【課題】成膜基板の冷却効率を向上させることが可能な冷却機構を提供する。
【解決手段】冷却機構２は、下面冷却板２１、昇降機構２２および上面冷却板２５を備えている。冷却機構２は、基板１１を支持するトレイ３２に下面冷却板２１を接触させることで、トレイ３２を介して基板１１を冷却する。これにより、基板１１は、トレイ３２と熱伝導部材とを介して下面冷却板２１に熱を伝えることにより冷却される。 （もっと読む）

【課題】基板の温度制御変動を抑制し、高品質の膜を再現性よく成膜する。
【解決手段】成膜容器と、基板を保持する基板保持部と、基板と対向する位置に配置された成膜源と、基板保持部と成膜源との間に配置された開閉可能なシャッターとを有する成膜装置において、シャッター20を、成膜源やプラズマから発生される熱を基板側に放射する材料で構成する。シャッター材料は、成膜温度における放射率が０．７０以上のものを用いる。 （もっと読む）

【課題】断続重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金製工具基体表面に０．２〜２μｍの平均層厚のＣｒＮ層からなる硬質被覆層を物理蒸着で形成した表面被覆切削工具において、ＣｒＮ層は、平均層厚と等しい高さを有し、かつ、工具基体表面に対して直立方向に成長した縦長平板状のＣｒＮ結晶粒からなり、さらに、前記ＣｒＮ層の表面から０．１μｍの深さの水平断面における結晶粒組織を観察した場合、短辺が５〜１００ｎｍ、アスペクト比が３以上である前記縦長平板状のＣｒＮ結晶粒の占める面積割合が、全水平断面積の３０％以上である。 （もっと読む）

【課題】断続重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金製工具基体表面に０．２〜２μｍの平均層厚のＣｒＡｌＮ層（但し、その組成式を（Ｃｒ_１−ＸＡｌ_Ｘ）Ｎで表わした場合、Ｘは、原子比で、０．１０〜０．７０が望ましい）からなる硬質被覆層を物理蒸着で形成した表面被覆切削工具において、ＣｒＡｌＮ層は、平均層厚と等しい高さを有し、かつ、工具基体表面に対して直立方向に成長した縦長平板状のＣｒＡｌＮ結晶粒からなり、さらに、前記ＣｒＡｌＮ層の表面から０．１μｍの深さの水平断面における結晶粒組織を観察した場合、短辺が５〜１００ｎｍ、アスペクト比が３以上である前記縦長平板状のＣｒＡｌＮ結晶粒の占める面積割合が、全水平断面積の３０％以上である。 （もっと読む）

【課題】切刃に対して高負荷が作用する乾式断続重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性と靭性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金焼結体からなる切削工具基体表面にＴｉＮ層からなる硬質被覆層を物理蒸着で形成した表面被覆切削工具において、ＴｉＮ結晶粒を上記平均層厚と等しい高さを有する柱状晶組織とし、さらに、上記ＴｉＮ層の水平断面における結晶粒組織を観察した場合の、粒径が１０〜１００ｎｍの結晶粒が占有する面積を測定面積のうちの９０％以上とし、かつ、電子線後方散乱回折装置で表面の結晶粒の結晶方位を測定した場合、隣り合う測定点との結晶方位の差が１５度以上となる結晶界面によって囲まれた直径０．２〜４μｍの区分が占有する面積を、測定された全体の面積のうち２０％以上とし、断続重切削加工において優れた耐欠損性と靭性を発揮させる。 （もっと読む）

【課題】切刃に対して高負荷が作用する乾式断続重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性と靭性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金焼結体からなる切削工具基体表面にＴｉ_1-ｘＳｉ_ｘＮ層からなる硬質被覆層を物理蒸着で形成した表面被覆切削工具において、ｘが０．０５≦ｘ≦０．３を満たし、さらに、Ｔｉ_1-ｘＳｉ_ｘＮ結晶粒を上記平均層厚と等しい高さを有する柱状晶組織とし、さらに、上記Ｔｉ_1-ｘＳｉ_ｘＮ層の水平断面における結晶粒組織を観察した場合の、粒径が１０〜１００ｎｍの結晶粒が占有する面積を測定面積のうちの９０％以上とし、かつ、電子線後方散乱回折装置で表面の結晶粒の結晶方位を測定した場合、隣り合う測定点との結晶方位の差が１５度以上となる結晶界面によって囲まれた直径０．２〜４μｍの区分が占有する面積を、測定された全体の面積のうち２０％以上とする。 （もっと読む）

【課題】紫外線遮蔽機能をもち、酸性雨に対する耐性の高いハードコート構造を備えた透明体を提供する。
【解決手段】透明基材１と、基材１上に順に配置された、紫外線吸収層２とハードコート層３とを有する透明体であって、紫外線吸収層２として、アモルファスなＴｉＯ_２膜を用いる。紫外線吸収層２とハードコート層３との間には、アモルファスなＴｉＯ_２と、ハードコート層を構成する材料との混合物からなる混合層４が配置されている。ＴｉＯ_２膜は、耐酸性が高い性質を有し、しかも、アモルファスなＴｉＯ_２膜は光触媒性能を備えないため、基材との密着性が高い。混合層４は、紫外線吸収層２とハードコート層３との密着性を高め、冷熱サイクルを受けた場合の膜剥がれを防止する。 （もっと読む）

