ポリカーボネート樹脂よりなる成形品
【課題】ポリカーボネート樹脂からなる成形品に密着性の向上した薄膜を蒸着した成形品を提供する。
【解決手段】 ガラス転移温度が１５０℃以上であるポリカーボネート樹脂を用いた成形体に、イオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品。好ましいポリカーボネート樹脂の例としては一般式［１］で表わされる部分構造単位を特定割合で含有するもの等がある。
【解決手段】 ガラス転移温度が１５０℃以上であるポリカーボネート樹脂を用いた成形体に、イオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品。好ましいポリカーボネート樹脂の例としては一般式［１］で表わされる部分構造単位を特定割合で含有するもの等がある。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ポリカーボネート樹脂からなる成形体に薄膜を形成した成形品に関する。さらに詳しくは、ガラス転移温度が一定値以上のポリカーボネート樹脂、特に特定の組成の芳香族ジヒドロキシ成分からなるポリカーボネート樹脂を用いた成形体に、イオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ポリカーボネートはその耐熱性や機械特性、成形性、寸法安定性などのバランスに優れ、そのポリカーボネートからなる成形体に反射膜を形成した自動車等のランプレンズリフレクターや、光学ミラーといった成形品などにも広く使用されている。しかしながら、ポリカーボネートからなる成形体に単に蒸着を行うだけでは、形成した薄膜の十分な密着性を得ることは困難である。これを解決する為には、一般的には蒸着層の下に密着性を向上させるためのプライマー層を塗膜したり、成形品表面をプラズマ処理するなどの表面処理を行う必要があるが、設備やコストがかかることが大きな問題であり、簡便に且つ高い密着性が得られる薄膜形成の手法が求められている。
【０００３】
一方、薄膜形成には物理的蒸着やメッキ、浸漬、スプレーコーティング、スピンコーティングなどの方法があるが、このうち物理的蒸着法は、様々な種類の物質を均質且つ高い密度で薄膜化できるため、反射膜のほか、半導体層や絶縁膜、電極膜などの形成法として多岐に利用されている。物理蒸着には大きく分けて、真空蒸着、イオンプレーティング、スパッタリングがあり、中でもイオンプレーティングは蒸発原子をイオン化により加速させて成形体などの基板に打ち込むことにより、基板深く原子が入り込み、結果として形成した薄膜の密着性が高いという特徴がある。しかしながら、イオンプレーティング法は、高いエネルギーを持った原子が基板にあたるため、基板の温度が大きく上昇してしまい、基板が変形してしまうという問題があった。これを解決する方法として、イオンプレーティングの装置を改良することで、密着性を向上しようという提案がなされているが、大幅な設備変更が必要で、また基板温度が上昇するという根本的な問題は解決しないままであった（例えば特許文献１，２参照）。また、樹脂自身を改良することで密着性を改良しようとする提案もなされているが、熱安定性の低下により良好な成形品を得ることが困難であるという問題や、基板温度を上げることで変形が生じてしまう問題は解決できていなかった（例えば特許文献３〜５参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開平０５−３２０８８６号公報
【特許文献２】特開平１０−２５１８４５号公報
【特許文献３】特開平０５−２４７１９７号公報
【特許文献４】特開平０７−１７９５９１号公報
【特許文献５】特開２００３−４０９９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、薄膜密着性の向上したポリカーボネート樹脂からなる成形品を得ることにある。本発明者は、様々な検討を積み重ねた結果、ガラス転移温度が一定値以上のポリカーボネート樹脂、特に特定の組成の芳香族ジヒドロキシ成分からなるポリカーボネート樹脂を用いた成形体に、イオンプレーティング法により薄膜を形成することにより、上記目的が達成されることを見出し、本発明に到達した。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
すなわち、本発明によれば、ガラス転移温度が１５０℃以上であるポリカーボネート樹脂を用いた成形体に、イオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品が提供される。ポリカーボネート樹脂のガラス転移点は１６０℃以上であることがより好ましく、１６５℃以上であることがさらに好ましい。ガラス転移温度が１５０℃よりも低い場合、イオンプレーティングにより薄膜を形成する際に、基板の温度が上昇することで成形体が変形してしまう恐れがあるため好ましくない。
【０００７】
この成形体としてはランプレンズリフレクター、ミラー、レンズ、プリズム等に用いられる板状成形体、球面あるいは非球面レンズ状成形体、液晶ディスプレイのバックライトの反射板、反射フィルム等に用いられるシート、フィルム等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【０００８】
本発明のポリカーボネート樹脂から成形体を得る方法としては、射出成形，圧縮成形，射出圧縮成形，押し出し成形、ブロー成形等が用いられる。フィルムやシートを製造する方法としては、例えば溶剤キャスト法、溶融押出し法、カレンダー法等が挙げられるが、効率的な方法としては溶融押出し法が好ましく用いられる。
本発明の成形品に用いられる薄膜の厚みは１ｎｍ〜３００ｎｍが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍがより好ましく、３０ｎｍ〜１５０ｎｍが最も好ましい。
【０００９】
成形品の密着性は成形板の蒸着面に１００個の碁盤目（１ｍｍ2）をつけ、碁盤目部分にセロファンテープを密着させ、次いで密着したセロファンテープを直角にかつ急激に剥離した際に剥離せずに残った碁盤目の目数の割合（％）で定義され、本願の成形品ではその密着性が８０％以上である事が好ましく、９５％以上であることがより好ましい。
【００１０】
また、本発明の成形品のうち反射機能を持った成形品は蒸着性の指標となる正反射率が８０％以上、拡散反射率が２．０％以下であることが好ましく、正反射率が８５％以上、拡散反射率が１．５％以下であることがより好ましい。基板が熱変形等を起こし拡散反射率が大きくなると表面が白濁したように観察されるため、正反射率が８０％以下、拡散反射率が２．０％以上であるとミラー等の反射機能を持った部品としては不適当である。
【００１１】
本発明のポリカーボネート樹脂からなる成形体に薄膜を形成する方法は、イオンプレーティング法である。
ここでイオンプレーティング法とは、物理蒸着において蒸発粒子をイオン化することにより、粒子の運動エネルギーを増加させ成膜する手法のことであり、高いエネルギーを持った原子が基板にあたるため、基板の温度が大きく上昇する。イオンプレーティング法としては、そのイオン化法などにより種々の方法があり、特に限定されるものではないが、例えば、直流放電励起法、多陰極熱電子照射法、高周波励起法（ＲＦ法）、ホローカソード法（ＨＣＤ法）、クラスターイオンビーム法（ＩＣＢ法）、活性化反応蒸着法（ＡＲＥ法）、マルチアーク方式（アーク放電，ＡＩＰ法）、イオンビームアシスト蒸着、電子ビーム励起プラズマイオンプレーティングなどの手法を挙げることができる。また、蒸着成分によってはプラズマガスに反応性ガスや有機モノマーガスを用いた、反応性イオンプレーティングも行うことができる。その中でも直流放電励起法、高周波励起法あるいはホローカソード法が好ましい。
【００１２】
なお、イオンプレーティング法を行った場合、薄膜を成形される成形体の表面温度はイオン化の条件などにもよるが、１５０℃を越えることも多い。
本発明の成形品にイオンプレーティングにより蒸着する薄膜成分としては、特に限定されるものではないが、例えば、Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｇ，Ａｕ，Ｆｅ，Ｇａ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｌａ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｎ，Ｒｅ，Ｓｒ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｐｔ，ＴｉＯ２，ＴｉＮ，ＴｉＣ，ＣｒＮ，Ａｌ２Ｏ３，ＡｌＮ，ＧａＮ，ＩＴＯ，ＺｎＯ，ＧａＡｓ，各種有機モノマーなどが挙げられる。
【００１３】
また、本発明の成形品にイオンプレーティングにより蒸着する反射膜としては、金属元素、例えば上記成分の中ではＡｌ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｕ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｐｔ等を単独で、あるいは複合させて用いることができる。そのうちＡｌおよびＡｕを単独で使用するか、もしくは０．５重量％以上１０重量％以下、特に好ましくは３．０重量％以上１０重量％以下のＴｉを含有するＡｌ合金、０．５重量％以上１０重量％以下のＣｒを含有するＡｌ合金を使用するのが好ましい。
【００１４】
本発明のポリカーボネート樹脂を用いた成形体にイオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品は、密着性が良好であるために、特に密着性を高めることを目的にアンダーコートや表面処理などを施すことなしに、直接蒸着することができるが、アンダーコートや表面処理を施した成形体を用いても差し支えない。この場合、アンダーコートとしてはシリコン系アンダーコート、アクリル系アンダーコート等が挙げられ、表面処理としてはプラズマ処理、溶剤による洗浄等を挙げることができる。
【００１５】
上記のポリカーボネート樹脂としては下記一般式[１]〜[４]で表される繰り返し単位を含む芳香族ポリカーボネート樹脂が好ましい。
【００１６】
【化１】
