【課題】 Ａｇが本来もつ高反射率および低電気抵抗を維持しつつ、耐熱性および耐食性が向上したＡｇ基合金から構成された反射膜、配線膜、電極膜または半反射型半透過膜を提供すること。
【解決手段】 Ａｇに特定少量のＣｕとＴｅ／ＳｅをＣｕ≧Ｔｅ／Ｓｅの比で複合添加し、さらに必要に応じてＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、ＲｕおよびＩｒの少なくとも１種および／またはＮｉ、Ｆｅ、ＢｉおよびＰの少なくとも１種を少量追加添加してなるＡｇ基合金から構成された、スパッタリングターゲット材ならびに反射膜、配線用膜、電極用膜または半反射型半透過膜。 （もっと読む）

【課題】酸素又は窒素が化学量論比よりも少なく、かつ組成が正確に制御された金属酸化物又は金属窒化物よりなる導電性化合物薄膜及びその成膜方法を提供する。
【解決手段】フィードバック制御を行いながら成膜を行い、図４の通り、酸素流量の測定値を横軸、酸素の発光強度の測定値を縦軸にとってプロットする。酸素流量の極大値Ａ及び極大値Ｂから、Ｃ＝Ａ−α（Ａ−Ｂ）を計算し（但し、αは０より大きく０．５以下の所定値。）、Ｓ字カーブ上における酸素流量値がＣであるときの発光強度値Ｐ、Ｑ（但し、Ｐ＜Ｘ＜Ｑ＜Ｙ。）をグラフから求める。発光強度がＰ以上Ｑ以下の範囲となるようにフィードバック制御を行いながら、成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】高信頼性の半導体素子を得るために高融点金属、高融点金属からなる合金、高融点金属の珪化物、Ｔｉ，Ｔａ，Ｗ，Ｔｉ−Ｗ合金の窒化物からなる膜をコンタクトバリアー層またはゲート電極などに用い、半導体素子のリーク電流を抑える。
【解決手段】ソース−ドレイン領域の接合深さが０．１〜０．３μｍである半導体素子のＴｉ−Ｗから成るコンタクトバリアー層のＡｌ含有量を原子数で１×１０^１８個／ｃｍ^３以下、Ａｌ，Ｔｉ，Ｗ以外の重金属元素の含有量が５×１０^１６個／ｃｍ^３以下およびアルカリ金属の含有量が５×１０^１６個／ｃｍ^３以下に形成することが可能であり、Ａｌ濃度が１ｐｐｍ以下であることを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置用高純度Ｔｉ−Ｗ材である。 （もっと読む）

【課題】大気中に長時間放置しても高強度を維持することができるエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ａｌ：２０〜５０質量％、Ｅｕ：１〜１０質量％を含有し、残部がＢａおよび不可避不純物からなる組成、並びにＥｕが固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相からなる組織を有するターゲットであって、前記Ｅｕが固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相は、ＢａＡｌ_４金属間化合物相とＢａ_７Ａｌ_１３金属間化合物相からなりかつＥｕは前記ＢａＡｌ_４金属間化合物とＢａ_７Ａｌ_１３金属間化合物におけるＢａにそれぞれ固溶している金属間化合物相である。 （もっと読む）

【課題】高硬度、耐高温酸化性の優れる硬質皮膜においても密着性を犠牲にすること無く、特に靭性を改善し、高温状態での耐溶着性、潤滑特性も改善し、例えば切削加工などにおける乾式化、高速化、高送り化に対応可能な硬質皮膜を提供する。
【解決手段】物理蒸着法により基体表面に形成された硬質皮膜であって、該硬質皮膜は４ａ、５ａ、６ａ族、Ａｌ、Ｂから選択される１種以上の金属元素とＳｉを含み、Ｃ、Ｎ、Ｏから選択される１種以上の非金属元素からなり、該硬質皮膜は柱状組織を有し、該柱状組織中の結晶粒はＳｉ含有量に差がある複数の層からなる多層構造を有し、該層間の境界領域では少なくとも結晶格子縞が連続している領域が存在し、各層の厚みＴ（ｎｍ）が０．１≦Ｔ≦１００、であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ガラス基板にＡｌ膜を成膜した表面鏡は、ガラス基板とＡｌ膜との密着性が弱く、硬度、耐高温、耐湿性、耐塩水性のについて十分な耐久性を有していないため、リアプロジェクションテレビの反射鏡に用いることが困難であった。
また、また反射角度が大きい場合の可視光線全域(４００〜７００nm)における反射率が低いという欠点があり、表面鏡の反射角を大きくして、リアプロジェクションテレビの奥行きを小さくすることが困難であった。
【解決手段】ガラス基板の表面がイオンエッチング処理され、金属膜がＡｌ膜を該イオンエッチング処理したガラス基板表面に成膜されてなる表面鏡である。
金属酸化物膜は、Ａｌ膜の上にＳｉＯ_２膜、Ｎｂ₂Ｏ₅膜を順次積層してなる。 （もっと読む）

