本発明は、バリヤー層を形成するための方法を含む。材料はECAEターゲットからアブレートされ、基体表面上にわたって1%未満またはそれと同等の1シグマの厚みバラツキを有する層を形成する。本発明は、トンネル接合を形成する方法を含む。薄フィルムは、第１の磁性層と第２の磁性層との間に形成される。その薄フィルム、第１の磁性層および／または第２の磁性層は、ECAEターゲットから材料をアブレートすることにより形成され、非ECAEターゲットを使用して形成された対応する層と比較して改善された層厚み均一性を呈する。本発明は、物理蒸着ターゲットおよびそのターゲットを使用して形成された薄フィルムを含む。そのターゲットは、アルミニウムとGa、ZrおよびInから選択された少なくとも１つの合金化元素との合金を含有する。得られたフィルムは、その薄フィルム上にわたって1.5%未満の1シグマの厚みバラツキを有する。
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【課題】液晶表示装置の低抵抗配線を作製するにあたって、ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止し、かつスパッタ時のダスト発生を抑制する。
【解決手段】Ａｌ合金配線を有する液晶表示装置を製造するにあたって、Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｔｈ、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｓｉ、ＰｂおよびＢから選ばれる第１の元素を0.001〜30原子％の範囲で含み、残部が実質的にＡｌからなるインゴットまたは焼結体を、大気溶解法、真空溶解法、急冷凝固法、粉末冶金法で作製するにあたって、Ｏ、ＮおよびＨから選ばれる第２の元素を含むガスを使用し、得られたインゴットまたは焼結体を加工してスパッタターゲットを作製する。このスパッタターゲットをスパッタして形成したＡｌ合金膜にエッチング処理を施してＡｌ合金配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】光記録ディスク（ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡＭ）などの光記録媒体のＡｇ合金反射膜および半透明反射膜並びにそれら反射膜を形成するための銀合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃａ：０．００５〜０．１質量％、Ｇａ：０．１〜０．６質量％を含有し、さらにＰｒ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｔｂの内から選ばれる１種または２種以上を合計で０．０５〜０．２質量％を含有するか、またはＩｒ：０．００５〜０．２質量％かつＰｄ：０．０１〜０．５質量％、Ｒｅ：０．００５〜０．２質量％かつＰｄ：０．０１〜０．５質量％もしくはＩｒおよびＲｅの合計：０．００５〜０．２質量％かつＰｄ：０．０１〜０．５質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなり、前記Ａｇは９９質量％以上含有している成分組成からなる。 （もっと読む）

【課題】光記録ディスク（ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡＭ）などの光記録媒体のＡｇ合金反射膜および半透明反射膜並びにそれら反射膜を形成するための銀合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃａ：０．００５〜０．１質量％、Ｅｕ：０．００２〜０．１質量％を含有し、さらにＩｒ：０．００５〜０．２質量％かつＰｄ：０．０１〜０．５質量％、Ｒｅ：０．００５〜０．２質量％かつＰｄ：０．０１〜０．５質量％、またはＩｒおよびＲｅの合計：０．００５〜０．２質量％かつＰｄ：０．０１〜０．５質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成の銀合金からなる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、円板型の対向ターゲットを使用することにより、薄膜形成時に発生する高いエネルギーを有する粒子の基板衝突による膜の損傷を防止し、前記円板型の対向ターゲットの周りに複数の基板を回転させて薄膜を形成することにより、大量生産に適合したスパッタリング装置及びこれを用いた有機電界発光表示装置の製造方法を提供するためのものである。
【解決手段】 本発明は、胴体をなすチャンバーと、前記チャンバーの内壁に沿って複数の基板を装着できる基板装着部と、を備えるチャンバー部と、所定の距離を置いて対向配置されて拘束空間を形成する一対の対向スパッタリングターゲットと、前記一対のターゲットの各々の背面に設けられて前記拘束空間に磁界を発生させる磁界発生手段と、を備えてなされる。 （もっと読む）

【課題】 第１の目的：半導体装置に使用される配線用Ｃｕ合金であって、半導体の配線幅を狭く設計しても該配線幅に対応する凹部に確実に埋め込むことのできる半導体配線用Ｃｕ合金を提供する。第２の目的：半導体基板に設けられた凹部に上記半導体配線用Ｃｕ合金を埋め込むことによりＣｕ合金からなる配線を形成する製法を提供する。第３の目的：上記製法で得られるＣｕ合金配線を有する半導体装置を提供する。第４の目的：半導体のＣｕ合金配線を形成する際に用いるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 第１の目的を解決できる半導体配線用Ｃｕ合金とは、Ｓｂ：０．１０〜１０原子％、Ｂｉ：０．０１０〜１．０原子％、および、Ｄｙ：０．０１〜３原子％よりなる群から選ばれる少なくとも１種を含み、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる半導体配線用Ｃｕ合金である。 （もっと読む）

