【課題】ホローカソードの耐久性の改善とともに、ホローカソードから放出される電子の電流量の適切な確保を行えるホローカソード型放電管を提供する。
【解決手段】ホローカソード型放電管１００は、放電ガスを放出できる開口２０２Ｂが端面２０２Ａに形成されたホローカソード２００と、端面２０２Ａに対向して配置され、この開口２０２Ｂの中心軸Ｓ上にスリット状の穴３０２Ａが形成されたアノード電極３０２と、を備える。そして、開口２０２Ｂとスリット状の穴３０２Ａとの間で、放電ガスによる放電が行われる。 （もっと読む）

【課題】等速ジョイント用外輪の製造方法において鍛造用金型のダイの寿命の向上を図ることにより、安定した等速ジョイント用外輪の製造を図る。
【解決手段】パンチ１３と、内面にＣｒＮ層とＴｉＡｌＮ層との積層構造を有する被膜１１を形成したダイ１２とを備えた鍛造用金型を使用し、ダイ１２内にワーク１０を挿入した後、そのワーク１０を後方押し出し成形する。ダイ１２の内面の被膜１１は、硬質のＴｉＡｌＮ層を軟質で密着性の良いＣｒＮ層で挟み込む構造であるため、ＴｉＡｌＮ層は剥離し難い。また、ダイ１２とワーク１０が摺動する部位においては、最表層のＣｒＮ層が優先的に摩耗しても、その下から硬質のＴｉＡｌＮ層が出現し、ダイ１２の寿命が向上する。これにより、安定した等速ジョイント用外輪の製造が図られる。 （もっと読む）

【課題】ハースの貫通孔内に付着する付着物を低減し、メンテナンス周期を延長することが可能な成膜装置、及び成膜装置用ハースを提供すること。
【解決手段】ハース７３の貫通孔７ａの内壁面に、絶縁材料によって形成された被覆部７ｂを設ける。これにより、貫通孔７ａの内壁面７ｂと成膜材料Ｔとの間で、放電現象が発生することが防止される。そのため、貫通孔７ａの内壁面近傍での気化粒子の発生が抑制され、内壁面に付着する付着物を低減することができる。その結果、メンテナンス周期を延長することができる。 （もっと読む）

【課題】スプラッシュ粒子による捕捉部材の目詰まりを防止することのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明の成膜装置１００は、物理気相成膜法によって基板Ｗ上に成膜材料Ｍを成膜する成膜装置であって、基板Ｗを装着する基板装着部１２１を有する真空チャンバー１０１と、真空チャンバー１０１内に設けられた成膜材料Ｍを収容する成膜源１０４と、成膜源１０４と基板装着部１２１との間に設けられ、成膜源１０４からスプラッシュによって飛散したスプラッシュ粒子を捕捉する、複数の開口部を有する捕捉部材１３０と、捕捉部材１３０を成膜材料Ｍの沸点以上の温度に加熱する加熱装置Ｈと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ナノサイズの表面平滑性を備え、すぐれた切屑排出性を示す表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金、サーメット、立方晶窒化ほう素基超高圧焼結体からなる切削工具基体表面に、幅１０〜１００ｎｍ、高さ０．２〜２μｍの柱状晶を有し、さらに、原子間力顕微鏡により表面形状を測定した場合、幅１０〜１００ｎｍ、高さ２０ｎｍ以下の均一な凹凸を有し、かつ、１μｍ×１μｍの領域における平均面粗さを測定した場合、５ｎｍ以下の平均面粗さを有する（Ｃｒ_１−Ｘ Ａｌ_Ｘ ）Ｎ層（但し、Ｘは原子比で０．３〜０．７）からなる硬質被覆層を蒸着形成する。 （もっと読む）

【課題】ナノサイズの表面平滑性を備え、すぐれた切屑排出性を示す表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金、サーメット、立方晶窒化ほう素基超高圧焼結体からなる切削工具基体表面に、幅１０〜１００ｎｍ、高さ０．２〜２μｍの柱状晶を有し、さらに、原子間力顕微鏡により表面形状を測定した場合、幅１０〜１００ｎｍ、高さ２０ｎｍ以下の均一な凹凸を有し、かつ、１μｍ×１μｍの領域における平均面粗さを測定した場合、５ｎｍ以下の平均面粗さを有するＴｉＮ層からなる硬質被覆層を蒸着形成する。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバー内の真空状態を保持すると共に、冷却媒体収容部内での電食を防いで耐久性の向上を図ることができる電流導入構造を提供することを目的とする。
【解決手段】成膜チャンバー３内の補助陽極９に電流を導入する電流導入構造２０において、コイル１７及び冷却水Ｗａを収容する水冷ジャケット１５と、コイル１７の余剰部分となる絶縁導線部１９と、水冷ジャケット１５の外周壁部１５ｅに設けられると共に、水冷ジャケット１５の周囲の真空を保持しながら絶縁導線部１９が貫通して絶縁導線部１９の先端を真空側に露出させるシール構造部２３と、を備える。その結果、冷却水Ｗａを収容する水冷ジャケット１５内において絶縁導線部１９と他の導体部との間での接点を設ける必要が無くなり、冷却水Ｗａによる電食の虞を低減でき、コイル１７の耐久性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】ナノサイズの表面平滑性を備え、すぐれた切屑排出性を示す表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金、サーメット、立方晶窒化ほう素基超高圧焼結体からなる切削工具基体表面に、幅１０〜１００ｎｍ、高さ０．２〜２μｍの柱状晶を有し、さらに、原子間力顕微鏡により表面形状を測定した場合、幅１０〜１００ｎｍ、高さ２０ｎｍ以下の均一な凹凸を有し、かつ、１μｍ×１μｍの領域における平均面粗さを測定した場合、５ｎｍ以下の平均面粗さを有する（Ｔｉ_１−Ｘ Ａｌ_Ｘ ）Ｎ層（但し、Ｘは原子比で０．３〜０．６５）からなる硬質被覆層を蒸着形成する。 （もっと読む）

