【課題】ピアス式電子銃の円盤状のカソード２を、カソード２より大径の外周リング２１に３本以上の支持ロッド２２を介して支持させるカソード支持構造において、カソード及び支持ロッドの熱膨張により支持ロッドの座屈を生ずることを防止できると共に、カソードからの熱引けを効果的に抑制できるようにする。
【解決手段】各支持ロッド２２を、カソード２と外周リング２１との間に、支持ロッド２２の軸線が該軸線と外周リング２１の内周面との交点とカソード２の中心とを結ぶ直線Ｌに対しカソード２の周方向一方に傾むくように配置する。また、支持ロッド２２の軸線に合致する直線とこの直線に平行でカソード２の中心を通る直線とをカソード２の軸線に直交する平面に射影したときの２直線間の距離を偏心量δとして、δが全ての支持ロッド２２で等しくなるようにする。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内におけるプラズマ濃度の偏りを小さくし、ワークに抵抗値のばらつきの小さな被膜を成膜することができるイオンプレーティング装置を提供すること。
【解決手段】真空チャンバ３と、真空チャンバ３内にプラズマビームＰを発生するプラズマガン４と、真空チャンバ３内においてプラズマビームＰが照射されるハース５と、ハース５に収容されたタブレット２１を真空チャンバ３内に露出するように支持するタブレット支持棒２５と、真空チャンバ３内にプラズマガン４に対向する位置に設けられた電極部７と、真空チャンバ３内にプラズマガン４と電極部７との対向空間を挟んで、ハース５に対向する位置にワークＷを支持する搬送部６とを備え、電極部７は、ハース５に照射されるプラズマビームＰの一部を分流し、分流したプラズマビームＰが照射される構成とした。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内における膜材の突出長を一定に維持して、安定した成膜レート及び良好な膜質で成膜できるイオンプレーティング装置を提供すること。
【解決手段】真空チャンバ３と、真空チャンバ３内にプラズマビームＰを発生するプラズマガン４と、真空チャンバ３内においてプラズマビームＰが照射されるハース５と、ハース５に収容された成膜用のタブレット２１を真空チャンバ３内に露出するように支持するタブレット支持棒２５と、タブレット支持棒２５を介してタブレット２１を真空チャンバ３内に押し出す駆動機構９と、真空チャンバ３内に突出したタブレット２１の突出方向における先端面の少なくとも一部に接触する接触部３７を有し、接触部３７をタブレット２１の先端面に当接させてタブレット２１の先端面を所定位置に位置規制する位置規制部とを備えた。 （もっと読む）

【課題】基板内の成膜のカバレッジ性を改善することができ、異物があった場合においても、この異物に起因する欠陥部が生じる虞が無く、外部からの酸素や水分の進入を防止することができ、薄膜の信頼性を確保することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを収納する真空容器と、この真空容器内かつ基板Ｗに対向して配設される複数対のハース４Ａ、４Ｂ、５Ａ、５Ｂと、これらのハース４Ａ、４Ｂ、５Ａ、５Ｂにプラズマビームを照射するプラズマガン６、７とを備え、ハース４Ａ、４Ｂとハース５Ａ、５Ｂとを時系列的に切り替えることにより、基板Ｗ上に成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】成膜する際に、スプラッシュの原因となる蒸着源にて発生する粒子を速やかに取
り除くことにより、スプラッシュに起因する欠陥等の不具合が生じる虞の無い薄膜を成膜
することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを収納する真空容器２と、真空容器２内の側壁かつ基板Ｗの成膜面の
下方に配設され蒸着材料を収納する有底筒状のハース４と、このハース４に収納された蒸
着材料を加熱するプラズマガン５とを備え、このハース４はプラズマガン５と対向して配
置され、このハース４の軸線Ｌ１は、基板Ｗの成膜面の垂線Ｌ２と略直交している。 （もっと読む）