【課題】光記録ディスク（ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡＭ）などの光記録媒体のＡｇ合金反射膜および半透明反射膜並びにそれら反射膜を形成するための銀合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃａ：０．００５〜０．１質量％、Ｅｕ：０．００２〜０．１質量％を含有し、さらに必要に応じてＰｒ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｔｂの内から選ばれる１種または２種以上を合計で０．０５〜０．２質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる組成の銀合金からなる。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリング中に、異常放電や発塵の発生原因となり得るターゲット材の組織内に存在するマイクロクラックの発生を抑制した粉末焼結法によって作製されたＣｒ−Ｍｎ合金スパッタリング用ターゲット材を安定的に提供する。
【解決手段】 Ｍｎを５〜３５原子％含有する残部実質的にＣｒからなる粉末焼結ターゲット材であって、該ターゲット材の組織中に実質的にα−Ｍｎ相が存在しない粉末焼結Ｃｒ−Ｍｎ合金スパッタリング用ターゲット材である。 （もっと読む）

ＰＶＤ処理の使用により、切断刃には、単相の三元またはより複数の酸化物である被覆が設けられる。含まれる主部成分及び副部成分の含有量を原子百分率について適切に規定することにより、形成された酸化物の歪みは、特定の方法で、前記酸化物の特性に影響を及ぼすために、制御可能である。その代わりに、層は、非晶性地の相、並びにそこに埋め込まれた酸化物結晶子を有することが可能である。その酸化物結晶子は、二元、三元またはより複数であることが可能である。１以上の異なる型の結晶子は、互いに隣接して存在可能である。 （もっと読む）

【課題】３５０℃以上の高温でもヒロックやボイドなどの熱欠陥が発生せず、電気抵抗が低く、安価で信頼性が高く、電子デバイスの高密度化に適した電極配線材料、及び、スパッタリングターゲットを提供する
【解決手段】希土類元素から選ばれる１種又は２種以上の元素を含有するＣｕ合金、元素周期表の第四族元素から選ばれる１種又は２種以上の元素を含有するＣｕ合金、又は、希土類元素から選ばれる１種又は２種以上の元素を含有するとともに、元素周期表の第四族元素から選ばれる１種又は２種以上の元素を含有するＣｕ合金を用いることにより耐熱性に優れた低抵抗の配線材料が得られる。 （もっと読む）

【課題】複数の磁気記録媒体を生産性良く製造でき、磁気記録媒体の面内での電磁変換特性のバラツキが少なく、また製造歩留まりの高い磁気記録媒体の製造方法を提供すること。
【解決手段】（１）基板上に、ターゲットを用いてスパッタリング法により、薄膜を形成する磁気記録媒体の製造方法において、スパッタリング中に円環状侵蝕領域が形成されるターゲットと複数枚の基板を載置した基板ホルダーとを中心軸を一致させて平行に対向配置する。そして円環状侵蝕領域の最深部のターゲット中心からの距離をＲ１、円環状侵蝕侵蝕領域の最内周のターゲット中心からの距離をＲ２、基板外径端の基板ホルダー中心からの最長距離をＲ３、最短距離をＲ４としたとき、Ｒ３／Ｒ１が１．１以下であり、かつＲ４がＲ２以上である位置に基板を基板ホルダーに配置して薄膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、高純度のＮｉ−Ｖを含む、スパッタリングターゲットのようなスパッタリング部品を包含する。このスパッタリング部品は全体を通して微細な結晶粒径を有することができ、この場合適例としての微細平均結晶粒径は４０ミクロンに等しいか、またはそれより小さい結晶粒径である。本発明は、また、高純度のＮｉ−Ｖ構造物を製造する方法も包含する。 （もっと読む）

【要約書】
【課題】 半導体用銅合金配線自体に自己拡散抑制機能を有せしめ、活性なＣｕの拡散による配線周囲の汚染を効果的に防止することができ、またエレクトロマイグレーション（ＥＭ）耐性、耐食性等を向上させ、バリア層が任意に形成可能かつ容易であり、さらに半導体用銅合金配線の成膜工程の簡素化が可能である半導体用銅合金配線及び同配線を形成するためのスパッタリングターゲット並びに半導体用銅合金配線の形成方法を提供する。
【解決手段】 Ｍｎ０．０５〜５ｗｔ％を含有し、Ｓｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ａｓから選択した１又は２以上の元素の総量が１０ｗｔｐｐｍ以下、残部Ｃｕであることを特徴とする自己拡散抑制機能を備えた半導体用銅合金配線。 （もっと読む）

