【課題】Ａｌ−Ｎｄ合金スパッタリングターゲット材と支持体がロウ付されてなる積層体の、ボンディングやＡｌ−Ｎｄ合金薄膜の成膜で生じる反りを抑制して、長期間にわたり安定した成膜操業を行なうことのできるＡｌ−Ｎｄ合金スパッタリング用積層体を提供する。
【解決手段】Ｎｄを０．１〜３原子％含むＡｌ合金からなるＡｌ−Ｎｄ合金スパッタリングターゲット材と支持体がロウ付されてなる積層体であって、前記Ａｌ−Ｎｄ合金スパッタリングターゲット材の２５〜１００℃の平均線膨張係数：Ａと、前記支持体の２５〜１００℃の平均線膨張係数：Ｂが、下記式（１）を満たすことを特徴とするＡｌ−Ｎｄ合金スパッタリング用積層体。 −０．１５ ≦ （Ｂ−Ａ）／Ａ ≦ ０．１５ …（１） （もっと読む）

【課題】製造と応用の観点から優れたスパッタリングターゲット特性を有する、多相のＣｏ−Ｃｒ−Ｂ−Ｐｔからなる貴金属磁気スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】本製造方法は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂからなる急冷凝固母合金を生成し、この母合金とＰｔ粉末をボールミルにより機械的に合金化し、ＨＩＰ処理を行って機械的に合金化されたスパッタリングターゲットを緻密にすることにより、スパッタリングターゲットを製造する。母合金には、Ｃｒ，Ｂ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｃ，Ｍｏ，Ｗ，Ｚｒ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｈｆ，Ｏ，Ｓｉ又はＮを含むことができる。 （もっと読む）

本発明は１、Ｈｆに、Ｚｒ若しくはＴｉのいずれか、又は双方を総計で１００ｗｔｐｐｍ−１０ｗｔ％含有することを特徴とするハフニウム合金ターゲットであり、平均結晶粒径が１−１００μｍ、不純物であるＦｅ、Ｃｒ、Ｎｉがそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、さらに｛００２｝とこの面から３５°以内にある｛１０３｝、｛０１４｝、｛０１５｝の４つの面の晶癖面配同率が５５％以上で、かつ場所による４つの面の強度比の総和のばらつきが２０％以下であるハフニウム合金ターゲットに関する。成膜特性や成膜速度が良好であり、パーティクルの発生が少なく、ＨｆＯ又はＨｆＯＮ膜等の高誘電体ゲート絶縁膜の形成に好適なハフニウム合金ターゲット及びその製造方法を得る。 （もっと読む）

【課題】ターゲット材とのボンディングやＡｌ−Ｎｄ合金薄膜の成膜（スパッタリング成膜）で生じる反りを抑制して、該反りの矯正を省略でき、また反りの発生と矯正の繰り返しに起因するターゲット材−支持体間のロウ材の亀裂・剥離を抑制して、長期間にわたり安定した成膜操業を行なうことのできるスパッタリングターゲット材用の支持体を提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲット材用の支持体であって、該支持体はＡｌ合金からなり、該Ａｌ合金は２５〜１００℃における平均線膨張係数が２３．０×１０^−６／℃以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット材用支持体。 （もっと読む）

【課題】半導体不揮発メモリーの一種である相変化メモリー（Ｐｈａｓｅ Ｃｈａｎｇｅ ＲＡＭ）に用いられる相変化記録膜を形成するためのプレスパッタ時間の短いターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】原料粉末を加圧焼結することにより相変化記録膜形成用ターゲットを製造する方法において、原料粉末としてガスアトマイズ粉末を使用するプレスパッタ時間の短い相変化記録膜形成用ターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】金型や切削工具等の金型加工工具表面用保護膜によって、成型品の外観を向上させるために、ある程度の高硬度を有すると共に、潤滑性を向上させ、且つ濡れ性を低下させる。
【解決手段】 気相薄膜形成法によって金属表面に形成される、遷移金属元素の窒化物と非晶質構造の炭素との混合膜又は積層膜からなる金属加工工具表面保護膜。 （もっと読む）

