【課題】可視領域での高い光透過性を有し、低抵抗で、かつ表面平滑性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子への適性を備えた透明導電膜を有する基材を提供する。
【解決手段】基材上に少なくとも１層の結晶化した透明導電膜を有し、該結晶化した透明導電膜の上に、金属酸化物、金属水酸化物及び金属炭酸塩から選ばれる少なくとも１種の金属化合物から構成されるナノ粒子を含有するコロイド分散物を含む塗布液をコーティングしたことを特徴とする透明導電膜を有する基材。 （もっと読む）

第１および第２の別個に蒸発した材料を混合して基板表面に堆積させて層を形成する方法である。この方法では、第１の材料が金属を含み、第２の材料は非金属であり、蒸発した材料が基板表面上に供給可能になるように配設された混合マニホールドを提供すること；第１および第２の材料を別個に蒸発させる第１および第２の加熱素子を提供し、蒸発した材料が混合マニホールド内に供給可能になるように加熱素子を配設すること；および、第１および第２の材料を制御された速度で計量して第１および第２の加熱素子にそれぞれ供給し、金属を含んだ蒸発した材料を混合マニホールドに供給し、ここで第１および第２の材料を混合した後、基板表面に堆積させて、金属を含んだ層を形成することを含む。
（もっと読む）

【課題】離型性と耐久性が高いコーティング膜を提供する
【解決手段】成膜対象物４ａ、４ｂの表面にクロムを注入し、クロム膜を形成した後、クロム膜の表面に白金イオンを注入し、その表面に白金薄膜を形成し、その表面に白金イオンを注入する。本発明ではクロムイオンと白金イオンの注入は、トリガ電圧によって注入装置３２₁、３２₂内でトリガ放電を発生させ、アーク放電を誘起させ、カソード電極からクロムや白金のイオンを放出させると共に、成膜対象物４ａ、４ｂにはアーク放電と同期して負のバイアス電圧をパルス的に印加する。注入層と薄膜との間の密着性が向上する。 （もっと読む）

【課題】成膜材料の利用効率が高い真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】基板を直線状に往復搬送する搬送手段と、１以上の蒸着源を前記往復搬送方向と直交する方向に配列してなる蒸着源列を１以上有し、かつ、搬送手段は、基板の搬送方向の後端が、蒸着源列からの蒸発流が基板に接触する蒸着領域を超える前に、搬送を折り返して基板の往復搬送を行なうことにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスクの製造等に使用される成膜装置において、装置の製作コストの増加を抑えつつ、成膜の基材となるディスク基板の落下や固定位置のずれを防止して、製造歩留まリの向上を図り、また、磁気特性及び電磁変換特性の良好な磁気ディスクの製造を可能とする。
【解決手段】成膜装置の剛性を向上させ、成膜装置の振動を防止すべく、一体の非磁性母材（ステンレス（SUS）もしくはアルミニウム（Al）など）から、複数の成膜室１ａ，１ｂ，１ｃ及び成膜室１ａ，１ｂ，１ｃ間の連結部２ａ，２ｂ，２ｃを一つのセルとして加工して作製する。 （もっと読む）

【課題】所定のタイミングで成膜と成膜との間にウエイトタイムを設けた場合でもスループットが高い薄膜成膜方法、磁気記録媒体の成膜方法および磁気記録ディスクの製造方法を提供すること。
【解決手段】成膜装置２００において基板搬送経路２２０に沿って配置された複数の成膜室１０１〜１１０のうち、成膜室１０４での成膜を終えた基板については、基板搬送経路２２０に沿って１周あるいは２周以上の巡回を行わせるとともに、この巡回期間中はいずれの成膜室１０１〜１１０においても、この基板に対する成膜を中断する。そして、基板が巡回を終えて、所定の成膜室１０４の次段に位置する成膜室１０５に到達した以降、成膜室１０５〜１１０での基板に対する成膜を開始する。従って、成膜装置２００から基板を取り出さなくても、従来の成膜装置の運転条件を変更するだけで、所定の成膜と成膜との間にウエイトタイムを設けることができる。 （もっと読む）

