例えば、コーティングゾーンの中およびそれを通過して移動することによって加熱基板をコーティングする工程、（５）基板をチャック上まで下ろして、基板を冷却する工程、および（６）必要に応じて、冷却基板を更にコーティングする工程を含む。本発明に係る方法は、実施される方法手順を更に可能にし、様々な規定温度を各々の工程の間に基板上に設定でき、および必要に応じて、その後に即座に１以上のコーティングを前記基板温度で行うことができる。例えば、コーティング（抑えた）した後に即座に所定時間に亘って基板を更に高温で保持できる場合も含まれる。
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