本発明は、薄膜被覆技術に有用な新しいプラズマ源を提供し、更にプラズマ源の使用方法を提供する。より具体的には、本発明は、プラズマ強化化学蒸着に有用な線状及び二次元のプラズマをそれぞれ生成する、新しい線状及び二次元のプラズマ源を提供する。また、本発明は、薄膜被覆を形成する方法及びそのような方法による被覆効率を向上させる方法を提供する。
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【課題】低電圧で大量の熱電子を放出するプラズマ発生装置および成膜装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生装置１１では、カソード２に熱電子を放出する筒状体に成形された熱電子放出部４２が複数設けられている。このプラズマ発生装置１１は、カソード２からアノード３に向けてイオン化させた不活性ガスを放出して放電させることにより、カソード２とアノード３との間にプラズマを発生させ、熱電子放出部４２では、その筒内周面４３および筒外周面４４から熱電子を放出する。 （もっと読む）

【課題】 ＴｉＮ膜について耐摩耗性が確実に高い物性であるものを選択的に得ることができ、またはそのような好ましい物性のＴｉＮ膜が形成された耐摩耗性ＴｉＮ膜形成体とし、またはそのような耐摩耗性ＴｉＮ膜形成体を効率よく製造することである。
【解決手段】 ＴｉＮ膜についてＸ線回折分析で測定される結晶方位の（１１１）面、（２００）面、（２２０）面、（３１１）面、（２２２）面および（４００）面の合計ピーク強度を１００％とした場合における（１１１）面強度比が８０％以上であり、かつ（２２０）面強度比が３％以下である耐摩耗性ＴｉＮ膜またはこれを金属製基材の表面に形成して、摺動材、工具、金型などのＴｉＮ膜形成体とする。基材とＴｉＮ膜との間にＴｉ金属の中間層を設けるとＴｉＮ膜の耐剥離性が向上し、基材に窒化層を形成するとＴｉＮ膜との密着性が向上する。 （もっと読む）

【課題】圧電効果の大きな組成範囲の強誘電体膜を備えた素子を効率よく製造する。
【解決手段】第３中間電極７を備えた圧力勾配型プラズマガンを用いてＨｅガスと酸素ガスの混合プラズマを発生させ、この混合プラズマ中の酸素ラジカルにより成膜材料を酸化させる強誘電体膜を形成する。放電ガスとしてＨｅを用いることにより高濃度の酸素ラジカルを発生させることができるため、圧電効果の大きな組成範囲、例えばＰｂ（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）Ｏ_３（ｘ＞０．４）の膜を効率よく製造することができる。 （もっと読む）

【課題】高融点の金属材料または非昇華性材料からなる蒸着性材料からなる薄膜を被成膜体に対して安定して形成することが可能な真空成膜装置を提供する。
【解決手段】真空成膜装置１０は、被成膜体１３が配置された真空チャンバー１２と、蒸着性材料２０を収納するるつぼ１９と、プラズマビーム２２をるつぼ１９内の蒸着性材料２０に向けて照射する圧力勾配型プラズマガン１１とを備えている。るつぼ１９に、蒸着性材料２０を１０００℃乃至２５００℃の範囲内で加熱できる加熱機構４０が設けられている。プラズマビーム２２を蒸着性材料２０の表面に導き、真空チャンバー１２内の被成膜体１３上に薄膜２０ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】高融点の金属材料または非昇華性材料からなる蒸着性材料からなる薄膜を被成膜体に対して安定して形成することが可能な真空成膜装置を提供する。
【解決手段】真空成膜装置１０は、被成膜体１３が配置された真空チャンバー１２と、蒸着性材料２０を収納するるつぼ１９と、プラズマビーム２２をるつぼ１９内の蒸着性材料２０に向けて照射する圧力勾配型プラズマガン１１とを備えている。るつぼ１９に、蒸着性材料２０を１５０℃乃至２０００℃の範囲内で加熱できる加熱機構４０が設けられ、るつぼ１９近傍に、るつぼ１９内に蒸着性材料２０を供給する材料供給装置５０が設られている。プラズマビーム２２を蒸着性材料２０の表面に導き、真空チャンバー１２内の被成膜体１３上に薄膜２０ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】ＰＤＰにおいて、厚膜化してもクラックが生じにくい低誘電率の誘電体層および保護膜を、簡易迅速に一貫して形成する。
【解決手段】ハース２０５の内部が、ＳｉＯ₂粒子を収納するための凹部２０５ｂと、ＭｇＯ粒子を収納するための凹部２０５ｃとに分割され、複数種類の材料が充填できる構造になっている。ＳｉＯ₂粒子が収納された凹部２０５ｂにプラズマビーム２１３が照射されるよう位置決めされた初期位置と、ＭｇＯ粒子が収納された凹部２０５ｃにプラズマビーム２１３が照射されるよう位置決めされた初期位置とに切り替え可能な回転機構２０５ｄを備えている。回転機構２０５ｄは、成膜材料を切り替えるだけではなく、プラズマビーム２１３が照射される間、所定の角度ｄだけ往復運動をする回転機構を備えている。 （もっと読む）

