【課題】例えば反射防止膜の高屈折率膜の形成に用いられるスパッタリングターゲットにおいて、得られる金属酸化膜の屈折率をより一層高める。
【解決手段】酸化物系スパッタリングターゲットは、（Ｍ_1-aＦｅ_a）_100-xＯ_x（ＭはＴｉ、ＮｂおよびＴａから選ばれる少なくとも1種の元素、0.1≦ａ≦0.5、50≦ｘ≦80原子％）の式で実質的に表される組成を有する。金属系スパッタリングターゲットは、Ｍ_100-zＦｅ_z（ＭはＴｉ、ＮｂおよびＴａから選ばれる少なくとも1種の元素、10≦ｚ≦50原子％）の式で実質的に表される組成を有する。 （もっと読む）

【課題】 製造時及び使用時に生じる反り（変形）が小さく、ターゲットを精度良くかつ効率的に製造することができ、また安定した成膜操業を行うことのできるＡｌ−Ｎｉ−希土類元素合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 Ｎｉ及び希土類元素を含むＡｌ基合金スパッタリングターゲットであって、該ターゲット平面に垂直な断面を倍率：２０００倍以上で観察したときに、アスペクト比が２．５以上で円相当直径が０．２μｍ以上の化合物が、５．０×１０⁴個／ｍｍ²以上存在していることを特徴とするＡｌ−Ｎｉ−希土類元素合金スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の温度の面内均一性を確保しつつ、迅速に半導体基板を昇温することができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るスパッタリング装置は、半導体基板１を載置するステージ１０と、ステージ１０の複数のエリア１０ａ，１０ｂそれぞれを加熱する複数のヒーター１１ａ，１１ｂと、複数のヒーター１１ａ，１１ｂそれぞれを他のヒーターから独立して制御する制御部４０と、ステージ１０に対向する位置に配置されたスパッタリングターゲット２０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 高分子化合物が有する柔軟性や作業性の良さと、金属が有する導電性、ガスバリア性、水分バリア性及び電磁波シールド性などの特性を有するチューブ体を提供すること。
【解決手段】 スチレン−イソブチレン−スチレンブロック共重合体（ＳＩＢＳ）又はそれを含有する組成物からなるチューブ状成形体と、その表面に室温で超塑性を有する合金からなる薄膜とを有することを特徴とするチューブ体である。 （もっと読む）

本発明は、金属プレートの２つの表面のうちの一方のみを平坦化することによる、金属ブランク、ディスク及びスパッタリングターゲットの製造における改善に関する。金属プレートの第二表面の平坦化をなくすことにより、顕著なコスト削減がなされる。本発明の金属プレートは、好ましくは片面平坦度が０．００５インチ以下であり、ターゲットブランクとバッキングプレートとの間の接合の信頼性が改善される。好ましい金属には、タンタル、ニオブ、チタン及びそれらの合金などがあるが、これらには限定されない。また、本発明は、金属プレートの第一面を機械加工し、第一面をバッキングプレートに接合した後、必要に応じて金属プレートの第二面を機械加工することに関する。
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【課題】再生専用光ディスクにおけるレーザーマーキングが容易にできる光情報記録用Ag合金反射膜の形成用のスパッタリングターゲットを提供を提供する。
【解決手段】(1) Agを主成分とし、Nd，Sn，Gd，Inの少なくとも１種を合計で3.0 原子％超10原子％以下含有すると共にBiを0.03〜10原子％含有することを特徴とする光情報記録用Ag合金反射膜の形成用のAg合金スパッタリングターゲット、(2) Agを主成分とし、Nd，Sn，Gd，Inの少なくとも１種を合計で3.0 原子％超10原子％以下含有すると共にSbを0.01〜３原子％含有することを特徴とする光情報記録用Ag合金反射膜の形成用のAg合金スパッタリングターゲット、(3) 前記Ag合金スパッタリングターゲットにおいてMn，Cu，La，Znの少なくとも１種を20原子％以下含有するもの等。 （もっと読む）

【課題】有機高分子成型物からなる基板上に、透明性および加湿熱信頼性にすぐれるとともに、比抵抗が低すぎることのない、完全結晶化してなる透明導電層を有する透明導電積層体を提供する。
【解決手段】有機高分子成型物からなる基板上に、Ｓｎ原子の量が、Ｉｎ原子とＳｎ原子とを加えた重さに対し、１〜６重量％であるＩｎ・Ｓｎ複合酸化物からなる、膜厚が１５〜５０ｎｍ、ホール移動度が３０〜４５cm² ／Ｖ・Ｓ、キャリア密度が（２〜６）×１０²⁰個／cm³ である、完全結晶化している透明導電層を有することを特徴とする透明導電積層体。 （もっと読む）