【課題】基板搬送チャンバ及び真空処理チャンバとしての使用に適する、ロードロックチャンバを提供する。
【解決手段】管状本体から分離した上部及び底部プレートを有する真空チャンバが提供され、チャンバは少なくとも２つの基板アクセスポート１１６が形成された管状本体１４８を含み、上部プレート１０４は本体の上端面に気密に配置され、底部プレートは本体の下端表面に気密に配置される。複数の固定具（ファスナー）が上部と底部プレートの間で本体をクランプする。分離された少なくとも１つの上部と底部を有するチャンバ本体を含む。特に、ロードロックチャンバ、基板搬送チャンバ及び真空処理チャンバとしての使用に適する。 （もっと読む）

【課題】 処理基板を鉛直方向に立てた状態で保持する基板ホルダー部で、処理基板のセットにおける衝撃や、セット後、搬送における振動による衝撃で、基板受け部の処理基板と接触する箇所において、キズや割れが発生したり、処理後に微小なキズが発生することがない、処理基板を保持する基板ホルダー部を提供する。
【解決手段】 各々その上側部にて処理基板の下側の端面に接して、該下側の端面にて処理基板を支える、２以上の複数の基板受け部により、処理基板を保持するもので、前記全て基板受け部もしくは一部の基板受け部は、各々、前記上側部にて処理基板の下側の端面に接して、処理基板側から下側に力を受けて変形し、且つ、変形することにより、上向きに力が働く、弾性部からなる、あるいは、弾性部を有する弾性部材を備え、該弾性部材が処理基板側から力を受けて変形した状態で、前記上向きの力で処理基板を支える、弾性部材付き基板受け部で、各基板受け部による支えをあわせて、処理基板を保持するものである。 （もっと読む）

【課題】 一軸式の機構でサセプタからウェーハを持ち上げることができ、ウェーハ移送手段のチャック方式としてベルヌーイ方式でないものを採用することができるウェーハの処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも、チャンバと、サセプタと、該サセプタを回転上下動自在に支持するサセプタ支持手段とを具備し、前記サセプタには貫通孔が形成されており、該貫通孔を閉塞する蓋体を有し、該サセプタ支持手段が前記サセプタを解放したときに前記サセプタを保持する台座を有し、前記ウェーハを処理する場合は、前記ウェーハを載置したサセプタを前記サセプタ支持手段で保持し、前記ウェーハを前記チャンバ内に出し入れする場合は前記台座に前記サセプタを保持し、前記サセプタ支持手段が前記貫通孔を介して下から前記蓋体を押し上げることで前記ウェーハを前記サセプタから持ち上げることができるものであるウェーハの処理装置。 （もっと読む）

【課題】均一加熱性を大幅に改善することが可能な加熱蒸発装置および多元蒸着方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る加熱蒸発装置は、コイルヒータ５２ｂと容器５２ｃからなる加熱蒸発装置において、前記コイルヒータ５２ｂのコイル部と、前記容器の少なくとも側壁部とが非接触であり、かつ、前記コイル部と前記容器の側壁部との間の距離が略一定であることを特徴とする。この装置においては、前記容器を構成する材料の熱伝導率が大きいこと、前記コイルヒータ５２ｂのコイル部と前記容器の側壁部との間の距離が近いこと、前記容器の側壁部の厚みが均一でありかつ安全な範囲内でできるだけ薄いこと等が望ましい。なお、この装置は、多元蒸着方法に好適に用い得る。 （もっと読む）

