【課題】 本発明の課題は、８００℃よりも高い使用温度で、特に酸化の最初の段階でアルミニウム含有合金を実質的にα−Ａｌ_２Ｏ_３よりなる酸化物被覆層を形成し、そうして明らかに向上した長期間挙動をもたらすことである。
【解決手段】この課題は、Ｆｅ−Ａｌ、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ、Ｎｉ−ＡｌまたはＮｉ−Ｃｒ−Ａｌタイプのアルミニウム含有合金のために保護層を造る方法において、
− 該合金の表面にアルミニウム不含酸化物を有する酸化物層を形成し、
− 該合金を８００℃より上の温度に加熱した際に、該合金の表面のアルミニウム不含酸化物が準安定なアルミニウム酸化物の形成を抑制し、結果として専らα−Ａｌ_２Ｏ_３−酸化物だけを形成する
各段階を含むことを特徴とする、上記方法によって解決される。 （もっと読む）

金属プレート、並びにスパッタリングターゲット、を作る方法が記載される。さらに、本発明のプロセスで作られた製品がさらに記述される。本発明は好ましくは、金属製品の表面の大理石模様を減少させた又は最小にしたいろいろな利点がある製品を提供する。
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【課題】 銅又は銅合金スパッタリングターゲットに対して、耐渦電流特性とその他のマグネトロンスパッタリングターゲットに必要とされる特性をバランス良く両立させた銅又は銅合金ターゲット／銅合金バッキングプレート組立体を提供することを課題とする。
【解決手段】 マグネトロンスパッタリングに使用する銅又は銅合金ターゲット／銅合金バッキングプレート組立体であって、銅合金バッキングプレートが低ベリリウム銅合金又はＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金である銅又は銅合金ターゲット／銅合金バッキングプレート組立体。また、銅合金バッキングプレートが導電率３５〜６０％（ＩＡＣＳ）、０．２％耐力４００〜８５０ＭＰａを備えている銅又は銅合金ターゲット／銅合金バッキングプレート組立体。 （もっと読む）

【課題】 ブローホールのような内部欠陥を極力減少し、反りのない大面積のアルミニウム系ターゲットを提供することを目的とする。
【解決手段】 複数のアルミニウム合金ターゲット部材からなるアルミニウム系ターゲットにおいて、摩擦撹拌接合法によりアルミニウム合金ターゲット部材を接合した接合部を備えるものとした。また、この接合部は、アルミニウム母材中に径１０μｍ以下の金属間化合物析出物が分散した組織であり、径５００μｍ以下のブローホールが０．０１〜０．１個／ｃｍ^２存在するものである。 （もっと読む）

本発明は、銀を主成分とし、第１の添加元素として貴金属元素を少なくとも１種含んでなる反射率維持特性に優れた銀合金である。本発明において、第１の添加元素は、白金、金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、イリジウムが好ましい。また、本発明では、更に、第２の添加元素として銅、マンガン、シリコン、クロム、ニッケル、コバルト、鉄、スカンジウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、タンタル、タングステン、インジウム、錫、鉛、アルミウム、カルシウム、ゲルマニウム、ガリウム、ビスマス、アンチモン、ストロンチウム、ハフニウム、ガドリニウム、サマリウム、ネオジウム、ランタン、セリウム、イットリビウム、ユーロピウムの少なくとも１種を含むものが好ましい。 （もっと読む）

本発明は、銀を主成分とし、第１の添加元素として銀より高融点の元素を少なくとも１種含んでなる反射率維持特性に優れる銀合金である。本発明において、第１の添加元素は、銅、マンガン、シリコン、ニッケル、コバルト、イットリウム、鉄、スカンジウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、タンタル、タングステンが好ましい。また、本発明では、第２の添加元素として、白金、金、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、パラジウム、クロム、ゲルマニウム、インジウム、錫、鉛、アルミニウム、カルシウム、ガリウム、ビスマス、アンチモン、ストロンチウム，ハフニウム、ガドリニウム、サマリウム、ネオジウム、ランタン、セリウム、イッテルビウム、ユーロピウムの少なくとも１種を含むものが好ましい。 （もっと読む）

本発明は、銀を主成分とし、第１の添加元素として銀より低融点の金属元素を少なくとも１種含んでなる光記録媒体の反射膜用の銀合金である。本発明において、第１の添加元素は、アルミニウム、インジウム、錫、ビスマス、ガリウム、亜鉛、ストロンチウム、カルシウム、ゲルマニウムが好ましい。また、本発明では、更に、第２の添加元素として、白金、金、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、パラジウム、鉛、銅、マンガン、シリコン、ニッケル、クロム、コバルト、イットリウム、鉄、スカンジウム、ジルコニウム、チタン、ニオブ、モリブデン、タンタル、タングステン、ハフニウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、ツリウム、イッテルビウム、マグネシウム、ホウ素の少なくとも１種を含むものが好ましい。 （もっと読む）