【課題】ポリイミドフィルム表面にスパッタリング法により金属層を形成して金属被覆プラスチック基板を製造する方法において、ポリイミドフィルムとスパッタリングにより形成される金属層との界面の密着強度とその高温環境下での長期安定性を高める方法を提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルム表面にスパッタリング法によって金属層を形成して金属被覆プラスチック基板を製造する方法において、前記金属層を形成するに先だって、ポリイミドフィルム表面を濃度０．００１〜１０ｍｏｌ／Ｌのアルカリ水溶液で処理した後、その後２０〜４０℃の温度に保持した極性有機溶媒で処理することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 物理気相堆積法で合金膜を成膜する際に合金膜表面の表面粗さを改善可能な合金膜の製造方法、下電極が合金膜からなる非線形素子の製造方法、非線形素子、および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】 アクティブマトリクス型電気光学装置において、画素スイッチング素子として用いられる非線形素子１０は、タンタルとニオブとの合金膜からなる下部電極１３と、この下部電極１３の表面を陽極酸化してなる絶縁体１４と、この絶縁体１４を介して下部電極１３に対向する上部電極１５とを備えている。下部電極１３をスパッタ法で形成する際、チャンバーに酸素ガスあるいは窒素ガスを導入して、タンタルとニオブとの合金膜の表面粗さを改善する。 （もっと読む）

【課題】環境汚染の原因となるＣｒを含んでおらず、かつ、パーティクルが少ない薄膜を形成することができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｗを５〜３０質量％、ＡｌおよびＴｉの少なくとも１種を合計で０．１〜１０質量％含有させ、かつ、酸素量を０．０５質量％以下に規制し、残部が実質的にＮｉであるスパッタリングターゲットを用いる。
前記スパッタリングターゲットにおいて、平均結晶粒径の大きさが１００μｍ以下であり、かつ、表面粗さＲａが１０μｍ以下であることが好ましい。
前記スパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行うことにより、得られる膜中の３μｍ以上のパーティクル数は２個／ｃｍ²未満となる。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリングターゲット使用時、特に使用初期に発生するスパッタリング不良（スプラッシュ、アーキング）の発生期間および発生数を低減することができるAl系スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 (1) スパッタリング面に相当するスパッタリングターゲットの表面において、最大深さ 0.1μm 以上かつ円相当直径 0.2μm 以上の凹部で定義される凹状欠陥のうち、最大深さ 0.2μm 以上の凹状欠陥の総数が、単位表面積１mm² あたり45000 個以下であることを特徴とするAl系スパッタリングターゲット、(2) 上記と同様のスパッタリングターゲットの表面において、最大深さ 0.1μm 以上かつ円相当直径 0.2μm 以上の凹部で定義される凹状欠陥のうち、円相当直径 0.5μm 以上の凹状欠陥の総数が、単位表面積１mm² あたり15000 個以下であることを特徴とするAl系スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

相互接続構造において導電性バリヤ層又は他のライナ層を堆積させるための製造法、プロダクトストラクチュア、製造法、及びスパッタリングターゲット。バリヤ層（８２）は、アモルファスであってもよいがそうである必要がない、耐火性貴金属合金、例えば、ルテニウム/タンタル合金の導電性金属を含む。バリヤ層は、同様の組成のターゲット（９０）からスパッタすることができる。バリヤとターゲットの組成は、耐火性金属と白金族金属の組合わせ、例えば、ＲｕＴａから選ばれてもよい。銅貴金属シード層（１１２）は、誘電体（６６）の上のバリヤ層（７０）と接触させた銅とルテニウムの合金から形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 Ｓｉと酸素を含むグラニュラー記録層の成膜時に生じる、巨大な珪素酸化物の堆積による媒体表面の突起を抑制し、浮上性及び信頼性に優れた磁気記録媒体を高い歩留で製造する。
【解決手段】 少なくともＣｏを含む合金と、結晶質ＳｉＯ₂粉末を混合したターゲットを用いてスパッタリング法を用いて記録層を成膜する。 （もっと読む）

【課題】０．６ｍｍ以下のより薄い光ディスク基板を用いても光ディスク基板が変形せず、しかもスループットを低下させることがない光ディスク基板成膜装置および光ディスク基板成膜方法を提供すること。
【解決手段】基板の面上に薄膜を成膜して光ディスクを作成する光ディスク基板成膜装置において、光ディスク基板１をホルダー部３で固定し、さらにホルダー部３に光ディスク基板１の被成膜領域Ｓの裏面の少なくとも一部と密着する密着支持面Ｓ'を設ける。 （もっと読む）