【課題】ガスバリア性及び透明性に優れるガスバリア性フィルムの製造方法、ガスバリア性フィルムを提供する。
【解決手段】本発明のガスバリア性フィルムの製造方法は、基材を準備する基材準備工程と、基材の上に酸窒化珪素を含有するガスバリア層を形成するガスバリア層形成工程とを有し、ガスバリア層形成工程におけるガスバリア層の形成を、キセノンガスを含む昇華ガスを用いたイオンプレーティング法を用いて行うようにすることにより、上記課題を解決する。本発明のガスバリア性フィルムは、ガスバリア層の組成を、Ｓｉを４２原子％以下、Ｎを３１原子％以上、Ｏを２７原子％以下、Ｃを２原子％以下とする（但し、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ｃそれぞれの含有率を合計すると１００原子％となる）ことにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】金属元素を含有したダイヤモンドライクカーボン膜を安定して且つ低コストで成膜できる導電性基材の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】プラズマ化した昇華ガス２５を金属元素を含有する蒸着原料に照射して該蒸着原料をイオン化し、且つ、前記プラズマ化した昇華ガスに炭化水素ガス３６を接触させて該炭化水素ガスをイオン化する同時イオン化工程と、前記同時イオン化工程でイオン化した前記蒸着原料イオンと前記炭化水素ガスイオンとを基材上に同時に堆積させて、前記金属元素を含有するダイヤモンドライクカーボン膜を成膜する成膜工程と、を有する方法とする。同時イオン化工程において、炭化水素ガスのイオン化を、プラズマ化した昇華ガスを蒸着原料に照射する昇華ガス流路で行う。 （もっと読む）

【課題】プラズマ式の蒸着法により蒸着膜を成膜する際、特に蒸着材の昇華が始まる初期段階において、従来よりも低エネルギーでの成膜を実現し得る蒸着材の製造方法及び該方法により製造された蒸着材を提供する。
【解決手段】蒸着材１０の表面に突起１１を１又は２以上形成する第５工程を含み、突起１１の蒸着材１０表面から最大高さが１〜５ｍｍであって、突起１１の蒸着材１０表面から突出する部分の最大幅が１〜５ｍｍであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高さ寸法が比較的高くかつ相対密度が抑制された酸化亜鉛系酸化物ペレットを歩留まりよく量産可能な製造方法を提供する。
【解決手段】原料粉を湿式混合かつ噴霧乾燥して第一造粒粉を製造する第一工程、第一造粒粉を仮焼して仮焼粉を製造する第二工程、仮焼粉と未仮焼原料粉を湿式混合かつ噴霧乾燥して第二造粒粉を製造する第三工程、第二造粒粉を加圧して圧粉体を製造する第四工程、圧粉体を破砕して成形体用粉末を製造する第五工程、成形体用粉末を加圧成形して成形体を製造する第六工程、成形体を焼成して酸化亜鉛系酸化物ペレットを製造する方法であって、第四工程の第二造粒粉に対する加圧条件を50MPa以上150MPa以下に設定して第五工程で製造される成形体用粉末の嵩密度が1.4g/cm³以上2.0g/cm³以下となるようにし、第六工程の成形体用粉末に対する加圧条件が100MPa以上200MPa以下とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】断続重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金製工具基体表面にＴｉＮ層からなる硬質被覆層を物理蒸着で形成した表面被覆切削工具において、ＴｉＮ層は、平均層厚と等しい高さを有し、かつ、工具基体表面に対して直立方向に成長した縦長平板状のＴｉＮ結晶粒からなり、さらに、上記ＴｉＮ層の表面から０．１μｍの高さの水平断面におけるＴｉＮ結晶粒組織を観察した場合、短辺が５〜１００ｎｍ、アスペクト比が３以上である上記縦長平板状のＴｉＮ結晶粒の占める面積割合が、全水平断面積の３０％以上である。 （もっと読む）

【課題】摺動部材の摺動面に成膜する場合などにおいても十分な耐摩耗性を有するＤＬＣ膜およびその成膜方法を提供する。
【解決手段】基材２の表面に形成された中間層３と表面層４とからなる硬質膜１の成膜方法であって、該成膜方法は、基材２上に金属系材料を主体とする中間層３を形成する中間層形成工程と、中間層３の上にＤＬＣを主体とする表面層４を形成する表面層形成工程とを有し、中間層形成工程および表面層形成工程において、中間層３および表面層４は、スパッタリングガスとしてＡｒガスを用いたＵＢＭＳ装置を使用し、上記表面層形成工程は、上記装置内の真空度が０．２〜０．９Ｐａであり、基材２に印加するバイアス電圧が７０〜４００Ｖである条件下で、炭素供給源となるターゲットから生じる炭素原子を、中間層３上に堆積させてＤＬＣを主体とする表面層４を形成する工程である。 （もっと読む）

