【課題】半導体デバイス配線の拡散防止膜およびシード膜を同時に製膜することができるパーティクル発生の少ないＭｎ含有銅合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｍｎ：０．６〜３０質量％を含み、残部がＣｕおよび不純物からなる組成を有し、かつ前記不純物が金属系不純物：４０ｐｐｍ以下であり、かつ酸素が：１０ｐｐｍ以下、窒素：５ｐｐｍ以下、水素：５ｐｐｍ以下、炭素：１０ｐｐｍ以下に規制された銅合金からなるパーティクル発生の少ないＭｎ含有銅合金スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】ディスク基板上に、内周側と外周側とで組成の異なる膜を形成するために、従来の全体が均一組成の円盤状ターゲットに用いられるものと同じスパッタ装置が使用でき、かつ作成が容易であるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】複数の異なる組成領域１０ａ，１０ｂが組み合わされて円盤形状となったスパッタリングターゲット１０において、前記組成領域１０ａ，１０ｂそれぞれは少なくとも当該円盤外周の一部を構成し、該円盤主面上の円盤中心を同心とする複数の円周（半径位置（１）〜（３）の円周）ごとで、前記組成領域１０ａ，１０ｂそれぞれの組成及び該組成領域１０ａ，１０ｂそれぞれが占める割合から決まる平均組成が異なる。 （もっと読む）

【課題】 メモリー点と非メモリー部との界面付近に偏析濃縮し、書き換え回数及び消去率の低下の原因となる不純物、特に結晶化速度に影響を与える不純物元素を極力減少させると共に、目標組成に対するターゲットの組成のずれ及び成分偏析を減少させて、相変化型メモリーの書き換え特性、結晶化速度を向上させることができる相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ３元系以上の元素からなり、アンチモン、テルル又はセレンから選んだ１成分以上を主成分とし、目標組成に対する組成のずれが±１．０ａｔ％以下であることを特徴とする相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて形成された相変化メモリー用膜。 （もっと読む）

【課題】従来技術におけるような不具合が無く、薄くてもピンホールのない水素分離膜が得ることが可能であり、それを簡易に製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ピンホールを持つ圧延金属箔上に水素選択透過性を有する無孔金属膜を備えていることを特徴とする水素分離膜。多孔質支持体又は無孔質支持枠上に、ピンホールを持つ圧延金属箔を取付け、次に該圧延金属箔の少なくとも一方の面に、水素選択透過性を有する材料を被覆して無孔質の膜を形成することを特徴とする水素分離膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】低コストで、かつ反射率、密着性に優れるＣｕ合金反射膜を提供する。
【解決手段】Ｃｕが６０〜９８ｗｔ％、及びＺｎが２〜４０ｗｔ％及び／又はＮｉが２〜４０ｗｔ％であるＣｕ合金からなるＣｕ合金反射膜。このＣｕ合金反射膜と導電性金属酸化物薄膜が積層されたＣｕ合金反射膜積層体。これらＣｕ合金反射膜又はＣｕ合金反射膜積層体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子３０。 （もっと読む）

一実施例に係る集積回路（１０）は、基板（１２）と、基板に形成されたＳｉＷＮｉ薄膜抵抗体（１６）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】無傷のビレット材を製造することにより、改善されたＰＴＦを有し、欠陥のない化学的に均質なスパッタターゲットを提供する。
【解決手段】合金系に対応する組成となるよう純元素又は母合金からなる複数の原料を調製し(Ｓ４０２)、複数の原料を真空雰囲気或いは低圧のアルゴン(Ａｒ)雰囲気中で液状態まで加熱して合金系に対応する溶融合金を形成し(Ｓ４０４)、溶融合金を凝固させてインゴットを形成し(Ｓ４０５)、インゴットを液状態まで再加熱して拡散溶融合金を形成し(Ｓ４０６)、拡散溶融合金を急速凝固して均質合金粉末材料とし(Ｓ４０７)、均質合金粉末材料を圧粉して高密度均質材料とし(Ｓ４０８)、高密度均質材料を熱間圧延し(Ｓ４０９)、高密度均質材料を冷間圧延し(Ｓ４１０)、高密度均質材料を機械加工してスパッタターゲットを形成する(Ｓ４１１)。 （もっと読む）