本発明は、物理気相成長法のターゲットを形成するために熱間等方圧加工工程を用いる方法を含む。特定の観点において、物理気相成長法のターゲットは、イリジウム、コバルト、ルテニウム、タングステン、モリブデン、チタン、アルミニウム及びタンタルの内の１つ又はそれ以上の材料を含むことができ、及び／又は、アルミナイド、シリサイド、カーバイド及びカルコゲニドの内の１つ又はそれ以上の材料を有する。また、本発明は、イリジウム、コバルト、ルテニウム、タングステン、モリブデン、チタン、アルミニウム及びタンタルの内の１つ又はそれ以上の材料を有する三次元ターゲットを含む。 （もっと読む）

露光波長の短波長化に適した低反射フォトマスクブランクを提供する。透光性基板２上に、金属を主成分とする一層又は多層の遮光膜３を有するフォトマスクブランクであって、前記遮光膜３上に、シリコンと、酸素及び／又は窒素を少なくとも含む反射防止膜６を有することを特徴とするフォトマスクブランク１。
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スパッタリング成膜時に基板を低温で加熱することにより結晶性ＩＴＯ透明導電薄膜が成膜される。Ｉｎ_２Ｏ_３とＳｎＯ_２との合計に対するＳｎＯ_２の重量割合が６％以下のＩＴＯターゲットを用い、スパッタリング成膜時に基板を９０〜１７０℃に加熱することにより結晶性ＩＴＯ透明導電薄膜を成膜する。基板の耐熱性に見合う低温加熱で、高強度で機械的耐久性に優れた結晶性ＩＴＯ膜を成膜することができ、成膜後のアニールが不要となる。高分子フィルム４上にこのＩＴＯ透明導電薄膜５が成膜された透明導電性フィルム及びこの透明導電性フィルムを備えるタッチパネルが提供される。
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【課題】一貫したＡＳＴＭ粒度と十分な再結晶化を有するニオブ又はタンタルの薄板を、該薄板での平坦度及び／又は平滑度の問題を最小限にするか又は回避して製造する。
【解決手段】ケイ素を含有するニオブ又はタンタルの合金を製造するにあたり、
Ａ）ニオブ粉末又はタンタル粉末とケイ素粉末とを含有する配合物を形成し、そして該配合物を圧縮して、圧縮配合物を形成し、
Ｂ）圧縮配合物をニオブ又はタンタルを含有する電極に接続し、
Ｃ）電極と圧縮配合物を真空アーク再溶解条件で溶融させ、こうして該配合物と溶融された電極とを混合し、
Ｄ）溶融された電極を冷却して、合金鋳塊を形成し、かつ
Ｅ）その合金鋳塊に熱−機械的加工工程を適用して、展伸材を形成する。 （もっと読む）

【課題】光記録媒体（ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡＭなど）のＡｇ合金反射膜およびそのＡｇ合金反射膜を形成するためのＡｇ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｇａ：０．０５〜２．０質量％を含有し、さらにＣａ、ＢｅおよびＳｉの内の１種または２種以上を合計で０．００１〜０．１質量％を含有し、さらに必要に応じてＣｕ：０．１〜３．０質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる組成のＡｇ合金からなる光記録媒体の反射膜、並びにその反射膜を形成するためのＡｇ合金スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 従来の皮膜よりも耐酸化性および耐摩耗性に優れた硬質皮膜を提供する。
【解決手段】 （Ａｌ_ａ，Ｍ_ｂ，Ｃｒ_{１−ａ−ｂ}）（Ｃ_１−ｅＮ_ｅ）からなる硬質皮膜（但し、ＭはＷ及び／又はＭｏ）であって、
０．２５≦ａ≦０．６５、
０．０５≦ｂ≦０．３５、
０．５≦ｅ≦１
（ａ，ｂ，ｅはそれぞれＡｌ，Ｍ，Ｎの原子比を示す。）
であることを特徴とする硬質皮膜。 （もっと読む）

【課題】ロングスロースパッタやリフロースパッタ等の新スパッタ方式でスパッタリングした際に発生する新たな不良モード（巨大ダストや大きな凹部）の発生を抑制することを可能にしたスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｓｃ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、ＲｅおよびＢからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を0.01〜20質量％の範囲で含み、残部が実質的にＡｌからなるインゴットまたは焼結体を、大気溶解法、真空溶解法、急冷凝固法、粉末冶金法で作製するにあたって、ＡｒおよびＫｒから選ばれる少なくとも1種の元素を含むガスを使用する。得られたインゴットまたは焼結体を加工してスパッタリングターゲットを作製する。 （もっと読む）