【課題】 優れた電気伝導性を示すと共に、大気中で繰り返し高温加熱処理が施された場合であっても、優れた耐凝集性を示すフラットパネルディスプレイ用Ａｇ基合金配線電極膜を提供する。
【解決手段】 フラットパネルディスプレイ用の配線電極膜であって、Ｂｉを０．０１〜１．５ａｔ％含有し(Ｃｕ、Ａｕ及びＰｄよりなる群から選択される１種以上を合計で０．１〜１．５ａｔ％含んでいてもよい）、残部実質的にＡｇからなることを特徴とするフラットパネルディスプレイ用Ａｇ基合金配線電極膜。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、従来と同等以上の記録再生特性を確保しつつ、トラック密度を大幅に増加させ、ひいては面記録密度を増加させようとすることを目的とする。
【解決手段】 本発明は、成膜装置１０内に、非磁性基板１１、ターゲット材１２、マグネット板２１を平行に配置し、ターゲット材には高周波電圧を印加し、マグネット板の表面には交互に異なる極性を等間隔で生じさせ、ターゲット材の周囲にプラズマを発生させ、非磁性基板にスパッタリング法により薄膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

スパッタターゲット集成体の形成方法、およびそれから作製されるスパッタターゲットを記述する。本方法は、低温で、スパッタターゲットをバッキングプレートに結合することを含む。また、スパッタターゲット集成体およびバッキングプレート間にギャップを形成するように、スパッタターゲット集成体を形成する方法も記述する。また、バッキングプレートへの意図しないスパッタを予防する仕組みを提供する、スパッタターゲット集成体の形成方法も記述する。
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【課題】ロングスロースパッタやリフロースパッタ等の新スパッタ方式でスパッタリングした際に発生する新たな不良モード（巨大ダストや大きな凹部）の発生を抑制することを可能にしたスパッタリングターゲット用インゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｓｃ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、ＲｅおよびＢからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を0.01〜20質量％の範囲で含み、残部が実質的にＡｌからなるインゴットを、大気溶解法、真空溶解法、急冷凝固法で作製するにあたって、ＡｒおよびＫｒから選ばれる少なくとも1種の元素を含むガスを使用して、スパッタリングターゲット用インゴットを作製する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、純Ａgや従来のＡg合金が満たし得ない高耐凝集性、高耐光性、高耐熱性と高反射率、高透過率、低吸収率、高熱伝導率とを兼ね備えるＡg基合金を見出すことにより、優れた記録再生特性と長期信頼性が得られる光情報記録媒体用半透過反射膜と反射膜、及びそれらの半透過反射膜又は半透過反射膜の成膜に使用される光情報記録媒体用スパッタリングターゲット、並びにそれらの半透過反射膜又は反射膜を備える光情報記録媒体を提供することをその課題としている。
【解決手段】Ｌiを０.０１〜１０原子％含有するＡg基合金であることを特徴とする光情報記録媒体用Ａg基合金半透過反射膜、反射膜及び光情報記録媒体用Ａg基合金スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 高密度化と、記録線速度がＤＶＤ８倍速以上の高線速化に対応でき、繰り返し特性と保存性に優れた光記録媒体等の提供。
【解決手段】 基板上に少なくとも記録層を有してなり、該記録層が、レーザー光走行方向長さが０．４μｍ以下の前記非晶質マークを記録可能であると共に、前記記録層が、次式、Ｉｎ_αＳｂ_β（ただし、α及びβは、それぞれの元素の原子組成比率を表し、０．７３≦β／（α＋β）≦０．９０であり、かつα＋β＝１００である）で表される組成を含有する光記録媒体、又は、前記記録層が、次式、Ｍ_γＩｎ_αＳｂ_β（ただし、Ｍは、Ｉｎ、及びＳｂ以外の元素、並びに該元素の混合物から選択される少なくとも１種の元素を表す。α、β、及びγは、それぞれの元素の原子組成比率を表し、０．７３≦β／（α＋β）≦０．９０、α＞γ＞０であり、かつα＋β＋γ＝１００である）で表される組成を含有する光記録媒体である。 （もっと読む）

本発明は、透明基材の表面をコーティングするための層システム、特にガラス窓のための低輻射率（低Ｅ）の層システムであって、金属ターゲット合金から反応性陰極スパッタリングによって作製された混合酸化物の少なくとも１つの層を含む層システムに関する。この混合酸化物層は、ＺｎＯと、ＴｉＯ₂と、酸化物Ａｌ₂Ｏ₃、Ｇａ₂Ｏ₃及びＳｂ₂Ｏ₃のうちの少なくとも１種とを含み、そして上層及び／又は下層反射防止層、反射防止層のうちの部分的な層及び／又は最終仕上げ層として応用される。該層システムは、高い硬度と海洋気候に対する優れた耐性を特徴とする。 （もっと読む）