【課題】連続的に多数の基板を成膜するのに適した基板搬送機構を真空槽内部に備えた下方蒸着装置を提供する。
【解決手段】本発明の蒸着装置は、真空槽、真空槽内で基板を格納位置と成膜位置の間で移動させる搬送機構、及び真空槽内に配置され成膜位置の上方から蒸着材料を蒸発させる蒸発源を備え、搬送機構は、開口部を有し水平方向に延在する中空体からなる水平経路、水平経路内で、格納位置と開口部の直下である方向転換位置との間で基板を移動させる水平搬送手段、及び基板を方向転換位置と成膜位置の間で移動させる昇降可能な基板ステージを備える。 （もっと読む）

【課題】高品質な膜の形成を可能とできるプラズマ成膜方法を提供する。
【解決手段】プラズマ状態とし、重畳バイアス電圧をバイアス電圧印加部１１に印加し、マイナス電圧区間ではイオンがワーク１４に衝突して該ワーク表面に膜層を形成して行き、プラス電圧区間５３では前記膜層の弱い付着力のイオンは該膜層から離れ移動し、かつ、電子が前記膜層に衝突して弱い付着力のイオンおよび該膜層の一部を剥がし、強付着力の膜による第１回目強付着膜層を残し、マイナス電圧区間とプラス電圧区間を繰り返すことにより、前記第１回目強付着膜層〜前記第ｎ回目強付着膜層からなる多層膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】透明性及びガスバリア性に優れた薄膜の製造方法、該薄膜の形成に好適な共蒸着用蒸着材、該方法により得られる薄膜、該薄膜を備える薄膜シート並びに積層シートを提供する。
【解決手段】本発明の薄膜の製造方法は、第１酸化物からなる昇華性蒸着材と第２酸化物からなる溶融性蒸着材を用い、真空成膜法によって同時に蒸着する共蒸着法により、基材上に第１酸化物及び第２酸化物から構成された酸化物薄膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系半導体層の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）基板上方に、（Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘ）_３Ｎ_２（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜を成長させる工程と、（ｂ）前記の（Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘ）_３Ｎ_２（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜を、４００℃以下で、活性酸素により酸化して、Ｍｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ≦０．６）単結晶膜を形成する工程と、（ｃ）工程（ａ）及び（ｂ）を繰り返して、Ｍｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ≦０．６）単結晶膜を積層する工程とを有するＺｎＯ系半導体層の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】材料の蒸発速度とプラズマ密度を自由に設定し、成膜速度に対するガスバリア性を自由に設定出来、酸素バリア性および水蒸気バリア性に優れた、透明、もしくは半透明なガスバリア性フィルムを作成し、それを用いた加熱殺菌用包装材料を提供する。
【解決手段】ガスバリアフィルム（１０，１１）、接着層（１３）、ナイロンフィルム（１４）、接着層（１５）およびヒートシール性樹脂（１６）がこの順で積層された加圧加熱殺菌用包装材料であって、前記ガスバリアフィルムが、プラスチックフィルム（１０）上に蒸着手段を用いた蒸着法によりセラミック層（１１）を形成させてなり、その際、前記蒸着手段とは別に高密度プラズマを発生させる手段を併せて用いることを特徴とする加圧加熱殺菌用包装材料。 （もっと読む）

【課題】耐摩擦性に優れた車両用窓ガラスを提供する。
【解決手段】真空槽２０内に有機ケイ素化合物の気体を導入しながら蒸着源２１からＳｉＯ₂の蒸気を放出させ、ＰＣ基板２５表面に炭素を含有するシリコン酸化物薄膜から成る保護膜を形成する。この保護膜は、耐摩耗性が高く、ヘーズの値が小さい。ＰＣ基板２５を保持する基板ホルダ２３に交流電圧を印加しながら保護膜を形成すると、耐摩耗性と密着性が高くなる。また、真空槽２０内に導入した炭化ケイ素化合物のガスをプラズマ化して保護膜を形成することもできる。 （もっと読む）

【課題】ダイシングによりコーティング層が剥離することを防止できる光学素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基材１１上にコーティング層１６が形成された光学素子の製造方法において、親基材１の裏面にダイシングシート２を貼着し、前記親基材１の表面側をダイシングして複数の前記基材１１に分割するダイシング工程と、前記ダイシング工程を行なった後、前記ダイシングシート２に貼着された複数の前記基材１１の表面に前記コーティング層１５を成膜する成膜工程と、前記コーティング層１５が成膜された複数の前記基材１１を、前記ダイシングシート２から剥離するピックアップ工程とを備えること構成とする。 （もっと読む）

