【課題】ポリカーボネート樹脂からなる成形品に密着性の向上した薄膜を蒸着した成形品を提供する。
【解決手段】 ガラス転移温度が１５０℃以上であるポリカーボネート樹脂を用いた成形体に、イオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品。好ましいポリカーボネート樹脂の例としては一般式［１］で表わされる部分構造単位を特定割合で含有するもの等がある。
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【課題】 高密度の中性粒子ビームを被処理物に照射することができ、被処理物の加工速度を向上させることができる中性粒子ビーム処理装置を提供する。
【解決手段】 中性粒子ビーム処理装置１０は、イオン生成室１４の内部にイオンを生成するイオン生成手段と、イオン生成室１４の内部のイオンを中性化室１６に引き出す引出手段と、引き出されたイオンを中性化して中性粒子ビームを生成する中性化手段とを備える。中性粒子ビーム処理装置１０は、中性粒子ビーム中に残留する荷電粒子を除去する荷電粒子除去手段と、中性粒子ビームが照射される被処理物１８を保持する保持台４８とを備えている。荷電粒子除去手段は、ビームの進行方向に垂直な方向に磁界を形成して荷電粒子の軌道を曲げる磁界形成手段と、軌道が曲げられた荷電粒子を捕捉する捕捉板６６とを有している。 （もっと読む）

【課題】 金属製管状体の材質であるステンレス鋼管状体の接合部を加熱することなく、低温で一体化させる技術を提供する。
【解決手段】 本発明の金属製管状体は、内径1.0ｍｍ以下の金属製管状体の表面にチタンまたはアルミニウムの窒化物、炭化物、酸化物およびこれらの複合化合物の少なくともいずれか一つを含む皮膜を物理蒸着法により形成することを特徴とする。
この結果、本発明の金属製管状体は、ステンレス鋼管状体の接合部だけでなく、管状体全体を低温で皮膜が形成でき、管状体の熱変形は小さく、歪ができない。また、密着性に優れ、しかも高密度であるため、液体が接合部から漏れ出ることがない。 （もっと読む）

【課題】処理物である基板の表面に、密着性の良好な、高品質で均一な硬質膜を量産的に形成するためのアーク式イオンプレーティング装置を提供。
【解決手段】真空容器１の中に設けられた、回転式装着用治具８に保持された基材９の１側に向かって真空容器１の内側のアーク式蒸発源６に取り付けられた陰極を構成するターゲット10、真空容器１に対して基材９に負のバイアス電圧を印加する第１の直流のバイアス電源12、基材９を挟むように基材９の他側に向けて真空容器１内上部に取り付けられた圧力勾配型プラズマ電子銃２、及び真空容器１内に配置したアノード16に対して圧力勾配型プラズマ電子銃２に負のバイアス電圧を印加する直流電源15、を有する。 （もっと読む）

【課題】有機高分子を有する基板にＩＴＯ透明導電膜を成膜する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】真空チャンバーに設置された圧力勾配型プラズマガンを使用するイオンプレーティング装置によるＩＴＯ透明導電膜の成膜方法において、成膜前の基板の温度を８０〜１４５℃とし、ＩＴＯ蒸発原料から基板に、単位時間単位面積あたり入射する輻射熱を、１．５〜１０Ｊ／ｃｍ^２・ｍｉｎの範囲にして、ＩＴＯ透明導電膜を成膜する。真空チャンバー内の圧力を０．０５〜０．３Ｐａとする。ＩＴＯ透明導電膜が酸化インジウムにスズを酸化物換算で５〜１０ｗｔ％添加したものであり、比抵抗が１．２×１０^―４〜３．０×１０^―４Ω・ｃｍの範囲にある。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ透明導電膜の成膜後、基板がそることのない、ガラス基板上に成膜されるＩＴＯ透明導電膜と同程度の低抵抗のＩＴＯ透明導電膜付きフィルムを得ることを課題とする。
【解決手段】ポリエチレンナフタレートを主とするフィルム基板を用い、プラズマガンを用いるイオンプレーティング法で、成膜時のフィルム基板の温度を９０℃〜１４５℃の温度範囲に保ってＩＴＯ透明導電膜を成膜される、比抵抗が１．１×１０^―４〜３．０×１０^―４Ω・ｃｍの範囲にあるＩＴＯ透明導電膜付きフィルムである。また、膜面の算術平均粗さＲａ（ｉ）が、フィルム基板表面の算術平均粗さＲａ（ｆ）に対し、Ｒａ（ｉ）−Ｒａ（ｆ）≦２ｎｍであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電気的絶縁性物質を成膜する場合にも対応でき、対象とする基材上に充分安定的に成膜することができ、且つ、安定的に、成膜された基材を得ることができる、圧力勾配型イオンプレーティング方法を用いた真空成膜装置、真空成膜方法を提供する。
【解決手段】 圧力勾配型プラズマガンを有する圧力勾配型ホローカソード型のイオンプレーティング成膜部を備え、該成膜部により、イオンプレーティング法により基材の一面に薄膜を形成する真空成膜装置であって、マグネットを有する電極同士を一対として、１対以上配設し、対とする電極間に電圧を印加して、成膜する基材表面に接するようにして放電プラズマを生成し、成膜材料を活性化する成膜活性部を備えている。 （もっと読む）