［式中、Ｒ１〜Ｒ４は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子である。］
【００１７】
【化２】
[式中、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子であり、またＲ９は炭素原子数１〜１２の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子であり、ｍは０〜１０の整数を示す。]
【００１８】
【化３】
[式中、Ｒ１０〜Ｒ１６は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子である。]
【００１９】
【化４】
[式中、Ｒ１７〜Ｒ２０は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子であり、またＲ２１は炭素原子数１〜１２の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子であり、ｎは０〜１４の整数を示す。]
その中でも下記一般式［１］
【００２０】
【化５】
［式中、Ｒ１〜Ｒ４は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子である。］
で表される繰り返し単位（Ａ）及び下記一般式［５］
【００２１】
【化６】
［式中、Ｒ２２〜Ｒ２５は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子であり、Ｗは単結合、炭素原子数１〜２０の芳香族基を含んでもよい炭化水素基、Ｏ、ＣＯ又はＣＯＯ基である。］
で表される繰り返し単位（Ｂ）よりなり、全カーボネート繰り返し単位における単位（Ａ）と単位（Ｂ）の割合がモル比で（Ａ）：（Ｂ）＝５：９５〜９５：５の範囲である芳香族ポリカーボネート共重合体を用いた成形体に、イオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品が好ましく使用される。
【００２２】
上記の共重合体は全カーボネート繰り返し単位における単位（Ａ）と単位（Ｂ）の割合がモル比で（Ａ）：（Ｂ）＝１５：８５〜６０：４０の範囲であるポリカーボネート共重合体であることが更に好ましい。
【００２３】
本発明のポリカーボネート共重合体において用いられる下記一般式［６］で表されるフルオレン系ビスフェノールとしては、例えば９，９―ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、下記式［７］で表される９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレン（ビスクレゾールフルオレン）、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−エチルフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）フルオレン等が挙げられ、中でも９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレンが好ましい。
【００２４】
【化７】
［式中、Ｒ１〜Ｒ４は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子である。］
【００２５】
【化８】
【００２６】
本発明のポリカーボネート共重合体において用いられる下記一般式［８］で表される他の芳香族ジヒドロキシ成分としては、通常芳香族ポリカーボネートのジヒドロキシ成分として使用されているものであればよく、例えば４，４′−ビフェノール、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（ビスフェノールＡ）、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン（ビスフェノールＣ）、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン（ビスフェノールＺ）、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペンタン、４，４′−（ｐ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール、α，α′−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼン（ビスフェノールＭ）、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−イソプロピルシクロヘキサンなどが挙げられ、なかでもビスフェノールＡ、ビスフェノールＣ、ビスフェノールＺ、ビスフェノールＭが好ましく、特にビスフェノールＡが好ましい。
【００２７】
【化９】
［式中、Ｒ２２〜Ｒ２５は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子であり、Ｗは単結合、炭素原子数１〜２０の芳香族基を含んでもよい炭化水素基、Ｏ、ＣＯ又はＣＯＯ基である。］
【００２８】
本発明のポリカーボネート樹脂は、本発明の趣旨を損なわない範囲で、芳香族ジカルボン酸、例えばテレフタル酸、イソフタル酸、ナフタレンジカルボン酸あるいはその誘導体を共重合したポリエステルカーボネートであってもよい。また少量の３官能化合物を共重合した分岐ポリカーボネートであってもよい。
【００２９】
本発明におけるポリカーボネート樹脂は、そのポリマーを塩化メチレンに溶解した溶液での２０℃における比粘度が０.２〜１．２の範囲が好ましく、０.２５〜１．０の範囲がより好ましく、０.２７〜０．８０の範囲がさらに好ましい。比粘度が上記範囲内であれば成形品やフィルムの強度が十分強く、溶融粘度および溶液粘度が適当で、取り扱いが容易であり好ましい。
【００３０】
本発明のポリカーボネート樹脂は、低分子量化合物が１．０％以下であることが好ましく、０．８％以下が更に好ましく、０．６％以下が特に好ましい。低分子化合物が１．０％を越えると、成形品の表面に存在する低分子化合物の量も必然的に増加し、このため蒸着した薄膜の密着性が損なわれてしまうため、好ましくない。なお、この低分子量化合物の含有率の値は下記方法により測定された値である。すなわち、東ソー（株）製、ＴＳＫｇｅｌＧ２０００ＨＸＬとＧ３０００ＨＸＬカラム各１本ずつ直列に繋いで溶離液としてクロロホルムを用い、流量０．７ｍｌ／分で安定化した後、該ポリカーボネート樹脂のクロロホルム溶液を注入する方法を用い、それにより得られた波長２５４ｎｍの光源で検出したＧＰＣチャートのリテンションタイムが１９分以降のピーク面積を合計した全ピーク面積に対する割合を低分子量化合物の含有率とした。
【００３１】
本発明のポリカーボネート樹脂は、通常のポリカーボネート樹脂を製造するそれ自体公知の反応手段、例えば芳香族ジヒドロキシ成分にホスゲンや炭酸ジエステルなどのカーボネート前駆物質を反応させる方法により製造される。次にこれらの製造方法について基本的な手段を簡単に説明する。
【００３２】
カーボネート前駆物質として、例えばホスゲンを使用する反応では、通常酸結合剤および溶媒の存在下に反応を行う。酸結合剤としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物またはピリジンなどのアミン化合物が用いられる。溶媒としては、例えば塩化メチレン、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素が用いられる。また反応促進のために例えば第三級アミンまたは第四級アンモニウム塩などの触媒を用いることもできる。その際、反応温度は通常０〜４０℃であり、反応時間は数分〜５時間である。
【００３３】
カーボネート前駆物質として炭酸ジエステルを用いるエステル交換反応は、不活性ガス雰囲気下所定割合の芳香族ジヒドロキシ成分を炭酸ジエステルと加熱しながら撹拌して、生成するアルコールまたはフェノール類を留出させる方法により行われる。反応温度は生成するアルコールまたはフェノール類の沸点などにより異なるが、通常１２０〜３００℃の範囲である。反応はその初期から減圧にして生成するアルコールまたはフェノール類を留出させながら反応を完結させる。
【００３４】
また、反応を促進するために通常エステル交換反応に使用される触媒を使用することもできる。前記エステル交換反応に使用される炭酸ジエステルとしては、例えばジフェニルカーボネート、ジナフチルカーボネート、ビス（ジフェニル）カーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、ジブチルカーボネートなどが挙げられる。これらのうち特にジフェニルカーボネートが好ましい。
【００３５】
本発明のポリカーボネート樹脂は、その重合反応において、末端停止剤として通常使用される単官能フェノール類を使用することができる。殊にカーボネート前駆物質としてホスゲンを使用する反応の場合、単官能フェノール類は末端停止剤として分子量調節のために一般的に使用され、また得られたポリカーボネート樹脂は、末端が単官能フェノール類に基づく基によって封鎖されているので、そうでないものと比べて熱安定性に優れている。
【００３６】
かかる単官能フェノール類としては、芳香族ポリカーボネート樹脂の末端停止剤として使用されるものであればよく、一般にはフェノール或いは低級アルキル置換フェノールであって、下記一般式で表される単官能フェノール類を示すことができる。
【００３７】
【化１０】
［式中、Ａは水素原子、炭素数１〜９の直鎖または分岐のアルキル基あるいはアリールアルキル基であり、ｒは１〜５、好ましくは１〜３の整数である。］
【００３８】
本発明において、前記ポリカーボネート樹脂に、リン酸、亜リン酸、ホスホン酸、亜ホスホン酸およびこれらのエステルよりなる群から選択された少なくとも１種のリン化合物が、その樹脂に対して０.０００１〜０.０５重量％、好ましくは０.０００５〜０.０２重量％、より好ましくは０.００１〜０.０１重量％の割合で配合することができる。このリン化合物を配合することにより、かかるポリカーボネート樹脂の熱安定性が向上し、成形時における分子量の低下や色相の悪化が防止される。なお、配合量が０.０００１重量％未満では上記効果が得られ難く、０.０５重量％を超えると、逆に該ポリカーボネート樹脂の熱安定性に悪影響を与え、また耐加水分解性も低下するので好ましくない。
