【課題】簡単な構造で処理室と準備室とを相互に隔絶することができ、その上、低コストな真空装置を提供する。
【解決手段】処理室２１と準備室との間で被処理体の搬送を可能とする搬送手段６に、処理室２１と準備室とを相互に仕切る仕切手段８を一体に設ける。そして、搬送手段６を処理室２１側に移動させると、仕切手段８によって処理室２１と準備室とが相互に隔絶されるようにする。搬送手段６は被処理体を保持するホルダ６１と、ホルダ６１を移動自在とする駆動手段からなる。ホルダ６１は被処理体の外形に略一致し、所定の高さを有する枠体６１ａから構成され、板状の支持板６２上面に取付けられている。支持板６２の一端は、ねじ山付きのスピンドル６３の一端に連結され、モータに接続されたウォーム６４ｂと外接するウォームホイール６４ｃの内歯と噛み合い、駆動手段を構成している。 （もっと読む）

本発明は、一般に、太陽電池、太陽電池内部の材料層、太陽電池の生産方法、および太陽電池生産用の製造装置に関する。本発明による太陽電池は、表面を有してレーザーアブレーションによって生産される少なくとも１つの層を備え、生成される均一な表面積が少なくとも０．２ｄｍ²の領域を含み、パルスレーザビームが当該レーザービームを反射するための少なくとも１つのミラーを有する回転式光学スキャナで走査される超短パルスレーザーデポジションを用いることによって、層が生成されている。 （もっと読む）

【課題】 高アスペクト比のホールの内面に十分な被覆性でコンタクト膜バリア膜のような異種薄膜を真空中で作成できるようにする。
【解決手段】 コンタクト膜を作成するスパッタチャンバー２とコンタクト膜の上にバリア膜を作成するＣＶＤチャンバー３とがセパレーションチャンバー１を介して気密に接続されており、セパレーションチャンバー２には基板９を真空中で搬送する搬送機構１１と、内部に不活性ガスを導入する不活性ガス導入系１２と、セパレーションチャンバー１内の圧力がＣＶＤチャンバー３の圧力より高くＣＶＤチャンバー３の残留ガスが所定のレベル以下になったのを確認したのを確認した後にゲートバルブ３１を開ける制御部６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】マスクの寿命を長く維持することが可能な基板ホルダ及び基板ホルダの取扱方法を提供する。
【解決手段】基板ホルダＷＨは、成膜対象である基板Ｗの一部を覆うパターンを有するマスクＭと、マスクＭを搭載するマスクフレームＦと、マスクフレームＦとの間でマスクＭとその上に搭載される基板Ｗとを挟持するホルダＨと、マスクフレームＦ及びホルダＨの一方に設けられた位置決め突起６０と、マスクフレームＦ及びホルダＨの他方に設けられ、位置決め突起６０が挿通されて、ホルダＨとマスクフレームＦとを位置決めする位置決め穴８０と、位置決め穴８０に隣接して設けられ、位置決め突起６０の先端部が係合される係合部８２と、を備え、位置決め突起６０の先端部が係合部８２に係合された状態では、マスクＭから離間してマスクフレームＦ上でホルダＨを支持可能である。 （もっと読む）

標本を保持する標本ホルダと、荷電粒子を標本ホルダ上に放出するように上面と下面との間に貫通開口部を有するマスクと、マスク（８）と標本ホルダ（３）との間の相対位置を検出する近接場検出装置と、ソース（１）とマスク（８）との間の相対位置とは無関係にマスク（８）と標本ホルダ（３）との間の相対移動を生じさせる変位装置と、を有し、マスクが貫通開口部（１０）に少なくとも第１の電極を含んでいる、ナノ製造設備。
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【解決手段】成膜室１０には、基板ステージ１２、蒸着材料１７が充填されている蒸発源１６が備えられている。成膜室１０の外部にレーザビームを発する光源２２が設けられている。光源２２からのレーザビームは光導入窓１４を通り、蒸着材料１６に照射される。レーザビームの照射により蒸着材料１６を気化し、基板３０に膜が形成される。
【効果】気化された蒸着材料は組成比が変化しないため、緻密な薄膜、歪みや欠陥の少ない均質な薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】原料粒子に超微粒子を均一に付着させることが可能な粉体処理装置の提供。
【解決手段】移動機構によって原料粒子を移動させながら、真空雰囲気中で超微粒子を付着させる粉体処理装置１であり、振動発生装置２９によって原料粒子を転がり移動させながら、蒸気を到達させる。蒸気中の超微粒子が均一に付着する。偏向装置５２によって電荷質量比が大きな微小荷電粒子を偏向させて原料粒子に到達させ、中性粒子や巨大荷電粒子が到達しないようにすると、超微粒子によって均一な薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】試料の大口径化に対応しつつ、製造コストの上昇を抑え、かつ、メンテナンス性も損なわない真空処理装置を提供する。
【解決手段】１つのカセットブロックと複数の真空処理ブロックとを有する真空処理装置であって、前記カセットブロックは、試料を収納したカセットを載置するカセット台と前記試料を搬送する第一の試料搬送手段とを有し、前記真空処理ブロックの各々は、ロードロック室と真空下において前記試料を処理する真空処理室と真空下において前記試料を搬送する第二の試料搬送手段とを有し、前記カセット台は、前記真空処理装置のフロント部に配置され、前記第一の試料搬送手段は、前記カセットと前記真空処理ブロックの各々が有する前記ロードロック室との間において前記試料を搬送する。 （もっと読む）

