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Fターム[4K029DC04]の内容

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Fターム[4K029DC04]に分類される特許

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【課題】本発明は、純Agや従来のAg合金が満たし得ない高耐凝集性、高耐光性、高耐熱性と高反射率、高透過率、低吸収率、高熱伝導率とを兼ね備えるAg基合金を見出すことにより、優れた記録再生特性と長期信頼性が得られる光情報記録媒体用半透過反射膜と反射膜、及びそれらの半透過反射膜又は半透過反射膜の成膜に使用される光情報記録媒体用スパッタリングターゲット、並びにそれらの半透過反射膜又は反射膜を備える光情報記録媒体を提供することをその課題としている。
【解決手段】Liを0.01〜10原子%含有するAg基合金であることを特徴とする光情報記録媒体用Ag基合金半透過反射膜、反射膜及び光情報記録媒体用Ag基合金スパッタリングターゲット。 (もっと読む)


【課題】 高密度化と、記録線速度がDVD8倍速以上の高線速化に対応でき、繰り返し特性と保存性に優れた光記録媒体等の提供。
【解決手段】 基板上に少なくとも記録層を有してなり、該記録層が、レーザー光走行方向長さが0.4μm以下の前記非晶質マークを記録可能であると共に、前記記録層が、次式、InαSbβ(ただし、α及びβは、それぞれの元素の原子組成比率を表し、0.73≦β/(α+β)≦0.90であり、かつα+β=100である)で表される組成を含有する光記録媒体、又は、前記記録層が、次式、MγInαSbβ(ただし、Mは、In、及びSb以外の元素、並びに該元素の混合物から選択される少なくとも1種の元素を表す。α、β、及びγは、それぞれの元素の原子組成比率を表し、0.73≦β/(α+β)≦0.90、α>γ>0であり、かつα+β+γ=100である)で表される組成を含有する光記録媒体である。 (もっと読む)


【課題】 加工性を向上させた磁気記録媒体のシード層を形成するためのCo合金ターゲット材を安定的に提供する。
【解決手段】 (Nb、Ta、Mo、W、Ti)から選択される1種以上の元素を25〜90原子%含有し、残部実質的にCoとからなるCo合金ターゲット材において、ターゲット材の組織中にαCo相あるいはεCo相が残存している磁気記録媒体用Co合金ターゲット材である。また、ターゲット材のスパッタ面の断面ミクロ組織におけるαCo相あるいはεCo相の最大長径が500μm以下である磁気記録媒体用Co合金ターゲット材である。 (もっと読む)


【課題】本発明は、常温やカラー液晶ディスプレイの製造工程である加熱工程において、硫化による黄色化を生じにくく、反射の低下が極めて少ない特性を持った反射電極膜を形成しうるAg−Ge系銀合金を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る銀合金は、Agを主成分とし、耐硫化特性を持たせるために、少なくともGeを0.01〜10.0wt%含有したAg合金であり、また、他の特性を持たせるためにGeと典型金属元素、半金属元素、遷移金属元素の少なくとも1種を合計で0.01〜10.0wt%含有したAg合金であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】反射率を損なうことなく、低抵抗で、より高い耐熱性及び密着性を有するAg合金膜パターンを得ることができるスパッタリングターゲット、Ag合金膜及びその製造方法の提供。
【解決手段】スパッタ成膜による第一及び第二薄膜形成工程と、第一及び第二薄膜の同時エッチング工程とを有し、第二薄膜が第一薄膜に比べて反射率が高く、低抵抗になる条件で製造する。第一薄膜は、Agに0.1〜4.0wt%のAu、0.5〜10.0wt%のSn及び1.5〜15.0wt%のCuを添加してなるAg合金ターゲットを用いてスパッタ成膜され、第二薄膜は、AgにCu、Au、Pd、Nd、Bi、Smから選ばれた少なくとも1種を添加してなるAg合金ターゲットを用いてスパッタ成膜される。 (もっと読む)