【課題】 インジウムを削減しても低抵抗な透明導電膜が得られるスパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】 酸化亜鉛及び酸化スズ、又は、酸化亜鉛、酸化スズ及び酸化インジウムを含むスパッタリングターゲットであって、金属又は合金がスパッタリングターゲット全体に分散して存在するスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 再生専用型光ディスクにおけるレーザーマーキングが容易にできる光情報記録媒体用Ag合金反射膜、この反射膜を備えた光情報記録媒体、及び、この反射膜の形成用のスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 (1) 光情報記録媒体に用いられるAg合金反射膜であって、Agを主成分とし、希土類元素の１種以上を合計で１〜10原子％含有すると共にIn，Sn，Al，Mgの１種以上を合計で１〜15原子％含有し、且つ、前記希土類元素の１種以上の含有量と前記In，Sn，Al，Mgの１種以上の含有量との合計含有量が５原子％以上であることを特徴とする光情報記録媒体用Ag合金反射膜、(2) 前記Ag合金反射膜においてBi，Sbの１種以上を0.01〜３原子％含有しているもの、(3) 前記(1) のAg合金反射膜と同様の組成を有するAg合金製のスパッタリングターゲット等。 （もっと読む）

【課題】パーティクル発生の少ない磁気記録層形成用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 シリカ：２〜１５質量％、酸化クロム：０．０１〜０．５質量％、Ｃｒ：３〜２０質量％、Ｐｔ：１５〜４５質量％を含有し、残部：Ｃｏからなる組成を有し、前記シリカおよび酸化クロムは粒界に均一分散している組織を有するＣｏ基焼結合金からなる磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線形成時のボイドの発生を抑制し、バリアメタル層とＣｕ層の密着性低下を抑制できる半導体装置の製造方法とこの方法で製造された半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１０に配線を形成する半導体装置の製造方法であって、まず、基板１０にＴａ系バリアメタル材料とＣｕ及び／またはＡｇとの合金からなるバリアメタル層１６を形成する。次に、バリアメタル層１６の上層にバリアメタル層１６を電極とする電解メッキによりＣｕを含む金属層１７を形成し、バリアメタル層１６及び金属層１７を配線パターンに加工する。 （もっと読む）

【課題】光記録ディスク（ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡＭ）などの光記録媒体のＡｇ合金半透明反射膜およびこの半透明反射膜を形成するためのＡｇ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃｕ：０．１〜０．５質量％未満、Ｃａ：０．０１〜０．１質量％を含有し、さらにＰｒ，Ｅｕ，Ｓｍの内から選ばれる１種または２種以上を合計で０．０１〜０．３質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体の半透明反射膜およびこの光記録媒体の半透明反射膜を形成するためのＡｇ合金スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 ヘッド浮上特性に優れた有用なディスクリートトラック型磁気記録媒体を提供すべく、最適な基板の凹凸寸法と保護膜層の厚さとの関係を明らかにする。
【解決手段】 段差ｈ（ｎｍ）の凹凸を有する非磁性基板の表面に磁性層と保護膜層を形成したものであって、該凹凸パターンの凸部におけるカーボン保護膜層厚さの最大値をａ、凹部におけるカーボン保護膜層厚さの最小値をｂとしたときに、これらａ，ｂ，ｈの関係が下記式
４．０≦ｂ−ａ≦１９．８・・・・・・・（１）
４．５≦ｂ≦２５・・・・・・・・・・・（２）
４．０≦ｈ≦２０．０・・・・・・・・・（３）
を満足する磁気記録媒体、及びこの磁気記録媒体を組み込んだ磁気記録再生装置。 （もっと読む）

【課題】磁気記録媒体における信号対雑音比の改善及びデータ記録容量の増大を図る。
【解決手段】スパッタターゲットは、コバルト(Ｃｏ)、０より多く２４原子％以下のクロム(Ｃｒ)、０より多く２０原子％以下の白金（Ｐｔ）、０より多く２０原子％以下のホウ素(Ｂ)及び０より多く１０原子％以下の金(Ａｕ)を含む。このスパッタターゲットは、更にＸ₁を含み、前記Ｘ₁が、タングステン(Ｗ)，イットリウム(Ｙ)，マンガン(Ｍｎ)及びモリブデン(Ｍｏ)からなるグループから選択される。このスパッタターゲットは、更に０〜７原子％までのＸ₂を含み、前記Ｘ₂が、チタン(Ｔｉ)，バナジウム(Ｖ)，ジルコニウム(Ｚｒ)，ニオブ(Ｎｂ)，ルテニウム(Ｒｕ)，ロジウム(Ｒｈ)，パラジウム(Ｐｄ)，ハフニウム(Ｈｆ)，タンタル(Ｔａ)及びイリジウム(Ｉｒ)からなるグループから選択された１つの元素である。磁気記録媒体３００は、このスパッタターゲットでスパッタリング形成したデータ記録薄膜層３０６を有する。 （もっと読む）

