【課題】ガスバリア性に優れるガスバリア性フィルム、このガスバリア性フィルムを用いた装置、このガスバリア性フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】ガスバリア性フィルム１は、含有されるオリゴマー量が１質量％以下であるプラスチックフィルム２、プラスチックフィルム２上に設けられた紫外線硬化型樹脂からなる有機層３、及び有機層３の上に設けられた無機層４、を有し、有機層３の厚さが、プラスチックフィルム表面における最大高低差よりも大きくなっている。これによりガスバリア性に優れるガスバリア性フィルム１を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料の補充や交換の作業を容易にし、さらに坩堝のメンテナンスについてもこれを容易にした、蒸着装置を提供する。
【解決手段】被処理体に蒸着材料を蒸着させる蒸着装置である。蒸着室内に配置されて蒸着材料３を収容する収容容器４と、収容容器４内の蒸着材料３を加熱する加熱手段３と、を含む。収容容器４は、外容器８と、外容器８内に着脱可能に収容されて蒸着材料３を収容する内容器９と、を有している。 （もっと読む）

【課題】水と反応すると危険な成膜原料で薄膜を形成する際、安全に成膜を実施できる成膜装置、および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜対象である基材９を内部に収納する真空チャンバー２と、真空チャンバー２内で基材９を保持するホルダー４と、ホルダー４に対向する位置に設けられる蒸発源３と、ホルダー４内に冷媒を循環させる循環機構４０とを備える成膜装置１である。そして、この成膜装置１においてホルダー４内に循環される冷媒を非水系冷媒とする。このような構成とすることで、ホルダー４に保持される基材９を冷却しつつ、蒸発源３で蒸発させた成膜原料を基材９の表面に成膜することができ、その成膜の際に安全性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で蒸着材料の劣化を防止しつつ長時間の蒸着材料の蒸発、昇華が可能とする。
【解決手段】るつぼＰａ内に、蒸着材料Ｅを収容するとともに誘導加熱可能な導電性材料からなるるつぼホルダＤＫａを設けるとともに、るつぼホルダＤＫａ内の蒸着材料Ｅに複数の加熱域Ｈａ〜Ｈｄを設定し、るつぼＰａの外側に、るつぼホルダＤＫａを誘導加熱して蒸着材料Ｅを蒸発または昇華可能な分割誘導コイルＣａ〜Ｃｄを設け、分割誘導コイルＣａ〜Ｃｄから発生する磁界を操作して加熱域Ｈａ〜Ｈｄに対応するるつぼホルダＤＫａの加熱部位を選択的に誘導加熱可能な加熱域変位手段を設けた。 （もっと読む）

【課題】ＲＦ電源を用いて基板ホルダにＲＦ電力を印加するとともに、単純な構造のＤＣ電源を用いて基板ホルダにＤＣパルスを印加することができる給電機構を提供する。
【解決手段】給電機構１１０は、基板ホルダ１２に電気的に接続された回転軸１１と、高周波電源３１の高周波電力が印加される第１送電ブラシ２１と、直流電源３３の直流電圧が印加される第２送電ブラシ２２と、を備える。そして、回転軸１１の回転によって、第１送電ブラシ２１と回転軸１１との間の摺動による回転軸１１への高周波電力の印加、および、第２送電ブラシ２２と回転軸１１との間の断続的な摺動による回転軸１１への直流電圧の印加が行われる。 （もっと読む）

【課題】放射線画像変換パネルの蛍光体を蒸着法で成膜するときに、突沸や再蒸発による膜欠陥がない薄膜を作製することを可能とする蒸着装置、及び、該成膜方法を用いた放射線画像変換パネルの蛍光体の成膜方法を提供することを目的とする。
【解決手段】蒸着装置１のルツボ２の蓋３に、ルツボ２の内部方向に凸部を有し凸部の側壁面８にルツボ２内部へ連通する穿孔３４を備えルツボ２に取り外し可能な蓋３を採用し、穿孔３４を通して蒸着面のいかなる場所からもルツボ２内部の原材料を直接見ることができない位置に穿孔３４を配置する。 （もっと読む）