【課題】膜欠陥の発生が抑制され、安定な成膜が可能となり、窒化ケイ素の有する高いガスバリア性を十分に享受できるガスバリア膜が成膜可能なイオンプレーティング用蒸発源材料の原料粉末を提供する。また、イオンプレーティング法に適した蒸発源材料及びその製造方法、並びにガスバリア性シート及びその製造方法を提供する。
【解決手段】平均粒径が５μｍ以下の窒化ケイ素と、平均粒径が５μｍ以下である溶融型材料と、を含有し、溶融型材料の含有量が、窒化ケイ素１００重量部に対して、５重量部以上５０重量部以下である、ことを特徴とするイオンプレーティング用蒸発源材料の原料粉末を用いることにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料の周囲に設置されるコイルの冷却を必要とせず、かつメンテナンスが容易な成膜装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバー１と、真空チャンバー１に設置されたガン２と、真空チャンバー１とガン２との間に設置された第１のコイル４と、から構成されており、真空チャンバー１内に成膜を行う基板Ｋを保持する基板保持手段７と、犠牲陽極（ダミーアノード）６と、蒸着材料Ｊを溶解（蒸発）させるハース３とを具備する成膜装置において、ハース３の内部にリング型永久磁石を配置して、かつ真空チャンバー１外の底部には第２のコイル５を配置する。 （もっと読む）

【課題】プラズマガンの投入電力を増加させず、成膜中の圧力を低くせず、プラズマガン内に導入するＡｒガスの流量を少なくせずとも、成膜速度を高めることを可能とするプラズマ発生装置、成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】プラズマガンから収束コイルにより引き出したプラズマビームを、プラズマビームの照射方向に対して直交する方向に延び、対向して互いに平行に配置されて対になっている第一のマグネットによって形成される磁場の中に通過させることにより、プラズマビームをシート状に変形させるプラズマ発生装置において、プラズマガンと該第一のマグネットの間に、プラズマビームの照射方向にその孔部の中心が位置しかつ照射方向の磁場を収束させる磁場を形成する、前記孔部を有する第二のマグネットを少なくとも１つ配置した。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、被成膜物における未成膜部分を低減させることができる成膜装置の支持機構を提供する。
【解決手段】成膜面Ｗ１ａが下方に向けられた状態にガラス基板Ｗ１を支持して成膜面Ｗ１ａに成膜物質を付着堆積させる成膜装置１におけるガラス基板Ｗ１の搬送トレイ４０であって、成膜面Ｗ１ａと同等以上の広さを有する開口部４２を内部に備えると共に開口部４２を囲む外枠４３から構成される枠体４４と、外枠４３から内に突出してガラス基板Ｗ１を複数の箇所で支持すると共に、複数の箇所を結んで形成される領域Ｒ１内にガラス基板Ｗ１の重心Ｇが位置するように配置された複数のワイヤー状の線状支持部材４５，・・・とを備える。このようなワイヤー状の線状支持部材４５でガラス基板Ｗ１を支持することにより、ガラス基板Ｗ１の未成膜部分が低減される。 （もっと読む）

【課題】 被処理物の表面へのパーティクルの付着を抑えることが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ１０内で蒸着材料を蒸発させ基板ＷＡに対して蒸着させる成膜装置１である。蒸着材料を蒸発させるプラズマガン３０と、雰囲気ガス供給源１０６と、主制御装置８０と、を備える。主制御装置８０は、プラズマガン３０による加熱状態を、成膜状態の加熱状態（成膜時電流Ｉ_Ａ）と、非成膜状態における加熱状態（成膜時電流Ｉ_Ｂ）との間で切り替え制御する。そして、主制御装置８０は、成膜状態と非成膜状態との間における加熱状態の切り替え途上において、蒸着材料の蒸発やプロセスガスの導入による真空チャンバ１０内の圧力変動を緩和する方向に、雰囲気ガス供給源１０６からの雰囲気ガスの供給量を変動させる。 （もっと読む）

【課題】重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金、サーメット、立方晶窒化ほう素基超高圧焼結体からなる切削工具基体表面に、組成式（Ｔｉ_１−Ｘ Ｓｉ_Ｘ ） Ｎ（ただし、Ｘは原子比で、０．０１〜０．３）を満足するＴｉとＳｉの窒化物層からなり、かつ、該層についてＥＢＳＤによる結晶方位解析を行った場合、表面研磨面の法線方向から０〜１５度の範囲内に結晶方位＜１００＞を有する結晶粒の面積割合が５０％以上であり、また、隣り合う結晶粒同士のなす角を測定した場合に、小角粒界（０＜θ≦１５゜）の割合が５０％以上であるような結晶配列を示すＴｉとＳｉの窒化物層で硬質被覆層を構成する。 （もっと読む）

