【課題】 ガラス基板やＳｉ系膜との密着性に優れ、ＳｉとＣｕとにおける高い拡散バリア性を有し、尚且つ水素プラズマ雰囲気に曝されても膜の膨れや膜剥がれが発生し難い、下地膜等を得るためのＣｕ合金スパッタリングターゲットおよび半導体装置のＣｕ配線膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、Ｃｅ酸化物を２５〜５３質量％含有し、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなるＣｕ合金スパッタリングターゲットである。また、本発明は、Ｃｅ酸化物を２５〜５３質量％含有し、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなるＣｕ合金スパッタリングターゲットをスパッタリングして下地膜を形成し、次いで該下地膜上にＣｕ系配線膜をスパッタリングにより形成する半導体装置のＣｕ配線膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ＥＬデバイス（特にＯＬＥＤ）、光電池、および半導体デバイス（有機電界効果トランジスタ、薄膜トランジスタ、および集積回路一般など）を含む、電子または光電子デバイス（特に導電ポリマーを含むデバイス）の製造において、基板、特に可撓性基板として使用するのに適した、改善されたバリア特性を有するフィルムを提供すること。
【解決手段】ポリマー基板、平坦化被覆層、および無機バリア層を含む複合フィルムであって、前記バリア層は、２ｎｍから１０００ｎｍの厚さを有し、マイクロ波で活性化された反応性マグネトロンスパッタリングによって得ることができる前記複合フィルム。 （もっと読む）

【課題】ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）圧電体層の圧電定数を大きくでき、圧電性を向上させた圧電アクチュエータを提供する。
【解決手段】圧電アクチュエータはキャパシタ構造をなしており、単結晶シリコン基板１、酸化シリコン層２、Ｔｉ密着層３、Ｐｔ_ｍＯ下部電極層４、ＰＺＴ圧電体層５及びＰｔ上部電極層６を積層して形成されている。下部電極層４のＰｔ_ｍＯの組成比ｍは０．６以上、ＰＺＴ圧電体層５のＺｒ_ｘＴｉ_１−ｘの組成比ｘは０．４３〜０．５５である。 （もっと読む）

【課題】防塵性能の高い光学物品を提供する。
【解決手段】基板１の上に複数層からなる無機薄膜２を有する防塵ガラス１０であって、無機薄膜２は、複数の酸化ケイ素層２Ａと、複数の金属酸化物の層２Ｂと、が積層され、金属酸化物は、ジルコニウム、タンタルまたはチタンのいずれかを含んだ金属酸化物であり、酸化ケイ素の層２Ａには、低密度の酸化ケイ素層と、この低密度の酸化ケイ素層より密度の高い高密度の酸化ケイ素層とがあり、無機薄膜２の最表層２Ｓは、低密度の酸化ケイ素層であり、無機薄膜２の最表層２Ｓの表面粗さは０．５５ｎｍ以上０．７０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】結晶化時間を短縮化することができる透明導電性薄膜を有する透明導電性フィルムを提供すること。
【解決手段】透明なフィルム基材の少なくとも一方の面に、少なくとも２層の透明導電性薄膜からなる透明導電性薄膜積層体を有する透明導電性フィルムであって、前記透明導電性薄膜は、いずれも、酸化インジウムまたは４価金属元素の酸化物を含有するインジウム系複合酸化物の結晶質膜であり、前記透明導電性薄膜積層体の表面の側に、酸化インジウムまたは４価金属元素の酸化物の割合が０を超え６重量％以下の第一の透明導電性薄膜（２１）を有し、前記透明導電性薄膜積層体の表面の側から第一の透明導電性薄膜に次いで、前記第一の透明導電性薄膜（２１）よりも、４価金属元素の酸化物の割合が大きい第二の透明導電性薄膜（２２）を有する。 （もっと読む）

【課題】透明導電層がパターン化された場合でも、パターン部Ｐとパターン開口部Ｏとの視認性の差が小さく抑制された透明導電性フィルムを提供する。
【解決手段】透明フィルム基材１上に、第１の誘電体層２１、第２の誘電体層２２、および透明導電層３をこの順に有し、第１の誘電体層の厚みｄ_２１が第２の誘電体層の厚みｄ_２２より大きく、第１の誘電体層の厚みｄ_２１が８〜４０ｎｍであり、第２の誘電体層の厚みｄ_２２が５〜２５ｎｍであり、第１の誘電体層の厚みｄ_２１と第２の誘電体層の厚みｄ_２２との差ｄ_２１−ｄ_２２が３〜３０ｎｍである、透明導電性フィルム。 （もっと読む）

