工作物あるいは部品であって、組成（Ａｌ_yＣｒ_1-y）Ｘの少なくとも１層を含む層システムを有し、Ｘ＝Ｎ、Ｃ、Ｂ、ＣＮ、ＢＮ、ＣＢＮ、ＮＯ、ＣＯ、ＢＯ、ＣＮＯ、ＢＮＯまたはＣＢＮＯでありかつ０．２≦ｙ＜０．７であり、上記層中の層組成は、実質的に一定であるか、または層厚にわたって連続的あるいは段階的に変化する。さらにその製造方法。
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本明細書には、ルテニウムおよび元素周期表のＩＶ族、Ｖ族、もしくはＶＩ族の元素の少なくとも１つの元素またはこれらの組合せが含まれる、蒸着法または原子層堆積法において用いるための合金が記載される。また、本明細書には、ルテニウム系材料またはルテニウム系合金を含む少なくとも１つの層、および元素周期表のＩＶ族、Ｖ族、もしくはＶＩ族の元素の少なくとも１つの元素またはそれらの組合せを含む少なくとも１つの層が含まれる積層材料が記載される。
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本発明はスパッタリング表面を含むスパッタリング構成部材を含む。そのスパッタリング表面の少なくとも99原子%が元素形態の２つ以上の元素の固溶体に対応する単一相からなる。加えて、そのスパッタリング構成部材の全容積が元素形態の２つ以上の元素の固溶体に対応する単一相からなることができる。本発明は、還元工程、電気分解工程およびヨウ化物工程の１つ以上を使用して混合金属材料を形成する方法を包含する。 （もっと読む）

【課題】 密着性と摺動特性に優れる複合皮膜を提供する。
【解決手段】 Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｂのいずれか１種以上の元素からなる窒化物および／または炭窒化物を主体とする硬質皮膜上に、金属元素と二硫化モリブデンからなる潤滑皮膜が存在してなる複合皮膜であって、該潤滑皮膜は、該硬質皮膜側から表面に向かって、金属元素の割合は減少すると同時に、二硫化モリブデンの割合は増加する組成の傾斜を有し、かつ該潤滑皮膜の酸素濃度の最大値は２５原子％以下の、複合皮膜である。この複合皮膜の形成には、硬質皮膜の形成にイオンプレーティング源を用い、潤滑皮膜の形成にスパッタ源を用いる。そして、前記イオンプレーティング源とスパッタ源は一つのチャンバ内に設置されており、チャンバ内に保持した被処理物に、硬質皮膜を３８０℃以上で形成した後には、この被処理物をチャンバ内に保持したままの状態で連続して潤滑皮膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴディスプレー被覆用のＡｌ及びＡｌ合金系の一体構造の管状スパッタターゲットを製造することができる工業的にかつ経済的に魅力的な方法を開発すること
【解決手段】スパッタプロセスにおいて利用可能な管状領域に合わせ目又は継ぎ目がないターゲット材料を有する、特にＴＦＴディスプレーを製造するための管状スパッタターゲットにおいて、前記ターゲット材料がＡｌ又はアルミニウム合金からなることを特徴とする管状スパッタターゲット （もっと読む）

支持体（１０）上に感光性高分子材料の層（１１）の形成、高分子層の一部に化学的な変性を引き起こすために高分子層の選択的露光、高分子層の上記のようにして露光された部分又は上記のようにして露光されなかった部分の１方のみを溶媒で除き、そうして高分子層内の空洞（１２、１２’・・・）の形成、上記空洞の底部および残りの高分子上に陰極析出によりゲッタ材料の薄い層（１３）の形成、そして支持体表面の上に少なくとも１つのゲッタ材料蒸着層（１３１、１３１’、・・・、２０）を残して、第１溶媒で除かれなかった高分子部分を第２溶媒により除く、各工程を含む小型ゲッタ蒸着層の形成方法が記載される。同様に、本発明はこの方法によって得られた小型ゲッタ蒸着層に関する。
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Ｇｅ（α）−Ｉｎ（β）−Ｓｂ（γ）−Ｔｅ（δ）合金からなるターゲットであって、各成分組成比α、β、γ、δ（原子％）の合計を１００としたとき、０．１≦α≦１０、０．１≦β≦１０、６０≦γ≦９０、１０≦δ＜２２の範囲にあることを特徴とする光記録媒体用Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット及び同合金からなる光記録媒体。スパッタリングの際にパーティクルの発生が少なく、安定して高品質の薄膜の作製が可能であり、記録ビットのエラー発生のない、そして高記録密度が達成できる光記録媒体用Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット及び同合金からなる光記録媒体を提供する。 （もっと読む）

