【課題】プラスチック基材に対し、耐摩耗性、接着性及び／又は微小亀裂耐性の向上した被覆を提供する。
【解決手段】基材と第一の層とその上に堆積した第二の層とを含む多層品であって、第一の層は、式R₂Si(OR’)₂のジオルガノジオルガノオキシシラン、式RSi(OR’)₃のオルガノトリオルガノオキシシラン又は両者の部分縮合物を含み、式中Ｒは独立に炭素原子数約1〜3のアルキル基、炭素原子数約6〜13の芳香族基、ビニル基、3,3,3-トリフルオロプロピル基、γ-グリシドキシプロピル基及びγ-メタクリロキシプロピル基からなる群から選択され、R’は独立に炭素原子数約1〜8のアルキル基、炭素原子数6〜20の芳香族基及び水素からなる群から選択される。第二の層はプラズマ中で重合して酸化した有機ケイ素材料を含み、ケイ素、酸素、炭素及び水素を含有している。 （もっと読む）

【課題】経年変化（高温・多湿環境に曝された場合を含む）により濁度および機械強度が低下しない蒸着フィルムおよび該蒸着フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】基材フィルムと、該基材フィルムの表面に設けられたアンダーコート層と、該アンダーコート層の表面に設けられたＳｉＯｘ蒸着層とを含む蒸着フィルムであって、該蒸着フィルムは、濁度が４％以下であり、かつ、破断強度が３５〜４０（Ｎ／１５ｍｍ）以下であり、温度１２０℃、湿度１００％ＲＨ、２気圧、２４時間という条件で実施するプレッシャー・クッカー・テスト後の上記蒸着フィルムは、濁度が１５％以下であり、かつ、破断強度が２７（Ｎ／１５ｍｍ）以上である蒸着フィルムおよび該蒸着フィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】より高いガスバリア性を有し、かつ耐食性にも優れたガスバリア性フィルムを提供する。
【解決手段】基材２と、基材２上に設けられたガスバリア層３とを有し、前記ガスバリア層３が、無機酸化物、無機窒化物、無機炭化物、無機酸化炭化物、無機窒化炭化物、無機酸化窒化物及び無機酸化窒化炭化物から選ばれる少なくとも１種の無機化合物と、モリブデンと、モリブデン以外の耐食性金属とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐熱サイクル特性、耐熱応力特性に優れたアモルファス状炭素皮膜の形成を可能とするアモルファス状炭素皮膜の形成方法及びアモルファス状炭素皮膜を提供する。
【解決手段】基材表面に、アモルファス状炭素皮膜を形成させる方法であって、前記基材のアモルファス状炭素皮膜形成面に、前記基材よりも炭化物生成自由エネルギーの小さい物質からなる粒子を分散させ、化学蒸着法又は物理蒸着法により前記粒子上にアモルファス状炭素を成長させて、柱状のセグメントの集合体からなるアモルファス状炭素皮膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い生産性で多段蒸着フィルムを製造する方法を提供する。さらに、多段蒸着フィルムの厚みの増加を小さい範囲に抑えつつ、水蒸気バリア性を大幅に高める技術を提供する。
【解決手段】アノード電極を有するプラズマガンを備えた真空成膜装置を用いて、該真空成膜装置内の蒸着材料収納容器に保持された蒸着材料を蒸発させ、基材の被成膜面に薄膜を形成する第一薄膜形成工程と、第一薄膜形成工程と同様にして、上記薄膜上にさらに薄膜を形成する第二薄膜形成工程と、を備える多段蒸着フィルムの製造方法を採用し、薄膜の形成を、蒸着材料収納容器を上記蒸着材料が蒸発する温度以上に加熱するとともに、蒸着材料収納容器に正電位を印加してプラズマガンから放出される電子を蒸着材料に照射しながら行なう。 （もっと読む）