【００３９】
また、本発明のポリカーボネート樹脂には、酸化防止の目的で通常知られた酸化防止剤を添加することができる。
さらに本発明のポリカーボネート樹脂には、必要に応じて一価または多価アルコールの高級脂肪酸エステルを加えることもできる。
かかるアルコールと高級脂肪酸とのエステルの配合量は、該ポリカーボネート樹脂に対して０.０１〜２重量％が好ましく、０.０１５〜０.５重量％がより好ましく、０.０２〜０.２重量％がさらに好ましい。配合量がこの範囲内であれば離型性に優れ、また離型剤がマイグレートし金属表面に付着することもなく好ましい。
【００４０】
本発明のポリカーボネート樹脂には、さらに着色剤、帯電防止剤、滑剤、拡散剤、充填剤などの添加剤や他のポリカーボネート樹脂、他の熱可塑性樹脂を本発明の目的を損なわない範囲で少割合添加することもできる。
【発明の効果】
【００４１】
本発明のポリカーボネート樹脂を用いた成形体にイオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品は、薄膜の外観が良好であり、また密着性が非常に高いため、液晶ディスプレイのバックライトの反射板、自動車等のランプレンズリフレクター、光学ミラー、プラスチックミラーなどの光反射機能をもった部品や、表面にイオンプレーティング法によりハードコートや反射防止コートや耐候性薄膜コートを施したレンズやプリズム等の光学部品や、成形板として好適に使用される。
【実施例】
【００４２】
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。実施例中、「部」は「重量部」を意味している。なお、評価は下記の方法により実施した。
【００４３】
（Ｉ）評価項目
（１）比粘度
ポリマー０.７ｇを１００ｍｌの塩化メチレンに溶解し２０℃の温度で測定した。
（２）ガラス転移点（Ｔｇ）
ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン（株）社製２９１０型ＤＳＣを使用し、昇温速度２０℃／ｍｉｎにて測定した。
（３）オリゴマー量
東ソー（株）製、ＴＳＫｇｅｌＧ２０００ＨＸＬとＧ３０００ＨＸＬカラム各１本ずつ直列に繋いで溶離液としてクロロホルムを用い、流量０．７ｍｌ／分で安定化した後、該ポリカーボネート樹脂のクロロホルム溶液を注入する方法を用い、それにより得られた波長２５４ｎｍの光源で検出したＧＰＣチャートのリテンションタイムが１９分以降のピーク面積の合計の全ピーク面積に対する割合を低分子量化合物の含有率（％）とした。
（４）溶融流動性
ＪＩＳ Ｋ−７２１０に準拠して、テクノセブン（株）製Ｌ２５１−１１型ＭＦＲ測定器を用いて、３００℃、荷重１．２ｋｇで１０分間に流出したポリマー量（ｃｍ３）で示した。
（５）蒸着性
実施例に記載の方法で作成したＡｌ膜を蒸着した成形角板を装置から取り出し、１時間室温にて静置した後、村上色彩技術研究所（株）製反射率計ＨＲ−１００を用いて全反射率と拡散反射率を測定し、その差を正反射率とする方法で調べた。
（６）密着性
蒸着性を評価した成形板のＡｌ蒸着面に１００個の碁盤目（１ｍｍ2）をつけ、碁盤目部分にセロファンテープを密着させ、次いで密着したセロファンテープを直角にかつ急激に剥離した。このとき剥離せずに残った碁盤目の目数を数え、全目数１００に対し何個残ったかで下記の判定を行った。
◎（塗膜密着性 最良）：残り目数１００〜９５個（ほとんど残っている）
○（塗膜密着性 良好）：残り目数９４〜８０個（部分的に剥離）
△（あまり密着していない）：残り目数７９〜５０（かなり剥離）
×（密着していない）：残り目数４９個以下（ほとんど剥離）
（７）耐熱性
実施例に記載した方法で作成したＡｌ膜を蒸着した成形角板を１４０℃にて２４時間放置した後、上記蒸着性、密着性の評価を行った。
【００４４】
（II）ポリカーボネート樹脂の合成
◎本発明のポリカーボネート共重合体の製造−その１
温度計、攪拌機、還流冷却器付き反応器にイオン交換水９７９０部、４８％水酸化ナトリウム水溶液２２４３部を入れ、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以下、ビスフェノールＡと略記することがある）１４１７部、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレン（以下、ビスクレゾールフルオレンと略記することがある）５８７部およびハイドロサルファイト６．８部を溶解し、塩化メチレン６６０５部を加えた後、攪拌しながら１８〜２２℃でホスゲン１０００部を６０分を要して吹き込んだ。ホスゲン吹き込み終了後、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール５２．４部と４８％水酸化ナトリウム水溶液３２０部を加え、さらにトリエチルアミン２．０部を添加して２４〜３２℃で４０分間攪拌して反応を終了した。反応終了後、生成物を塩化メチレンで希釈して水洗したのち塩酸酸性にして水洗し、水相の導電率がイオン交換水とほぼ同じになったところで、ニーダーにて塩化メチレンを蒸発して、ビスフェノールＡとビスクレゾールフルオレンの比がモル比で８０：２０の比粘度が０.３４０、Ｔｇが１６８℃である薄黄色のポリマー（“ＥＸ−ＰＣ１”と略する）２１４４部を得た（収率９５％）。
【００４５】
◎本発明のポリカーボネート共重合体の製造−その２
ビスフェノールＡを８８６部、ビスクレゾールフルオレンを１４６９部とする以外はＥＸ−ＰＣ１と同様の手順にて合成を行い、ビスフェノールＡとビスクレゾールフルオレンの比がモル比で５０：５０の比粘度が０.２９０、Ｔｇが１９７℃である薄黄色のポリマー（“ＥＸ−ＰＣ２”と略する）２４３０部を得た（収率９３％）。
【００４６】
◎本発明のポリカーボネート共重合体の製造−その３
温度計、攪拌機、還流冷却器付き反応器にイオン交換水９７９０部、４８％水酸化ナトリウム水溶液２２４３部を入れ、ビスフェノールＡ１０６２部、ビスクレゾールフルオレン１１７４部およびハイドロサルファイト６．８部を溶解し、塩化メチレン６６０５部を加えた後、攪拌しながら１８〜２２℃でホスゲン１０００部を６０分を要して吹き込んだ。ホスゲン吹き込み終了後、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール４６．６部と４８％水酸化ナトリウム水溶液３２０部を加え、さらにトリエチルアミン２．０部を添加して２４〜３２℃で４０分間攪拌して反応を終了した。反応終了後、生成物を塩化メチレンで希釈して水洗したのち塩酸酸性にして水洗し、水相の導電率がイオン交換水とほぼ同じになるまで水洗した。続いて、塩化メチレン相を濃縮してポリカーボネート濃度１０％の溶液を得、これに３倍量のイソプロパノールを加え、重合物を沈澱させた。沈殿物をろ過後、乾燥機にて乾燥してビスフェノールＡとビスクレゾールフルオレンの比がモル比で６０：４０の比粘度が０.３００、Ｔｇが１８８℃である薄黄色のポリマー（“ＥＸ−ＰＣ３”と略する）２１４２部を得た（収率８６％）。
【００４７】
◎本発明のポリカーボネート樹脂の製造−その４
温度計、撹拌機、還流冷却機付き反応器にイオン交換水９２００部、４８％水酸化ナトリウム水溶液１０５６部を仕込み、１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−５，７−ジメチルアダマンタン１５２０部、およびハイドロサルファイト３．２部を溶解し、塩化メチレン６４８０部を加え、撹拌しながら１５〜２５℃でホスゲン５６４部を６０分を要して吹込んだ。ホスゲン吹き込み終了後、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール２８．４部と４８％水酸化ナトリウム水溶液１１６部を添加し、さらにトリエチルアミン３．２部を添加して２８〜３３℃で２時間撹拌して反応を終了した。反応終了後、生成物を塩化メチレンで希釈して水洗したのち塩酸酸性にして水洗し、水相の導電率がイオン交換水とほぼ同じになったところでニーダーにて塩化メチレンを蒸発して、比粘度が０．２３６、Ｔｇが２４３℃あるポリマー（“ＥＸ−ＰＣ４”と略する）１６００部を得た（収率９８％）。
【００４８】
◎比較のためのポリカーボネート樹脂の製造
温度計、攪拌機、還流冷却器付き反応器にイオン交換水９４８６部、４８％水酸化ナトリウム水溶液１８１１部を入れ、ビスフェノールＡ２００３部、およびハイドロサルファイト７．６部を溶解し、塩化メチレン７４６６部を加えた後、攪拌しながら２０〜２３℃でホスゲン１０００部を６０分を要して吹き込んだ。ホスゲン吹き込み終了後、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール６５．９部と４８％水酸化ナトリウム水溶液３６２部を加え、さらにトリエチルアミン２．２部を添加して２５〜３２℃で４０分間攪拌して反応を終了した。反応終了後、生成物を塩化メチレンで希釈して水洗したのち塩酸酸性にして水洗し、水相の導電率がイオン交換水とほぼ同じになったところで、ニーダーにて塩化メチレンを蒸発して、比粘度が０.３６８、Ｔｇが１４７℃である白色のビスフェノールＡホモポリマー（“ＣＥＸ−ＰＣ１”と略する）２２１０部を得た（収率９６％）。
【００４９】
［実施例１〜５、比較例１〜２］
上記で得られたポリカーボネート共重合体及びポリカーボネート樹脂にトリス（２,４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト０．０５０％、ステアリン酸モノグリセリド０．０５０％加え、タンブラーを使用して均一に混合した後、３０ｍｍφベント付き二軸押出機（神戸製鋼（株）製ＫＴＸ−３０）により、シリンダー温度３００℃（実施例１〜４及び比較例１，２）または３２０℃（実施例５）、１０ｍｍＨｇの真空度で脱気しながらペレット化し、得られたペレットを１２０℃で５時間乾燥後、射出成形機（住友重機械工業（株）製ＳＧ１５０Ｕ型）を使用し、シリンダー温度３２０℃（実施例１〜４及び比較例１，２）または３４０℃（実施例５）、金型温度１００℃の条件で大きさ１００ｍｍ×１００ｍｍ、厚さ３ｍｍの試験用角板を作成した。
【００５０】
この見本板に下記の方法で真空蒸着法およびイオンプレーティング法によりアルミニウム薄膜を膜厚が９０〜１００ｎｍになるように形成した後、この成形品の蒸着性、密着性及び耐熱性を評価した。その結果を表１に示す。