【課題】所定以上の大きな排気能力による排気を必要とする高真空チャンバを含む複数の真空チャンバを備えた真空装置を低コストに構成する。
【解決手段】高真空チャンバ２を備えた真空装置１において、高真空チャンバ２に開閉自在のバルブ３、４を介してそれぞれ接続された少なくとも２つのバッファチャンバ５、６と、該バッファチャンバ５、６のそれぞれに、開閉自在のバルブ７、８を介して接続された真空チャンバ９、１０と、バッファチャンバ５、６のそれぞれに接続された、該バッファチャンバ５、６内を排気する真空ポンプ１１、１２とを備え、適宜バルブ３、４、７、８を開閉させ、高真空チャンバ２を同時に２つの真空ポンプ１１、１２により排気を可能とするとともに、高真空チャンバを含む複数の真空チャンバを少数の真空ポンプにより適宜排気可能とする。 （もっと読む）

【課題】複数枚の非導電性の基板に対してバイアススパッタによる成膜を行う枚葉式の成膜装置において、生産性を維持したままで、良好にＤＣバイアスを印加することができるようにする。
【解決手段】複数枚の基板１を略々一平面上に保持する基台６と、複数のバイアス印加用端子１３が設けられた導電性のバイアス印加部材１４とを備える。バイアス印加部材１４は、基台６に対し、基台６上に保持された複数の基板１の略々中央を通り各基板１に対して垂直な回転軸回りに回動可能に支持されており、基台６に対して回動されることにより、複数のバイアス印加用端子１３を基台６上に保持された複数の基板１に対応して接離させる。 （もっと読む）

連続ロール間堆積被覆装置および帯基材のエッジに連続被覆する方法が開示される。本発明は、緻密な被覆と基材との間の密着が向上した硬い、耐摩耗性被覆金属帯を得ることを目的とする。前記堆積被覆装置は、堆積領域（１１８）の上流のエッチング領域（１１６）を含む真空処理チャンバー（１１４）；前記エッチング領域中の少なくとも１つのイオンエッチング装置（１２０）；および前記堆積領域中の少なくとも１つの堆積装置（１２２）を含んでなり、前記の少なくとも１つの堆積装置が少なくとも１つのターゲット（１２４）を含み、前記帯基材が、前記真空処理チャンバーを通って移動する際に、前記エッチング領域中の前記の少なくとも１つのイオンエッチング装置に向かって第１エッジ部（１４０）を突出し、前記堆積領域中の前記の少なくとも１つの堆積装置のターゲットに向かって第１エッジ部を突出し、前記帯基材の第１エッジ部が第１遠位部に向かって第１近位部（１４４）から先細になっている少なくとも第１傾斜表面（１４２）を含み、前記の第１近位部が前記の第１遠位部より帯基材の中央領域に近く、前記第１傾斜表面が第１表面法線（１５０）を有し、前記の少なくとも１つの堆積装置のターゲットがターゲット法線（１２８）を有するターゲット表面（１２６）を含み、前記ターゲット法線が角度αで前記第１表面法線と交差するよう前記第１傾斜表面に対して傾斜しており、αが９０°以上である。
（もっと読む）

【課題】 処理基板の成膜する側の面とターゲットプレートとを、平行に対向させ、マグネトロンスパッタ方式でスパッタを行うスパッタ装置で、ノジュールの発生をなくし、スパッタ処理においてターゲットプレートを効率的に利用でき、エロージョン部分全面を均一に堀り込むことができるスパッタ装置を提供する。
【解決手段】 ターゲットプレートの処理基板面側でない裏面側にマグネットを１以上配し、該１以上のマグネットを揺動させ、ターゲットプレートの前記処理基板面側全体をエロージョン部分とする、もしくは、該ターゲットプレートの処理基板面側を、その天地方向または水平方向のいずれか１方向の対向する周辺部を非エロージョン部分として残してそれ以外をエロージョン部分とするもので、前記ターゲットプレートの処理基板面側の周辺部がエロージョン部分となる外周に、近接して、外側に、処理基板面側をターゲットプレート面に沿う平面にして、少なくとも前記処理基板面側の表面部を焼結したＩＴＯとする補助部材を配設している。 （もっと読む）