【課題】
従来の無機膜成膜に比べて安価に製造ができ、かつ、煩雑な製造工程を必要とせず、容易に優れたガスバリア性と可とう性を有するガスバリア積層体、その製造方法、このガスバリア積層体からなる電子デバイス用部材、及びこの電子デバイス用部材を備える電子デバイスを提供する。
【解決手段】
基材上に、ガスバリア層を有するガスバリア積層体であって、前記ガスバリア層が、有機ケイ素化合物を原料として用いるＣＶＤ法により形成された有機ケイ素化合物薄膜に、イオンが注入されて得られたものであることを特徴とするガスバリア積層体、このガスバリア積層体の製造方法、前記ガスバリア積層体からなる電子デバイス用部材、及び、前記電子デバイス用部材を備える電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】成膜されたポリイミド膜の膜質を向上させるとともに、単位時間当たりに成膜処理される基板の枚数を増やすことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】基板にポリイミド膜を成膜する成膜装置において、成膜容器６０内に搬入されている基板を加熱する加熱機構６２と、成膜容器６０内に密着促進剤を気化させた密着促進剤ガスを供給する密着促進剤供給機構８０と、加熱機構６２と密着促進剤供給機構８０とを制御する制御部１００とを有する。制御部１００は、基板を成膜容器６０内に搬入した後、加熱機構６２により、基板の温度を、基板にポリイミド膜を成膜するときの所定温度まで上昇させる間に、密着促進剤供給機構８０により密着促進剤ガスを成膜容器６０内に供給し、基板の表面を密着促進剤ガスにより処理するように、制御する。 （もっと読む）

【課題】電極パターンを目立たないようにした透明導電膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】透明層の少なくとも１つの面１ａには、凹凸加工により凹部１ｂ及び凸部１ｃが形成されており、凹部１ｂに積層された第１の導電層２ａと凸部１ｃに積層された第２の導電層２ｂとが、凹部１ｂ及び凸部１ｃの凹凸方向において位置をずらして配置されており、第１及び第２の導電層２ａ，２ｂは、それぞれ隣り合う導電層と電気的に絶縁されている。 （もっと読む）

【課題】透明フィルム基材上に結晶質のインジウム系複合酸化物膜が形成された長尺状の透明導電性フィルムを製造する。
【解決手段】本発明の製造方法は、インジウムと４価金属とを含有するインジウム系複合酸化物の非晶質膜が、スパッタ法により前記長尺状透明フィルム基材上に形成される非晶質積層体形成工程、および前記非晶質膜が形成された長尺状透明フィルム基材が、加熱炉内に連続的に搬送され、前記非晶質膜が結晶化される結晶化工程、を有する。前記結晶化工程における加熱炉内の温度は１７０℃〜２２０℃であることが好ましい。また、前記結晶化工程におけるフィルム長さの変化率は＋２．５％以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 ＴｉＣ膜を含む半導体構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】 高誘電率（ｋ）の誘電体１４および界面層１２を含む積層体を基板１０の表面上に設けるステップと、Ｈｅによって希釈された炭素（Ｃ）源およびＡｒを含む雰囲気において、Ｔｉターゲットをスパッタすることにより、前記積層体上にＴｉＣ膜１６を形成するステップとを含む、半導体構造を形成する方法である。 （もっと読む）

【課題】低コストで低抵抗化が実現可能であり、赤外領域においても透明性を有する電体基板、導電体基板の製造方法、デバイス、電子機器及び太陽電池パネルを提供すること。
【解決手段】基板と、基板上に設けられ、結晶構造におけるａ軸長さが酸化スズ系材料と対応した物質からなり、結晶成長を制御するシード層と、シード層上に設けられ、酸化スズ系透明導電体の結晶からなる導電層とを備える。 （もっと読む）

【課題】タッチパネルに用いる透明導電膜のパターンを目立たなくし、外観上の不具合が生じないようにすることができる透明導電膜を提供することを課題とする。
【解決手段】透明導電性積層体であって、
少なくとも、透明基材と前記透明基材の表裏に形成した樹脂層と前記樹脂層の片面に形成した酸化ケイ素層と前記酸化ケイ素層の表面に形成した透明導電膜層とを備えており、
前記樹脂層の物理膜厚が１０μｍ以上であり、
前記酸化ケイ素層の光学膜厚（当該層の物理膜厚と屈折率を乗じた値）が、１００ｎｍ以上であることを特徴とする透明導電性積層体。 （もっと読む）

【課題】圧電定数のばらつきを小さくでき、耐電圧特性を向上させることができ、製造歩留りを向上させる圧電アクチュエータとその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板１、酸化シリコン層２、TiO_x密着層３’、Pt下部電極層４、PZT圧電体層５及びPt上部電極層６を積層して圧電アクチュエータを構成する。TiO_x密着層３’のTiO_xの組成比xは0<x<2であり、つまり、TiO_x密着層３’はTiを不完全に酸化させて成膜する。密着層３’による絶縁層２と下部電極層４との結合を確保できると共に、Ti成分、Pt成分及びPb成分の拡散が抑制されるので、下部電極層４、密着層３’及び絶縁層２の境界を明瞭にすることができる。 （もっと読む）