【課題】 Ａｌを主成分とする主導体層をより低抵抗に維持すると同時に、一括のウェットエッチングでパターニングでき、主導体層の耐熱性、特にヒロック耐性が確保される新規の薄膜配線層を提供する。
【解決手段】 基板上にＮｉを主成分とする面心立方格子構造を有する下地層を、該下地層上に主成分が９９原子％以上のＡｌからなる主導体層を形成した薄膜配線層である。また、前記Ｎｉを主成分とする下地層の層厚が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である薄膜配線層である。また、前記Ｎｉを主成分とする下地層は、添加元素として（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｇｅ）から選択される１種または２種以上の元素を７〜３０原子％含有し、残部が不可避的不純物およびＮｉからなる薄膜配線層である。 （もっと読む）

【課題】 Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金ターゲット材に比べ、ターゲット材の透磁率が低くターゲット材の厚さを厚く設定しても十分な漏洩磁束が得られるとともに、優れた軟磁気特性を有する軟磁性膜を形成することが可能なＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金ターゲット材を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（Ｆｅ_{１−（Ｘ＋Ｙ）}―Ｎｉ_Ｘ―Ｃｏ_Ｙ）_１−Ｚ−Ｍ_Ｚ、０．０１≦Ｘ≦０．６０、０.０１≦Ｙ≦０．９０、０．０５≦Ｚ≦０．２５で表され、前記組成式の元素Ｍが（Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ）から選ばれる１種または２種以上の元素であるターゲット材であって、最大透磁率が３００以下である軟磁性合金膜形成用Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金ターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体等に用いられるＦｅ−Ｃｏ基合金の非晶質もしくは微結晶軟磁性膜を成膜するためのＦｅ−Ｃｏ基合金ターゲット材に関して、良好なスパッタリング特性を有する低透磁率のＦｅ−Ｃｏ基合金ターゲット材を提供する。
【解決手段】 元素Ｍ１が、４ａ族、５ａ族および４ｂ族から選ばれる元素であり、原子比における組成式が（（Ｆｅ_ＸＣｏ_{（１００−Ｘ）}）_{１００−Ｙ}Ｍ１_Ｙ）、５５≦Ｘ≦７５、３≦Ｙ≦２５で表されるＦｅ−Ｃｏ基合金ターゲット材である。また、元素Ｍ２が、６ａ族、７ａ族および８族（ＦｅおよびＣｏを除く）から選ばれる１種以上の元素であり、原子比における組成式が（（Ｆｅ_ＸＣｏ_{（１００−Ｘ）}）_{１００−Ｚ}Ｍ２_Ｚ）_{１００−Ｙ}Ｍ１_Ｙ、５５≦Ｘ≦７５、３≦Ｙ≦２５、０＜Ｚ≦２０で表されるＦｅ−Ｃｏ基合金ターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体等に用いられる軟磁性膜を成膜するためにＦｅ−Ｃｏ−Ｂ系合金ターゲット材に関して、良好なスパッタリング特性を有する低透磁率のＦｅ−Ｃｏ−Ｂ系合金ターゲット材を提供する。
【解決手段】 元素Ｍが、４ａ族、５ａ族、６ａ族、７ａ族および８族（ＦｅおよびＣｏを除く）から選ばれる元素であり、原子比における組成式が（（Ｆｅ_ＸＣｏ_{（１００−Ｘ）}）_{１００−Ｙ}Ｍ_Ｙ）_{１００−Ｚ}Ｂ_Ｚ、５５≦Ｘ≦７５、０＜Ｙ≦２０、５≦Ｚ≦１５で表されるＦｅ−Ｃｏ−Ｂ系合金ターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】 鉛及びチタンを含む複合ペロブスカイト型化合物の膜であって、組成が精度良く制御された膜を、スパッタリングによって形成する成膜方法等を提供する。
【解決手段】 鉛及びチタンを構成元素として含む第１のターゲットに電力を供給することにより、第１のターゲットに含まれる成分をスパッタする工程（ａ）と、チタンを基準とした場合に０．５以下又は１．２以上のスパッタリング率を有する元素を構成元素として含む第２のターゲットに電力を供給することにより、第２のターゲットに含まれる成分をスパッタする工程（ｂ）と、第１及び第２のターゲットからスパッタされた成分を、所定の温度に加熱された基板に付着させる工程（ｃ）とを含む。 （もっと読む）

