説明

Fターム[4K029DD06]の内容

物理蒸着 (93,067) | イオンプレーティング装置 (1,355) | アーク放電式 (1,029)

Fターム[4K029DD06]に分類される特許

1 - 20 / 1,029




【課題】アーク放電状態を確実に評価できるアーク放電評価方法を提供する。
【解決手段】金属ターゲットの表面を複数回撮影して、アーク放電状態を複数の解析画像データとして取得する画像取得工程S30と、画像取得工程S30にて撮影した解析画像データの所定の位置を原点として、各解析画像データを座標データに変換する変換工程S50と、座標データと所定の閾値とを比較することで、座標データよりアークスポットに対応する部分を、前記解析画像データ毎に抽出する抽出工程S60と、抽出座標データを回帰して、抽出座標データの二次関数と二次関数の相関係数rとを算出し、二次関数の二次項aと二次関数の相関係数rとをアーク放電状態の特徴量として取得する特徴量取得工程S80と、を行う。 (もっと読む)


【課題】イオンボンバードメント装置において、複雑な形状を備えた基材のクリーニング効果を高める。
【解決手段】イオンボンバードメント装置1は、真空チャンバ2の一の内側面に、フィラメントで構成した加熱式の熱電子放出電極3を配置し、真空チャンバ2の他の内側面に、熱電子放出電極3からの熱電子を受けるアノード4が配置され、熱電子放出電極3とアノード4との間に基材Wが配置されている。さらに、熱電子放出電極3及びアノード4間に電位差を与えてグロー放電を発生させる放電電源5と、熱電子放出電極3を加熱して熱電子を放出させる加熱電源6と、基材Wに真空チャンバ2に対して負のパルス電位を与えるバイアス電源12とを有する。このバイアス電源12のパルスバイアスによりガス圧が低くてもプラズマ状態を維持でき、ガスイオンを基材Wの複雑形状の表面に照射できる。 (もっと読む)


【課題】ICのシールド用メッキ膜を製造する設備及びICの金属シールド膜層を提供する。
【解決手段】ベース31は、チャンバー311を有している。ワーク支持具32は、チャンバー311に内設されており、かつ複数の回転軸と回転自在に接続され、各回転軸は、少なくとも一つのジグを有し、そのジグでは、少なくとも一つのICを取付ける。各中周波マグネトロンターゲット33及び各多重アークイオンターゲット34は、それぞれチャンバー311に内設され、中周波マグネトロンターゲット33及び多重アークイオンターゲット34が、金属材料をIC上にスパッターリングを行うように用いられることによって、ICの表面に少なくとも一つの金属シールド膜層が形成される。 (もっと読む)


【課題】緻密な薄膜の成膜を可能にして、薄膜の耐チッピング性を向上させることができるアークイオンプレーティング装置を提供する。
【解決手段】アークイオンプレーティング装置1は、蒸発源5が載置される陰極の背面中央に設けられる中央磁石15と、ワーク3の背面に設けられる補助磁石17とを備え、中央磁石15と補助磁石17とは、異なる極を対向させて配置され、ワーク3の成膜面の磁束密度が1mT以上14mT以下となるように設定されている。 (もっと読む)


【課題】所望厚さの被膜を形成する。
【解決手段】直流電源装置1がその一次巻線2に接続されるフライバック変圧器と、フライバック変圧器と直流電源装置に接続される第1半導体スイッチング素子4と、二次巻線3に接続されるダイオード5と、ダイオードに接続するコンデンサ6及び第2半導体スイッチング素子7と、第2半導体スイッチング素子に接続され、回転手段9に連結されて回転駆動する被覆材電極10と、コンデンサの他端に接続され、また被覆材電極に接触することで電気的に導通する被金属加工体11と、第1半導体スイッチング素子、コンデンサ、第2半導体スイッチング素子に制御パルスを印加する制御装置12と、を備える。コンデンサの電圧と所定値とを比較して第1半導体スイッチング素子に対してオン・オフ制御を行い、また第2半導体スイッチング素子に対する印加動作制御をパルス信号の印加終了後に行うことで、火花放電被覆を実現する。 (もっと読む)


【課題】長期間の使用にわたって、すぐれた耐摩耗性を発揮する合金鋼製エンドミル、表面被覆合金鋼製エンドミルを提供する。
【解決手段】 質量%で、C:2.0〜3.0%、Si:3.0〜6.0%、Cr:9.0〜15.0%、WおよびMoのうちの1種または2種の合計:10.0〜12.0%、V:2.0〜3.0%、Co:3.0〜4.0%、残部はFeおよび不可避不純物からなる高温焼戻し軟化抵抗性を有する合金鋼で工具基体を構成した合金鋼製エンドミル、表面被覆合金鋼製エンドミル。 (もっと読む)