【課題】耐久性、光学特性に優れると共に、配線精度の高精度化を容易に図ることができる透明配線層を備えた透明導電フィルム及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】透明導電フィルム１は、透明な樹脂からなる基材フィルム１１と、基材フィルム１１の表面に形成され、基材フィルム１１よりも光屈折率の高い高屈折コート層１２と、高屈折コート層１２の表面に形成され、高屈折コート層１２よりも光屈折率の低い低屈折コート層１３と、低屈折コート層１３の表面に形成された酸化形素からなる防湿性の下地層１４と、下地層１４の表面においてパターン形成され、下地層１４よりも光屈折率の高い結晶質のＩＴＯからなる透明配線層１５とを有する。透明配線層１５は、ＩＴＯの結晶子サイズが９ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】膜を形成する基板の温度制御を安定して行なう真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空蒸着装置１００は、基板２０の上に膜を形成する真空蒸着装置であって、基板ホルダ１０３と、ホルダ加熱部１０５と、基板２０上に形成する膜の原料をその内部に収容する原料保持部と、第１遮断部１１１と、第２遮断部１１２と、を備えている。第１遮断部１１１は、前記原料保持部側から見て、基板ホルダ１０３よりも外周が外側に位置することが可能である。第２遮断部１１２は、第１遮断部１１１と選択的に、前記原料保持部側から見て、基板ホルダ１０３よりも外周が外側に位置することが可能であり、開口部１１２ａを有する。第２遮断部１１２の開口部１１２ａの内接円の半径は、基板２０の外接円の半径の１．５倍以下である。 （もっと読む）

【課題】ＣＢＤ成膜装置を、ＣＢＤ溶液に溶解してしまうような部分を含む基板であっても基板を溶解させることなくＣＢＤ成膜を実施可能なものとする。
【解決手段】ＣＢＤ成膜装置１を、長尺基板２を密着支持するドラム３と、長尺基板２を密着支持するドラムの一部を浸漬するＣＢＤ反応液４で満たされた反応槽５と、ドラム３に密着支持された長尺基板２の短手方向端部と、ドラム３のうち長尺基板２が密着しない部分とをオーバーラップしてＣＢＤ反応液４から保護する保護部材６と、ドラム３の周速に合わせてドラム３に密着させた長尺基板２と保護部材６をＣＢＤ反応液中で共走行させる駆動部とを有するものとする。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ成膜を良好に行うために適切な位置で静電気除去を行うことができるプラズマＣＶＤ成膜装置を提供する。
【解決手段】長尺の基材１００を連続的に搬送しながら、該基材１００上に連続的に成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置１において、基材１００を巻き掛けて搬送する第１成膜ロール６１と、第１成膜ロール６１と対向して配置された第２成膜ロール６２と、第１成膜ロール６１に巻き掛けた基材１００の第２成膜ロール６２に面する面を基材の成膜面１００ａとして、成膜面１００ａに帯電する静電気を除去する静電気除去装置と、を備え、第１成膜ロール６１と第２成膜ロール６２との間隙は、成膜面１００ａ上にプラズマＣＶＤ成膜を行う成膜空間であり、静電気除去装置は、成膜空間に対し、基材１００の搬送方向の上流側に設けられた第１静電気除去装置８１を含む。 （もっと読む）

【課題】 ボイド等の発生を防止できるように凹部内に金属膜の成膜を施すことができる成膜方法である。
【解決手段】 処理容器２２内でプラズマにより金属のターゲット７６から金属イオンを発生させてバイアスにより引き込んで凹部４が形成されている被処理体に金属の薄膜を堆積させる成膜方法において、ターゲットから金属イオンを生成し、その金属イオンをバイアスにより引き込んで凹部内に下地膜９０を形成する下地膜形成工程と、金属イオンを発生させない状態でバイアスにより希ガスをイオン化させると共に発生したイオンを引き込んで下地膜をエッチングするエッチング工程と、ターゲットをプラズマスパッタリングして金属イオンを生成し、その金属イオンをバイアス電力により引き込んで金属膜よりなる本膜９２を堆積しつつ、その本膜を加熱リフローさせる成膜リフロー工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】材料の蒸発速度とプラズマ密度を自由に設定し、成膜速度に対するガスバリア性を自由に設定出来、酸素バリア性および水蒸気バリア性に優れた、透明、もしくは半透明なガスバリア性フィルムを作成し、それを用いた加熱殺菌用包装材料を提供する。
【解決手段】ガスバリアフィルム（１０，１１）、接着層（１３）、ナイロンフィルム（１４）、接着層（１５）およびヒートシール性樹脂（１６）がこの順で積層された加圧加熱殺菌用包装材料であって、前記ガスバリアフィルムが、プラスチックフィルム（１０）上に蒸着手段を用いた蒸着法によりセラミック層（１１）を形成させてなり、その際、前記蒸着手段とは別に高密度プラズマを発生させる手段を併せて用いることを特徴とする加圧加熱殺菌用包装材料。 （もっと読む）

【課題】絶縁性酸化物の量産性を高めこと、また、そのような絶縁性酸化物を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与すること、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】亜鉛のように４００〜７００℃で加熱した際にガリウムよりも揮発しやすい材料を酸化ガリウムに添加したターゲットを用いて、ＤＣスパッタリング、パルスＤＣスパッタリング等の大きな基板に適用できる量産性の高いスパッタリング方法で成膜し、これを４００〜７００℃で加熱することにより、添加された材料を膜の表面近傍に偏析させる。膜のその他の部分は添加された材料の濃度が低下し、十分な絶縁性を呈するため、半導体装置のゲート絶縁物等に利用できる。 （もっと読む）