【課題】大幅な低フリクション化を図ることができるのはもちろんのこと、量産化が可能となるとともに、製造コストを低減することができる摺動部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】部材１，２間への高面圧の印加によって、局所的固体接触が摺動界面で起こり、摺動部材の摺動面で微視的摩耗が生じる。摺動部材１の潤滑膜１１には、炭素系分子１２が、単体あるいはその単体の集合体として含有されている。炭素系分子１２が、上記微視的摩耗によって、潤滑膜１１から露出し、その一部がそこから遊離し、摺動界面に供給される。そのような炭素系分子１２は、転動可能な中空構造を有するから、摺動界面で分子レベルのボールベアリングとして作用する。この場合、炭素系分子が少なくとも一つ存在すると、存在しない場合と比較して、局所的フリクションを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】膜材に流れる電流量に応じて成膜レートを正確に制御することができるイオンプレーティング装置を提供すること。
【解決手段】真空チャンバ３と、真空チャンバ３内にプラズマビームＰを発生するプラズマガン４と、タブレット２１を収容する貫通孔５ａが形成され、真空チャンバ３内においてプラズマビームＰが照射されるハース５と、貫通孔５ａにおいて、タブレット２１を真空チャンバ３内に露出するように支持するタブレット支持棒２５と、タブレット２１に流れる電流量を測定する電流計１９とを備え、タブレット支持棒２５は、タブレット２１を支持する支持面が形成された導電性の支持棒本体３１と、支持部本体３１に対するプラズマビームＰの照射を遮断すると共に、支持面に支持されたタブレット２１を保持する絶縁性の保持具３２とを有し、電流計１９を支持部本体３１に電気的に接続して構成した。 （もっと読む）

【課題】安定した成膜レートを得ることができ、電気的パスを形成するための事前作業をすることなく安定した放電を得ることができるイオンプレーティング装置を提供すること。
【解決手段】真空チャンバ３と、真空チャンバ３の内部にプラズマビームＰを発生するプラズマガン４と、真空チャンバ３の内部においてプラズマビームＰが照射されるハース５と、成膜用のタブレット２１をハース５から真空チャンバ３の内部に露出するように支持するタブレット支持棒２５とを備え、タブレット支持棒２５は、導電性であり、ハース５は、真空チャンバの内部においてタブレット２１と絶縁され、真空チャンバ３の外部においてハース抵抗１７を介してタブレット支持棒２５と電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマビームの照射位置の調整精度を向上させることができると共に、調整作業の作業効率を向上させることができるイオンプレーティング装置およびプラズマビーム照射位置調整プログラムを提供すること。
【解決手段】プラズマガン４と、プラズマビームＰの目標照射位置を中心として周方向に略等角度で４つの分割部１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄに分割されたハース５と、各分割部に一対一で接続されて電流を測定する４つの電流計１９ａ、１９ｂ、１９ｃ、１９ｄと、プラズマガン４側の磁界を形成するガン電磁石１５と、ハース５側の磁界を形成するハース電磁石２９と、ガン電磁石１５およびハース電磁石２９を制御してプラズマビームＰの照射位置を調整する位置調整部８とを備え、各分割部は互いに絶縁されており、位置調整部は、各電流計の測定値に応じてプラズマビームの照射位置を目標照射位置に近づけるように調整する構成を備えた。 （もっと読む）

【課題】作業効率を向上させることができ、安定して成膜することができるイオンプレーティング装置を提供すること。
【解決手段】ハース５は、真空チャンバ３内においてタブレット２１と絶縁され、真空チャンバ３外において可変抵抗３６を介して導電性のタブレット支持棒２５と電気的に接続されており、第１の電流計３１および第２の電流計３２によりガン電流およびタブレットに流れる電流を検出し、プラズマガン４に流れる電流値とタブレットに流れる電流値と可変抵抗の抵抗値との関係が示された抵抗値制御マップを参照して、可変抵抗３６の抵抗値を制御するよう構成した。 （もっと読む）

【課題】シリカ膜を形成する蒸着原料材料であって、スプラッシュレスで又はスプラッシュの発生を極微小に抑制し、かつ高速成膜を実現する蒸着原料材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】嵩密度が１．２ｇ／ｃｍ^３を超え１．６ｇ／ｃｍ^３以下、かつＳｉＯｘのｘが１を超えて１．３以下である多孔質珪素酸化物。この原料として、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によるＳｉ２Ｐスペクトルにおいて、シリコンの価数が１〜３に相当する結合エネルギーに帰属されるピーク面積が、金属シリコン及び二酸化シリコンを含む全面積の１０％以上となる珪素酸化物が好適に用いられる。そして、これを原料として粉砕し、プレス後、８００〜１１００℃で焼成することにより製造される。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ膜を形成した基板よりも耐摩耗性を含む外的耐性を向上させる。
【解決手段】 基板８１上に透明導電膜からなる電極配線８２が積層形成され、電極配線８２上に保護膜８３が積層形成されている。基板８１上に形成される保護膜は、ＳｉＯＣ膜からなる。なお、少なくとも基板８１への保護膜８３の形成は、下記する成膜装置１であるＭＰＤ装置により行う。 （もっと読む）