○真空蒸着条件：真空度７．５×１０-6Ｔｏｒｒ、蒸発源Ｗワイヤー、処理時間１分間にて、アルミニウムを真空蒸着した。
○イオンプレーティング条件：高周波励起法により、アルゴンガス圧 １×１０-2Ｔｏｒｒ、高周波電力４００Ｗ、処理時間１分間にて、アルミニウムをターゲットとしイオンプレーティングを行った。このときイオンプレーティング処理直後の基板温度は１５０℃に達した（実施例１〜３、５，比較例１）。同様に高周波電力を４５０Ｗとした場合、イオンプレーティング処理直後の基板温度は１７０℃に達した（実施例４）。
【００５１】
【表１】
【００５２】
それぞれの比較で明らかな如く、本発明のポリカーボネート樹脂を用いた成形体にイオンプレーティング法にて薄膜を形成した成形品は、蒸着性及び密着性が良好である。
【００５３】
以下本発明の好ましい態様を例示する。
[項１]
ガラス転移温度が１５０℃以上であるポリカーボネート樹脂を用いた成形体に、イオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品。
【００５４】
[項２]
低分子量化合物が１．０％以下である項１記載のポリカーボネート樹脂を用いた成形体に、イオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品。
【００５５】
[項３]
薄膜の膜厚が１〜３００μｍである項１または２記載の成形品。
【００５６】
[項４]
イオンプレーティング法が直流放電励起法、高周波励起法あるいはホローカソード法である項１〜３のいずれかに記載の成形品。
【００５７】
[項５]
密着性が８０％以上である項１〜４のいずれかに記載の成形品。
【００５８】
[項６]
イオンプレーティング法により形成する薄膜が反射膜である項１〜５のいずれかに記載の成形品。
【００５９】
[項７]
成形品の正反射率が８０％以上である事を特徴とする項６記載の成形品。
【００６０】
[項８]
成形品の耐熱試験後の正反射率が８０％以上である事を特徴とする項５または６記載の成形品。
【００６１】
[項９]
ポリカーボネート樹脂が下記一般式[１]〜[４]で表される繰り返し単位を含む芳香族ポリカーボネート樹脂である項１〜８のいずれかに記載のイオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品。
【００６２】
【化１１】
［式中、Ｒ１〜Ｒ４は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子である。］
【００６３】
【化１２】
[式中、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子であり、またＲ９は炭素原子数１〜１２の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子であり、ｍは０〜１０の整数を示す。]
【００６４】
【化１３】
[式中、Ｒ１０〜Ｒ１６は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子である。]
【００６５】
【化１４】
[式中、Ｒ１７〜Ｒ２０は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子であり、またＲ２１は炭素原子数１〜１２の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子であり、ｎは０〜１４の整数を示す。]
【００６６】
[項１０]
ポリカーボネート樹脂が下記一般式［１］
【００６７】
【化１５】
［式中、Ｒ１〜Ｒ４は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子である。］
で表される繰り返し単位（Ａ）及び下記一般式［５］
【００６８】
【化１６】
［式中、Ｒ２２〜Ｒ２５は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子であり、Ｗは単結合、炭素原子数１〜２０の芳香族基を含んでもよい炭化水素基、Ｏ、ＣＯ又はＣＯＯ基である。］
で表される繰り返し単位（Ｂ）よりなり、全カーボネート繰り返し単位における単位（Ａ）と単位（Ｂ）の割合がモル比で（Ａ）：（Ｂ）＝５：９５〜９５：５の範囲である芳香族ポリカーボネート共重合体である項１〜９のいずれかに記載のイオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品。
【００６９】
[項１１]
全カーボネート繰り返し単位における単位（Ａ）と単位（Ｂ）の割合がモル比で（Ａ）：（Ｂ）＝１５：８５〜６０：４０の範囲である項１０記載の芳香族ポリカーボネート共重合体を用いた成形体に、イオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品。
【００７０】
[項１２]
繰り返し単位（Ａ）が下記式［６］で表される繰り返し単位である項１〜１１のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂を用いた成形体に、イオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品。
【００７１】
【化１７】
【００７２】
[項１３]
繰り返し単位（Ｂ）が下記式[７]及び／又は[８]で表される繰り返し単位である項１〜１２のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂を用いた成形体に、イオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品。
【００７３】
【化１８】
【００７４】
【化１９】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ポリカーボネート樹脂からなる成形体に薄膜を形成した成形品に関する。さらに詳しくは、ガラス転移温度が一定値以上のポリカーボネート樹脂、特に特定の組成の芳香族ジヒドロキシ成分からなるポリカーボネート樹脂を用いた成形体に、イオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ポリカーボネートはその耐熱性や機械特性、成形性、寸法安定性などのバランスに優れ、そのポリカーボネートからなる成形体に反射膜を形成した自動車等のランプレンズリフレクターや、光学ミラーといった成形品などにも広く使用されている。しかしながら、ポリカーボネートからなる成形体に単に蒸着を行うだけでは、形成した薄膜の十分な密着性を得ることは困難である。これを解決する為には、一般的には蒸着層の下に密着性を向上させるためのプライマー層を塗膜したり、成形品表面をプラズマ処理するなどの表面処理を行う必要があるが、設備やコストがかかることが大きな問題であり、簡便に且つ高い密着性が得られる薄膜形成の手法が求められている。
【０００３】
一方、薄膜形成には物理的蒸着やメッキ、浸漬、スプレーコーティング、スピンコーティングなどの方法があるが、このうち物理的蒸着法は、様々な種類の物質を均質且つ高い密度で薄膜化できるため、反射膜のほか、半導体層や絶縁膜、電極膜などの形成法として多岐に利用されている。物理蒸着には大きく分けて、真空蒸着、イオンプレーティング、スパッタリングがあり、中でもイオンプレーティングは蒸発原子をイオン化により加速させて成形体などの基板に打ち込むことにより、基板深く原子が入り込み、結果として形成した薄膜の密着性が高いという特徴がある。しかしながら、イオンプレーティング法は、高いエネルギーを持った原子が基板にあたるため、基板の温度が大きく上昇してしまい、基板が変形してしまうという問題があった。これを解決する方法として、イオンプレーティングの装置を改良することで、密着性を向上しようという提案がなされているが、大幅な設備変更が必要で、また基板温度が上昇するという根本的な問題は解決しないままであった（例えば特許文献１，２参照）。また、樹脂自身を改良することで密着性を改良しようとする提案もなされているが、熱安定性の低下により良好な成形品を得ることが困難であるという問題や、基板温度を上げることで変形が生じてしまう問題は解決できていなかった（例えば特許文献３〜５参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開平０５−３２０８８６号公報
【特許文献２】特開平１０−２５１８４５号公報
【特許文献３】特開平０５−２４７１９７号公報
【特許文献４】特開平０７−１７９５９１号公報
【特許文献５】特開２００３−４０９９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、薄膜密着性の向上したポリカーボネート樹脂からなる成形品を得ることにある。本発明者は、様々な検討を積み重ねた結果、ガラス転移温度が一定値以上のポリカーボネート樹脂、特に特定の組成の芳香族ジヒドロキシ成分からなるポリカーボネート樹脂を用いた成形体に、イオンプレーティング法により薄膜を形成することにより、上記目的が達成されることを見出し、本発明に到達した。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
すなわち、本発明によれば、ガラス転移温度が１５０℃以上であるポリカーボネート樹脂を用いた成形体に、イオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品が提供される。ポリカーボネート樹脂のガラス転移点は１６０℃以上であることがより好ましく、１６５℃以上であることがさらに好ましい。ガラス転移温度が１５０℃よりも低い場合、イオンプレーティングにより薄膜を形成する際に、基板の温度が上昇することで成形体が変形してしまう恐れがあるため好ましくない。
【０００７】
この成形体としてはランプレンズリフレクター、ミラー、レンズ、プリズム等に用いられる板状成形体、球面あるいは非球面レンズ状成形体、液晶ディスプレイのバックライトの反射板、反射フィルム等に用いられるシート、フィルム等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【０００８】