【課題】強力な磁気ガイドを含み、無限の異なる軌道内でアークの陰極点を誘導できるようにし、個別に選択され得、かつターゲットを均等に使用するアーク蒸着装置を得る。
【解決手段】磁気ガイドは、2つの独立した磁気システムを含み、該磁気システムのうちの第1のものは、陰極つまりターゲットの周囲に配置されかつ、その磁化がターゲット2の表面領域に対し垂直であるように前記ターゲットと多少の差こそあれ同一平面にくるように配置されている一群の永久磁石3からなり、第2の磁気システムは、ターゲット2の後方部分上に設置されかつ、その磁極のうちの少なくとも1つがターゲットの表面領域に対し平行である状態で前記ターゲット2からある一定の距離のところにて蒸着装置の電気絶縁性本体6内に収納されている電磁石4,5からなる。 (もっと読む)


【課題】切削開始初期段階においてすぐれた耐ピッチング性、耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 WC基超硬合金からなる工具基体の表面に、AlとCrの複合窒化物層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、硬質被覆層は柱状結晶組織を有し、刃先の柱状結晶組織の成長軸線方向は、工具基体表面の垂直方向に対して傾斜しており、刃先の逃げ面における柱状結晶組織の成長軸線方向の傾斜角度は、工具基体表面の垂直方向から、逃げ面延長線とすくい面延長線上の交点に向かって18±5°であり、また、刃先のすくい面における柱状結晶組織の成長軸線方向の傾斜角度は、工具基体表面の垂直方向から、逃げ面延長線とすくい面延長線上の交点に向かって30±5°である表面被覆切削工具。 (もっと読む)


【課題】成膜装置において、成膜中に基板へのイオン照射を十分に行うと共に、良好なイオン化率を得る。
【解決手段】本発明の成膜装置1は、内側に配備された内極磁石9と、この内極磁石9の外側に配備され且つ内極磁石9より磁力線密度が大きな外極磁石10とで形成された非平衡磁場形成手段6と、非平衡磁場形成手段6の前面に配備されたターゲット5とからなるスパッタリング蒸発源4を2基有し、2基のスパッタリング蒸発源4を1組として10kHz以上の周波数で極性が切り替わる交流電流を流すことにより、両スパッタリング蒸発源4の間に放電を起こして成膜を行う交流電源8が設けられている。 (もっと読む)


【課題】苛酷な使用環境下で使用される切削工具や金型等において、SiC皮膜の耐剥離性を大幅に改善することにより、工具の耐久性が改善することができる被覆工具およびその製造方法を提供する。
【解決手段】工具の基材表面に中間皮膜を介して硬質皮膜を被覆した被覆工具であって、該硬質皮膜は、原子比でSiよりもCが多く、組織に立方晶の結晶構造相を含むSiC皮膜であり、
前記中間皮膜は、AlxMyからなる窒化物または炭窒化物(但し、x、yは原子比を示し、x+y=100、かつ、x>0、かつ、y≧0、Mは周期律表の4a族元素、5a族元素、6a族元素、B、Si、Yから選択される1種または2種以上)であり、
前記中間皮膜の硬質皮膜側は、六方晶が主体の結晶構造である耐剥離性に優れる被覆工具である。 (もっと読む)