【課題】点欠陥などの発生を抑制し、欠陥が少ない高品位な画像が得られる放射線像変換パネルを製造することができる放射線像変換パネルの製造方法および放射線像変換パネル製造装置を提供する。
【解決手段】閉塞された真空チャンバ１２内で、気相堆積法により蛍光体層を形成する製造方法であって、真空チャンバ１２内に基板７０をセットする工程と、基板７０がセットされた状態で基板の表面７０ｄを除塵する工程と、蛍光体層を基板上に形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】真空処理槽のシール性能を損なうことなく、真空処理槽内における被回転体の回転の状態を検知することが可能な回転装置を提供する。
【解決手段】真空処理槽に取り付けられる回転装置であって、該真空処理槽内において回転される被回転体と、前記真空処理槽の内側に設けられ該被回転体を回転させる内側回転軸と、前記真空処理槽の外側に設けられかつ前記内側回転軸と磁気継手を介して連結された外側回転軸と、該外側回転軸を駆動可能な駆動装置と、を備えた回転装置において、前記被回転体の回転情報を前記真空処理槽の壁を透過させて前記真空処理槽の外側に送出する回転情報送出手段と、前記送出される回転情報に基づいて前記被回転体の回転の状態を検知する回転検出装置と、を備える。 （もっと読む）

【課題】気相堆積法によって形成された柱状結晶構造を有する蛍光体層を有し、感度が良好な放射線画像変換パネル、および、その製造方法を提供する。
【解決手段】蛍光体層を形成する柱状結晶の柱側面に小孔を有すること、および、蛍光体層の形成を基板を直線的に往復搬送する真空蒸着で行い、かつ、この直線搬送時に搬送速度を変更することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム蒸発源を用いた真空蒸着装置において、連続蒸着処理能力の増大を可能とした真空蒸着装置および方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム蒸発源を搭載した真空蒸着装置において、装置内の所定の部材を被装する防着カバー、及び防着カバーを移動させる駆動源を備える構成とした。ここで、複数の防着カバーを用いて、その複数の防着カバーのうちの１つが蒸発源に対向する位置に配置され、蒸着源に対向する位置に配置される防着カバーが駆動源によって交換される構成とした。 （もっと読む）

【課題】複数段の有機層を持つ有機半導体を効率的に、かつ、一部の故障が発生しても、ライン停止することなく生産を継続でき、かつ、任意の段数の有機半導体を製造する方法及び装置を提供する。
【解決手段】複数段の有機層を持つ有機ＥＬパネルを製造する方法であって、電荷発生層蒸着室１、正孔注入層蒸着室２、正孔輸送層蒸着室３、発光層蒸着室４、電子注入層蒸着室５及びＡＬ蒸着室６よりなる蒸着処理ラインを並列に配置し、そのうちの一の蒸着処理ラインの入口からその出口へ基板を搬送しつつ該基板上に複数層よりなる第１段目の有機層ユニットを成膜した後、該基板を前記一の蒸着処理ラインの出口からバイパスライン８，９により搬出して並列に配置された蒸着処理ラインのうちの他の前記蒸着処理ラインの入口へ搬入し、更に、当該他の蒸着処理ラインの入口からその出口へ前記基板を搬送しつつ該基板上に複数層よりなる第２段目の有機層を成膜する。 （もっと読む）

標本を保持する標本ホルダと、荷電粒子を標本ホルダ上に放出するように上面と下面との間に貫通開口部を有するマスクと、マスク（８）と標本ホルダ（３）との間の相対位置を検出する近接場検出装置と、ソース（１）とマスク（８）との間の相対位置とは無関係にマスク（８）と標本ホルダ（３）との間の相対移動を生じさせる変位装置と、を有し、マスクが貫通開口部（１０）に少なくとも第１の電極を含んでいる、ナノ製造設備。
（もっと読む）