【課題】高品質な窒化物単結晶を高効率に生産することが可能な窒化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ、ＺｎＯまたはサファイアからなり、負イオン極性面からのオフ角が５°以下である主表面を有する下地基板９を準備し、前記下地基板９の主表面上に、窒化物単結晶膜１を形成すると、窒化物単結晶膜１の単結晶主表面１ｃ上には欠陥として複数の凸部１ｐが形成される。窒化物単結晶膜１から、単結晶主表面１ｃに平行に単結晶基板を切り出す場合、欠陥部を含め、単結晶主表面１ｃから極僅かの厚み（深さ）分の領域については切り出して除去することが好ましいので、下地基板９の正イオン極性面を用いた場合に形成される凹部を有する窒化物単結晶膜に比較して、除去する量が少なく、歩留まりがよい。 （もっと読む）

【課題】
毒性のない透明導電膜の低抵抗率化と大面積化を可能とし、製造過程に於ける基板選択性を高め低コスト化と同時に省エネルギー化を図る。
【解決手段】
透明基板１上の酸化亜鉛試料２に電位を与えておき、前面に酸素プラズマＯＰを形成し、プラズマ空間電位を直流電源９、交流電源１０又はパルス電源１１で制御する。酸素プラズマＯＰの電子温度分布を変化させ、酸化亜鉛試料２と酸素プラズマＯＰとの間のシース電圧を制御し、亜鉛蒸気ＺＶを亜鉛Ｚｎショット８を加熱して生成させ、非晶質の透明基板１付近の各種粒子の量及び運動量等を質量分析装置１４とプラズマ発光分析装置１３でモニタリングし、各量をオーブンの三次元移動、酸素ガス質量流量、プラズマ生成電源電力等で制御し、得られるＺｎＯ透明導電膜の元素成分を、亜鉛と酸素のいずれか低い存在量に対して、亜鉛、酸素及び水素を除く不純物元素の比が０．４％以下となるように制御する。 （もっと読む）

【課題】ガス供給量が低減されたガスデポジション装置を提供すること
【解決手段】
上記課題を解決するための、本発明の一形態に係るガスデポジション装置１は、搬送管４に嵌合する位置と嵌合しない位置のいずれかをとる可動部材１５を有するガス規制機構と、微粒子流ｆの流路上の位置とそれ以外の位置をとる吸引口１８を有する吸引機構７とを具備する。
成膜停止時において、可動部材１５が搬送管４と嵌合することで、搬送管４の第１の開口４ｃに流入するガスの流量が規制される。同時に吸引口１８が上記規制されたガス流量を微粒子流ｆの経路上において吸引する。成膜時に搬送管４を流通して微粒子を搬送するガス流量の一部を、成膜停止時において微粒子の排出に流用することにより必要なガス供給量が低減される。 （もっと読む）