【課題】大気圧下において樹脂基材を３００ｍｍ／分以上という速度で移動させながら、樹脂基材の表面を改質することが可能な改質方法を提供する。
【解決手段】ターゲット１３の表面にレーザー光Ｌを照射して真空紫外光及び飛散粒子ａを発生させ、樹脂基材１５の表面に前記真空紫外光を照射しつつ飛散粒子ａを付着させる樹脂基材の表面改質方法であって、ターゲット１３の表面上に形成される照射光形状が長軸方向の幅が短軸方向の幅の１．５倍〜１０倍である略楕円形状となるようにターゲット１３の表面にレーザー光Ｌを照射しつつ、ターゲット１３の表面に対して平行な面上において前記長軸方向に対して垂直な方向と樹脂基材１５の移動方向との開口角度が１０°以内となるように樹脂基材１５を移動させ、酸素量が８容量％以下のシールドガス雰囲気下において樹脂基材１５の表面に前記真空紫外光を照射しつつ飛散粒子ａを付着させる。 （もっと読む）

【課題】金属なし領域を高精度に画定するのに適しているにもかかわらず簡単で信頼できる手段によって連続した基板上にパターンに合わせた領域又はいずれの場合にも金属なし領域を形成できる金属化装置を提供する。
【解決手段】ウエブ材料Ｎに被覆を真空蒸着する装置は、ウエブ材料の送り通路と、上記ウエブ材料を案内する処理ローラ１９と、処理ローラと組合わされ、被覆を形成する材料の少なくとも一つの蒸発源と、予め確立したパターンに従ってウエブ材料にマスキング剤を施すアプリケータユニット５１とを有する。アプリケータユニットは、上記マスキング剤の分配シリンダ５５と共動する印刷シリンダ５３及び上記マスキング剤の源５７を備える。アプリケータユニット５１は、側部に、処理ローラ１９に対するアプリケータユニット５１の位置を調整する互いに分離した調整手段７３を備える。 （もっと読む）

【課題】 交流電源を用いたスパッタリングにより成膜する際に、迅速にアーク放電発生を検出して交流電源からの出力を遮断し、アーク放電発生時のエネルギーを小さくしてパーティクルやスプラッシュの発生などを効果的に防止できるようにする。
【解決手段】 真空チャンバ１１内に設けた一対のターゲット４１ａ、４１ｂに、交流電源Ｅを介して所定の周波数で交互に極性をかえて電圧を印加し、各ターゲットをアノード電極、カソード電極に交互に切替え、アノード電極及びカソード電極間にグロー放電を生じさせてプラズマ雰囲気を形成して各ターゲットをスパッタリングする。その際、一対のターゲットへの出力電圧波形を検出し、この出力電圧波形の電圧降下時間が正常なグロー放電時よりも短時間であると判断した場合、交流電源からの出力を遮断する。 （もっと読む）

【課題】ガスフロースパッタリング法によって、連続的に送られるフレキシブル基板に効率よく成膜することができる成膜方法及び装置を提供する。
【解決手段】フレキシブル基板１をチャンバ２に通すと共に、各差動排気ポンプ及び排気用ポンプを駆動し、各小室４、処理室６及び成膜室７内を所定の真空度に減圧し、フレキシブル基板１を連続走行させながら表面処理器９及び各成膜部１０を作動させる。これにより、フレキシブル基板の表面にガスフロースパッタリング法により薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】 交流電源を用いたスパッタリングにより成膜するときに、容量結合した部分を通して発生したアーク放電を効果的に検出できるようにする。
【解決手段】 真空チャンバ１１内に設けた一対のターゲット４１ａ、４１ｂに、交流電源Ｅを介して所定の周波数で交互に極性をかえて電圧を印加し、各ターゲットをアノード電極、カソード電極に交互に切替え、アノード電極及びカソード電極間にグロー放電を生じさせてプラズマ雰囲気を形成して各ターゲットをスパッタリングする。その際、前記各ターゲットとグランドレベルとの間の電圧をそれぞれ検出し、この検出した電圧が所定値を超えると、前記交流電源からの出力を遮断する。 （もっと読む）