本発明のポリカーボネート樹脂から成形体を得る方法としては、射出成形，圧縮成形，射出圧縮成形，押し出し成形、ブロー成形等が用いられる。フィルムやシートを製造する方法としては、例えば溶剤キャスト法、溶融押出し法、カレンダー法等が挙げられるが、効率的な方法としては溶融押出し法が好ましく用いられる。
本発明の成形品に用いられる薄膜の厚みは１ｎｍ〜３００ｎｍが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍがより好ましく、３０ｎｍ〜１５０ｎｍが最も好ましい。
【０００９】
成形品の密着性は成形板の蒸着面に１００個の碁盤目（１ｍｍ2）をつけ、碁盤目部分にセロファンテープを密着させ、次いで密着したセロファンテープを直角にかつ急激に剥離した際に剥離せずに残った碁盤目の目数の割合（％）で定義され、本願の成形品ではその密着性が８０％以上である事が好ましく、９５％以上であることがより好ましい。
【００１０】
また、本発明の成形品のうち反射機能を持った成形品は蒸着性の指標となる正反射率が８０％以上、拡散反射率が２．０％以下であることが好ましく、正反射率が８５％以上、拡散反射率が１．５％以下であることがより好ましい。基板が熱変形等を起こし拡散反射率が大きくなると表面が白濁したように観察されるため、正反射率が８０％以下、拡散反射率が２．０％以上であるとミラー等の反射機能を持った部品としては不適当である。
【００１１】
本発明のポリカーボネート樹脂からなる成形体に薄膜を形成する方法は、イオンプレーティング法である。
ここでイオンプレーティング法とは、物理蒸着において蒸発粒子をイオン化することにより、粒子の運動エネルギーを増加させ成膜する手法のことであり、高いエネルギーを持った原子が基板にあたるため、基板の温度が大きく上昇する。イオンプレーティング法としては、そのイオン化法などにより種々の方法があり、特に限定されるものではないが、例えば、直流放電励起法、多陰極熱電子照射法、高周波励起法（ＲＦ法）、ホローカソード法（ＨＣＤ法）、クラスターイオンビーム法（ＩＣＢ法）、活性化反応蒸着法（ＡＲＥ法）、マルチアーク方式（アーク放電，ＡＩＰ法）、イオンビームアシスト蒸着、電子ビーム励起プラズマイオンプレーティングなどの手法を挙げることができる。また、蒸着成分によってはプラズマガスに反応性ガスや有機モノマーガスを用いた、反応性イオンプレーティングも行うことができる。その中でも直流放電励起法、高周波励起法あるいはホローカソード法が好ましい。
【００１２】
なお、イオンプレーティング法を行った場合、薄膜を成形される成形体の表面温度はイオン化の条件などにもよるが、１５０℃を越えることも多い。
本発明の成形品にイオンプレーティングにより蒸着する薄膜成分としては、特に限定されるものではないが、例えば、Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｇ，Ａｕ，Ｆｅ，Ｇａ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｌａ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｎ，Ｒｅ，Ｓｒ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｐｔ，ＴｉＯ２，ＴｉＮ，ＴｉＣ，ＣｒＮ，Ａｌ２Ｏ３，ＡｌＮ，ＧａＮ，ＩＴＯ，ＺｎＯ，ＧａＡｓ，各種有機モノマーなどが挙げられる。
【００１３】
また、本発明の成形品にイオンプレーティングにより蒸着する反射膜としては、金属元素、例えば上記成分の中ではＡｌ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｕ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｐｔ等を単独で、あるいは複合させて用いることができる。そのうちＡｌおよびＡｕを単独で使用するか、もしくは０．５重量％以上１０重量％以下、特に好ましくは３．０重量％以上１０重量％以下のＴｉを含有するＡｌ合金、０．５重量％以上１０重量％以下のＣｒを含有するＡｌ合金を使用するのが好ましい。
【００１４】
本発明のポリカーボネート樹脂を用いた成形体にイオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品は、密着性が良好であるために、特に密着性を高めることを目的にアンダーコートや表面処理などを施すことなしに、直接蒸着することができるが、アンダーコートや表面処理を施した成形体を用いても差し支えない。この場合、アンダーコートとしてはシリコン系アンダーコート、アクリル系アンダーコート等が挙げられ、表面処理としてはプラズマ処理、溶剤による洗浄等を挙げることができる。
【００１５】
上記のポリカーボネート樹脂としては下記一般式[１]〜[４]で表される繰り返し単位を含む芳香族ポリカーボネート樹脂が好ましい。
【００１６】
【化１】
［式中、Ｒ１〜Ｒ４は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子である。］
【００１７】
【化２】
[式中、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子であり、またＲ９は炭素原子数１〜１２の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子であり、ｍは０〜１０の整数を示す。]
【００１８】
【化３】
[式中、Ｒ１０〜Ｒ１６は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子である。]
【００１９】
【化４】
[式中、Ｒ１７〜Ｒ２０は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子であり、またＲ２１は炭素原子数１〜１２の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子であり、ｎは０〜１４の整数を示す。]
その中でも下記一般式［１］
【００２０】
【化５】
［式中、Ｒ１〜Ｒ４は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子である。］
で表される繰り返し単位（Ａ）及び下記一般式［５］
【００２１】
【化６】
［式中、Ｒ２２〜Ｒ２５は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子であり、Ｗは単結合、炭素原子数１〜２０の芳香族基を含んでもよい炭化水素基、Ｏ、ＣＯ又はＣＯＯ基である。］
で表される繰り返し単位（Ｂ）よりなり、全カーボネート繰り返し単位における単位（Ａ）と単位（Ｂ）の割合がモル比で（Ａ）：（Ｂ）＝５：９５〜９５：５の範囲である芳香族ポリカーボネート共重合体を用いた成形体に、イオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品が好ましく使用される。
【００２２】
上記の共重合体は全カーボネート繰り返し単位における単位（Ａ）と単位（Ｂ）の割合がモル比で（Ａ）：（Ｂ）＝１５：８５〜６０：４０の範囲であるポリカーボネート共重合体であることが更に好ましい。
【００２３】
本発明のポリカーボネート共重合体において用いられる下記一般式［６］で表されるフルオレン系ビスフェノールとしては、例えば９，９―ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、下記式［７］で表される９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレン（ビスクレゾールフルオレン）、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−エチルフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）フルオレン等が挙げられ、中でも９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレンが好ましい。
【００２４】
【化７】
［式中、Ｒ１〜Ｒ４は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子である。］
【００２５】
【化８】
【００２６】
本発明のポリカーボネート共重合体において用いられる下記一般式［８］で表される他の芳香族ジヒドロキシ成分としては、通常芳香族ポリカーボネートのジヒドロキシ成分として使用されているものであればよく、例えば４，４′−ビフェノール、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（ビスフェノールＡ）、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン（ビスフェノールＣ）、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン（ビスフェノールＺ）、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペンタン、４，４′−（ｐ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール、α，α′−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼン（ビスフェノールＭ）、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−イソプロピルシクロヘキサンなどが挙げられ、なかでもビスフェノールＡ、ビスフェノールＣ、ビスフェノールＺ、ビスフェノールＭが好ましく、特にビスフェノールＡが好ましい。
【００２７】
【化９】
［式中、Ｒ２２〜Ｒ２５は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子であり、Ｗは単結合、炭素原子数１〜２０の芳香族基を含んでもよい炭化水素基、Ｏ、ＣＯ又はＣＯＯ基である。］
【００２８】
本発明のポリカーボネート樹脂は、本発明の趣旨を損なわない範囲で、芳香族ジカルボン酸、例えばテレフタル酸、イソフタル酸、ナフタレンジカルボン酸あるいはその誘導体を共重合したポリエステルカーボネートであってもよい。また少量の３官能化合物を共重合した分岐ポリカーボネートであってもよい。