【課題】低コストで、基板フィルムと蒸着ドラムの密着性を高め、蒸着熱による基板フィルムのダメージも防止できる蒸着方法及び蒸着装置を提供する。
【解決手段】ホローカソード型プラズマガン３を使用して、蒸着ドラム５上を搬送させているフィルム基板９にプラズマアシスト蒸着を行う方法は、フィルム基板９に蒸着材料を蒸着させる前段に電子加速電極２によりプラズマ中から電子を取出し、該電子でフィルム基板９を帯電させることを特徴とする。装置としては、プラズマアシスト蒸着を行うためのホローカソード型プラズマガン３と、フィルム基板９を搬送する蒸着ドラム５と、フィルム基板９に蒸着材料を蒸着させる前段にプラズマ中から電子を取出し該電子でフィルム基板９を帯電させるための電子加速電極２を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温・高湿環境でガスバリア性に対して優れた耐久性を有するガスバリア積層体を提供することを目的とする。
【解決手段】プラスチックフィルム基材の両面または片面に酸化珪素膜を積層するガスバリア積層体において、前記プラスチックフィルム基材の前記酸化珪素膜を積層する面の中心線平均粗さＲａが３〜３０ｎｍであり、高分解能ラザフォード後方散乱法（ＨＲ−ＲＢＳ法）測定によって算出される前記酸化珪素膜の密度が１．９〜２．６ｇ／ｃｍ^３の範囲内であること、酸素と珪素の比（Ｏ／Ｓｉ）が１．４〜２．０の範囲内であることにより、高温高湿環境下でガスバリア性の劣化を抑えることができるガスバリア積層体を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ホローカソード型プラズマガン３を使用してプラズマアシスト蒸着を行う装置において、蒸着プロセス室の圧力上昇による蒸着膜の膜質劣化等の問題を解消し、透明で緻密な酸化物膜等が得られる蒸着装置を提供する。
【解決手段】ホローカソード型プラズマガン３のプラズマ放出部１０３と蒸着室１０１との間を圧力的に仕切りかつプラズマが蒸着室１０１へ通過可能な孔２１を有する隔壁２を有する。プラズマアシスト蒸着を行うためのホローカソード型プラズマガン３と、蒸着室１０１と、プラズマガン３のプラズマ放出部１０３と蒸着室１０１との間を圧力的に仕切りかつプラズマが蒸着室１０１へ通過可能な孔２１を有する隔壁２とを有する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマが不安定に成らない様にする。
【解決手段】 絶縁性物質で形成された円筒部材２と、プラズマガスを円筒部材２内に供給するためのガスリング３と、粉末材料とキャリアガスを円筒部材２内に供給するためのパイプＱ´が挿入されており、ガスリング３の中心軸に沿って設けられたプローブ１１´と、円筒部材２の外側に巻かれた誘導コイル４を備えており、誘導コイル４に高周波電力を供給することによって円筒部材２内に高周波誘導熱プラズマを発生させる様に成っている。パイプＱ´の少なくとも先端部分とプローブ１１´の中心孔Ｈ内の少なくとも先端部分のそれぞれに係脱可能な係合部を形成している。 （もっと読む）

【課題】蒸着により重合膜を成膜する際に、原料を加熱して供給する際の上記不都合が生じない重合膜の成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】原料形成面に重合膜を形成するための複数の原料を所定パターンで形成した第１の基板１６と、重合膜を形成すべき成膜面を有する第２の基板１５とを、原料形成面と成膜面とが向き合うように処理容器２内に対向して設け、処理容器２内を真空雰囲気とし、第１の基板１６を前記複数の原料１７，１８が蒸発する第１の温度に加熱して蒸発させるとともに、第２の基板１５を複数の原料が重合反応を生ずる第２の温度に加熱し、第１の基板１６から蒸発した複数の原料１７，１８を第２の基板１５の成膜面で反応させ、成膜面に所定の重合膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶性を向上するＡｌＮ結晶の製造方法、ＡｌＮ基板の製造方法および圧電振動子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｌＮ結晶１０の製造方法は、ＡｌＮ下地基板１１を準備する工程と、ＡｌＮ下地基板１１上にＡｌＮ結晶１０を成長する工程と、ＡｌＮ結晶１０からＡｌＮ下地基板１１を分離する工程とを備えている。ＡｌＮ下地基板１１およびＡｌＮ結晶１０の一方は、２８０ｎｍ以下の波長の光に対して吸収係数が１００ｃｍ^-1以上である。ＡｌＮ下地基板１１およびＡｌＮ結晶１０の他方は、２２０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下の波長の少なくとも一部の波長域の光に対して吸収係数が１００ｃｍ^-1未満である。上記分離する工程では、ＡｌＮ下地基板１１およびＡｌＮ結晶１０のうち吸収係数が低い他方側から光を照射する。 （もっと読む）