【課題】
毒性のない透明導電膜の低抵抗率化と大面積化を可能とし、製造過程に於ける基板選択性を高め低コスト化と同時に省エネルギー化を図る。
【解決手段】
透明基板１上の酸化亜鉛試料２に電位を与えておき、前面に酸素プラズマＯＰを形成し、プラズマ空間電位を直流電源９、交流電源１０又はパルス電源１１で制御する。酸素プラズマＯＰの電子温度分布を変化させ、酸化亜鉛試料２と酸素プラズマＯＰとの間のシース電圧を制御し、亜鉛蒸気ＺＶを亜鉛Ｚｎショット８を加熱して生成させ、非晶質の透明基板１付近の各種粒子の量及び運動量等を質量分析装置１４とプラズマ発光分析装置１３でモニタリングし、各量をオーブンの三次元移動、酸素ガス質量流量、プラズマ生成電源電力等で制御し、得られるＺｎＯ透明導電膜の元素成分を、亜鉛と酸素のいずれか低い存在量に対して、亜鉛、酸素及び水素を除く不純物元素の比が０．４％以下となるように制御する。 （もっと読む）

【課題】例えば５００℃程度以下の低温成長でも、ＺｎＯ層の表面平坦性の低下が抑制されたＺｎＯ系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体素子の製造方法は、基板を準備する工程と、無電極放電管にＯとＮを含むガスを導入し、放電して第１のビーム３ａを発生させる工程と、基板１１の上方に、少なくともＺｎを供給するとともに、無電極放電管から第１のビーム３ａを供給して、ｎ型ＺｎＯ系半導体層を成長させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 非晶質炭素被覆部材において、基材をArイオンでエッチングした後に非晶質炭素膜を基材上に被覆する方法ではエッチング効果が低く、中間層を基材と非晶質炭素膜の間に形成する方法でも、機械部品や、切削工具、金型に対して実用可能な密着性が得られないという問題を有していた。
【解決手段】 基材に負のバイアス電圧を印加することにより、基材表面に周期律表第IIIa、IVa、Va、VIa、IIIb、IVb族元素から選択される１種以上の元素イオン、あるいは、該元素イオンとKr、Xe、CH₄、C₂H₂、C₂H₄、C₆H₆、CF₄から選択される１種以上のガスを少なくとも含む雰囲気ガスによるガスイオンを複数組み合わせて照射した後、基材上に非晶質炭素膜を被覆する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、流れるワーキングガスを供給しながらアーク放電によって束縛されたプラズマビームを生成させるための、前記ワーキングガスの流れの中で互いに距離をあけて配置された２つの電極及びこれらの２つの電極間に電圧を発生させる電圧源を有するビーム発生器に関する。
【解決手段】
前記電圧源は、アーク放電のための点弧電圧とパルス周波数とを有する電圧パルスを生成し、この電圧パルスは、前後して続く２つの電圧インパルス間ごとにアークを消弧することができる。
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【課題】水分等による腐食を防ぐことにより、耐久性を向上させて銀系光反射鏡の高反射率という利点を長期間維持できる光反射鏡及びその製造方法を提供する。
【解決手段】水分に対する耐腐食性が銀より優れる、所定の銀合金を使用し、さらに、形成される各構成膜の密着性および緻密性を高めることによって、高反射率と高耐久性を両立させ得る多層膜構造の銀合金光反射鏡及びその製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】プラズマを用いて活性化した原料から高純度の薄膜を確実に形成することができるようにする。
【解決手段】 プラズマ援用反応性薄膜形成装置におけるプラズマ発生用コイル４を、形成すべき薄膜を構成する元素からなる物質で構成されるかあるいは該物質で被覆されたものとする。そして、そのプラズマ発生用コイル４によってチャンバ１０内にプラズマを発生させ、蒸着源のルツボ６によって蒸発される原料の元素と気体導入口７から導入される気体の元素とがプラズマ雰囲気中で反応し、プラズマ発生用コイル４の表面がスパッタリングされて飛び出す上記物質の元素とともに基板２の表面に蒸着することによって所望の （もっと読む）

【課題】高品質のMg_aZn_1-aO単結晶薄膜を確実に形成することができる単結晶薄膜の作製方法を提供する。
【解決手段】プラズマアシスト付き反応性蒸着法によって成膜する反応性蒸装置を使用し、蒸着源であるルツボ６をヒータ８により加熱し、その内部に入れた合金材料（Mg_xZn_1-x）を蒸発させ、高周波酸素プラズマ中を通して、ベルジャ１０内の上部に置かれた基板の表面に付着させて、Mg_aZn_1-aO単結晶薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】被処理体の表面の凹部の開口部近傍にオーバハング部が形成されることを防止し、この結果、ピンチオフやボイドを発生させることなく凹部内を埋め込むことが可能な薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】高融点金属よりなる金属ターゲット９６をスパッタしつつ発生した金属粒子をプラズマでイオン化し、載置台６０上に載置された表面に凹部を有する被処理体２の表面に前記イオン化された金属粒子をバイアス電力により引き込んで高融点金属を含む薄膜を堆積する成膜工程を有する薄膜の形成方法において、被処理体を、堆積されつつある薄膜がフローを生ずるようなフロー温度に加熱した状態に維持するようにする。これにより、表面拡散を生ぜしめて被処理体の表面の凹部の開口部近傍にオーバハング部が形成されることを防止する。 （もっと読む）