【課題】プラズマガンと電子銃を備えたイオンプレーティング装置を用いて、異常放電を防止しながら成膜を行い、膜素子を製造する方法を提供することにある。
【解決手段】プラズマガンに第１の放電ガスを供給して放電を生じさせた後、第１の放電ガスに代えて、第１の放電ガスより放電を生じにくい第２の放電ガスを供給して放電を継続させることによりプラズマを発生させ、電子銃から電子ビームを蒸発源に照射して蒸発させ、プラズマを通過した蒸気を基板上に堆積させ、薄膜を形成する。これにより、放電しにくい第２の放電ガスで安定にプラズマを発生させ、電子銃周辺での異常放電を防止できる。 （もっと読む）

【課題】複数のアノードを含むイオンビーム蒸着用のイオン源に関する。イオン源は、原材料の複数のゾーンを蒸着し、複数のゾーンのうちの少なくとも２つのゾーンの厚みを異なるようにする。
【解決手段】イオンビーム蒸着で炭素を蒸着する場合、プロセス室の数は制限されるので、２つまたは３つ以上のイオン源を利用することは、スペースの理由で不可能なこと、または費用の理由で現実的でないことが多いが、イオン源として、複数の同心のアノードを含み、異なる電圧が複数のアノードに印加することで、少くとも2つのゾーンの厚みを異ならせることができる。 （もっと読む）

【課題】原料蒸発に用いる荷電粒子流の収束状態を適切かつ簡易に調整できる荷電粒子流収束機構を提供する。
【解決手段】本発明の荷電粒子流収束機構は、原料１３を入れた蒸発源１５と、原料１３を加熱および蒸発できる荷電粒子流を放出する荷電粒子流放出手段１１０と、蒸発源と対向して配されて、荷電粒子流の収束用の磁力線を作る磁石１９と、蒸発源１５と磁石１９との間の空間において磁性部材３１を移送できる磁性部材移送手段１２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】複数の異なる材料からなる蒸発源に対して複数の圧力勾配型Ａｒプラズマガンからのプラズマビームを照射することにより、所望特性の物理蒸着膜を得る成膜方法および装置を提供する。
【解決手段】複数の異なる材料からなる蒸発源のそれぞれに対して、複数の蒸発用圧力勾配型Ａｒプラズマガンからのプラズマビームを照射して、蒸発源を粒子として蒸発・プラズマ化し、所望の成分組成、均質性、結晶形態、密着性、強度・硬度等を備えた物理蒸着膜を基板表面に成膜する。 （もっと読む）

【課題】気体と直接接触する環境下における耐ドレンエロージョン性に優れた回転機械用の部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１の表面１ａ上にセラミック硬質皮膜３が形成されてなり、該セラミック硬質皮膜３の表面３ａに存在するドロップレットの密度が１０００個／ｍｍ^２以内とされており、且つ、平均粒径が１μｍ以下のドロップレットの密度が５５０個／ｍｍ^２以内とされている。 （もっと読む）

【課題】 絶縁管の消耗率を下げ、絶縁管の寿命を長くすること。
【解決手段】 成膜装置は、排気系を備えた真空チャンバー内に向けて、プラズマビームを生成するホローカソードとプラズマビームに電位勾配を与える一以上の中間電極とを有するプラズマガンと、プラズマガンからプラズマビームを出力するための出口部と同軸に位置する真空チャンバーの管部の外周を包囲するように設けられプラズマビームを管部を介して真空チャンバーへ引き出す収束コイルと、管部の内部においてプラズマガンの出口部と同軸に配置され陽極の極性を有する反射電子帰還電極と、を備える。ホローカソードの電位より高い電位を有し接地された反射電子帰還電極の内周部に設けられた絶縁管が、反射電子帰還電極に対して最も近い位置に配置されている中間電極と電気的に接触している。 （もっと読む）

【課題】成膜中に膜材料の表面に付着または析出した異物を落下し易くできる成膜方法、膜材料、および成膜装置を提供すること。
【解決手段】成膜方法は、膜材料２２を蒸発させて基板２８の表面２８ａに成膜する成膜方法であって、膜材料２２は、表面が曲面で構成された形状を有する固体からなり、複数の膜材料２２をハース２０に収容し、膜材料２２の表面を加熱することにより膜材料２２を蒸発させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成膜する際に基板表面に異物が付着することにより膜に欠陥が生じるのを防止し、製造歩留りを向上できる成膜装置を提供すること。
【解決手段】成膜装置１００は、膜材料２２を蒸発させて基板２８の表面２８ａに成膜する成膜装置であって、成膜室１０と、成膜室１０内の底部１４側に配置されており、膜材料２２を収容するハース２０と、成膜室１０内にハース２０に対向して配置されており、基板２８を保持する保持部２６と、成膜室１０内にプロセスガス４９が導入されるガス導入口１８と、成膜室１０の底部１４に設けられた開口部１４ａと、開口部１４ａを介して成膜室１０に連通されており、成膜室１０内の雰囲気を排気する排気口３４が設けられた排気室３０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）