本発明は、銀を主成分とし、第１の添加元素として希土類元素を少なくとも１種含んでなる反射率維持特性に優れる銀合金である。第１の添加元素は、サマリウム、ネオジウム、ランタン、セリウム、イッテルビウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、ユーロピウム、ガドリニウムが好ましい。また、本発明では、銅、マンガン、シリコン、クロム、ニッケル、コバルト、イットリウム、鉄、スカンジウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、タンタル、タングステン、白金、金、ロジウム、イリジウム、パラジウム、インジウム、錫、鉛、アルミニウム、カルシウム、ガリウム、ビスマス、アンチモン、ストロンチウム、ハフニウム、ゲルマニウムの少なくとも１種を更に含む。 （もっと読む）

本発明は、例えばガスタービンの部品などの様々な部品のための耐酸化性及び／または耐腐蝕性の保護層を形成する方法に関する。この方法では、基材表面を有し、基材組成を有する部品を用意する。次に、少なくともプラチナ（Ｐｔ）及びアルミニウム（Ａｌ）を含有するコーティング材料を用意する。そして、少なくともプラチナ（Ｐｔ）及びアルミニウム（Ａｌ）を含有する前記コーティング材料を、ＰＶＤ法（物理蒸着法）により、前記部品の表面に堆積させる。また、一度のＰＶＤ工程によって、コーティングを施そうとする前記部品の表面に、プラチナ（Ｐｔ）とアルミニウム（Ａｌ）とを共に堆積させる。 （もっと読む）

本発明の実施態様は工具用の硬質な耐摩耗層に関する。具体的には、金属を切削するための例えばドリル、皿穴ドリル、穴ぐり刃、ねじタップ、リーマーなどの回転シャンク工具を含む切削用工具に関する。耐摩耗層は約１〜１０μｍの厚さを有し、物理気相成長法（ＰＶＤ）により蒸着することが好ましい。耐摩耗層はＣｒ、Ｔｉ、およびＡｌの金属窒化物からほぼなり、さらに粒状を微細にするため、低含量の元素（κ）を含む。全層の金属元素中において、Ｃｒは６５％を超え、好ましくは６６〜７０％、Ａｌは１５〜２３％、Ｔｉは１０〜１５％である。 （もっと読む）

本発明は、カラー液晶ディスプレイの製造工程である加熱工程を経ても、熱劣化による反射率の低下が極めて少なく且つ硫化による黄色化を生じにくいという２つの特性を併せ持った反射電極膜を形成しうるＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ−Ｇｅ系銀合金を提供することを目的とする。 本発明に係る銀合金は、Ａｇを主成分とし、Ｐｄ含量を０．１０〜２．８９ｗｔ％、Ｃｕ含量を０．１０〜２．８９ｗｔ％、Ｇｅ含量を０．０１〜１．５０ｗｔ％とし、且つＰｄ、Ｃｕ及びＧｅの合計含量を０．２１〜３．００ｗｔ％として、少なくとも４元素からなる組成を有することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明に係る半導体製造用対向ターゲットスパッタリング装置は、不活性ガスが出入りすることができる気密チャンバと、互いに対向してそれら間にプラズマ区域を形成するように気密チャンバの対向端部に各々置かれる一対のターゲットプレート１２０、１１０と、プラズマ区域１３０に亘って相異する極性の磁極が互いに対向することによりターゲットプレート１２０、１１０の間のプラズマ区域１３０に磁場を樹立するようにターゲットプレート１２０、１１０の付近に各々配置される一対の磁石１０２、１０４、１０６、１０８と、プラズマ区域１３０の付近に配置され、合金薄膜が上部に蒸着される基板２２２を維持するに適合するように形成される基板ホルダー２２４と、基板ホルダー２２４にカップリングされた逆バイアス電源２３６と、を含む。
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本発明は、台所用品あるいは調理機器のための食品調理表面に関する。本発明は、調理表面が、重量比で、少なくとも５０％のコバルト及び少なくとも１８％のクロムを含んだ金属を備えることを特徴とする。有利には、少なくとも５％の一つ以上の以下の金属：タングステン、ニッケル及びモリブデンを備える。 （もっと読む）