【課題】スプラッシュの発生が抑制され、また、蒸着レートが安定した蒸着源、および蒸着装置を提供すること。
【解決手段】ルツボ８には、導電体からなる複数の加熱板１が間隙を持って重なって配置されている。各加熱板１には、膜材料５が搭載可能に設けられている。最上段の加熱板１には、膜材料５がセットされていない。誘電コイル１０によって磁界が形成されると、各加熱板１自体が誘電加熱によって斑なく発熱し、載せられた膜材料５も均一に加熱されるため、蒸着レートが安定する。また、膜材料５が薄く形成されているため、当該材料内における温度分布が略均一となり、スプラッシュの発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】 ガスバリア性、特には高湿度下での水蒸気バリア性に優れ、更には断熱性能にも優れた多層フィルム及び真空断熱構造体を提供すること。
【解決手段】多段蒸着により形成された蒸着基材フィルム（Ａ）／ガスバリア性フィルム（Ｂ）の層構成を有する多層フィルム、及び該多層フィルムと断熱性材料を含み、該多層フィルムが、断熱性材料を密封包装している真空断熱構造体。 （もっと読む）

【課題】コストと、得られるＺｎＯ単結晶の大きさと、単結晶の品質との間の最適な妥協点を達成でき、同時に最も低いコストで最も優れた大きさと品質とが得られる、ＺｎＯ単結晶を調製するための方法が必要とされている。
【解決手段】多結晶または単結晶酸化亜鉛ＺｎＯを制御雰囲気下にてエンクロージャに配置されたシード上に調製する方法であって、エンクロージャ内部にあり、シードとは離れたるつぼ中に配置された酸化亜鉛供給源の昇華により、ガス種を形成し、ガス種を輸送し、ガス種をシード上で凝結させ、シード表面にてＺｎＯを再結合させ、多結晶または単結晶ＺｎＯをシード上で成長させ、多結晶または単結晶ＺｎＯを冷却することにより調製するための方法であり、ここで：
−酸化亜鉛供給源は、２．１０^−３気圧〜０．９気圧の圧力下にて、温度、いわゆる９００〜１，４００℃のいわゆる昇華温度に誘導により加熱される；
−ＣＯは、エンクロージャ内部に配置された固体炭素供給源上の少なくとも１つの酸化種または酸化種および少なくとも１つの不活性ガスの混合物を提供することによって昇華活性化剤としてインサイチュで発生させる；
−および、ＺｎＯの化学量論の制御は、例えば、ＺｎＯの成長界面の近位にて少なくとも１つの酸化種、または少なくとも１つの酸化種および少なくとも１つの不活性ガスの混合物の１ＳＣＣＭ〜１００ＳＣＣＭの量にて、制御された流速にて局在化した供給を達成することにより行われる、方法。
この方法を行うためのデバイス。 （もっと読む）

【課題】 高容量電極活物質であるケイ素またはその化合物を、生産性の高い薄膜形成法で形成し、充放電特性劣化を起こさない電極とし、かつ蒸発原料の蒸気領域で、高角度入射近傍領域の成膜を行うこと。
【解決手段】 円柱状に形成した冷却キャン（１６）の周面に基板（２２）を螺旋状に複数回巻付けて走行させつつ、薄膜形成部（２３a）及び薄膜形成部（２３b）を通過する際の基板（２２）に対して、薄膜形成源（１９）から原料粒子が、入射角４５°〜７５°の範囲で飛来するように、遮蔽板（２０）を配置する。 （もっと読む）

【課題】繰返し膜を形成する場合であっても、膜質が高い膜を形成することができるとともに、フィルタに付着した異物を容易に除去できる真空蒸着装置および真空蒸着方法を提供する。
【解決手段】本発明の真空蒸着装置は、真空容器内で蒸着により基板の表面に膜を形成するものであって、真空容器内を排気する真空排気手段と、真空容器内の上部に設けられ、基板を保持する基板保持手段と、この基板保持手段に対向して真空容器内の下部に設けられ、膜の成膜材料を加熱し、蒸発させる蒸発源と、この蒸発源の上方に設けられたフィルタ板とを有する。フィルタ板は、平板に複数の開口部が形成されている。 （もっと読む）