【００２９】
本発明におけるポリカーボネート樹脂は、そのポリマーを塩化メチレンに溶解した溶液での２０℃における比粘度が０.２〜１．２の範囲が好ましく、０.２５〜１．０の範囲がより好ましく、０.２７〜０．８０の範囲がさらに好ましい。比粘度が上記範囲内であれば成形品やフィルムの強度が十分強く、溶融粘度および溶液粘度が適当で、取り扱いが容易であり好ましい。
【００３０】
本発明のポリカーボネート樹脂は、低分子量化合物が１．０％以下であることが好ましく、０．８％以下が更に好ましく、０．６％以下が特に好ましい。低分子化合物が１．０％を越えると、成形品の表面に存在する低分子化合物の量も必然的に増加し、このため蒸着した薄膜の密着性が損なわれてしまうため、好ましくない。なお、この低分子量化合物の含有率の値は下記方法により測定された値である。すなわち、東ソー（株）製、ＴＳＫｇｅｌＧ２０００ＨＸＬとＧ３０００ＨＸＬカラム各１本ずつ直列に繋いで溶離液としてクロロホルムを用い、流量０．７ｍｌ／分で安定化した後、該ポリカーボネート樹脂のクロロホルム溶液を注入する方法を用い、それにより得られた波長２５４ｎｍの光源で検出したＧＰＣチャートのリテンションタイムが１９分以降のピーク面積を合計した全ピーク面積に対する割合を低分子量化合物の含有率とした。
【００３１】
本発明のポリカーボネート樹脂は、通常のポリカーボネート樹脂を製造するそれ自体公知の反応手段、例えば芳香族ジヒドロキシ成分にホスゲンや炭酸ジエステルなどのカーボネート前駆物質を反応させる方法により製造される。次にこれらの製造方法について基本的な手段を簡単に説明する。
【００３２】
カーボネート前駆物質として、例えばホスゲンを使用する反応では、通常酸結合剤および溶媒の存在下に反応を行う。酸結合剤としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物またはピリジンなどのアミン化合物が用いられる。溶媒としては、例えば塩化メチレン、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素が用いられる。また反応促進のために例えば第三級アミンまたは第四級アンモニウム塩などの触媒を用いることもできる。その際、反応温度は通常０〜４０℃であり、反応時間は数分〜５時間である。
【００３３】
カーボネート前駆物質として炭酸ジエステルを用いるエステル交換反応は、不活性ガス雰囲気下所定割合の芳香族ジヒドロキシ成分を炭酸ジエステルと加熱しながら撹拌して、生成するアルコールまたはフェノール類を留出させる方法により行われる。反応温度は生成するアルコールまたはフェノール類の沸点などにより異なるが、通常１２０〜３００℃の範囲である。反応はその初期から減圧にして生成するアルコールまたはフェノール類を留出させながら反応を完結させる。
【００３４】
また、反応を促進するために通常エステル交換反応に使用される触媒を使用することもできる。前記エステル交換反応に使用される炭酸ジエステルとしては、例えばジフェニルカーボネート、ジナフチルカーボネート、ビス（ジフェニル）カーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、ジブチルカーボネートなどが挙げられる。これらのうち特にジフェニルカーボネートが好ましい。
【００３５】
本発明のポリカーボネート樹脂は、その重合反応において、末端停止剤として通常使用される単官能フェノール類を使用することができる。殊にカーボネート前駆物質としてホスゲンを使用する反応の場合、単官能フェノール類は末端停止剤として分子量調節のために一般的に使用され、また得られたポリカーボネート樹脂は、末端が単官能フェノール類に基づく基によって封鎖されているので、そうでないものと比べて熱安定性に優れている。
【００３６】
かかる単官能フェノール類としては、芳香族ポリカーボネート樹脂の末端停止剤として使用されるものであればよく、一般にはフェノール或いは低級アルキル置換フェノールであって、下記一般式で表される単官能フェノール類を示すことができる。
【００３７】
【化１０】
［式中、Ａは水素原子、炭素数１〜９の直鎖または分岐のアルキル基あるいはアリールアルキル基であり、ｒは１〜５、好ましくは１〜３の整数である。］
【００３８】
本発明において、前記ポリカーボネート樹脂に、リン酸、亜リン酸、ホスホン酸、亜ホスホン酸およびこれらのエステルよりなる群から選択された少なくとも１種のリン化合物が、その樹脂に対して０.０００１〜０.０５重量％、好ましくは０.０００５〜０.０２重量％、より好ましくは０.００１〜０.０１重量％の割合で配合することができる。このリン化合物を配合することにより、かかるポリカーボネート樹脂の熱安定性が向上し、成形時における分子量の低下や色相の悪化が防止される。なお、配合量が０.０００１重量％未満では上記効果が得られ難く、０.０５重量％を超えると、逆に該ポリカーボネート樹脂の熱安定性に悪影響を与え、また耐加水分解性も低下するので好ましくない。
【００３９】
また、本発明のポリカーボネート樹脂には、酸化防止の目的で通常知られた酸化防止剤を添加することができる。
さらに本発明のポリカーボネート樹脂には、必要に応じて一価または多価アルコールの高級脂肪酸エステルを加えることもできる。
かかるアルコールと高級脂肪酸とのエステルの配合量は、該ポリカーボネート樹脂に対して０.０１〜２重量％が好ましく、０.０１５〜０.５重量％がより好ましく、０.０２〜０.２重量％がさらに好ましい。配合量がこの範囲内であれば離型性に優れ、また離型剤がマイグレートし金属表面に付着することもなく好ましい。
【００４０】
本発明のポリカーボネート樹脂には、さらに着色剤、帯電防止剤、滑剤、拡散剤、充填剤などの添加剤や他のポリカーボネート樹脂、他の熱可塑性樹脂を本発明の目的を損なわない範囲で少割合添加することもできる。
【発明の効果】
【００４１】
本発明のポリカーボネート樹脂を用いた成形体にイオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品は、薄膜の外観が良好であり、また密着性が非常に高いため、液晶ディスプレイのバックライトの反射板、自動車等のランプレンズリフレクター、光学ミラー、プラスチックミラーなどの光反射機能をもった部品や、表面にイオンプレーティング法によりハードコートや反射防止コートや耐候性薄膜コートを施したレンズやプリズム等の光学部品や、成形板として好適に使用される。
【実施例】
【００４２】
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。実施例中、「部」は「重量部」を意味している。なお、評価は下記の方法により実施した。
【００４３】
（Ｉ）評価項目
（１）比粘度
ポリマー０.７ｇを１００ｍｌの塩化メチレンに溶解し２０℃の温度で測定した。
（２）ガラス転移点（Ｔｇ）
ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン（株）社製２９１０型ＤＳＣを使用し、昇温速度２０℃／ｍｉｎにて測定した。
（３）オリゴマー量
東ソー（株）製、ＴＳＫｇｅｌＧ２０００ＨＸＬとＧ３０００ＨＸＬカラム各１本ずつ直列に繋いで溶離液としてクロロホルムを用い、流量０．７ｍｌ／分で安定化した後、該ポリカーボネート樹脂のクロロホルム溶液を注入する方法を用い、それにより得られた波長２５４ｎｍの光源で検出したＧＰＣチャートのリテンションタイムが１９分以降のピーク面積の合計の全ピーク面積に対する割合を低分子量化合物の含有率（％）とした。
（４）溶融流動性
ＪＩＳ Ｋ−７２１０に準拠して、テクノセブン（株）製Ｌ２５１−１１型ＭＦＲ測定器を用いて、３００℃、荷重１．２ｋｇで１０分間に流出したポリマー量（ｃｍ３）で示した。
（５）蒸着性
実施例に記載の方法で作成したＡｌ膜を蒸着した成形角板を装置から取り出し、１時間室温にて静置した後、村上色彩技術研究所（株）製反射率計ＨＲ−１００を用いて全反射率と拡散反射率を測定し、その差を正反射率とする方法で調べた。
（６）密着性
蒸着性を評価した成形板のＡｌ蒸着面に１００個の碁盤目（１ｍｍ2）をつけ、碁盤目部分にセロファンテープを密着させ、次いで密着したセロファンテープを直角にかつ急激に剥離した。このとき剥離せずに残った碁盤目の目数を数え、全目数１００に対し何個残ったかで下記の判定を行った。
◎（塗膜密着性 最良）：残り目数１００〜９５個（ほとんど残っている）
○（塗膜密着性 良好）：残り目数９４〜８０個（部分的に剥離）
△（あまり密着していない）：残り目数７９〜５０（かなり剥離）
×（密着していない）：残り目数４９個以下（ほとんど剥離）
（７）耐熱性
実施例に記載した方法で作成したＡｌ膜を蒸着した成形角板を１４０℃にて２４時間放置した後、上記蒸着性、密着性の評価を行った。
【００４４】
（II）ポリカーボネート樹脂の合成
◎本発明のポリカーボネート共重合体の製造−その１
温度計、攪拌機、還流冷却器付き反応器にイオン交換水９７９０部、４８％水酸化ナトリウム水溶液２２４３部を入れ、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以下、ビスフェノールＡと略記することがある）１４１７部、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレン（以下、ビスクレゾールフルオレンと略記することがある）５８７部およびハイドロサルファイト６．８部を溶解し、塩化メチレン６６０５部を加えた後、攪拌しながら１８〜２２℃でホスゲン１０００部を６０分を要して吹き込んだ。ホスゲン吹き込み終了後、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール５２．４部と４８％水酸化ナトリウム水溶液３２０部を加え、さらにトリエチルアミン２．０部を添加して２４〜３２℃で４０分間攪拌して反応を終了した。反応終了後、生成物を塩化メチレンで希釈して水洗したのち塩酸酸性にして水洗し、水相の導電率がイオン交換水とほぼ同じになったところで、ニーダーにて塩化メチレンを蒸発して、ビスフェノールＡとビスクレゾールフルオレンの比がモル比で８０：２０の比粘度が０.３４０、Ｔｇが１６８℃である薄黄色のポリマー（“ＥＸ−ＰＣ１”と略する）２１４４部を得た（収率９５％）。