【課題】 均一な成膜が可能である電子ビーム蒸着法やスパッタリング法等の真空成膜法を用い、かつ微粒子サイズが均一かつ微細に分散した薄膜を作製することができる、ナノサイズの金属微粒子分散複合体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 金属酸化物若しくは窒化物、半導体酸化物若しくは半導体窒化物又は非金属酸化物若しくは非金属窒化物から選択した少なくとも１種類からなるターゲットと、ランタノイド元素又はビスマスから選択した少なくとも1種類の元素を含んだ銀を主成分とするターゲットを用いて、高周波スパッタリングにより、基板上に前記金属酸化物若しくは窒化物、半導体酸化物若しくは半導体窒化物又は非金属酸化物若しくは非金属窒化物から選択した少なくとも１種類からなる透明又は不透明な膜中に前記銀を主成分とする金属微粒子が分散した複合体を形成することを特徴とする金属微粒子分散複合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 充分な耐熱性や耐食性を有した低抵抗なＡｇ合金膜と、そのＡｇ合金膜の基板に対する密着性を高いレベルで確保できる新規な積層配線膜を提供する。
【解決手段】 基板上に形成される積層配線膜であって、０．１〜０．５原子％のＳｉおよび／またはＺｒ、０．１〜０．５原子％のＣｕを含有し、残部実質的にＡｇからなるＡｇ合金膜と該Ａｇ合金膜を覆う被覆膜からなり、該被覆膜はＭｏあるいはＭｏを５０原子％以上含有するＭｏ系膜である積層配線膜である。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗率が低く、電子デバイスの高密度化、特に液晶ディスプレイ等の平面表示素子の大型化、高精細化に適した配線・電極、及びその製造に用いられる放電安定性の高いスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ａｌに元素周期律表第３族から選ばれる１種以上の金属を総含有量で０．５原子％未満含有し、かつ、酸素含有量が１００ｐｐｍ以下のＡｌ系合金薄膜により配線・電極を形成することにより、同一条件で作製した純Ａｌ薄膜の電気抵抗率と同等の低い電気抵抗率を有し、かつ、ヒロック耐性の高い配線・電極が得られる。このような配線・電極は、元素周期律表第３族から選ばれる１種以上の金属を総含有量で０．５原子％未満含有し、かつ、酸素含有量が１００ｐｐｍ以下であるＡｌ系合金からなるスパッタリングターゲットを用い形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 加圧焼結によってＭｏ合金焼結体を作製するための焼結素材として、焼結体の組成偏在を低減すると供に焼結体の変形を低減するための加圧焼結用のＭｏ合金粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】 平均粒径２０μｍ以下のＭｏ粉末と平均粒径５００μｍ以下の遷移金属粉末とを混合した混合粉末を還元性雰囲気で焼結した仮焼体とし、次いで平均粒径０．０２〜１０ｍｍに粉砕する加圧焼結用のＭｏ合金粉末の製造方法である。また、仮焼体を平均粒径０．０５〜３ｍｍに粉砕する加圧焼結用のＭｏ合金粉末の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 片当たりによる摺動面の摩耗や焼き付きを効果的に防止する、簡易な構造のすべり軸受を提供する。
【解決手段】 裏金３０の上に中間層４０が積層され、さらに中間層４０の上に軸受合金層５０が積層されてなるすべり軸受において、中間層４０は弾性歪限界が１％以上の擬弾性合金である、すべり軸受である。 （もっと読む）

【課題】
ディスプレイ技術の進展に伴う高負荷の処理条件に対応できる耐候性を備え、しかも、優れた低反射特牲、優れた遮光性、及び優れた加工性を有し、且つ、環境負荷の低いブランクス又はブラックマトリックスを提供する。
【解決手段】
透明基板の表面上に直接若しくは間接に付着させて形成した遮光膜又は遮光膜と反射防止膜から成るブランクス又はブラックマトリックスにおいて、遮光膜は、遮光膜の金属成分をＮｉとＭｏとＴｉを主成分とし、Ｔｉの含有量が１０〜２５原子％である薄膜でを構成される。 （もっと読む）