【課題】紫外波長域における反射率が十分に低い反射防止膜を形成する。
【解決手段】真空排気された処理室１内で、無機材料である酸化シリコンを主材料ボート４から電子ビームにより加熱蒸発させて蒸発粒子を生成する。処理室１内にプラズマガス有機材料であるシロキサンガスとの混合ガスを導入し、プラズマ発生用電極７に高周波電力を供給してプラズマを発生させ、イオンプレーティング法により基材９の表面に、シロキサンをバインダーとした酸化シリコンの重合膜を形成する。シロキサンは紫外波長域での光の吸収が大きく反射率を下げることができるとともに、重合度が高いので基材９への密着性が良好になる。 （もっと読む）

【課題】摺動部表面に靱性、耐摩耗性の両方を兼ね備えた皮膜を形成し、摺動部材の耐摩耗性及び耐剥離性の向上した摺動部材の提供を目的とする。
【解決手段】上記課題を達成するため、窒化クロムを主成分とする皮膜が摺動面に形成された摺動部材において、前記皮膜は、空孔率０．０５％〜３％未満の緻密皮膜と、空孔率３〜１５％のポーラス皮膜とを交互に積層した３層以上の多層構造を備えることを特徴とする摺動部材を採用する。そして、前記緻密皮膜は、そのビッカース硬さが１６００ＨＶ０．０５〜２５００ＨＶ０．０５の範囲にあるもの、前記ポーラス皮膜は、そのビッカース硬さが１０００ＨＶ０．０５〜２０００ＨＶ０．０５の範囲にあるものを用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 異常放電を抑制し、安定してプラズマ発振が可能なイオンビーム処理装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ生成空間を規定するプラズマ室１０と、プラズマ生成空間にプラズマを生成するための誘導電磁界を誘起するアンテナコイル１２と、アンテナコイル１２とプラズマ生成空間との間に、プラズマ室と大気との圧力隔壁として設けられた誘電体窓２２と、誘電体窓２２とプラズマ生成空間の間に配置される誘電体板２４と、プラズマ生成空間を挟んでアンテナコイル１２に対向する位置に配置され、プラズマ中のイオンを加速するための２枚以上の多孔引出電極３０とを含むイオンビーム源を備える。また、誘電体窓２２と誘電体板２４の間に配置され、互いに孤立した複数の第１導電配線と複数の第１導電配線の全てと一箇所で接続された第２導電配線を有するシールド電極２０を有する。 （もっと読む）

【課題】ワークに均一に成膜を行う。
【解決手段】ターゲット１１とワークＷとの間には、ＲＦコイル２３が配され、ターゲット１１からワークＷに向けて飛散するスパッタ粒子は、ＲＦコイル２３に高周波電力が供給されるとによってプラスイオンにイオン化される。ワークＷまたはワークＷを保持するワークホルダ８には、バイアス電源２６によってマイナスのバイアスが与えられ、イオン化されたスパッタ粒子を吸着する。バイアス電源２６に流れる電流は、付着したスパッタ粒子が直ちに電気的に中性とならないように制限される。 （もっと読む）

【課題】高周波イオンプレーティング法を用い複合酸化物膜を形成する複合酸化物膜の製造方法であって、安定した組成の複合酸化物膜が容易に得られる方法、及びこの製造方法により得られる複合酸化物膜を構成要素とし、安定した性能を有する水素透過構造体を提供する。
【解決手段】９．９×１０^−４Ｐａ以下の真空度で、複合酸化物の原料元素の固体粉末からなる蒸発源を、固体粉末状態を保ちながら加熱する加熱工程、前記蒸発源をさらに加熱して溶融し、９．９×１０^−４Ｐａ以下の真空度で蒸発源を５分以上溶融状態に保つ溶かし込み工程、及び、前記溶かし込み工程の終了後に開始する高周波イオンプレーティング法による成膜工程、を有する複合酸化物膜の製造方法、及びこの製造方法により形成された酸化物プロトン導電性膜を有する水素透過構造体。 （もっと読む）