【００４５】
◎本発明のポリカーボネート共重合体の製造−その２
ビスフェノールＡを８８６部、ビスクレゾールフルオレンを１４６９部とする以外はＥＸ−ＰＣ１と同様の手順にて合成を行い、ビスフェノールＡとビスクレゾールフルオレンの比がモル比で５０：５０の比粘度が０.２９０、Ｔｇが１９７℃である薄黄色のポリマー（“ＥＸ−ＰＣ２”と略する）２４３０部を得た（収率９３％）。
【００４６】
◎本発明のポリカーボネート共重合体の製造−その３
温度計、攪拌機、還流冷却器付き反応器にイオン交換水９７９０部、４８％水酸化ナトリウム水溶液２２４３部を入れ、ビスフェノールＡ１０６２部、ビスクレゾールフルオレン１１７４部およびハイドロサルファイト６．８部を溶解し、塩化メチレン６６０５部を加えた後、攪拌しながら１８〜２２℃でホスゲン１０００部を６０分を要して吹き込んだ。ホスゲン吹き込み終了後、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール４６．６部と４８％水酸化ナトリウム水溶液３２０部を加え、さらにトリエチルアミン２．０部を添加して２４〜３２℃で４０分間攪拌して反応を終了した。反応終了後、生成物を塩化メチレンで希釈して水洗したのち塩酸酸性にして水洗し、水相の導電率がイオン交換水とほぼ同じになるまで水洗した。続いて、塩化メチレン相を濃縮してポリカーボネート濃度１０％の溶液を得、これに３倍量のイソプロパノールを加え、重合物を沈澱させた。沈殿物をろ過後、乾燥機にて乾燥してビスフェノールＡとビスクレゾールフルオレンの比がモル比で６０：４０の比粘度が０.３００、Ｔｇが１８８℃である薄黄色のポリマー（“ＥＸ−ＰＣ３”と略する）２１４２部を得た（収率８６％）。
【００４７】
◎本発明のポリカーボネート樹脂の製造−その４
温度計、撹拌機、還流冷却機付き反応器にイオン交換水９２００部、４８％水酸化ナトリウム水溶液１０５６部を仕込み、１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−５，７−ジメチルアダマンタン１５２０部、およびハイドロサルファイト３．２部を溶解し、塩化メチレン６４８０部を加え、撹拌しながら１５〜２５℃でホスゲン５６４部を６０分を要して吹込んだ。ホスゲン吹き込み終了後、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール２８．４部と４８％水酸化ナトリウム水溶液１１６部を添加し、さらにトリエチルアミン３．２部を添加して２８〜３３℃で２時間撹拌して反応を終了した。反応終了後、生成物を塩化メチレンで希釈して水洗したのち塩酸酸性にして水洗し、水相の導電率がイオン交換水とほぼ同じになったところでニーダーにて塩化メチレンを蒸発して、比粘度が０．２３６、Ｔｇが２４３℃あるポリマー（“ＥＸ−ＰＣ４”と略する）１６００部を得た（収率９８％）。
【００４８】
◎比較のためのポリカーボネート樹脂の製造
温度計、攪拌機、還流冷却器付き反応器にイオン交換水９４８６部、４８％水酸化ナトリウム水溶液１８１１部を入れ、ビスフェノールＡ２００３部、およびハイドロサルファイト７．６部を溶解し、塩化メチレン７４６６部を加えた後、攪拌しながら２０〜２３℃でホスゲン１０００部を６０分を要して吹き込んだ。ホスゲン吹き込み終了後、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール６５．９部と４８％水酸化ナトリウム水溶液３６２部を加え、さらにトリエチルアミン２．２部を添加して２５〜３２℃で４０分間攪拌して反応を終了した。反応終了後、生成物を塩化メチレンで希釈して水洗したのち塩酸酸性にして水洗し、水相の導電率がイオン交換水とほぼ同じになったところで、ニーダーにて塩化メチレンを蒸発して、比粘度が０.３６８、Ｔｇが１４７℃である白色のビスフェノールＡホモポリマー（“ＣＥＸ−ＰＣ１”と略する）２２１０部を得た（収率９６％）。
【００４９】
［実施例１〜５、比較例１〜２］
上記で得られたポリカーボネート共重合体及びポリカーボネート樹脂にトリス（２,４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト０．０５０％、ステアリン酸モノグリセリド０．０５０％加え、タンブラーを使用して均一に混合した後、３０ｍｍφベント付き二軸押出機（神戸製鋼（株）製ＫＴＸ−３０）により、シリンダー温度３００℃（実施例１〜４及び比較例１，２）または３２０℃（実施例５）、１０ｍｍＨｇの真空度で脱気しながらペレット化し、得られたペレットを１２０℃で５時間乾燥後、射出成形機（住友重機械工業（株）製ＳＧ１５０Ｕ型）を使用し、シリンダー温度３２０℃（実施例１〜４及び比較例１，２）または３４０℃（実施例５）、金型温度１００℃の条件で大きさ１００ｍｍ×１００ｍｍ、厚さ３ｍｍの試験用角板を作成した。
【００５０】
この見本板に下記の方法で真空蒸着法およびイオンプレーティング法によりアルミニウム薄膜を膜厚が９０〜１００ｎｍになるように形成した後、この成形品の蒸着性、密着性及び耐熱性を評価した。その結果を表１に示す。
○真空蒸着条件：真空度７．５×１０-6Ｔｏｒｒ、蒸発源Ｗワイヤー、処理時間１分間にて、アルミニウムを真空蒸着した。
○イオンプレーティング条件：高周波励起法により、アルゴンガス圧 １×１０-2Ｔｏｒｒ、高周波電力４００Ｗ、処理時間１分間にて、アルミニウムをターゲットとしイオンプレーティングを行った。このときイオンプレーティング処理直後の基板温度は１５０℃に達した（実施例１〜３、５，比較例１）。同様に高周波電力を４５０Ｗとした場合、イオンプレーティング処理直後の基板温度は１７０℃に達した（実施例４）。
【００５１】
【表１】
【００５２】
それぞれの比較で明らかな如く、本発明のポリカーボネート樹脂を用いた成形体にイオンプレーティング法にて薄膜を形成した成形品は、蒸着性及び密着性が良好である。
【００５３】
以下本発明の好ましい態様を例示する。
[項１]
ガラス転移温度が１５０℃以上であるポリカーボネート樹脂を用いた成形体に、イオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品。
【００５４】
[項２]
低分子量化合物が１．０％以下である項１記載のポリカーボネート樹脂を用いた成形体に、イオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品。
【００５５】
[項３]
薄膜の膜厚が１〜３００μｍである項１または２記載の成形品。
【００５６】
[項４]
イオンプレーティング法が直流放電励起法、高周波励起法あるいはホローカソード法である項１〜３のいずれかに記載の成形品。
【００５７】
[項５]
密着性が８０％以上である項１〜４のいずれかに記載の成形品。
【００５８】
[項６]
イオンプレーティング法により形成する薄膜が反射膜である項１〜５のいずれかに記載の成形品。
【００５９】
[項７]
成形品の正反射率が８０％以上である事を特徴とする項６記載の成形品。
【００６０】
[項８]
成形品の耐熱試験後の正反射率が８０％以上である事を特徴とする項５または６記載の成形品。
【００６１】
[項９]
ポリカーボネート樹脂が下記一般式[１]〜[４]で表される繰り返し単位を含む芳香族ポリカーボネート樹脂である項１〜８のいずれかに記載のイオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品。
【００６２】
【化１１】
［式中、Ｒ１〜Ｒ４は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子である。］
【００６３】
【化１２】
[式中、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子であり、またＲ９は炭素原子数１〜１２の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子であり、ｍは０〜１０の整数を示す。]
【００６４】
【化１３】
[式中、Ｒ１０〜Ｒ１６は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子である。]
【００６５】
【化１４】
[式中、Ｒ１７〜Ｒ２０は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子であり、またＲ２１は炭素原子数１〜１２の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子であり、ｎは０〜１４の整数を示す。]
【００６６】
[項１０]
ポリカーボネート樹脂が下記一般式［１］
【００６７】
【化１５】
［式中、Ｒ１〜Ｒ４は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子である。］
で表される繰り返し単位（Ａ）及び下記一般式［５］
【００６８】
【化１６】
［式中、Ｒ２２〜Ｒ２５は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子であり、Ｗは単結合、炭素原子数１〜２０の芳香族基を含んでもよい炭化水素基、Ｏ、ＣＯ又はＣＯＯ基である。］
で表される繰り返し単位（Ｂ）よりなり、全カーボネート繰り返し単位における単位（Ａ）と単位（Ｂ）の割合がモル比で（Ａ）：（Ｂ）＝５：９５〜９５：５の範囲である芳香族ポリカーボネート共重合体である項１〜９のいずれかに記載のイオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品。
【００６９】
[項１１]
全カーボネート繰り返し単位における単位（Ａ）と単位（Ｂ）の割合がモル比で（Ａ）：（Ｂ）＝１５：８５〜６０：４０の範囲である項１０記載の芳香族ポリカーボネート共重合体を用いた成形体に、イオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品。
【００７０】
[項１２]
繰り返し単位（Ａ）が下記式［６］で表される繰り返し単位である項１〜１１のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂を用いた成形体に、イオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品。