【課題】低コストで、基板フィルムと蒸着ドラムの密着性を高め、蒸着熱による基板フィルムのダメージも防止できる蒸着方法及び蒸着装置を提供する。
【解決手段】ホローカソード型プラズマガン３を使用して、蒸着ドラム５上を搬送させているフィルム基板９にプラズマアシスト蒸着を行う方法は、フィルム基板９に蒸着材料を蒸着させる前段に電子加速電極２によりプラズマ中から電子を取出し、該電子でフィルム基板９を帯電させることを特徴とする。装置としては、プラズマアシスト蒸着を行うためのホローカソード型プラズマガン３と、フィルム基板９を搬送する蒸着ドラム５と、フィルム基板９に蒸着材料を蒸着させる前段にプラズマ中から電子を取出し該電子でフィルム基板９を帯電させるための電子加速電極２を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板に帯電する負電荷が中和される様にする。
【解決手段】 真空チャンバー１内に、絶縁部材を介して取り付けられた基板ホルダー４、蒸発材料の加熱用電子銃９を有する蒸発源、真空チャンバー側壁及び底壁に沿って碍子２１を介して真空チャンバー側壁に取り付けられた防着板２０、真空チャンバー内に蒸発源から蒸発した蒸発粒子をイオン化するための電子ビームを発生するプラズマ発生源１１を備え、プラズマ発生源１１は、熱陰極１５と電子放出電極１７が配置されたケース１２と、熱陰極１５と電子引出電極１７との間に放電電圧を印加する放電電源を備え、ケース１２内で形成されたプラズマＰ１中の電子を放電電圧に基づいて真空チャンバー１内に引き出す様に成しているイオンプレーティング装置において、基板ホルダー４と真空チャンバー１壁間の電位を測定する直流電圧計２２と、この電位が基準値になる様に放電電圧をコントロールする制御装置２３が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ホローカソード型プラズマガン３を使用してプラズマアシスト蒸着を行う装置において、蒸着プロセス室の圧力上昇による蒸着膜の膜質劣化等の問題を解消し、透明で緻密な酸化物膜等が得られる蒸着装置を提供する。
【解決手段】ホローカソード型プラズマガン３のプラズマ放出部１０３と蒸着室１０１との間を圧力的に仕切りかつプラズマが蒸着室１０１へ通過可能な孔２１を有する隔壁２を有する。プラズマアシスト蒸着を行うためのホローカソード型プラズマガン３と、蒸着室１０１と、プラズマガン３のプラズマ放出部１０３と蒸着室１０１との間を圧力的に仕切りかつプラズマが蒸着室１０１へ通過可能な孔２１を有する隔壁２とを有する。 （もっと読む）

【課題】成膜不良を抑制する成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗを収納する真空容器２と、真空容器２内において被処理基板Ｗを戴置すると共に、所定の搬送方向に搬送するホルダー３と、搬送される被処理基板Ｗに対向して真空容器２内に設けられるハース４Ａ，４Ｂと、ハースにプラズマビームを照射するプラズマガン６，７と、ハースに対向するとともに、被処理基板Ｗを挟んでハースと反対側に設けられる歪曲手段１５Ａと、を備え、歪曲手段１５Ａは、電極と、該電極に接続され電圧を印加する電源装置と、を有し、電極には、ハースから飛来する膜材料が有する電荷と逆の電荷を生じる電位が印加される。 （もっと読む）