【課題】 Ａｇ基合金が本来もつ高反射率および低電気抵抗を維持しつつ、耐熱性および耐湿性が著しく向上した半反射型半透過膜を提供すること。
【解決手段】 Ａｇに特定少量のＣｕとＰをＣｕ≧Ｐの比で複合添加し、さらに必要に応じてＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｕ、ＰｔおよびＰｄの少なくとも１種および／またはＮｉ、ＦｅおよびＢｉの少なくとも１種を少量追加添加してなるＡｇ基合金から構成された半反射型半透過膜。 （もっと読む）

【課題】高い反射率を保持しながら耐熱性に優れた薄膜を形成できる薄膜形成用材料。
【解決手段】０．０１〜３５ａｔ％（原子％）のＣを含有するＡｇを基とした組成で構成されている薄膜形成用材料であり、更に、Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅの群、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕの群、並びにＢ，Ｎ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｍｇ,Ｔｅ，Ｂｉの群から選ばれた少なくとも一種を０．０１〜１０ａｔ％を含有してもよい薄膜形成用材料。 （もっと読む）

【課題】スパッタターゲットタイルを溶接して、大型スパッタターゲット及びターゲットアセンブリを提供する。
【解決手段】支持部の表面上に少なくとも２個のターゲットタイル５０１Ａ、５０１Ｂを並べて配置し、少なくとも２個のターゲットタイルの端部は隣接し、ターゲット材料の小片５５２又は粉体５５３上に少なくとも１の境界ライン５２１Ａを形成し、電子ビーム溶接チャンバ内のガスを排出し、少なくとも２個のターゲットタイル５０１Ａ、５０１Ｂ及びターゲット材料の小片５５２又は粉体５５３を、ターゲットタイルの溶融が開始する温度、物理的状態が変化する温度又は実質的に分解する温度以下の予備加熱温度まで予備加熱し、並べて配置された少なくとも２個のターゲットタイル５０１Ａ、５０１Ｂを大型ターゲットに溶接する。 （もっと読む）

【課題】 アーカイバル特性と高速でのオーバーライト特性とを両立することができるようにする。
【解決手段】 第１の基板１１上に、記録再生光の入射方向から順に、上層誘電体層１２、界面層１３、記録層１４、下層誘電体層１５、反射層１６が順次積層されて、その上に保護層１７を介して第２の基板１８が設けられる。記録層１４がＳｎ_xＩｎ_yＧａ_zＳｂ_w（但し、３≦ｘ≦７、０≦ｙ≦７、６．８≦ｗ／ｚ≦８．８）により構成される。ｘ、ｙが３≦ｘ≦７、０≦ｙ≦７の範囲から外れると、高速で情報信号の記録を繰り返した場合にオーバーライト特性が低下してしまう。ｗ／ｚが６．８未満であると、高速で情報信号の記録を繰り返した場合にオーバーライト特性が低下してしまう。反対にｗ／ｚが８．８を越えると記録マークの形成が困難になる。 （もっと読む）

【課題】 多岐にわたる性能を発揮するおよび／または所望とする色相に着色することができる異種金属含有亜鉛フレークの製造方法およびそれを用いた自己犠牲型防錆防食剤の製造方法を提供する。
【解決手段】 異種金属含有亜鉛フレークの製造方法においては、亜鉛粒子と、他の金属粒子および／または無機顔料粒子とを、ビーズミルを使用して有機溶剤、潤滑剤と共に混合し、粉砕することにより、亜鉛粒子をフレーク化しつつ、フレーク化された亜鉛粒子の表面に他の金属粒子および／または無機顔料粒子を付着せしめる。また、自己犠牲型防錆防食剤の製造方法においては、その材料として該異種金属含有亜鉛フレークが用いられる。 （もっと読む）

【課題】抵抗値の制御性、安定性および再現性に優れ、その抵抗温度特性が良好な帯電防止膜を提供し、更に、その用途を提供する。
【解決手段】帯電防止膜は０．５〜１０ｎｍの粒径を有する導体粒子の複数個が、窒化物を含む媒質中に分散配置された構造、或いは酸化物を含む媒質中に分散配置された構造を有する。また、電子源が配置された第１の基板と、電子源と対向して画像表示部材が配置された第２の基板とを有する気密容器を備える画像表示装置において、第１の基板と第２の基板との間に上記帯電防止膜を有するスペーサを配置する。 （もっと読む）