【００７１】
【化１７】
【００７２】
[項１３]
繰り返し単位（Ｂ）が下記式[７]及び／又は[８]で表される繰り返し単位である項１〜１２のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂を用いた成形体に、イオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品。
【００７３】
【化１８】
【００７４】
【化１９】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス転移温度が１５０℃以上であるポリカーボネート樹脂を用いた成形体に、イオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品。
【請求項２】
ポリカーボネート樹脂が下記一般式[１]〜[４]で表される繰り返し単位を含む芳香族ポリカーボネート樹脂である請求項１記載のイオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品。
【化１】
［式中、Ｒ１〜Ｒ４は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子である。］
【化２】
[式中、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子であり、またＲ９は炭素原子数１〜１２の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子であり、ｍは０〜１０の整数を示す。]
【化３】
[式中、Ｒ１０〜Ｒ１６は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子である。]
【化４】
[式中、Ｒ１７〜Ｒ２０は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子であり、またＲ２１は炭素原子数１〜１２の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子であり、ｎは０〜１４の整数を示す。]
【請求項３】
ポリカーボネート樹脂が下記一般式［１］
【化５】
［式中、Ｒ１〜Ｒ４は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子である。］
で表される繰り返し単位（Ａ）及び下記一般式［５］
【化６】
［式中、Ｒ２２〜Ｒ２５は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子であり、Ｗは単結合、炭素原子数１〜２０の芳香族基を含んでもよい炭化水素基、Ｏ、ＣＯ又はＣＯＯ基である。］
で表される繰り返し単位（Ｂ）よりなり、全カーボネート繰り返し単位における単位（Ａ）と単位（Ｂ）の割合がモル比で（Ａ）：（Ｂ）＝５：９５〜９５：５の範囲である芳香族ポリカーボネート共重合体である請求項１又は２に記載のイオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品。
【請求項４】
全カーボネート繰り返し単位における単位（Ａ）と単位（Ｂ）の割合がモル比で（Ａ）：（Ｂ）＝１５：８５〜６０：４０の範囲である請求項３記載の芳香族ポリカーボネート共重合体を用いた成形体に、イオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品。
【請求項５】
繰り返し単位（Ａ）が下記式［６］で表される繰り返し単位である請求項３又は４に記載の芳香族ポリカーボネート共重合体を用いた成形体に、イオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品。
【化７】
【請求項６】
繰り返し単位（Ｂ）が下記式[７]及び／又は[８]で表される繰り返し単位である請求項３〜５のいずれかに記載の芳香族ポリカーボネート共重合体を用いた成形体に、イオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品。
【化８】
【化９】
【請求項７】
低分子量化合物が１．０％以下である請求項１〜６のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂を用いた成形体に、イオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品。
【請求項８】
イオンプレーティング法が直流放電励起法、高周波励起法あるいはホローカソード法である請求項１〜７のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂を用いた成形体に、イオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品。
【請求項９】
イオンプレーティング法により形成する薄膜が反射膜である請求項１〜８のいずれかに記載の成形品。
【請求項１】
ガラス転移温度が１５０℃以上であるポリカーボネート樹脂を用いた成形体に、イオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品。
【請求項２】
ポリカーボネート樹脂が下記一般式[１]〜[４]で表される繰り返し単位を含む芳香族ポリカーボネート樹脂である請求項１記載のイオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品。
【化１】
［式中、Ｒ１〜Ｒ４は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子である。］
【化２】
[式中、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子であり、またＲ９は炭素原子数１〜１２の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子であり、ｍは０〜１０の整数を示す。]
【化３】
[式中、Ｒ１０〜Ｒ１６は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子である。]
【化４】
[式中、Ｒ１７〜Ｒ２０は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子であり、またＲ２１は炭素原子数１〜１２の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子であり、ｎは０〜１４の整数を示す。]
【請求項３】
ポリカーボネート樹脂が下記一般式［１］
【化５】
［式中、Ｒ１〜Ｒ４は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子である。］
で表される繰り返し単位（Ａ）及び下記一般式［５］
【化６】
［式中、Ｒ２２〜Ｒ２５は夫々独立して水素原子、炭素原子数１〜９の芳香族基を含んでもよい炭化水素基又はハロゲン原子であり、Ｗは単結合、炭素原子数１〜２０の芳香族基を含んでもよい炭化水素基、Ｏ、ＣＯ又はＣＯＯ基である。］
で表される繰り返し単位（Ｂ）よりなり、全カーボネート繰り返し単位における単位（Ａ）と単位（Ｂ）の割合がモル比で（Ａ）：（Ｂ）＝５：９５〜９５：５の範囲である芳香族ポリカーボネート共重合体である請求項１又は２に記載のイオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品。
【請求項４】
全カーボネート繰り返し単位における単位（Ａ）と単位（Ｂ）の割合がモル比で（Ａ）：（Ｂ）＝１５：８５〜６０：４０の範囲である請求項３記載の芳香族ポリカーボネート共重合体を用いた成形体に、イオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品。
【請求項５】
繰り返し単位（Ａ）が下記式［６］で表される繰り返し単位である請求項３又は４に記載の芳香族ポリカーボネート共重合体を用いた成形体に、イオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品。
【化７】
【請求項６】
繰り返し単位（Ｂ）が下記式[７]及び／又は[８]で表される繰り返し単位である請求項３〜５のいずれかに記載の芳香族ポリカーボネート共重合体を用いた成形体に、イオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品。
【化８】
【化９】
【請求項７】
低分子量化合物が１．０％以下である請求項１〜６のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂を用いた成形体に、イオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品。
【請求項８】
イオンプレーティング法が直流放電励起法、高周波励起法あるいはホローカソード法である請求項１〜７のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂を用いた成形体に、イオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品。
【請求項９】
イオンプレーティング法により形成する薄膜が反射膜である請求項１〜８のいずれかに記載の成形品。
【公開番号】特開２００６−２０５４３２（Ｐ２００６−２０５４３２Ａ）
【公開日】平成１８年８月１０日（２００６．８．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−１８０２７（Ｐ２００５−１８０２７）
【出願日】平成１７年１月２６日（２００５．１．２６）
【出願人】（０００２１５８８８）帝人化成株式会社 (504)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年８月１０日（２００６．８．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１月２６日（２００５．１．２６）
【出願人】（０００２１５８８８）帝人化成株式会社 (504)
【Ｆターム（参考）】
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