【課題】 電気的絶縁性物質を成膜する場合にも対応でき、対象とする基材上に充分安定的に成膜することができ、且つ、連続的に成膜ができ、安定的に、成膜された基材を得ることができる、圧力勾配型イオンプレーティング方法を用いた真空成膜装置、真空成膜方法を提供する。
【解決手段】 圧力勾配型プラズマガンから出射されたプラズマビームをハースに載置された蒸着材料に導くためのハース用マグネットが、マグネトロン構造である。 （もっと読む）

【課題】 電気的絶縁性物質を成膜する場合にも対応でき、対象とする基材上に充分安定的に成膜することができ、且つ、安定的に、成膜された基材を得ることができる、圧力勾配型イオンプレーティング方法を用いた真空成膜装置、真空成膜装置を提供する。
【解決手段】 成膜室側には、圧力勾配型プラズマガンを有する圧力勾配型ホローカソード型のイオンプレーティング成膜部を備えたもので、圧力勾配型プラズマガンのプラズマビームは、圧力勾配型プラズマガンと蒸着材料設置部とを結ぶ方向に出射され、前記方向に沿い進行して成膜材料に入射するようになっている。 （もっと読む）

【課題】 電気的絶縁性物質を成膜する場合にも対応でき、対象とする基材上に充分安定的に成膜することができ、且つ、安定的に、成膜された基材を得ることができる、圧力勾配型イオンプレーティング方法を用いた真空成膜装置、真空成膜方法を提供する。
【解決手段】 圧力勾配型プラズマガンを有する圧力勾配型ホローカソード型のイオンプレーティング成膜部を備え、該成膜部により、イオンプレーティング法により基材の一面に薄膜を形成する真空成膜装置であって、マグネットを複数個配置して磁場を制御して、成膜する基材表面に接するようにして放電プラズマを閉じ込めた空間を形成するプラズマ閉じ込め部を、成膜する側でない基材背面に備えている。 （もっと読む）

【課題】 電気的絶縁性物質を成膜する場合にも対応でき、対象とする基材上に充分安定的に成膜することができ、且つ、連続的に成膜ができ、安定的に、成膜された基材を得ることができる、圧力勾配型イオンプレーティング方法を用いた真空成膜装置、真空成膜方法を提供する。
【解決手段】 蒸着材料とこれを載置するハースとを一体的に搬送する蒸着材料搬送部を備えたもので、該蒸着材料搬送部は、蒸着材料とこれを載置するハースとを一体的に搬送することにより、蒸着材料へのプラズマビームの照射位置を変化させるものである。 （もっと読む）

【課題】 透明電極として優れた性質を有するＺｎＯ膜をイオンプレーティングで成膜する技術を提供する。
【解決手段】 イオンプレーティングのソース材料として用いるのに適したＺｎＯ焼結体は、平均酸化度の異なる第１のＺｎＯ領域と第２のＺｎＯ領域とを含み、前記第１のＺｎＯ領域と前記第２のＺｎＯ領域とは平均粒径が異なる。前記第１のＺｎＯ領域は前記第２のＺｎＯ領域より酸化度の高い領域であり、前記第２のＺｎＯ領域は前記第１のＺｎＯ領域と異なる色の、青みを帯びた領域であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 電気的絶縁性物質を成膜する場合にも対応でき、対象とする基材上に充分安定的に成膜することができ、且つ、安定的に、成膜された基材を得ることができる、圧力勾配型イオンプレーティング方法を用いた真空成膜装置、真空成膜方法を提供する。
【解決手段】 圧力勾配型プラズマガンを有する圧力勾配型ホローカソード型のイオンプレーティング成膜部を備え、該成膜部により、イオンプレーティング法により基材の一面に薄膜を形成する真空成膜装置であって、成膜する基材表面に接するようにして放電プラズマを閉じ込めた空間を形成するプラズマ閉じ込め部を備えている。 （もっと読む）

【課題】 電気的絶縁性物質を成膜する場合にも対応でき、対象とする基材上に充分安定的に成膜することができ、且つ、安定的に、成膜された基材を得ることができる、圧力勾配型イオンプレーティング方法を用いた真空成膜装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバー内に、成膜を行うための成膜室と基材を搬送するための基材搬送室とを有し、成膜室側には、圧力勾配型ホローカソード型のイオンプレーティング成膜部を備えたものであり、成膜室と基材搬送室との間は、成膜用ドラムの被成膜領域部の周辺を除き、前記成膜用ドラムと仕切り部により物理的に仕切られ、前記２室が、圧力的に仕切られているものであり、また、前記イオンプレーティング成膜部は、短管部内に、電気的に浮遊状態の電子を帰還させる第１の電子帰還電極を設け、且つ、基材搬送室の成膜室側の成膜用ドラム近傍、前記電気的絶縁性が保たれた被膜領域部における基板搬送方向の下流側の位置、成膜用ドラム側に開放口を向けて圧力的に仕切る第１の仕切り室中に、電気的に浮遊状態の電子を帰還させる第２の電子帰還電極を設けている。 （もっと読む）