a)ターゲット材料を備えるターゲット表面要素と、b)連結面および背面を有し、連結面がターゲット表面要素に連結されている芯裏打要素と、c)芯裏打要素の背面に連結されるかあるいは配置され、芯裏打要素の有効表面積を増大させる少なくとも1つの表面積形状を備える。付加的なスパッタリングターゲットは、a)ターゲット表面要素および芯裏打要素が同じターゲット材料を備えるかあるいは材料勾配を備える、一体型のターゲット表面要素および芯裏打要素と、b)芯裏打要素の上にあるかあるいは中に一体化され、芯裏打要素の有効要素を増大させる少なくとも1つの表面積形状を備えるスパッタリングターゲットが、ここに説明される。さらに説明されたスパッタリングターゲットの形成方法は、a)表面材料を備えるターゲット表面要素を提供することと、b)裏打材料を備えると共に連結面および背面を有する芯裏打要素を提供することと、c)芯裏打板の背面に連結されるかあるいは配置され、芯裏打板の有効表面積を増大させる少なくとも1つの表面積形状を提供するか、または、芯裏打要素の連結面に連結されるかあるいは配置され、芯裏打要素の有効表面積を増大させる少なくとも1つの表面積形状を提供することと、d)表面ターゲット材料を芯裏打材料の連結面に連結することを備えている。
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【課題】 低ノイズ化と耐熱擾乱性の向上を両立させる磁気記録媒体を提供すること。
【解決手段】 非磁性の基板と、その上に順次堆積された、CrもしくはCr基合金からなる少なくとも1層の下地層、Co基合金からなる少なくとも1層の中間層及びCoCr基合金からなる少なくとも1層の磁気記録層とを含んでなり、かつ前記下地層及び(又は)前記中間層が、それぞれ、クリプトンガス及び(又は)キセノンガスの存在においてスパッタリング法によって成膜された薄膜であるように構成する。 (もっと読む)


本発明は、接点面の少なくとも部分上に析出された、少なくとも支持層と接着層から成るカバー層を有する差込み式もしくは締付け式接続としての使用のための銅含有合金から成る導電性材料に関し、その際、減摩層が40原子%以上70原子%以下の炭素含量を有する。 (もっと読む)


Cuが90原子%より大である銅合金から製造した導電線のための材料に関する。該材料は、0.5〜10原子%のCa、Sr、Ba、Sc、Y、ランタニド、Cr、Ti、Zr、Hf、Siからなる群から選択した1種又は複数の元素および0〜5原子%のMg、V、Nb、Ta、Mo、W、Ag、Au、Fe、Bからなる群から選択した1種又は複数の元素を含む。この材料は、低い電気抵抗、ガラス基材に対する良好な接着性、酸化に対する充分な抵抗性および低いエレクトロマイグレーション速度を有する。 (もっと読む)


【課題】 従来と比べて担持する物質の使用量を少なくすることによりコストを低減させた担持微粒子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る担持微粒子は、表面に細孔21を有する微粒子3と、前記微粒子3の見掛け表面に担持された、該微粒子3より粒径の小さい超微粒子又は薄膜と、を具備し、前記超微粒子又は薄膜は、前記細孔21内より前記微粒子3の見掛け表面に多く担持されていることを特徴とする。尚、見掛け表面とは、細孔内表面を含む微粒子の全表面から細孔内表面を除いた微粒子の表面をいう。 (もっと読む)