【課題】成膜不良を抑制する成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗを収納する真空容器２と、真空容器２内において被処理基板Ｗを戴置すると共に、所定の搬送方向に搬送するホルダー３と、搬送される被処理基板Ｗに対向して真空容器２内に設けられるハース４Ａ，４Ｂと、ハースにプラズマビームを照射するプラズマガン６，７と、ハースに対向するとともに、被処理基板Ｗを挟んでハースと反対側に設けられる歪曲手段１５Ａと、を備え、歪曲手段１５Ａは、Ｎ極側が材料源に対向する第１の磁石と、Ｓ極側が材料源に対向する第２の磁石と、を有し、ハース４Ａ，４Ｂと被処理基板Ｗとの間の空間に磁界を発生させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣｒＮ膜について耐摩耗性が優れたものが安定して得られるようにし、またはそのような耐摩耗性および密着性に優れたＣｒＮ膜が形成された耐摩耗性ＣｒＮ膜形成体とすることである。
【解決手段】ＣｒＮ膜についてＸ線回折分析で測定される結晶面の（１１１）面、（２００）面、（２２０）面、（２２２）面、（３１１）面および（４００）面に対応するピーク強度の合計を１００％とした場合に、（１１１）面のピーク強度が８〜４０％であり、かつシェラー法で求められる（１１１）面における結晶子サイズが２５ｎｍ以下である耐摩耗性ＣｒＮ膜とする。（１１１）面のピーク強度が所定範囲の割合であり、かつ（１１１）面における結晶子サイズを所定範囲にすると、結晶方位の異方性によって影響を受けているものと考えられ、耐摩耗性が顕著に向上する。 （もっと読む）

【課題】連続稼動中において、プラズマガンに投入するパワーを経時的に上昇させることなく、均一な膜厚で成膜することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１３と、真空チャンバの内部に備えられた成膜材料２２にプラズマを放出するプラズマガン９と、プラズマガンに放電ガスを供給する放電ガス供給部とを有する成膜装置は、放電ガスの流量を変更することができるマスフローコントローラ２５と、マスフローコントローラに接続された、マスフローコントローラによる流量の変更を予め決められた設定に基づいて制御する制御回路２６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】複数の圧力勾配型プラズマガンを設けた成膜装置において、連続的に稼動したときに、一定の膜厚分布や膜質で成膜できる成膜装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバー１４内に向けてプラズマビーム７を生成する複数の圧力勾配型プラズマガンと、前記プラズマビーム７を収縮させて該真空チャンバー１４内に導く収束コイル６と、ハース２０と、前記プラズマを引き込む引き込み磁石とを設けた真空成膜装置１０において、前記プラズマビーム７から生じる反射電子流が帰還する電子帰還電極４を、前記複数の圧力勾配型プラズマガンに対してひとつ設けた真空成膜装置１０である。 （もっと読む）

【課題】成膜材の物性との違いに関わらずドーピング材を自由に選択可能なイオンプレーティング装置を提供すること。
【解決手段】真空チャンバ３と、プラズマガン４と、プラズマビームＰが照射されるハース５とを備え、ハース５は、タブレット２１を真空チャンバ３の内部に露出するように配置する凹部２４ａと、真空チャンバ３の内部における露出面において成膜時にドーピングされるドーピング材２２を支持する環状溝２３ｂとを有し、ハース５の露出面のうちプラズマビームＰが照射される被照射面の面積により、ハース５の被照射面における電流密度を調整することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成膜材の物性との違いに関わらずドーピング材を自由に選択可能なイオンプレーティング装置を提供すること。
【解決手段】真空チャンバ３と、プラズマビームＰを発生するプラズマガン４と、プラズマビームＰが照射されるハース５と、ハース５に電気的に接続され、ハース５に近接配置されたタブレット２１を支持する導電性のタブレット支持棒２５とを備え、ハース５の真空チャンバ３内における露出面にはタブレット２１と共に気化されてドーピングされるドーピング材２２が支持され、ハース５およびタブレット２１に対する通電量を調整可能な構成とした。 （もっと読む）

【課題】プラズマアシスト源を用いたイオンプレーティング法による成膜を行いながら、第３元素を膜中に添加することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜空間に所定ガスのプラズマ105を生成し、成膜材料12の蒸気をプラズマ105を通過させた後、基板14上に堆積させることにより圧電膜を成膜する。圧電膜に添加すべき元素を含む部材16をプラズマ105から所定の距離に配置し、部材16に所定のバイアス電圧を印加することにより。プラズマ105により部材16をスパッタリングし、スパッタ蒸発した元素を圧電膜に添加する。 （もっと読む）

【課題】ピアス式電子銃の円盤状のカソード２を、カソード２より大径の外周リング２１に３本以上の支持ロッド２２を介して支持させるカソード支持構造において、カソード及び支持ロッドの熱膨張により支持ロッドの座屈を生ずることを防止できると共に、カソードからの熱引けを効果的に抑制できるようにする。
【解決手段】各支持ロッド２２を、カソード２と外周リング２１との間に、支持ロッド２２の軸線が該軸線と外周リング２１の内周面との交点とカソード２の中心とを結ぶ直線Ｌに対しカソード２の周方向一方に傾むくように配置する。また、支持ロッド２２の軸線に合致する直線とこの直線に平行でカソード２の中心を通る直線とをカソード２の軸線に直交する平面に射影したときの２直線間の距離を偏心量δとして、δが全ての支持ロッド２２で等しくなるようにする。 （もっと読む）