【課題】 電気的絶縁性物質を成膜する場合にも対応でき、対象とする基材上に充分安定的に成膜することができ、且つ、安定的に、成膜された基材を得ることができる、圧力勾配型イオンプレーティング方法を用いた真空成膜装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバー内に、成膜を行うための成膜室と基材を搬送するための基材搬送室とを有し、成膜室側には、圧力勾配型ホローカソード型のイオンプレーティング成膜部を備えたものであり、成膜室と基材搬送室との間は、成膜用ドラムの被成膜領域部の周辺を除き、前記成膜用ドラムと仕切り部により物理的に仕切られ、前記２室が、圧力的に仕切られているものであり、また、基材搬送室の成膜室側の成膜用ドラム近傍、前記被膜領域部における基板搬送方向の上流側、下流側の位置に、成膜用ドラムと物理的な仕切りとで、圧力的に仕切られた状態に形成され、真空引きする真空室を設けている。 （もっと読む）

【課題】 電気的絶縁性物質を成膜する場合にも対応でき、対象とする基材上に充分安定的に成膜できる真空成膜装置を提供する。
【解決手段】 イオンプレーティング成膜部は、圧力勾配型プラズマガンが、被膜領域部における基板搬送方向の下流側に設けられて、成膜室の側面側から成膜用ドラムの基材幅方向に対して直交する方向でプラズマビームを入射させるもので、且つ、前記圧力勾配型プラズマガンの出口部に向けて突出させた前記真空チャンバーの短管部を配し、該短管部を包囲し、前記圧力勾配型プラズマガンからのプラズマビームの横断面を収縮させる収束コイルを備えており、前記プラズマビームを成膜室内に配置した蒸着材料の表面に導き、電気的絶縁性が保たれた成膜用ドラムの被成膜領域部において基材の一面上に薄膜を形成するものであり、前記短管部内に、プラズマビームの周囲を取り囲み、電気的に浮遊状態の電子を帰還させる電子帰還電極を設けている。 （もっと読む）

【課題】 窒化炭素膜の窒素含有量を多くして、且つ窒素と炭素の化学結合が強固で緻密な膜にすることにより、硬さの大きい窒化炭素膜を作製する方法を提供する。
【解決手段】 被処理材の表面に硬質窒化炭素膜を形成するための方法であって、処理室内において、窒素ガス又はアンモニアガスを導入しながら、原料炭素類をホローカソード放電を利用して加熱、昇華させ、それと同時に被処理材の表面近傍にマイクロ波プラズマ放電を誘起して窒素及び炭素を活性化し、前記被処理材の表面に硬質窒化炭素膜を蒸着形成することを特徴とする。 （もっと読む）

無限に変更可能な物理気相成長マトリックスシステムは、多数の材料を同時堆積することによって、又は多数の触媒成分を次々に層状に堆積することによって、或いはその両方によって、多数の組み合わせの触媒サンプルを概ね同時に合成できるようにし、それによって、所定の応用形態のために最適な材料混合物を後の試験において実験的に決定することができるようにする。指定された反応及び装置において利用するための最適な触媒の組み合わせの発見が容易になる。高スループットシステムによって、組み合わせの触媒材料を配合し、試験するために通常必要とされる処理時間が短縮され、その方法が簡単になる。

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本発明は、電子ビームによる発生プラズマを用いて基板上に薄膜及び被覆を堆積する手段に関する。プラズマは、スパッタ応用におけるイオン源として用いることができ、イオンは、膜又は被覆を形成するため基板上に縮合できる材料をターゲットから放出させるのに用いられる。代わりに、プラズマは、スパッタ又は蒸着技術に基づくものを含む既存の蒸着源と組合わされ得る。いずれの構成においても、プラズマは、反応性蒸着プロセスにおいて成長する膜表面におけるイオン及びラジカル種の源として機能する。電子ビーム大面積堆積システム（ＥＢＥＬＡＤＳ）は、数ｍ^２まで及び数ｍ^２を含む薄膜又は被覆を生成する新しい方法である。 （もっと読む）

製造装置および方法は、ＴｉＡｌＮ等の融点の大きく異なる金属成分を持つ多元系被膜を、原料利用効率が高く、膜質の良い、溶融蒸発型イオンプレーティング法により作製する。この時、原料（４）を蒸発させるに必要な電力を最初に供給し、その後、最初の電力より順次増大した電力を、必要な最大電力に至るまで繰り返して供給する。同時に、原料を蒸発させるに必要な最初の領域にプラズマ（７）を収束させるためのプラズマ制御を行い、続いて、最初のプラズマ領域より最大のプラズマ領域に至るまでプラズマを連続的に順次移動・拡大せしめるプラズマ制御を行い、原料の未溶融部位を順次溶解させる。 （もっと読む）