【課題】 硬質皮膜を被覆することで優れた耐食性を有する、プラスチックやゴム等の成型部品に最適な被覆物品の製造方法および被覆物品を提供する。
【解決手段】 物品の基材表面に物理蒸着法によって硬質皮膜を被覆した被覆物品の製造方法であって、前記硬質皮膜は、第1のクロム系硬質皮膜とその直上の第2のクロム系硬質皮膜の少なくとも2層以上からなり、
前記第2のクロム系硬質皮膜の被覆前に、前記第1のクロム系硬質皮膜の表面を研磨し、前記第2のクロム系硬質皮膜の被覆期間中に、前記基材に印加する負圧のバイアス電圧を変化させる耐食性に優れた被覆物品の製造方法である。
第2のクロム系硬質皮膜の被覆期間中に、前記基材に印加する負圧のバイアス電圧を初期と終盤で異ならせることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】耐欠損性、耐摩耗性にすぐれた表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、物理蒸着法によって硬質被覆層を被覆形成し、硬質被覆層は組成式:(Ti1−x−yAl)(N1−z)で表される平均層厚0.5〜8.0μmの複合炭窒化物層(または、複合窒化物層)を含み、複合炭窒化物層は、構成元素のうち90原子%以上が金属元素である平均断面長径0.05〜0.5μmの金属粒子を含有し、金属粒子は複合炭窒化物層中に3〜18%の縦断面面積比率で分散分布し、金属粒子のうち構成元素に50原子%以上のAlを含み、かつ縦断面形状のアスペクト比が2.0以上かつ長径が工具基体表面となす鋭角が45°以下である粒子の縦断面面積比率をA%、それ以外の粒子の縦断面面積比率をB%としたとき、0.3≦A/(A+B)である表面被覆切削工具によって、前記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】耐欠損性、耐摩耗性にすぐれた表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、物理蒸着法によって硬質被覆層を被覆形成した表面被覆切削工具において、硬質被覆層は、組成式:(Ti1−x−yAlZr)(N1−z)で表される平均層厚0.5〜8.0μmの複合炭窒化物層あるいは複合窒化物層を少なくとも含み、複合炭窒化物層または複合窒化物層は、構成元素のうち90原子%以上が金属元素である平均断面長径0.05〜0.5μmの金属粒子を含有し、金属粒子は硬質被覆層中に3〜18%の縦断面面積比率で分散分布し、金属粒子のうち構成元素に50原子%以上のAlを含み、かつ縦断面形状のアスペクト比が2.0以上かつ長径が工具基体表面となす鋭角が45°以下である粒子の縦断面面積比率をA%、それ以外の粒子の縦断面面積比率をB%としたとき、0.3≦A/(A+B)であることによって、前記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】改善されたアーク蒸着プロセスよって良好な性質を有する酸化硬質皮膜を経済的に析出させて提供する。
【解決手段】 本発明は、機能膜(32)として加工物(30)上でアーク−PVD法によって析出される硬質材料膜において、この膜が本質的に、周期系の亜族IV、V、VIの遷移金属およびAl、Si、Fe、Co、Ni、Co、Yの金属(Me)の少なくとも1つからなる電気的に絶縁する酸化物として形成され、かつ前記機能膜(32)が希ガスおよびハロゲンを含有しない硬質材料膜に関する。 (もっと読む)


【課題】三価クロム及び六価クロムを利用しない、銀またはステンレス鋼の外観を有する、着色した金属基材の製造方法を提供する。
【解決手段】ベース層10を基材12の上に析出させて、第一の被覆基材14を形成し、窒化クロム16を第一の被覆基材14の上に析出させて、被覆基材20を形成する。特徴的なことは、前記窒化クロム層は、約45原子%未満の窒素原子%を有し、前記ベース層と前記窒化クロム層は、物理蒸着によって析出させる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、所定の超硬合金を基材とした光学素子用成形型について、より寿命の長い離型膜をその成形面に形成可能とした光学素子用成形型及びその製造方法を提供する。
【解決手段】タングステンカーバイドを主成分とする超硬合金(バインダレス超硬合金を除く)からなる基材2の成形面に、ダイヤモンドライクカーボンからなる離型膜4を形成した光学素子用成形型であって、基材2と離型膜4との間に、立方晶からなる結晶構造を有し、その表面粗さRaが0.5nm以下であるタングステンカーバイド膜3を介在させた光学素子成形用成形型1。 (もっと読む)


【課題】 硬質皮膜を被覆することで優れた耐食性を有する、プラスチックやゴム等の成型部品に最適な被覆物品の製造方法および被覆物品を提供する。
【解決手段】 物品の基材表面に物理蒸着法によって硬質皮膜を被覆した被覆物品の製造方法であって、前記硬質皮膜は、前記基材表面に被覆された第1の硬質皮膜と、その直上に被覆された第2の硬質皮膜の少なくとも2層以上からなり、
前記基材表面は窒化処理されており、前記第2の硬質皮膜を被覆する前に、前記第1の硬質皮膜の表面を算術平均粗さRaは0.05μm以下、かつ最大高さRzは1.00μm以下となるように研磨する耐食性に優れた被覆物品の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】DLC膜の形成方法を検討することで、研磨実施後もプレス加工金型用工具の加工面にDLC膜が存在することが可能であり、且つ、プレス加工金型用工具の側面と加工面に同等の特性を有するDLC膜を形成することが可能なプレス加工金型用工具の補修方法を提供する。
【解決手段】被加工材をプレスにより成型加工又は打ち抜き加工を行うためのプレス加工金型用工具の補修方法であって、摩耗したプレス加工金型用工具43の加工面43bを研磨する工程と、プレス加工金型用工具43の側面43aをマスキング材10で保護する工程と、研磨した加工面43bにDLC膜41を形成する工程と、を有するものである。 (もっと読む)


1 - 20 / 1,029