本発明はガラスからできているタイプの透明基板に関する。本発明の基板は、ケイ素またはアルミニウムまたはこの２つの混合物の［窒化物、炭窒化物、酸窒化物または酸炭窒化物］をベースとする少なくとも１つの層Ｃを上に配設した被覆層と共に含む被膜を含んでなる。本発明は、この被覆層が酸化物ベースの機械的保護層であり、この酸化物が場合によっては化学量論以下または化学量論以上の酸素含量を有し、および／または場合によっては窒化物であることを特徴とする。本発明を使用して、多層または合わせグレージングを製造することができる。 （もっと読む）

一方のアセンブリ部材上に設けられた突起を熱膨張させ、もう一方のアセンブリ部材に熱接触を与えることによりスパッタカソードアセンブリの構成部分を組み立てる方法、及び当該方法によって形成されたスパッタカソードが記載される。本方法は、構成部材の一時的な機械的結合を形成し、この機械的結合は構成部分が所定の接触温度未満に冷却されると終わる。本方法は、任意選択でアセンブリの構成部分を互いに機械的に連結することを含む。
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複数のスパッタターゲットを形成するよう分割するのに十分な寸法を有するバルブ金属のミル成形体を製造する方法が記載される。本方法は、約１００μｍ以下の好ましい平均粒度及び／又は組織バンドの実質的にない組織を有するミル成形体を形成するためのインゴットの多方向変形を含む。
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【目的】（ＴｉＡｌ）Ｎ皮膜等耐酸化性の優れる硬質皮膜の耐摩耗性並びに密着性を犠牲にすること無く、更に高温状態での耐溶着性並びに硬質皮膜中への被加工物元素の拡散を改善し、切削加工の乾式化、高速化、高送り化に対応する硬質皮膜被覆工具を提供することが目的である。
【構成】金属成分がＴｉとＢで構成される窒化物、炭窒化物、酸窒化物、酸炭窒化物のいずれかであるａ層と、金属成分がＡｌとＴｉで構成される窒化物、炭窒化物、酸窒化物、酸炭窒化物のいずれかであるｂ層とが、それぞれ一層以上交互に被覆され、該ａ層のＸ線回折における（２００）面の格子定数Ａが、０．４２００≦Ａ≦０．４２７０ｎｍの範囲にあり、かつ該ａ層のラマン分光分析においてｃ−ＢＮ並びにｈ−ＢＮのピークが検出され、該ｃ−ＢＮのピーク強度をＱ１、ｈ−ＢＮのピーク強度をＱ２としたとき、ピーク強度比Ｑ１／Ｑ２＜１．０であることを特徴とする硬質皮膜被覆工具。 （もっと読む）

【課題】 ドロップレット量、局部溶融の発生が少なく、安定した放電特性が得られ、かつ長寿命であるＴｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材を提供する。また、その製造方法と、これら技術の利用による皮膜コーティング方法を提供する。
【解決手段】 ターゲット材組織中に面積率で純Ｓｉ相が５％以下、ターゲット材構成元素による金属間化合物相が３０〜８０％であるＴｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材、具体例として、ターゲット材組織中に面積率で純Ｓｉ相が５％以下、ターゲット材構成元素による金属間化合物相が３０〜８０％、残部実質的にターゲット材構成元素による固溶相のＴｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材である。Ｓｉ：１０〜４０原子％含み、残部実質的にＴｉでなることが好ましい。本発明のターゲット材は、アークイオンプレーティング用に好ましく、例えば切削工具、金型ならびに摺動部品の表面コーティング用に使用できる。 （もっと読む）

【課題】 物理的に接着力が向上し、電気的には接触抵抗が良好な特性を有する表示素子用配線及びこれを利用した薄膜トランジスタ基板並びにその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 表示素子用配線を、低融点金属の合金元素が少なくとも一つ以上合金されているＡｇ合金で形成する。液晶表示パネルにおいて、このような表示素子用配線を用いてゲート配線２２，２４，２６及びデータ配線６５，６６，６８を形成すれば、接触部で他の導電物質と連結される過程で腐食が発生して素子の特性を低下させるのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】平滑度のよいグラニュラ構造の磁性膜を備え、磁気ヘッドとの摩擦が小さく耐久性に優れた磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性基板１上に下地膜２を形成し、その下地膜２上に、強磁性材料と電気抵抗が１０⁶ Ωｃｍ以下の非磁性材料との混合物からなるターゲットを用いたスパッタリング法で、あるいは、強磁性材料からなるターゲットと電気抵抗が１０⁶ Ωｃｍ以下の非磁性材料からなるターゲットを用いた二元スパッタリング法で、グラニュラ構造の磁性膜３を成膜し、その上に保護膜４を成膜して磁気記録媒体とする。 （もっと読む）