窒化チタン基光学コーティングにおいて、窒化チタン層(18)と基層(12)との間に損傷遅延基層(16)を施与することにより、コーティングの構造的安定性が向上される。光学コーティングがソーラー制御を与える場合には、窒化チタン層は主として所望の光学的特性を達成するために選択される。損傷遅延層の厚さは主として所望の光学的特性を達成するために選択される。損傷遅延層の厚さは主として所望の機械的特性を達成するために選択される。損傷遅延層は灰色金属から形成され、ニッケルクロムが好ましい金属である。灰色金属層は窒化チタン層が割れる可能性を低減する。そのような層が割れれたり虫跡を形成する傾向は、基層をプラズマプレグロー(88)に露光するかおよび/または層が形成される基層の側に滑剤(14)を用いることにより、さらに低減される。
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【課題】1000〜4000エルステッドの間の保磁力値を持ち、低ノイズの磁気記録媒体を得るためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】スパッタターゲットは、Co、0より多く24原子パーセント以下のCr、0より多く20原子パーセント以下のPt、0より多く20原子パーセント以下のB及び0より多く10原子パーセント以下のX1を含み、前記X1が、Ag,Ce,Cu,Dy,Er,Eu,Gd,Ho,In,La,Lu,Mo,Nd,Pr,Sm,Tl,W及びYbからなるグループから選択された1つの元素である。このスパッタターゲットは、更にX2を含み、前記X2が、W,Y,Mn及びMoからなるグループから選択された1つの元素である。スパッタターゲットは、更に0〜7原子パーセントまでのX3を含み、前記X3が、Ti,V,Zr,Nb,Ru,Rh,Pd,Hf,Ta及びIrからなるグループから選択された1つの元素である。 (もっと読む)


【課題】 単純な開口形状を有するマスクを用いて、短時間で所望の膜厚分布を有する薄膜を形成することができる新規な薄膜形成方法、並びに、この方法で用いるマスク及びそのマスクを用いた薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】 本発明に用いるマスクは、蒸発源から飛散する物質を通過させる開口部を複数の同一形状の開口部に分割して有している。このように開口部が複数の開口部に分割されているので、個々の開口部の面積を一層小さくすることができ、これにより、開口部を通過する物質の分布を一層均一にすることができる。また、分割された複数の開口部を基板の相対移動方法に配列させているので、蒸着効率を低下させることなく所望の膜厚分布の薄膜を形成することができる。 (もっと読む)


【課題】 耐摩耗性、耐スカッフィング性および相手材の摩耗を増加させない特性(相手攻撃性)に優れた皮膜が被覆された摺動部材(ピストンリング)を提供する。
【解決手段】 摺動部材(ピストンリング)の外周面3にBがCr−N合金に含有されてなるCr−B−N合金皮膜4を被覆することによって、上記課題を解決する。このCr−B−N合金皮膜が、物理的蒸着法、特にイオンプレーティング法、真空蒸着法またはスパッタリング法で形成されることが好ましく、B含有量が、0.05〜20重量%であることが好ましい。摺動部材の外周面3に設けられるCr−B−N合金皮膜4は、耐摩耗性、耐スカッフィング性および相手攻撃性に優れるので、摺動部材の摺動環境が過酷になっても、要求性能を満足させる摺動部材を提供できる。また、摺動部材の全周面又は少なくとも外周面3に窒化層5が設けられ、窒化層5上にCr−B−N合金皮膜4が被覆されていることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】 電気抵抗が低く、かつ、耐凝集性に優れた金属薄膜(Ag系薄膜)および透明導電体、及び、耐硫化性および耐凝集性に優れたAg系反射膜を提供する。
【解決手段】 (1) 第1層としてAg薄膜を有し、その上に第2層として貴金属元素であるAu、Pd、Ptの1種以上を含有するAg合金膜を有するAg系2層膜であって、前記Ag合金膜の膜厚をY(nm)、前記Ag合金膜での貴金属元素の含有量をX(at%)、前記Ag薄膜の膜厚をZ(nm)としたときに、Y≧8/Xであると共に、Y+Z≧5であることを特徴とするAg系2層膜、(2) 透明基体上に透明膜が形成され、その上に前記Ag系2層膜が形成され、その上に透明膜が形成されていることを特徴とする透明導電体、(3) 前記Ag系2層膜でのXが25at%以上、Yが8nm以上であり、且つ、Ag薄膜及びAg合金膜が希土類元素を0.05〜3.0at%含有するもの等。 (もっと読む)