【課題】成膜物質の流入を招くことなく排気ポンプによる排気効率の確保、向上を図ることができ、これにより、被成膜体への成膜作業を効率的に行う。
【解決手段】排気ポンプ１９によって減圧させられる真空チャンバー１内に収容される被成膜体Ｆに、真空チャンバー１内に配設された成膜物質の発生源６によって薄膜を形成する真空成膜装置にあって、真空チャンバー１内には、成膜物質の発生源６を囲繞するように防着板１２〜１４を配設して成膜室１５を形成するとともに、排気ポンプ１９は、真空チャンバー１の側壁に設けられたチャンバー排気口１８に水平取り付けし、成膜室１５の防着板１４には、チャンバー排気口１８に対向する位置に、このチャンバー排気口１８と間隔Ａをあけて、バッフル１６を備えた成膜室排気口１７を設ける。 （もっと読む）

【課題】重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金、サーメット、立方晶窒化ほう素基超高圧焼結体からなる切削工具基体表面に、組成式（Ｃｒ_１−Ｘ Ａｌ_Ｘ ）Ｎ（ただし、原子比で、Ｘは０．４０〜０．７０）を満足するＣｒとＡｌの複合窒化物層からなり、かつ、該層についてＥＢＳＤによる結晶方位解析を行った場合、表面研磨面の法線方向から０〜１５度の範囲内に結晶方位＜１１２＞を有する結晶粒の面積割合が５０％以上であり、また、隣り合う結晶粒同士のなす角を測定した場合に、小角粒界（０＜θ≦１５゜）の割合が５０％以上であるような結晶配列を示すＣｒとＡｌの複合窒化物層で硬質被覆層を構成する。 （もっと読む）

【課題】電極絶縁用の絶縁体のシール部材でのプラズマ損傷を適切に防止できるプラズマガンを提供する。
【解決手段】本発明のプラズマガン１００は、プラズマを形成可能なカソードユニット１と、プラズマを引き出せる第１通孔４２が形成された板状の第１電極２と、第１通孔４２の中心軸２０１と軸を合わせた第２通孔４３が形成され、中心軸２０１において第１電極２と並んでいる板状の第２電極３と、第１電極２および第２電極３間に配され、第１電極２および第２電極３間の空間領域１０１を気密に保つように構成された環状の絶縁体５１と、第１通孔４２または第２通孔４３に配された導電性の筒体２５と、を備える。この筒体２５は、空間領域１０１を跨ぐように中心軸２０１に沿って延在している。 （もっと読む）

【課題】成膜時に、膜特性制御用の圧力勾配型Ａｒプラズマガンからのプラズマビームを照射して、所望特性の蒸着膜を得る成膜方法および装置を提供する。
【解決手段】蒸発用の圧力勾配型Ａｒプラズマガンからのプラズマビームを蒸発源に照射して、膜成分を粒子として蒸発・イオン化し、これを基板表面に蒸着させて成膜するにあたり、膜特性制御用の圧力勾配型Ａｒプラズマガンからのプラズマビームを基板に照射することによって、蒸着膜の結晶配向性等の膜特性を制御する。 （もっと読む）

【課題】生産性が高く、ガスバリア性、耐熱性、及び耐腐食性に優れるガスバリア膜を成膜できるイオンプレーティング用蒸発源材料の原料粉末等を提供する。
【解決手段】
平均粒径が５μｍ以下の窒化ケイ素又は酸窒化ケイ素と、平均粒径が５μｍ以下の６価のセラミック材料と、を有する原料粉末により、上記課題を解決する。この原料粉末は、６価のセラミック材料が、酸化モリブデン及び／又は窒化モリブデンであることが好ましく、６価のセラミック材料の含有量が、窒化ケイ素又は酸窒化ケイ素１００重量部に対して、５重量部以上５０重量部以下であることが好ましい。本発明のイオンプレーティング用蒸発源材料は、上記の原料粉末を焼結又は造粒させて平均粒径が２ｍｍ以上の塊状粒子又は塊状物に加工したものである。 （もっと読む）

【課題】反射電子帰還電極を含むＵＲ式プラズマガンを複数有するプラズマ処理装置において、膜厚及び膜質の均一な膜を安定的に成膜できるようにする
【解決手段】少なくとも１つのＵＲ式プラズマガンの電位をフローティング電位にする。すべてのＵＲ式プラズマガンをフローティング電位にしてもよい。一つのＵＲ式プラズマガンのみを接地し、他のＵＲ式プラズマガンをフローティング電位にしてもよい。 （もっと読む）

【課題】基板の向きにかかわらず、均一に処理することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】中間電極から引き出されたプラズマに磁界を印加して扁平に広げ、さらに、磁界を印加して、凸型のプラズマ１１に変形させる。基板保持部１６は、基板６を保持する面が、プラズマ１１に対して凹型のドーム状である。これにより、均一なプラズマを基板に接触させることができる。また、坩堝８として開口径が、基板ホルダー１６の径より小さいものを用いることより、基板６到達時の蒸気量を基板６上で均一にすることができ、イオンプレーティングによる均一成膜が可能である。 （もっと読む）