【課題】画素電極と直接接続でき、しかも、約２５０℃といった比較的低い熱処理温度を適用した場合でも充分に低い電気抵抗率と優れた耐熱性とを兼ね備えた配線材料を有する薄膜トランジスタ基板を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタと透明画素電極を有し、Ａｌ合金膜と酸化物導電膜が、高融点金属を介さずに直接接続しており、その接触界面にＡｌ合金成分の一部または全部が析出もしくは濃化して存在する薄膜トランジスタ基板であって、Ａｌ合金膜は、合金成分として、グループαに属する元素を０．１〜６原子％、およびグループＸに属する元素を０．１〜２．０原子％の範囲で含有するＡｌ−α−Ｘ合金からなり、グループαは、Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｇｅの少なくとも一種、グループＸは、Ｍｇ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｄｙの少なくとも一種である。 （もっと読む）

スプリットマグネットリング（７０）は、タンタル、タングステン又は他のバリヤ金属をビアへスパッタ堆積し、また、ビアの底部から堆積物質をビア側壁部上へと再スパッタエッチングさせるためのマグネトロンプラズマリアクタ（１０）において特に有用である。このマグネットリングは、同じ軸方向極性からなる２つの環状マグネットリング（７２、７４）を含み、これら２つの環状マグネットリングは、少なくとも１つのマグネット及び関連ポール面の軸方向長さを有する非磁性スペーシング（７６）によって分離されている。小型の非平衡マグネトロン（３６）がターゲット（１６）の周りに回転され、この小型の非平衡マグネトロンは、リングマグネット（７２、７４）と同じ極性の外側ポール（４２）を有し、この外側ポールは、反対極性のより弱い内側ポール（４０）を取り囲んでいる。 （もっと読む）

【課題】線幅が小さく開口率の高いメッシュ状の導電性パターンを有した電磁波シールド性光透過窓材を提供する。
【解決手段】透明フィルム１上に水等の溶剤に対して可溶な材料を用いてドット７を印刷する。次いで、このフィルム１のドット７上及びドット７間のフィルム露出面のすべてを覆うように防眩層２、金属層３及び防眩層４を順次に形成する。次に、このフィルム１を水等の溶剤によって洗浄する。ドット同士の間の領域に形成された層２，３，４よりなる導電性パターン防眩層２，４付きの金属層３がフィルム１上に残る。防眩層２，４はクロミック特性を有した物質よりなり、金属層３に電圧を印加することにより着色される。 （もっと読む）

【課題】モリブデン合金およびその高温適用のための金属支持材料およびその使用の提供。
【解決手段】前記課題はモリブデン９４〜９９質量％、ニオブ０．５〜６質量％およびジルコニウム０．０１〜１質量％を含有するモリブデン合金により解決する。 （もっと読む）

平均結晶子サイズが１ｎｍ〜５０ｎｍの組織を備えている焼結体パッタリングターゲット、特に３元系以上の合金からなり、Ｚｒ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｙ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、希土類金属から選択した少なくとも１元素を主成分とする焼結体スパッタリングターゲットに関し、該ターゲットを、アトマイズ粉を焼結することによって製造する。結晶組機が粗くコスト高となる溶湯金属の急冷によるバルク金属ガラスに替えて、焼結法による高密度の極微細で均一な組織を有するターゲットを得る。
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【解決課題】 長期の使用によっても反射率を低下させること無く機能することのできる反射膜用の材料を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、添加元素としてガリウムを含み、残部が銀からなる反射膜用の銀合金である。本発明においては、第２の添加元素として、銅、インジウム、パラジウム、亜鉛、錫のいずれかを添加したものが好ましい。これらの元素は、第１の添加元素とともに、耐硫化性、耐湿性、耐熱性を改良する作用を有し、第１の添加元素と複合的に作用する。そして、加湿環境中において薄膜材料中で発生する凝集現象を有効に抑制することができ、好ましい合金である。 （もっと読む）

【課題】導電薄膜及びその保護層用の合金ターゲット材料及びその製造方法の提供。
【解決手段】本発明は導電薄膜及びその保護層用の合金ターゲット材料に関するもので、少なくとも銅（Cu）、ニッケル（Ni）、亜鉛（Zn）を含み、それぞれの含有量を銅（Cu）50〜80重量百分率、ニッケル（Ni）5〜20重量百分率、亜鉛（Zn）15〜30重量百分率とし、合金ターゲット材料の総重量百分率は100％とするものである。 （もっと読む）

【課題】非晶質状態が安定でかつ抵抗値が高いために非晶質化の際に流れる電流値が低い相変化記録膜およびその相変化記録膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】原子％でＧｅ：２７〜４５％、Ｓｂ：５〜２０％を含有し、さらにＢ、Ａｌ、Ｃ、Ｓｉおよび希土類元素の内の１種または２種以上を合計で０．５〜８％を含有し、さらにＧａ：０．５〜８％を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする相変化記録膜およびその相変化膜を形成するためのスパッタリングターゲット。 （もっと読む）