【課題】 熱およびプラズマ増強蒸着のための装置および操作方法を提供することである。
【解決手段】 第１の温度で蒸着システムの第１のアセンブリを維持し、第１の温度より低く低下された温度で蒸着システムの第２のアセンブリを維持し、基板を第２のアセンブリの移送空間から真空アイソレートされる第１のアセンブリの処理空間に配置し、基板上に材料を堆積させる、基板上の蒸着のための方法、コンピュータ読み取り可能なメディア、および、システムである。 （もっと読む）

【課題】有機層へのダメージを抑制しながら膜厚のばらつきが小さくなるように有機層に電極を形成して発光素子を製造する発光素子の製造方法と、有機層へのダメージを抑制しながら、膜厚のばらつきが小さくなるように該有機層上に導電層を成膜する成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理基板を保持する保持台を内部に備えた処理容器と、互いに対向する２つのターゲットと、プラズマ励起される処理ガスを前記処理容器内に供給するガス供給手段と、を有し、前記２つのターゲットに電圧を印加して前記処理ガスをプラズマ励起することで、前記被処理基板上の有機層上に導電層を成膜するよう構成されていることを特徴とする成膜装置。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング装置において、仕込室から成膜室への気体分子流入を効果的に抑制する。
【解決手段】内部にスパッタカソードが配置された成膜室、成膜室に仕切りバルブを介して連接された仕込室、成膜室にメインバルブを介して接続された高真空ポンプ、および仕込室に接続された粗引きポンプを備えたスパッタリング装置において、さらに、高真空ポンプと仕込室とを接続するバイパス配管、および、バイパス配管を開閉するための、メインバルブと同時には開かないように設定可能なバイパスバルブを設けた。 （もっと読む）

【課題】基板処理のサイクルタイムを減じる装置と方法を提供すること。
【解決手段】本基板処理装置１は、送り込み領域６と、コーティング処理用の第１〜４のプロセスチャンバ２、３、４、８と、取り出し領域７とを備える。これらのチャンバは中央搬送チャンバ５に接続される。第１と第４のチャンバ２、８はそれぞれロック領域６、７の一方と中央搬送チャンバ５との間に直列に配列される。第２と第３のチャンバ３、４は、互いに独立してアクセスされることが可能なように中央搬送チャンバに並列接続される。本処理方法によれば、ａ）基板を装置内に送み、ｂ）基板を第１のチャンバ内に搬送し、第１の処理ステージを実行し、ｃ）基板を中央搬送チャンバに搬送し、ｄ）基板を、代替的に第２又は第３のチャンバに搬送し、第２の処理ステージを実行し、ｅ）基板を中央搬送チャンバに搬送し、ｇ）基板を装置から取り出す。 （もっと読む）

【課題】管状カソードを有するスパッタ装置において、基板に対する連続的かつ均一な被覆のために、管状カソードの供給を可撓性を有する案内線要素を介して行う。
【解決手段】電力、冷却液、および他の媒体の管状カソードへの供給は、受容器に巻かれる可撓性を有する線および／またはチューブを介して行われる。管状カソードが振り子運動を終了すると、その線および／またはチューブは受容器上に巻かれるか、または、そこから解される。管状カソードの振り子運動は、管状カソードが第１の方向における第１の角度と、および第１の角度とは異なる後続する第２の方向における第２の角度とに回転されるようにすることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】ロード室内における処理に要する時間が短縮された基板予熱方法及び真空処理システムを提供する。
【解決手段】共通搬送室と、外部から基板が搬入されると大気圧下から高真空排気雰囲気下まで減圧され、高真空排気雰囲気下の状態で基板を前記共通搬送室内へ受け渡すロード室と、前記ロード室内に設けられ、搬入された基板を加熱するＩＲヒータと、前記ロード室を減圧する真空ポンプ部と、前記真空ポンプ部及び前記ＩＲヒータの動作を制御する制御装置と、を具備し、前記真空ポンプ部は、前記ロード室内を大気圧から所定の第１圧力までの減圧を行う粗引きラインと、前記第１圧力の雰囲気下から前記第１圧力よりも更に低い第２圧力までの減圧を行う高真空排気ラインと、を有し前記制御装置は、前記ロード室内の減圧を行うラインを前記粗引きラインから前記高真空排気ラインへ切り換える以前に、前記ＩＲヒータの加熱を開始とする。 （もっと読む）

【課題】蒸着装置に用いる原料供給装置であって、蒸着装置の成膜速度の安定性が良好となる原料供給装置、および当該原料供給装置を有する蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着装置の処理容器に、原料を蒸発あるいは昇華させて供給する原料供給装置であって、内部に前記原料を保持する原料容器と、前記原料容器の内部にキャリアガスを供給するガス導入口と、前記キャリアガスと共に蒸発あるいは昇華した前記原料を、前記処理容器に供給するために排出するガス排出口と、を有し、前記原料容器の内部に前記キャリアガスの流れを制御するガス流制御部を設けたことを特徴とする原料供給装置。 （もっと読む）