【課題】従来の方法に比べて低電流で蒸着することができ、低エネルギー化を図ることが可能であり、成膜ダメージを低減し、かつ基材への輻射熱の低減が可能な、プラズマ蒸着方法及び該方法により形成された蒸着膜を提供する。
【解決手段】蒸着材を用いてプラズマ蒸着法により基材上に蒸着膜を成膜するためのプラズマ蒸着方法において、プラズマ放電電流を１〜３０アンペア／分の範囲内の一定勾配αで４０〜１２０アンペアの範囲内のＡ値まで増加させることにより蒸着材の昇華を開始させ、続いてＡ値よりも低い電流値である１０〜８０アンペアの範囲内のＢ値まで低下させて基材への蒸着膜の成膜を継続することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】材料の蒸発速度とプラズマ密度を自由に設定し、成膜速度に対するガスバリア性を自由に設定出来、酸素バリア性および水蒸気バリア性に優れたガスバリア性積層体を生産する成膜装置を提供する
【解決手段】フィルム基材をロール・ツー・ロールで搬送する搬送手段と、フィルム基材へ蒸着材料を蒸着させる蒸着手段とを具備する成膜装置であって、蒸着手段が、蒸着材料を蒸発させる手段と、蒸発した蒸着材料をプラズマにより活性化させる手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】小径低速切削あるいは高速重切削等で、硬質被覆層の耐欠損性、耐剥離性に優れるヘテロエピタキシャル界面を有する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ超硬基体表面に、柱状晶組織のＴｉＮ層を物理蒸着で被覆形成した表面被覆切削工具であって、ＷＣ超硬基体表面とＴｉＮ層との界面において、[０００１]_ＷＣと[１１０]_ＴｉＮが平行、かつ、[１０−１０] _ＷＣと[００１] _ＴｉＮが平行である界面の長さをＸ_Ａ、また、[０００１]_ＷＣと[１１１]_ＴｉＮが平行、かつ、[１１−２０] _ＷＣと[１１０] _ＴｉＮが平行である界面の長さをＸ_Ｃとした場合に、１＞（Ｘ_Ａ＋Ｘ_Ｃ）／Ｘ≧０．３、（但し、Ｘは界面の全長）を満足するヘテロエピタキシャル界面を有する表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】プラズマ電流が真空容器内のグランド電位のものに流れる現象を抑制し、安定して成膜を行うことのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】プラズマガンのプラズマ室1は、成膜室10に連結され、連結部側から順に、陽極4、中間電極3および陰極2が配置されている。陽極4と成膜室10との間には、グランド電位のグリッド5が備えられている。これにより、プラズマ電流の一部は、グランド電位のグリッド5に流れるため、成膜室内のグランド電位の物体にプラズマ電流が流れるのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】新規な炭素膜製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の炭素膜製造装置は、供給ガスに電子ビームを照射し、プラズマを発生させる電子ビーム発生装置７と、炭素源を収容し、炭素源を加熱して気化させる炭素源容器４と、炭素膜を堆積させる基板３を有する。ここで、供給ガスは、アルゴンガスであることが好ましい。また、電子ビーム発生装置７の電子通過量は10〜100Aの範囲内にあることが好ましい。また、炭素源は、フラーレンC₆₀、フラーレンC₇₀、その他ナノメートルスケールのカーボン粒子であることが好ましい。また、基板３の広さは1〜100cm² の範囲内にあることが好ましい。また、基板３のバイアス電圧は-500〜0Vの範囲内にあることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高い生産性を保ちながら品質の高い膜を基材上に形成することができるイオンプレーティング方法および装置、およびイオンプレーティングによるガスバリア膜形成方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１２内に設置された被イオンプレーティング用基材１３に対して蒸着材料２０を蒸着するイオンプレーティング装置１０は、蒸着材料２０を収納するるつぼ１９と、真空チャンバ１２内に昇華ガス２５を導入するガス導入部２４と、昇華ガス２５をプラズマ化させる圧力勾配型のプラズマガン１１と、プラズマ化された昇華ガス２５がるつぼ１９に収納された蒸着材料２０に照射されるよう磁場を発生させる磁場機構５とを備えている。このうちプラズマガン１１はガス導入部２４に設けられており、磁場機構５はプラズマガン１１と真空チャンバ１２との間に設けられている。また、昇華ガス２５は、キセノンガス２６とアルゴンガス２７とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 主電極からカソードマウントへの伝熱を抑制するための伝熱抑制構造を備えた利便性に優れる圧力勾配型プラズマガンを提供すること。
【解決手段】 圧力勾配型プラズマガン１００が、主電極１７と、前記主電極をその第１の部分が少なくとも包囲して該第１の部分が前記主電極を少なくとも保護する電極保護部１８ａ，２０と、前記電極保護部の第２の部分がその主面に連結され該主面が前記第２の部分を支持することで前記第１の部分を間接的に支持することにより前記主電極を間接的に支持する電極支持部１０と、を備え、前記電極保護部の第２の部分に、前記主電極から前記電極支持部への伝熱を抑制する伝熱抑制構造２１ａ，２１ｂが設けられている。 （もっと読む）