【課題】鋳造時に起因する巣等の欠陥の無い均質なスパッタリングターゲットを製造すること。
【解決手段】一次溶解としてＡｒガス等の不活性ガスもしくは水素炎を吹付けながら高周波溶解を行い、溶湯をカーボンロッド、セラミックスロッド（ジルコニア、アルミナ、マグネシア等）で十分攪拌しルツボ中で凝固もしくは鋳型に鋳込んだインゴット、あるいはアーク溶解法により作製したインゴットを、更に二次溶解として真空もしくはアルゴンガス中での高周波溶解、中周波溶解、浮揚溶解、コールドクルーシブル式真空溶解で行う。鋳造を行うにあたっては、インゴット上部に高さが５０ｍｍ以上、面積が３００ｍｍ²以上の湯溜り部がある鋳型を使用する。 （もっと読む）

Ａｌ又はＳｎから選んだ少なくとも１元素を０．０１〜０．５（未満）ｗｔ％含有し、Ｍｎ又はＳｉが総量で０．２５ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする銅合金スパッタリングターゲット。半導体素子の配線材、特に銅電気メッキの際に、シート抵抗が小さく、また凝集がなく、安定で均一なシード層を形成させることができ、かつスパッタ成膜特性に優れた銅合金スパッタリングターゲット及び同ターゲットを用いて形成された半導体素子配線を提供する。 （もっと読む）

【課題】
抵抗特性及び透過率特性を損なうことなくエッチング加工性に優れた積層型透明電極膜の製造方法及び積層型透明電極形成用の積層体を提供する。
【解決手段】
本発明による積層型透明電極膜の製造方法は、基板上に第１透明電極膜を形成するステップと、第１透明電極膜の上に酸化銀系薄膜を形成するステップと、酸化銀系薄膜上に第２透明電極膜を形成するステップと、第１透明電極膜、酸化銀系薄膜、第２透明電極膜の積層を加熱して低抵抗化及び透明化するステップとを含み、第１透明電極膜と第２透明電極膜の少なくとも何れかが還元作用を有する。 （もっと読む）

【課題】固定装置及び／又は管端部カバーが、材料接続的又は形状接続的に支持体ボディと結合されていることによって、さもなければ必要なスパッタ材料と支持体管との間のろう接過程を生ぜしめる問題を回避する。
【解決手段】固定装置及び／又は管端部カバーが、材料接続的又は形状接続的にターゲットボディと結合されているようにした。 （もっと読む）

本発明は、管状ターゲットであって、円筒形の１つの支持管及び該支持管の外周面上に配置された少なくとも１つのターゲット管を備えていて、前記ターゲット管と前記支持管との間に結合層を配置してある形式のものに関し、本発明に基づき、結合層は導電性でかつ９０％より大きな濡れ度を有している。
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【課題】 優れた抗菌作用を有すると共に、耐変色性に優れたＡｇ−Ｃｕ合金抗菌薄膜を提供することを目的とする。
【解決手段】 Ｃｕを必須成分として含有するＡｇ−Ｃｕ合金薄膜であって、Ｃｕの組成比が、２原子％超であり、かつ、θ−２θ法を用いたＸ線回折分析におけるＡｇの（１１１）面、（２００）面、（２２０）面および（３１１）面のピーク強度の合計をＩＡｇ、Ｃｕの（１１１）面、（２００）面、（２２０）面および（３１１）面のピーク強度の合計をＩＣｕと表すとき、前記Ａｇのピーク強度合計（ＩＡｇ）に対する前記Ｃｕのピーク強度合計（ＩＣｕ）の比率（ＩＣｕ／ＩＡｇ）が０．２以下であることを特徴とするＡｇ−Ｃｕ合金抗菌薄膜。 （もっと読む）

【課題】ドープ金属の含有量を容易に変更することができる、金属をドープしたＴｉＯ_２膜の成膜方法及び金属のドープ量が精密に制御された金属をドープしたＴｉＯ_２膜を提供する。
【解決手段】金属Ｔｉよりなる第１のターゲット２１ａと、ドープしたＴｉよりなる第２のターゲット２１ｂに、交互にパルスパケット状の電圧を印加する。ターゲット２１ａのスパッタ時におけるＴｉの放電の発光波長と発光強度が、ＰＥＭ３１ａによって検知される。また、ターゲット２１ｂのスパッタ時におけるＴｉ及びドープ金属の放電の発光波長と発光強度が、コリメータ３０ｂ、フィルタ及び光倍増幅管を介して電気信号となり、ＰＥＭ３１ｂによって検知される。各ターゲット２１ａ，２１ｂのスパッタ速度が算出され、この算出結果に基づき、各ターゲット２１ａ，２１ｂに付与されるパルス電力、パルス量及びパルス幅、カバー２６内に導入する酸素量、並びにカバー内の圧力が制御される。 （もっと読む）