組成AlxSiyMezNの窒化アルミニウムベースの硬い耐摩耗性コーティングが提案される。x、yおよびzは原子分率を表し、その和は0.95から1.05であり、Meは、IIIからVIII族およびIb族の遷移金属の金属ドーパントまたはこれらの組合せである。この金属は、コーティングプロセス中に、金属ドーピングのないコーティングよりも高い固有導電率(intrinsic electrical conductivity)を提供する。ケイ素含量は0.01≦y≦0.4であり、1つまたは複数の金属ドーパントMeの含量は、0.001≦z≦0.08、好ましくは0.01≦z≦0.05、最も好ましくは0.015≦z≦0.045である。
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金属間バリウムアルミニウム化合物、バリウムアルミニウム合金、又は保護されたバリウム金属を含む、1又は2以上の供給源材料を提供すること、活性剤種を提供すること、硫黄含有雰囲気中で、1又は2以上の供給源材料及び前記活性剤種を、選択された基板上の発光体組成物として作用させること、を含む、チオアルミネート発光体組成物の堆積に対する物理的気相成長法である。この方法は、TVの応用で要求されている高輝度及び色とともに青色薄膜エレクトロルミネセント発光体の堆積を可能にする。 (もっと読む)


Pt含有量が0.1〜20wt%であるNi−Pt合金であって、ビッカース硬度が40〜90である加工性に優れたNi−Pt合金及び同ターゲット。3Nレベルの原料Niを電気化学的に溶解する工程、電解浸出した溶液をアンモニアで中和する工程、活性炭を用いてろ過し不純物を除去する工程、炭酸ガスを吹き込んで炭酸ニッケルとし、還元性雰囲気で高純度Ni粉を製造する工程、3Nレベルの原料Ptを酸で浸出する工程、浸出した溶液を電解により高純度電析Ptを製造する工程からなり、これらの製造された高純度Ni粉と高純度電析Ptを溶解する工程からなる加工性に優れたNi−Pt合金の製造方法。Ni−Pt合金インゴットの硬度を低下させて圧延を可能とし、圧延ターゲットを安定して効率良く製造する技術を提供することを目的とする。 (もっと読む)


本発明は、従来技術で得られなかった相対密度99.5%以上(ポアの体積率が0.5%以下)で、組織は均一で等方性を有するタングステン系焼結体を得ることを課題とする。
また、前記焼結体を用いた放電灯用電極、スパッタリングターゲット、るつぼ、放射線遮蔽部材、抵抗溶接用電極などを得ることを課題とした。
タングステン系粉末に、圧力は350MPa以上にてCIP処理を行い、水素ガス雰囲気中にて焼結温度1600℃以上、保持時間5時間以上の条件で焼結を行い、アルゴンガス中150MPa以上、1900℃以上の条件でHIP処理を行うことにより課題のタングステン系焼結体が得られる。
また、このタングステン系焼結体は、放電灯用電極、スパッタリングターゲット、るつぼ、放射線遮蔽部材、放電加工用電極、半導体素子搭載基板、構造用部材などに好適する。 (もっと読む)


【課題】 本発明の課題は、800℃よりも高い使用温度で、特に酸化の最初の段階でアルミニウム含有合金を実質的にα−Alよりなる酸化物被覆層を形成し、そうして明らかに向上した長期間挙動をもたらすことである。
【解決手段】この課題は、Fe−Al、Fe−Cr−Al、Ni−AlまたはNi−Cr−Alタイプのアルミニウム含有合金のために保護層を造る方法において、
− 該合金の表面にアルミニウム不含酸化物を有する酸化物層を形成し、
− 該合金を800℃より上の温度に加熱した際に、該合金の表面のアルミニウム不含酸化物が準安定なアルミニウム酸化物の形成を抑制し、結果として専らα−Al−酸化物だけを形成する
各段階を含むことを特徴とする、上記方法によって解決される。 (もっと読む)


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