【課題】特に高いガスバリア性が必要とされる場合に好適に用いることができる透明なガスバリア性積層フィルムを提供する。
【解決手段】基材層１の一方の表面上に、プライマー層２、ガスバリア層３、ガスバリア被膜層４を順次積層し、プライマー層２は、アクリルポリオール、イソシアネート、およびシランカップリング剤からなり、ガスバリア層３は酸化珪素からなり、ガスバリア被膜層４は、一般式Ｓｉ（ＯＲ^１）_４で表される珪素化合物、一般式（Ｒ^２Ｓｉ（ＯＲ^３）_３）_ｎで表される珪素化合物および水酸基を有する水溶性高分子を含有する塗布液を塗布して乾燥させてなり、プライマー層２の膜厚が、０．００５〜１μｍ、ガスバリア層３の膜厚Ｘが０．００５〜２μｍ、ガスバリア被膜層４の膜厚Ｙが０．０５〜３μｍ、ＸとＹの関係が０．００１≦ＸＹ≦２．０であるガスバリア性積層フィルム。 （もっと読む）

【課題】酸化物薄膜の作製に使用するターゲット等として好適に利用できる、新規な結晶型を有する酸化物を提供する。
【解決手段】インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、
Ｘ線回折測定（Ｃｕｋα線）により、入射角（２θ）が、７．０°〜８．４°、３０．６°〜３２．０°、３３．８°〜３５．８°、５３．５°〜５６．５°及び５６．５°〜５９．５°の各位置に回折ピークが観測され、
かつ、２θが３０．６°〜３２．０°及び３３．８°〜３５．８°の位置に観測される回折ピークの一方がメインピークであり、他方がサブピークである、酸化物。 （もっと読む）

【課題】従来の方式では不十分であった、密着性、ガスバリア性を改善するため、ガスバリア性能と密着性を有した下地層、セラミック層、ガスバリア性能を有した保護層を減圧環境下におけるインライン成膜で形成することで、従来よりも密着性、ガスバリア性に優れたガスバリアフィルムを高い生産効率で提供すること。
【解決手段】プラスチックフィルム１の片面または両面に、下地層２を形成する工程と、前記下地層２の表面にセラミック層３を形成する工程と、前記セラミック層３の表面に保護層４を形成する工程とを具備し、全工程が減圧環境下におけるインライン成膜で各層を形成することを特徴とするガスバリアフィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】汎用性の高いフレキシブル基材上にシート抵抗値が十分に小さく、湿熱条件後及び屈曲後においてもシート抵抗値の上昇が抑制できる透明導電層を具備する透明導電性フィルム及びその製造方法並びに透明導電性フィルムを用いた太陽電池及びエレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【解決手段】フレキシブル基材１１の少なくとも片面に、（Ａ）ポリオルガノシロキサン系化合物を含有するコート材料からなるアンダーコート層１２と、（Ｂ）透明導電層１３とが順次形成された透明導電性フィルム１０とする。 （もっと読む）

【課題】 得られる結晶性透明導電性膜の抵抗値のばらつきを低減し、安定生産を可能とする透明導電性膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】 酸化インジウム・酸化スズを主成分とするターゲットを用いて、気相法により透明導電性薄膜を透明フィルム基材上に形成する透明導電性薄膜の製造方法であって、アルゴンガスと窒素ガスと水蒸気ガスとを含み、窒素ガスの含有量がアルゴンガスに対して２５００ｐｐｍ〜８５００ｐｐｍの範囲内であり、かつ、水蒸気ガスの含有量がアルゴンガスに対して１４５０ｐｐｍ〜１３５００ｐｐｍの範囲内であるアルゴン雰囲気中で成膜が行われる透明導電性薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】様々な外観の要求に対応するためマット感を備えた蒸着フィルムを製造する方法を提供する。
【解決手段】フィルム状の基材１を巻出部１１から巻取部５１まで搬送する基材搬送手段と、巻出部から巻取部の間に設けられた真空蒸着装置２１と、真空蒸着装置から巻取部の間に設けられた接着層形成手段３１と、を少なくとも有する装置１０を使用し、基材搬送手段によって、光を散乱させる粒子を含むマット層９が形成されたフィルム状の基材１を真空蒸着装置に導入しつつ、真空蒸着装置においてフィルム状の基材のマット層の上に蒸着層２を蒸着し、さらに真空蒸着装置から搬出されたフィルム状の基材の当該蒸着層の上に接着層形成手段によって接着剤を塗布して接着層３を形成する。 （もっと読む）

【課題】１平方センチあたり１テラビット以上の面記録密度を実現するのに十分な垂直磁気異方性エネルギーと結晶粒径を有し、量産性に優れた垂直磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に基板温度制御層２、下地層３、磁気記録層４を順次形成する。磁気記録層は、基板を加熱チャンバで加熱する第１工程と、Ｃ，Ｓｉ酸化物からなる群から選ばれた少なくとも一種の非磁性材料を添加したＦｅＰｔを主とする合金からなる磁気記録層を製膜チャンバで製膜する第２工程とからなる磁性層積層工程をＮ回（Ｎ≧２）繰り返して形成する。 （もっと読む）