【解決課題】 反射層を構成する銀合金であって、長期の使用によっても反射率を低下させること無く機能することのできる反射層用の材料を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、添加元素としてインジウム及び錫を含み、残部が銀からなる反射膜用の銀合金であって、添加元素であるインジウム及び錫の一部又は全部が内部酸化されてなる銀合金である。この添加元素の濃度は、０．１〜２．０重量％が好ましく、この範囲で反射率の低下を抑制することができる。また、反射層の熱伝導率を考慮すれば、添加元素の濃度を更に限定し、０．１〜０．５重量％とすることで高熱伝導率の反射層とすることができる。 （もっと読む）

【課題】高密度プリント配線に用いられても、金属層が充分な密着強度を有する高分子層と金属層の２層フィルム、その製造方法、およびその方法を用いたプリント基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】高分子フィルム１０と、高分子フィルムの上に形成された、窒素原子を含有するニッケルを６０重量％以上１００重量％以下含む第１の金属膜１２と、第１の金属膜の上に形成された銅を主成分とする第２の金属膜１４とを備える２層フィルム。高分子フィルム上に、窒素ガスを含む雰囲気下での、真空蒸着法またはイオンプレーティング法またはスパッタリング法によりニッケルを６０重量％以上１００重量％以下含む第１の金属膜を形成する工程と、第１の金属膜上に、銅を主成分とする第２の金属膜を形成する工程とを備える２層フィルムの製造方法。 （もっと読む）

ガス流を、ニオブ、タンタル、タングステン、モリブデン、チタン、ジルコニウム、これらの２種以上の混合物及び少なくとも２種のこれらの相互の又は他の金属との合金からなるグループから選択される材料の、０．５〜１５０μｍの粒子サイズを有する粉末と共に、ガス／粉末混合物を形成させ、その際、超音速を前記ガス流に付与し、かつ超音速のジェットを、再処理又は製造すべき対象物の表面に向ける、スパッタターゲット又はＸ線アノードを再処理又は製造する方法が開示されている。 （もっと読む）

【課題】書き込み性能と熱揺らぎ耐性とを両立させることが可能な磁気記録媒体及び磁気記録装置を提供すること。
【解決手段】基材１と、基材１の上に形成された下地層１２と、下地層１２の上に形成され、異方性磁界がH_k1で磁化曲線の反転部の傾きがα₁である垂直磁気異方性を有する主記録層７と、主記録層７の上又は下に該主記録層７に接して形成され、異方性磁界がH_k2で磁化曲線の反転部の傾きがα₂である書き込み補助層８とを有し、異方性磁界H_k1、H_k2と傾きα₁、α₂とが、それぞれH_k2＜H_k1及びα₂＞α₁を満たすことを特徴とする磁気記録媒体１１による。 （もっと読む）

【課題】保磁力に優れ、媒体ノイズの少ないＣｏ系合金磁性膜をスパッタリング法によって形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】クロム、ニッケル、タンタルおよびプラチナの金属元素のうち１種以上と残部がコバルトとの合金からなる合金相と、酸素、窒素および炭素のうち少なくとも１種の元素と、これらの元素に対して親和力のあるシリコン、アルミニウム、ホウ素、チタン、およびジルコニウムのうち少なくとも１種の元素との化合物からなるセラミックス相の微細均質分散混合相からなるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜を高速かつ安定して成膜する方法を提供する。
【解決手段】カバー２６内部にＩｎ−Ｇａ酸化物よりなる第１のターゲットとＺｎ酸化物よりなる第２のターゲットを設け、これらの上方に基板１を配置し、ポンプによってカバー２６内を真空にした後、不活性ガス中に酸素を含有させた混合ガスをカバー２６内に導入する。ターゲット２１ａ，２１ｂに交互にパルスパケット状の電圧を印加する。ターゲット２１ａ，２１ｂのスパッタ時におけるＩｎ、Ｇａ及びＺｎの放電の発光波長と発光強度が、ＰＥＭ３１ａ，３１ｂによって検知される。各ターゲット２１ａ，２１ｂのスパッタ速度が算出され、この算出結果に基づき、各ターゲット２１ａ，２１ｂに付与されるパルス電力、パルス量及びパルス幅、カバー２６内に供給する酸素量、並びにカバー内の圧力が制御される。 （もっと読む）

工作物あるいは部品であって、組成（Ａｌ_yＣｒ_1-y）Ｘの少なくとも１層を含む層システムを有し、Ｘ＝Ｎ、Ｃ、Ｂ、ＣＮ、ＢＮ、ＣＢＮ、ＮＯ、ＣＯ、ＢＯ、ＣＮＯ、ＢＮＯまたはＣＢＮＯでありかつ０．２≦ｙ＜０．７であり、上記層中の層組成は、実質的に一定であるか、または層厚にわたって連続的あるいは段階的に変化する。さらにその製造方法。
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