【課題】良好なガスバリア性及び耐久性を示すガスバリア性フィルム、その製造方法、及びガスバリア性フィルムを用いた装置を提供する。
【解決手段】ガスバリア性フィルム１０（１０Ａ）は、基材１と、基材１上に設けられた有機層２と、有機層２上に設けられた無機層３とを有し、シリコンを有する基が共有結合をしているアクリル系樹脂が有機層２に含有され、無機層３と接する有機層２の面に上記シリコンが０．１原子％以上存在する。 （もっと読む）

【課題】スループットの優れた成膜装置、および製造装置を提供する。
【解決手段】一対をなすスパッタリングターゲット１１，１２の間に複数の基板１３を配置して一括に成膜する。ＥＬ層は蒸着装置で形成し、その後の電極層や保護層をスパッタ装置で一括に成膜する。少なくとも一方のスパッタリングターゲット表面に対し、概略垂直に複数の基板表面がセットされた状態で成膜を行う。なお、少なくとも基板の周縁にはスパッタ成膜を行わないようにマスクを用いて電極層や保護層を選択的に形成することもできる。 （もっと読む）

【課題】電界効果型トランジスタに関する新規な製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、非晶質酸化物層を形成する前に、基板表面にオゾン雰囲気中で紫外線を照射したり、基板表面にプラズマを照射したり、あるいは基板表面を過酸化水素を含有する薬液により洗浄する。または、非晶質酸化物を含み構成される活性層を形成する工程をオゾンガス、窒素酸化物ガス等の少なくともいずれかを含む雰囲気中で行う。または、基板上に、非晶質酸化物層を形成する後に、非晶質酸化物層の成膜温度よりも高い温度で熱処理する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】搬送される基板に対して、均一に共蒸着することのできる蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空容器１内で基板Ｋ上に薄膜を蒸着形成する蒸着装置１０において、真空容器１内に、基板Ｋを搬送する搬送手段２と、基板Ｋの搬送方向と直交する直交方向に延在するよう搬送方向に沿って並んで配され、基板Ｋに対して成膜材料を蒸気として噴出する線状蒸着源３Ａ，３Ｂと、搬送方向に沿って並んで配され、基板Ｋに対して線状蒸着源３Ａ，３Ｂから噴出される成膜材料より低濃度な成膜材料を蒸気として噴出する複数の点状蒸着源部４Ａ，４Ｂと、を備え、線状蒸着源３Ａ，３Ｂと、複数の点状蒸着源部４Ａ，４Ｂと、から噴出された蒸気により共蒸着が行われることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線層に含まれるＣｕの周囲への拡散を抑制すると共に密着性および動作特性に優れた半導体装置およびその製造方法、並びに、その半導体装置の製造に用いるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】実施の形態に係るスパッタリングターゲットは、１．５原子％以上５．０原子％以下のＭｎと、（Ｍｇの原子％）／（Ｍｎの原子％）で示される比率が０．３以上２．１以下となるＭｇと、１０ｗｔｐｐｍ以下のＣと、２ｗｔｐｐｍ以下のＯ_２と、を含むＣｕ合金を用いて形成される。 （もっと読む）

【課題】重荷重で打点特性および耐屈曲性に優れる透明導電性フィルムを提供する。
【解決手段】可撓性透明基材１上に、結晶性のインジウム・スズ複合酸化物からなる透明導電層３が形成されており、透明導電層の圧縮残留応力が０．４〜２ＧＰａである透明導電性フィルム。透明導電層３は、非晶質のインジウム・スズ複合酸化物からなる非晶質透明導電層を加熱することにより得られうる。加熱の際には透明導電層に圧縮応力が付与されることが好ましい。また、加熱による透明導電層の寸法変化は、少なくとも面内の一方向において−０．３％〜−１．５％であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】互いに真空度の異なる複数の成膜室間での基板の連続搬送・連続成膜処理を可能にしながら有機ＥＬ素子などの半導体素子の生産性を大幅に向上させることを低コストで実現可能とする真空一貫成膜装置を提供する。
【解決手段】互いに真空度の異なる複数の成膜室１，２と、前記各成膜室の間を圧力差を維持しながら連通させる圧力調整室３とを備えた真空一貫成膜装置であって、前記圧力調整室には、前記圧力調整室が連通させている各成膜室の間を基板が挿通可能なスリットの部分を除いて遮蔽する遮蔽部材が備えられている。また、前記遮蔽部材を冷却する冷却部が備えられている。また、前記遮蔽部材の表面には活性炭またはゼオライトなどの吸着剤が付着されている。さらに、前記遮蔽部材は、その一部に基板が挿通可能なスリットが形成された遮蔽板である。 （もっと読む）