チタン−銅−ニッケルベースの合金の使用を提供する。前記チタン−銅−ニッケルベースの合金は、高分子基板上に少なくとも１つの抵抗薄膜を形成することに使用される。前記合金は、５０から８０重量％のチタンと、１０から２５重量％の銅と、１０から２５重量％のニッケルと、を含み、前記薄膜の厚さは、約１００から１６０ナノメートルである。前記合金は、有利には、６９重量％のチタンと、１５．５重量％の銅と、１５．５重量％のニッケルとを含む。 （もっと読む）

【課題】金型の耐久性を向上させるべく、ある程度の高硬度を有すると共に、潤滑性を向上させ、且つ濡れ性を低下させる金型表面用保護膜を形成すること。より高硬度の金属加工工具表面用保護膜を形成すること。
【解決手段】気相薄膜形成法によって金属表面にTi、B、及びNを必須元素とし、AlまたはSiのうち１種又は２種の元素を含む硬質の保護膜を形成し、TiとNを必須元素とし、AlまたはSiのうち１種又は２種の元素を含むNaCl型の結晶相と、非結晶構造もしくは微結晶の六方晶構造を有するBN相とから構成される金型表面用保護膜とする。さらに、ＢＮ相の割合が体積比で１０〜１７％の範囲内にある金属加工工具表面用保護膜とする。 （もっと読む）

【課題】ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止した低抵抗な配線膜を再現性よく成膜することができ、かつスパッタ時におけるダスト発生を抑制したスパッタターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、ＤｙおよびＥｒから選ばれる少なくとも1種の第１の元素を0.001〜30原子％の範囲で含み、残部が実質的にＡｌからなるスパッタターゲットを作製するにあたって、第１の元素を配合したＡｌを溶解した後、急冷凝固法により第１の元素とＡｌの金属間化合物が均一分散されたインゴットを作製する。このインゴットを加工してスパッタターゲットを作製する。 （もっと読む）

【課題】磁気メモリ用途に有用な磁気特性を有するスパッタリングターゲット用低酸素含有合金およびその合金で構成したスパッタリングターゲットの提供。
【解決手段】Ｇａ，Ｉｎ，Ｎｉ及びＺｎから選択された１つの成分とＭｎを組み合わせたＭｎ合金、およびＦｅ又はＣｏをＰｔ又はＰｄと組み合わせたＦｅ合金またはＣｏ合金において、Ｌ１₀又はＬ１₂タイプの結晶構造を持つ規則化合物を形成する特定の組成範囲を限定し、不純物による磁気特性低下を防止のため、酸素および硫黄不純物含有量を低く限定した。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の低抵抗配線を作製するにあたって、新スパッタ方式でスパッタリングした際に発生する新たな不良モードの発生を抑制する。
【解決手段】Ａｌ合金配線を有する液晶表示装置を製造するにあたって、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｓｃ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、ＲｅおよびＢからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を0.01〜20質量％の範囲で含み、残部が実質的にＡｌからなるインゴットまたは焼結体を、大気溶解法、真空溶解法、急冷凝固法、粉末冶金法で作製するにあたって、ＡｒおよびＫｒから選ばれる少なくとも1種の元素を含むガスを使用し、得られたインゴットまたは焼結体を加工してスパッタリングターゲットを作製する。このスパッタリングターゲットをスパッタして形成したＡｌ合金膜にエッチング処理を施してＡｌ合金配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止した低抵抗な配線膜を再現性よく成膜することができ、かつスパッタ時におけるダスト発生を抑制したスパッタターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｔｈ、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｓｉ、ＰｂおよびＢから選ばれる少なくとも1種の第１の元素を0.001〜30原子％の範囲で含み、残部が実質的にＡｌからなるインゴットまたは焼結体を、大気溶解法、真空溶解法、急冷凝固法、粉末冶金法で作製するにあたって、Ｏ、ＮおよびＨから選ばれる少なくとも1種の第２の元素を含むガスを使用する。得られたインゴットや焼結体を加工してスパッタターゲットを作製する。 （もっと読む）

【課題】 実際に必要とするだけの電力量を利用可能にするという問題に対処することにある。
【解決手段】 本発明は、同じ消費電力または異なる消費電力を有する幾つかの電気エネルギ消費体の構成に関する。一般に、必ずしも全ての消費体に同時に電気エネルギを供給する必要がないため（例えばメンテナンス作業のためある消費体は作動していないことがある）、相互接続可能な幾つかのモジュールからなるモジュラエネルギ供給システムが設けられ、これにより各消費体には、必要とする電力を小型ユニットから供給することが可能になる。
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